【課題】 非晶質炭素被覆部材において、基材をArイオンでエッチングした後に非晶質炭素膜を基材上に被覆する方法ではエッチング効果が低く、中間層を基材と非晶質炭素膜の間に形成する方法でも、機械部品や、切削工具、金型に対して実用可能な密着性が得られないという問題を有していた。
【解決手段】 基材に負のバイアス電圧を印加することにより、基材表面に周期律表第IIIa、IVa、Va、VIa、IIIb、IVb族元素から選択される１種以上の元素イオン、あるいは、該元素イオンとKr、Xe、CH₄、C₂H₂、C₂H₄、C₆H₆、CF₄から選択される１種以上のガスを少なくとも含む雰囲気ガスによるガスイオンを複数組み合わせて照射した後、基材上に非晶質炭素膜を被覆する。 （もっと読む）

【課題】新規な構造を有し、従来にない優れた特性を発現するカーボン膜を提供する。
【解決手段】パルス放電プラズマによってメタン、エタン、エチレン、アセチレンなどの種々の炭化水素ガスその他の原料ガスを分解および励起することにより、鉄、ニッケル、コバルト、白金などの触媒金属が担持されたアルミニウム、銅その他の基板上に、それぞれが微小なカーボンナノファイバーの集合体である多数の略円柱状あるいは略針状の突起を一方向に一様に延在してなる構造のカーボン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、第１にナノ構造炭素材料を容易に、且つ、高速に形成し得る製造方法を提供することにあり、第２に様々な基板上にナノ構造炭素材料を形成可能な製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に金属化合物を含む溶液を塗布した後、該金属化合物の有機成分をプラズマ処理により分解除去し、前記基板上に金属微粒子を付着させる金属微粒子付着工程と、前記基板上にナノ構造炭素材料を形成するナノ構造炭素材料形成工程と、を有することを特徴とするナノ構造炭素材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】比較的に大きな内部自由体積を備えた２００ナノメートル未満の直径を有する中空炭素球を提供する。
【解決手段】炭素シェルおよび内部コアを有する中空炭素球が開示されている。この中空炭素球は炭素シェルの体積に該炭素シェルの内部自由体積を加えた体積に等しい総体積を有している。この内部自由体積は総体積の２５％以上である。ある場合には、該中空炭素球の公称半径は１０〜１８０ナノメートルの範囲である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低電流でのアーク放電を水中で行うとともに電極に物理的な振動を加えることで、装置構成がより容易な環境を模索するとともに、精製作業を経ることなく生成物の収量とＣＮＴ率を向上して、ＣＮＴを簡単かつ効率的に合成することを課題とする。
【解決手段】上記課題を解決すべく、本発明の請求項１記載の発明は、正負の電極間に電圧を印加して放電を起こしてなるカーボンナノチューブの製造方法において、前記電極に物理的な振動を加えることにより放電効率を高め、以ってカーボンナノチューブの収率を高めたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高硬度で緻密な炭素膜を形成することを可能とし、更なる薄膜化が可能な炭素膜の形成方法を提供する。
【解決手段】減圧した成膜室１０１内に炭素を含む原料の気体Ｇを導入し、この気体Ｇを高周波プラズマによりイオン化し、このイオンを用いて基板Ｄの両表面に炭素膜を形成する炭素膜の形成方法であって、高周波プラズマにより原料の気体Ｇをイオン化するプラズマ空間１０６と、イオンを加速させる加速空間１０８とが連続する成膜室１０１内において、基板Ｄを加速空間１０８内に配置し、この状態で加速していないイオン又は加速されたイオンを用いて、基板Ｄの両表面に炭素膜を形成する第１の工程と、第１の工程の後に、第１の工程時よりも反応圧力を下げた状態で、第１の工程時よりも加速度を高めたイオンを用いて、基板Ｄの両表面に炭素膜を形成する第２の工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】薄膜化や分散化に優れたオニオンライクカーボンの作製方法を提供し、オニオンライクカーボンの潤滑特性を十分に活用することを目的とする。
【解決手段】１０^−７Ｐａ以上の真空度に保持された反応室内で、アークプラズマ発生手段としてアークプラズマガンを用いてカーボンをターゲットに照射させ、オニオンライクカーボンを合成する。アークプラズマガンのカソードとしてカーボンロッドを搭載し、高純度のカーボンイオンを照射する。また、オニオンライクカーボンの合成は、放電電圧、放電パルス数、真空度を作製条件パラメータとして使用する。 （もっと読む）

【課題】シランカップリング剤を用いた表面改質の有効性を向上できる非晶質状炭素膜の表面改質方法を提供する。
【解決手段】不活性ガスを用いて非晶質状炭素膜２の表面２１をエッチング処理するステップと、エッチング処理された非晶質状炭素膜２の表面２１を、シランカップリング剤を用いて表面処理するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】従来技術と比較して、室温で十分に高いキャリア濃度を有するダイヤモンド半導体及び作製方法を提供すること。
【解決手段】ダイヤモンド基板１１（図５（ａ））上にマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用い、メタンを反応ガスとし、基板温度７００℃でダイヤモンド薄膜１２を１ミクロン積層する（図５（ｂ））。ダイヤモンド薄膜１２にイオン注入装置を用い、不純物１（ＶＩ族又はＩＩ族元素）を打ち込む（図５（ｃ））。その後、不純物２（ＩＩＩ族又はＶ族元素）を打ち込んだが（図５（ｄ））、注入条件は、打ち込んだ不純物がそれぞれ表面から０．５ミクロンの厚さの範囲内で、１×１０¹⁷ｃｍ^-3となるようにシミュレーションにより決定した。その後、２種類のイオンが注入されたダイヤモンド薄膜１３をアニールすることにより（図５（ｅ））、イオン注入された不純物の活性化を行い、ダイヤモンド半導体薄膜１５を得た（図５（ｆ））。 （もっと読む）

【課題】装置が複雑かつ大型、高価になる真空系を必要とせず、高価な希ガスを必要としない、固体高分子の分解方法や炭素質薄膜の作製方法を提供する。
【解決手段】フェルト状炭素繊維２を媒体として、大気圧雰囲気でマイクロ波を照射することで形成される放電加熱領域中における雰囲気ガス活性種と高温を利用する固体高分子３の分解方法、および、これで得られる活性種を原料として固体５表面上に堆積させることによる薄膜の作製方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 ＣｏＷＰ上でのカーボンナノチューブ作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明のカーボンナノチューブ配線構造の製造方法は、Ｃｕ配線上のＣｏを含むめっき層をプラズマ処理するプラズマ処理工程と、前記プラズマ処理工程の前又は後に前記Ｃｏを含むめっき層に、カーボンナノチューブ成長用の助触媒を付与する助触媒付与工程と、前記プラズマ処理工程及び助触媒付与工程より後に前記Ｃｏを含むめっき層及び前記Ｃｏを含むめっき層に付与された前記助触媒を加熱処理する加熱処理工程と、前記加熱処理工程より後に、プラズマＣＶＤ法によるカーボンナノチューブ成長工程とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

カーボンナノ材料を形成するための化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスにおいて、アセチレンガスの供給（１０）がフィルタ（１２）によって濾過されて、揮発性炭化水素ガスが除去された後に、アセチレンガスがマスフロー制御装置（１４）に提供される。マスフロー制御装置（１４）は、ガス混合物が選択された割合の揮発性炭化水素ガスを有するように、濾過されたアセチレンガスを揮発性炭化水素ガスの供給と混合し得る。フィルタ（１２）は、アセチレンガスに活性炭を通過させることによって濾過を行なう。
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【課題】ダイヤモンドおよび単結晶基板が破損することなく、かつ大面積で結晶性の高い高品質の単結晶ダイヤモンド膜を連続膜として有する積層基板とその製造方法を低コストで提供する。
【解決手段】少なくとも、単結晶基板と、該単結晶基板上に気相合成させたダイヤモンド膜を有する積層基板であって、前記単結晶基板が、Ｉｒ単結晶またはＲｈ単結晶であることを特徴とする積層基板。また、少なくとも、単結晶基板上にダイヤモンド膜を気相合成させる工程を有する積層基板の製造方法において、前記単結晶基板に、Ｉｒ単結晶またはＲｈ単結晶を用いることを特徴とする積層基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されたメソポーラスシリカ膜の細孔の膜面内での配列の均一性を向上させ、また曲面状の基板に対しても膜面内での配向の均一性の高いメソポーラスシリカ膜を提供する。
【解決手段】基板上の、構造異方性を有する非単結晶性のカーボン膜上に形成されたメソポーラスシリカ膜であって、前記メソポーラスシリカ膜の細孔の膜面内での配列方向が基板全体にわたって、前記カーボン膜の構造異方性によって規定されている方向に対して、一定の方向に制御されているメソポーラスシリカ膜。 （もっと読む）

【課題】 低温でカーボンナノチューブを成長させることのできるカーボンナノチューブ成長用基板の作製方法及びカーボンナノチューブの作製方法を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブ成長用基板の作製方法は、基板Ｓ上に形成された触媒層１１に、ＣＶＤ法を用いて炭素含有ガスを接触させて触媒層１１から炭素系物質１２を成長させ、次いでこの炭素系物質１２を除去してカーボンナノチューブ成長用基板１を作製する。カーボンナノチューブの作製方法は、このカーボンナノチューブ成長用基板からカーボンナノチューブ１４を成長させる。 （もっと読む）

本発明は、
−基板（（Ｓ_１）の表面上に金属の層を生成する工程であって、金属の層がモル濃度閾値比Ｃ_Ｍ／Ｃ_Ｍ＋Ｃ_Ｃ（ここで、Ｃ_Ｍは金属／炭素混合物中のモル金属濃度、Ｃ_Ｃは前記混合物中のモル炭素濃度）を超えて均質の固溶体が得られるように炭素との相図を有する工程と、
−得られたモル濃度比が、金属中に炭素の固溶体を得るように閾値比より大きくなるような温度で、炭素原子または炭素含有基または炭素含有イオンの制御された磁束に金属層を露出する工程と、
−混合物の相を２相（金属相と黒鉛相それぞれ）に変え、その結果（炭素原子取り込み金属層）／基板界面に位置する少なくとも下部グラフェン膜（３１）と金属層の表面に位置する上部グラフェン膜（３０）を形成する工程と、
を含むことを特徴とするグラフェン膜成長の制御方法に関する。 （もっと読む）

【課題】簡易かつ量産性に優れたマイクロ流路／ナノ流路などの微細流路の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にナノワイヤの成長核となる金属ナノ微粒子をパターン蒸着した後、プラズマＣＶＤ若しくは熱ＣＶＤを用いて、基板上にパターン配置された金属ナノ微粒子を成長核として、ナノワイヤを垂直成長させて、マイクロ流路やナノ流路の微細流路を製造する。親水性基板上に形成させた触媒パターン位置に、撥水性を有するナノワイヤを垂直成長させて、微細流路を製造する。撥水性ナノワイヤを成長させた部分を微細流路の（溝部の）側壁とし、親水性基板が露出した部分を微細流路の（溝部の）底部とする。或は、撥水性基板上に形成させた触媒パターン位置に、親水性を有するナノワイヤを垂直成長させて、微細流路を製造し、親水性ナノワイヤを成長させた部分を微細流路における流路空間（溝部自体）とする。 （もっと読む）

【課題】効率良く量産可能であり、走査プローブ顕微鏡において高分解能観察や高精度微細加工が可能な先端半径と、高アスペクト比構造観察に十分な長さの針をもち、且つ、先端の耐摩耗性に優れたダイヤモンド探針と、これを備えた走査プローブ顕微鏡用カンチレバー、フォトマスク修正用プローブ、電子線源を提供する。
【解決手段】反応性イオンエッチング等では作製困難な長さを有する針状ダイヤモンドを、熱化学加工法によって作製し、プラズマ中でエッチングもしくはマイクロ波プラズマＣＶＤ成長により先端部分を先鋭化することで、効率良く量産可能な先鋭化針状ダイヤモンド５を得ることができる。先鋭化針状ダイヤモンド５のうち少なくとも一本もしくは複数本を、走査プローブ顕微鏡用カンチレバーの探針として備える。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）をＦＥＤの電界エミッタとして用いるには、電界の集中するカソード頂点周囲にＣＮＴを形成して、電界エミッタを電気的に信頼性のあるものとする必要がある。そのための触媒粒子をカソードの頂点周囲に形成する方法を提供する。
【解決手段】外部電源３０１は電解質溶液２０３に電圧を印加する。電解質溶液に印加された電圧は、静電力を生成する。生成された静電力によって、金属触媒イオン２０４が、電解質溶液の表面に集まる。このとき閾値電圧を超える電圧が印加されると、金属触媒イオンは、電解質溶液の表面張力を超えて、電解質溶液の表面から放出される。電界は金属先端２０１の頂点２０２に集中し、電解質溶液から放出された金属触媒イオンは金属先端に向かい、頂点に付着する。付着した金属触媒イオンは金属先端で金属触媒原子になる。 （もっと読む）

【課題】再現性良く、大面積のグラファイト膜を容易に合成することができるグラファイト膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】炭素源の表面をＧａ蒸気に接触させることにより、前記炭素源の表面にグラファイト膜を形成する、グラファイト膜の製造方法に関する。 （もっと読む）