【課題】フラーレンベース材料を分離精製するフラーレンベース材料の製造方法を提供する。
【解決手段】イオン性又は分極性のフラーレンベース材料７を、泳動液２中に分散させた後、前記泳動中で複数の電極３，４間に電圧を印加する電気泳動法を用いて、イオン性又は分極性のフラーレンベース材料７を精製する。溶媒に溶けにくいフラーレンベース材料７の効率的な精製を行うことができ、純度の高いフラーレンベース材料７の大量精製が可能になった。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド半導体の不純物の新しい混入状態を実現する。
【解決手段】ダイヤモンド半導体は、ダイヤモンド１０とダイヤモンド１０内にドーピングされる不純物で構成される。不純物のドーピングにより、ダイヤモンド１０内に複数の高濃度ドープ領域２０が形成される。各高濃度ドープ領域２０は、ダイヤモンド１０内において空間的に局在化されており、そして、ダイヤモンド１０内において複数の高濃度ドープ領域２０が分散的に配置されている。不純物のドーピングによりキャリア生成のための活性化エネルギーを低下させつつ、各高濃度ドープ領域２０の局在化によりキャリア移動度の低下を抑えることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】 金属内包フラーレンやカーボンナノチューブを確実に生成することができ、しかも、ナノカーボン生成時の収率を飛躍的に向上させうるナノカーボン製造粉末の提供を目的とする。
【解決手段】 プラズマによりナノカーボンを製造するためのナノカーボン製造用粉末であって、炭素と、金属及び／又は金属化合物とを含み、且つ、レーザー回折散乱式粒子径測定法で測定した体積基準の粒度分布において、モード径が１０μｍ以下であることを特徴とする。特に、レーザー回折散乱式粒子径測定法で測定した体積基準の粒度分布において、メディアン径が１０μｍ以下であることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、濾過速度が速くかつ耐久性が高く、限外濾過膜、ナノ濾過膜または逆浸透膜に利用可能な膜であって、極薄であるが、力学的強度が高いナノカーボン膜の製造方法及びナノカーボン膜を提供することを課題とする。
【解決手段】濾過法により、精密濾過膜上にナノファイバーからなる犠牲膜を形成する工程Ｓ１と、高周波プラズマ法により、ナノファイバーの隙間にカーボンが充填したカーボン充填層を形成してから、犠牲膜を覆うように平坦な面を有するカーボン平坦膜を製膜する工程Ｓ２と、酸又はアルカリ溶液により、カーボン充填層のナノファイバーを除去して網目状の空洞部を有するカーボン裏打ち層を形成することで、カーボン平坦膜と裏打ち層とからなり、膜厚が１００ｎｍ以下のナノカーボン膜を形成する工程Ｓ３と、を有するナノカーボン膜の製造方法を用いることによって前記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】周期的微細構造を有する物質を高純度で生成することができる技術を提供
【解決手段】レーザー光ＬＬ１，ＬＬ２はそれぞれ、固体ターゲット５１，５２の湾曲面５１ａ，５２ａ上に照射される。これにより、アブレーションが発生し、固体ターゲット５１，５２の湾曲面５１ａ，５２ａからプルームプラズマＰＰ１，ＰＰ２が放出される。なお、レーザー光ＬＬ１，ＬＬ２の照射により、プルームプラズマＰＰ１，ＰＰ２内のイオンがプルームプラズマの交差衝突部空間を通過する距離に対して、上記イオンの衝突平均自由工程が数分の１以下となるような密度と温度を持つプルームプラズマが生成される。そして、プルームプラズマＰＰ１とプルームプラズマＰＰ２の衝突により、周期的微細構造を有する物質（例えば、カーボンナノチューブ）が生成される。 （もっと読む）

【課題】容易かつ高精度に膜硬度を計測する膜硬度計測方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】ＱＭＳ２０により、放電中のプラズマにおけるイオン種を計測し、計測された電流値からＨ＝１、Ｃ＝１２という事実を用いてイオン種の質量と定義し、この質量を、水素流量比０、パルス周波数２０ｋＨｚという条件での値で除することでイオン種の総質量比として算出した。上記水素流量比及びパルス周波数の条件下でＤＬＣ膜が生成されると、チャンバ１１内を大気圧に戻し、この生成されたＤＬＣ膜に対して、ラマン分光分析装置３０によりレーザー光を照射し、散乱したラマン散乱光を検出することで生成膜中の規則性六員環の多さを示すＤピークとＧピークの積分強度比Ｉ_D／Ｉ_Gを算出した。生成された各々のＤＬＣ膜の硬度を、ＱＭＳ２０により算出されたイオン種の総質量比と、ラマン分光分析装置３０により算出された積分強度比と、に基づいて計測した。 （もっと読む）

【課題】 非平衡プラズマを用いた難分解性有機廃液の分解処理において、前記有機廃液を高効率で可燃ガスに改質し、加えて、人工グラファイトや炭素系高機能材料の生成が可能な処理システムを提供する。
【解決手段】 難分解性有機廃液の当量反応に満たない量で供給した酸素をプラズマ化させることにより反応性を向上させる。この状態で前記有機廃液を投入（噴霧）することにより、高効率で可燃ガスを生成する。また、マイクロ波の出力を高めること、又は、触媒の利用によって、人工グラファイト或いは炭素系高機能材料の生成も可能となる。 （もっと読む）

【課題】被処理体上のビアホールや配線用溝等の開口部に高密度にカーボンナノチューブ膜を埋め込むことができるカーボンナノチューブの形成方法を提供する。
【解決手段】表面に１又は複数の開口部を有し、当該開口部底面に触媒金属層が形成された被処理体を準備し（ＳＴＥＰ１）、触媒金属層に酸素プラズマ処理を施し（ＳＴＥＰ２）、酸素プラズマ処理後の触媒金属層に水素含有プラズマ処理を施して、触媒金属層の表面を活性化し（ＳＴＥＰ３）、その後、触媒金属層の上にプラズマＣＶＤによりカーボンナノチューブを成長させて、被処理体の開口部内をカーボンナノチューブで充填する（ＳＴＥＰ５）。 （もっと読む）

【課題】新規な炭素材料を製造することができる方法を提供する。
【解決手段】超臨界状態のアルゴン、二酸化炭素または窒素を雰囲気流体とする密閉容器内に炭素源となる原料化合物を供給しつつ、前記密閉容器内に設けられた２つの電極に電圧を印加することで前記２つの電極間に生起させた放電プラズマによって前記原料化合物を分解し、前記２つの電極のうちの少なくとも一方の電極上に膜状の炭素材料を形成する炭素材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】フィラー同士が互いに接触する確率が高く、重なり合うこともないフィラーとして、どのような母材の場合でも用いることができるダイヤモンドフレークの製造方法と、そのダイヤモンドフレークを含有した伝熱性強化材を提供する。
【解決手段】石英基板３の表面に、ダイヤモンド粉末を用いてダイヤモド核発生促進処理を施した後、７００〜１０００℃でＣＶＤ法により厚さ０．５〜５μｍのダイヤモンド被膜２を成膜し、次いで、冷却を施してダイヤモンド被膜２に亀裂４を発生させ、ダイヤモンド被膜２を石英基板３から剥離させることで、薄片状で反りを有するダイヤモンドフレーク１を得る。 （もっと読む）

【課題】従来よりも小型軽量化または省エネルギー化を図れる排気ガス制御装置を提供する。
【解決手段】
本発明の排気ガス制御装置（３）は、燃焼機関の排気ガスの経路に配設され排気ガスの流れを制御する制御弁（２４）と、この制御弁と一体的に可動する可動軸（２７）と、可動軸を摺動させつつ支承し可動軸の摺動面に摺接する摺受面を有する軸受（３４、３９）とを備える。前記摺動面または前記摺受面の少なくとも一方は、Ｓｉ、Ｈおよび残部であるＣからなる非晶質炭素膜（ＤＬＣ−Ｓｉ膜）を有し、このＤＬＣ−Ｓｉ膜は付着する界面に臨む臨界部とこの臨界部に連なり表面側へ延びる表面部とからなる。その表面部はＳｉ濃度が８〜３０原子％である部分を有し、臨界部は表面部よりもＳｉ濃度が低い。このようなＤＬＣ−Ｓｉ膜が摺動部に存在することで、常温域および高温域における摩擦係数を長期にわたり低減できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、潤滑剤に対する濡れ性が高く、平滑な表面を有し、高硬度で緻密な水素を含む炭素膜を形成することを可能とした炭素膜の形成方法、並びに、該炭素膜の形成方法により形成された水素を含む炭素膜を有する磁気記録媒体及び磁気記録再生装置を提供することを課題とする。
【解決手段】水素を含む炭素膜の形成後に、成膜室１０１内に不活性ガスを導入し、不活性ガスをイオン化して水素を含む炭素膜の表面に加速照射し、水素を含む炭素膜の少なくとも表層部を脱水素化する。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノウォールの選択成長方法を提供すること。
【解決手段】ＳｉＯ₂ からなる基板１００上に、正方形が三角格子状に配列されたパターンのＴｉ膜１０１を形成した。次に、ＳｉＯ₂ 基板１００上にカーボンナノウォールを成長させた。そして、Ｔｉからのカーボンナノウォールの成長開始時間よりも長く、ＳｉＯ₂ からのカーボンナノウォールの成長開始時間よりも短い時間で成長を終了させた。ここで、ＳｉＯ₂ からのカーボンナノウォールの成長開始時間は、Ｔｉからの成長開始時間よりも長い。その結果、ＳｉＯ₂ 基板１００上のうち、Ｔｉ膜１０１が形成されずにＳｉＯ₂ が露出している領域にはカーボンナノウォールが成長せず、Ｔｉ膜１０１上にのみ、カーボンナノウォール１０２が形成された。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を用いた電子源を製造する場合、ＣＮＴを成長させたままの状態では、電子源として作動するＣＮＴの先端の密度が高すぎて良好な電子源特性が得られない。先端の密度を下げるためにＣＮＴを成長させた基板を溶液に浸して乾燥させる技術は既知であるが、さらにこの密度を低下させる方法を提供する。
【解決手段】ＤＣ放電を用いるプラズマＣＶＤ法によって、先端に金属触媒を保持したＣＮＴを基盤上に成長させ、その後、溶剤に浸して乾燥させ、ＣＮＴ構造体を作製する。さらに、その後、このＣＮＴ構造体の先端に、同様なプラズマＣＶＤ法を施して再度ＣＮＴを成長させ、再度、溶剤に浸して乾燥させてＣＮＴ構造体を製造する。 （もっと読む）

【課題】分散安定剤を使用せずに金属ナノ粒子を成膜する。
【解決手段】内部が真空状態に保持され、ウエハＷが載置された処理容器１５０と、金属含塩溶液を超音波により霧化し、霧化された金属塩溶液の液滴Ｍｂを処理容器１５０内に放出する超音波噴霧器１１０と、放出された金属塩溶液の液滴Ｍｂが処理容器１５０の内部をウエハＷに向けて移動する際に通過する空間Ａに配設され、放出された金属塩溶液の霧状の液滴Ｍｂを熱分解する温度調整器１５２とを備える。これにより、熱分解により金属塩溶液の霧状の液滴Ｍｂから生成された金属ナノ粒子ＭａをウエハＷに成膜する。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブの直径や長さの制御が容易であり、基板上に選択的にカーボンナノチューブを製造できるカーボンナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】活性液面連続真空蒸着法により作製した金属微粒子を含む触媒溶液を基礎基板上に滴下し乾燥させ基礎基板上に金属微粒子層を備える基板を製造する工程と、基板をチャンバー内に配置し基板に化学気相成長（ＣＶＤ）処理しカーボンナノチューブを製造する工程とを含むカーボンナノチューブの製造方法。 （もっと読む）

【課題】より高性能なフッ素含有炭素材料（ＣＦ材料）を製造する方法および／またはより生産性の高いＣＦ材料製造方法を提供する。
【解決手段】以下の工程：（Ａ）所定の雰囲気ガス中において、基材６０に向けて加速されたガス粒子を衝突させつつ、ＦとＣを含む原料ガスを基材６０上に堆積させて堆積物を形成する工程；および、（Ｂ）所定の雰囲気ガス中において、ＦとＣを含む被処理材の表面に、該表面に向けて加速されたガス粒子を衝突させる処理を施す工程；の少なくとも一方を包含するＣＦ材料製造方法が提供される。上記所定の雰囲気ガスは、Ｈ_２Ｏを添加して調製された雰囲気ガスおよび／またはＨ_２Ｏを主成分とする雰囲気ガスである。 （もっと読む）

約３００℃超の温度である高温原料を用いて、付着汚染制御を行いながらカーボンブラックを作製するための方法を提供する。これらの方法に従ってカーボンブラックを作製するための装置も提供する。
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【課題】光デバイス若しくは素子中に、又は光デバイス若しくは素子として、使用するのに適したＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料を提供する。
【解決手段】低く均一な複屈折性、均一で高い屈折率、歪みの関数としての低い誘起複屈折性又は屈折率変動、低く均一な光吸収、低く均一な光散乱、高い光（レーザ）損傷閾値、高い熱伝導率、高度な平行度及び平坦度を有しながら高度の表面研磨を示す加工性、機械的強度、磨耗抵抗性、化学的不活性等の特性の少なくとも１つを示すＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料であって、前記ＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料の製造方法は実質上結晶欠陥のない基板を提供するステップと、原料ガスを提供するステップと、原料ガスを解離して、分子状窒素として計算して３００ｐｐｂ〜５ｐｐｍの窒素を含む合成雰囲気を作るステップと、実質上結晶欠陥のない前記表面上にホモエピタキシャルダイヤモンドを成長させるステップとを含む。 （もっと読む）