【課題】高い透明度を保持し、屈折率が高く、複屈折性が小さいという光学的な特性を有し、電気的絶縁性に優れ、各種基材に密着性良くコーティングでき、かつ低温での形成が可能な炭素膜を提供する。
【解決手段】炭素膜は、Cu Kα₁線によるＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角（2θ±0.3°）の43.9°のピークフィッティング曲線Aに41.7°のピークフィッティング曲線Bおよびベースラインを重畳して得られる近似スペクトル曲線を有し、かつ膜厚2nm〜100μmからなるものである。その前記近似スペクトルにおいて、フィッティング曲線Aの強度に対するフィッティング曲線Bの強度が5〜90%であることが好ましい。その炭素膜は、ラマン散乱分光スペクトルにおいて、ラマンシフトが1333±10cm^-1にピークを有し、かつそのピークの半値幅が10〜40cm^-1である。 （もっと読む）

【課題】短時間かつ低コストで大面積、厚膜品のダイヤモンド単結晶を提供し、抵抗率の高い気相合成法によってダイヤモンド単結晶基板を提供する。
【解決手段】種基板１であるダイヤモンド単結晶を用意する工程と、前記ダイヤモンド単結晶から気相合成法によって単結晶を成長させる工程と、を有し、前記単結晶を成長させる工程において、水素と、炭素源を含んだ合成ガス中に窒素ガスを添加することにより、単結晶基板中の炭素原子に対する窒素原子の含有量が５ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下とするとともに、さらに、前記ダイヤモンド単結晶の周辺にＳｉ基板２を配置することにより、単結晶基板中の炭素原子に対するＳｉ原子の含有量を１．０ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下とし、抵抗率が１．０×１０16Ω・cm以上であるダイヤモンド単結晶基板。 （もっと読む）

【課題】ホウ素ドープダイヤモンド粒子の製造を容易化するために適用することができる、ホウ素ドープダイヤモンドの製造方法、ホウ素ドープダイヤモンド及び電極を提供すること。
【解決手段】ＣＶＤ法を用い、ホウ素ドープダイヤモンドを、タングステン又はその酸化物が少なくとも表面の一部に露出した基板上に成長させることを特徴とするホウ素ドープダイヤモンドの製造方法。前記基板の表面粗さは、０．５μｍ以下であることが好ましい。前記基板として、タングステン又はその酸化物から成る領域と、タングステンを含まない領域とが混在するものを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体用途に利用できる高品質な単結晶ダイヤモンドを提供し、かかるダイヤモンド単結晶基板を、従来よりも短時間で作製しかつコストを低廉化させるダイヤモンド単結晶基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ダイヤモンド単結晶基板であって窒素原子含有量の異なる少なくとも二以上の層から形成されており、窒素原子を含有した第一層と、該第一層に比較して窒素原子の含有量が低い第二層とを有し、これらの層が気相合成法によって形成されていることを特徴とするダイヤモンド単結晶基板である。好ましくは前記第一層における窒素含有量が２０ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下であり、前記第二層の窒素含有量が５ｐｐｍ以上２０ｐｐｍ未満であるダイヤモンド単結晶基板である。 （もっと読む）

【課題】高い電流密度を持つカーボンナノチューブを利用した半導体素子の配線形成方法、およびその方法により製造される超高集積度の半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子の電極１２０表面を前処理して活性化させる段階と、電極の活性化した表面１２２上に絶縁層１３０を形成した後、電極の活性化した表面の一部を露出させるために絶縁層を貫通するコンタクトホール１３２を形成する段階と、コンタクトホールを通じて電極の活性化した表面に炭素が含まれているガスを供給して前記電極の活性化した表面からカーボンナノチューブ１４０を成長させて配線を形成する段階と、を具備する半導体素子の配線形成方法およびその方法により製造された半導体素子。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブ成長用基板上に効率よく所望のＣＮＴを成長させる方法の提供。
【解決手段】 アークプラズマガンを用いて表面上に触媒層を形成した後、水素ラジカルを用いて該触媒層を活性化し、次いで活性化された触媒層上にＣＶＤ法によりカーボンナノチューブを成長させる。 （もっと読む）

化学気相蒸着による単結晶ダイヤモンドの形成方法であって、（ａ）少なくとも一つのダイヤモンドのシードを提供すること、（ｂ）ダイヤモンドを成長させるための炭素含有ガスおよび水素と、窒素含有ガスとを含む反応ガスを供給することを含む、化学気相蒸着によりダイヤモンドを成長させるための条件にシードを曝露すること、（ｃ）ダイヤモンドが、内包物なしに欠陥のないステップを有するように、ステップ成長できるように、反応ガス中の他のガスに対する窒素含有ガスの量を制御することを含む、方法。窒素は、０．０００１〜０．０２体積％の範囲に存在する。ジボランは、０．００００２〜０．００２体積％の範囲に存在することもできる。炭素含有ガスは、メタンであり得る。
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【課題】メタンガスなどの吸熱反応性炭素含有原料から、活性化したアルミナ担持Ｆｅ：Ｍｏ触媒を用いてＳＷＣＮＴ（単層カーボンナノチューブ）を製造する方法を提供する。
【解決手段】前記製造方法では、ＳＷＣＮＴ成長温度は約５６０℃未満であり、約９００℃よりも高い温度で還元雰囲気に前記触媒を暴露することによって、前記触媒を活性化する。 （もっと読む）

【課題】液体サンプルから分子のサイズによって特定の分子を分離する分離装置の提供。
【解決手段】分子は、分離装置１によって、前記分子と、分離される前記分子の流体力学直径よりも大きい流体力学直径を有する付加分子の少なくとも１つと、を含む液体サンプルから、分離される。前記分離装置は、基板２と、前記基板に配置される少なくとも１つの循環チャンネル７と、分離される前記分子と関係付けられており、且つ、前記基板の自由表面２ａの上に形成される少なくとも１つのナノチューブ３と、を備える。分離は、カーボンナノチューブのような、所定のものとして、且つ、制御された方法から選択された有効直径を有する、ナノチューブの内部チャンネル４によって達成する。前記内部チャンネルの前記有効直径は、分離される前記分子の流体力学直径よりも大きく、且つ、大きい流体力学直径の前記付加分子の流体力学直径よりも小さくなるように選択される。 （もっと読む）

【課題】気相成長法により得られるダイヤモンド単結晶基板の割れの問題を克服して、半導体材料、電子部品、光学部品等に用いられる、大型かつ高品質なダイヤモンド単結晶基板を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド単結晶種基板からの気相成長により得られたダイヤモンド単結晶基板であって、励起光の集光スポット径が２μｍの顕微ラマン分光法で、種基板層と気相成長層の界面に顕微焦点を設定して測定したダイヤモンド固有ラマンシフトが、界面の、０％より大きく２５％以下の領域（領域Ｃ）では、歪みのないダイヤモンドの標準ラマンシフト量から−１．０ｃｍ^−１以上−０．２ｃｍ^−１未満のシフト量であり、界面の領域Ｃ以外の領域（領域Ｄ）では、歪みのないダイヤモンドの標準ラマンシフト量から−０．２ｃｍ^−１以上＋０．２ｃｍ^−１以下のシフト量である。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチングにおいて反応ガスのＨＦ濃度を高め、エッチングレートを向上させる。
【解決手段】フッ素含有原料とＨ_２Ｏ又はＯＨ基含有化合物とを含む原料ガスを大気圧近傍の生成部５のプラズマ空間５ｂに通し、ＨＦとＣＯＦ_２又はＦ_２とを含む反応ガスを生成する。反応ガスを輸送路１０で被処理物９の配置部２へ輸送し、エッチングを行なう。輸送工程中に反応ガスを凝縮部７で凝縮させて凝縮体を得、その後凝縮体を気化部８で気化させる。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも約２２ＭＰａ ｍ^１／２の靭性を有する単結晶ホウ素ドープＣＶＤダイヤモンドに関する。本発明はさらに、単結晶ホウ素ドープＣＶＤダイヤモンドを製造する方法に関する。本発明のダイヤモンドの成長速度は約２０μｍ／ｈ〜１００μｍ／ｈであり得る。 （もっと読む）

【課題】基板、特に低融点基板において基板が溶融することなくＣＮＴ合成レートを向上し、再現性良く高密度なＣＮＴを当該基板上に合成すること。
【解決手段】基板と、当該基板上に垂直配向したカーボンナノチューブとからなる構造体を製造する方法であって、基板を加熱しつつ基板上にカーボンナノチューブを合成する工程において、基板の加熱温度を、Ｔｍ（ここで、Ｔｍは、前記基板上にカーボンナノチューブが存在しない状態において、前記基板表面の溶融が始まる温度を表す）未満に設定して、カーボンナノチューブの合成を開始した後、基板の加熱温度をＴｍ以上に昇温して、カーボンナノチューブの合成を継続する製造方法。 （もっと読む）

【課題】 ＩＶ特性において格段に優れた炭素膜を得ること。
【解決手段】本炭素膜の構造は基板１０上に複数の炭素膜集合単位１２が形成されている。炭素膜集合単位１２は、細長い針状に成膜されている幹状炭素膜１４と、この幹状炭素膜１４の膜中途から膜下部にかけて当該幹状炭素膜１４を囲むように成膜されている枝状炭素膜群１６とを備える。幹状炭素膜１４は、先端近傍の外周面に当該先端に向けて螺旋状の筋状段差部１８を有する半径が先端に向かうにつれて小さくなる形状を備える細長い針状である。 （もっと読む）

【課題】凹凸基板の隣り合う凸部と凸部を橋架けするカーボンナノウォール。
【解決手段】電子線励起プラズマ発生装置を用いることで、炭素源から極めてエネルギーの高い化学種を生成させることができる。また、凸部と凸部の間隔を２００ｎｍとし、表面にチタンその他の金属膜を形成することで、隣り合う凸部と凸部を橋架けするカーボンナノウォールを形成できた（２．Ｂ）。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、カーボンナノ粒子、特にカーボンナノチューブを簡易な構成で製造することのできるカーボンナノ粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】金属で形成された電極間に放電を生じさせることにより、カーボンナノ粒子を製造するカーボンナノ粒子の製造方法であって、炭素原子を含む溶液９中で金属からなる電極５を用いて放電させる。 （もっと読む）

【課題】粒径が１０ｎｍ以下、粒径バラツキが１５％以下、且つ安価な金属ナノ粒子の化学的製造方法を提供する。さらに、上記の金属ナノ粒子を用いた直径や本数密度の制御されたＣＮＴ構造体及びこのＣＮＴ構造体を用いた電子デバイスを提供する。
【解決手段】金属塩から金属前駆体溶液を形成する工程（Ａ）と、前記金属前駆体溶液から金属前駆体を抽出する工程（Ｂ）と、前記金属前駆体、界面活性体、溶媒を混合させ、前記溶媒の沸点以下の温度において反応させる工程（Ｃ）と、前記工程（Ｃ）の混合溶液から金属含有ナノ粒子を析出させる工程（Ｄ）を含み、前記工程（Ｃ）において、前記金属前駆体と界面活性体のモル濃度比が１以下であることを特徴とする金属含有ナノ粒子の製法。 （もっと読む）

【課題】連続運転不要な気相合成法により得られる、高品質で大面積のダイヤモンド多結晶基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ダイヤモンドと異なる成膜用種基板を用意し、気相合成法により厚さ５００μｍ未満のダイヤモンド多結晶を成膜した後、ダイヤモンド多結晶と種基板を分離してダイヤモンド多結晶自立板とし、ダイヤモンド多結晶自立板上に、さらに気相合成法によりダイヤモンド多結晶を追加成長して、板厚５００μｍ以上のダイヤモンド多結晶基板とすることにより、基板両面研磨後、波長４００ｎｍの光透過率が３５％以上であるダイヤモンド多結晶基板が得られる。 （もっと読む）

【課題】半導体材料、電子部品、光学部品などに用いられる、大面積・高品質なダイヤモンド単結晶基板を提供する。
【解決手段】複数個から構成されるダイヤモンド単結晶基板のうち１つを除く基板１の主たる面の面方位は、｛１００｝面からのずれが１度未満であり、残る１つの基板２の主たる面の面方位は、｛１００｝面からのずれが１度以上８度以下であり、ダイヤモンド単結晶基板を並べて配置する際にこの１つの基板２を最も外周部に配置し、かつ、この１つの基板２の主たる面における＜１００＞方向が、配置基板の外周方向を向く方向に配置し、しかる後に気相合成法によりダイヤモンド単結晶７，８を成長させ、この１つの基板２から成長したダイヤモンド単結晶８が、他の基板１上に成長したダイヤモンド単結晶７上に覆い被さって全面一体化したダイヤモンド単結晶基板。 （もっと読む）

【課題】紫外／可視光ブラインド比を向上させたダイヤモンド紫外線センサー素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド単結晶を受光部とし、この受光部に照射される光によって生じる電気抵抗の変化で光を検出するダイヤモンド紫外線センサー素子の製造方法であって、（１）ダイヤモンド単結晶の表面を実質的に水素を含む雰囲気中で水素化する工程と、（２）前記水素化したダイヤモンド単結晶の表面をオゾンまたは活性酸素を含む雰囲気中に曝露することにより受光部を形成する工程と、を含むこととする。 （もっと読む）