【課題】小径で長尺な筒状の基材であっても、基材の内面を均一厚みのＤＬＣ膜で被覆することができる被覆部材の製造方法を提供すること。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置１は、直流パルスプラズマＣＶＤ法により被覆部材を製造するためのものである。被覆部材の製造時には、円筒状の基材２００は、処理室３内で宙吊りにされる。宙吊り状態の基材２００は、その軸線Ｃが水平方向に延びるような姿勢にされている。プラズマ電源８をオンすることにより、隔壁２と基台５との間に直流パルス電圧を印加してプラズマを発生させる。このプラズマの発生により、処理室３内において原料ガスがプラズマ化し、基材２００の内周面および外周面にＤＬＣ膜が堆積される。 （もっと読む）

【課題】カーボン・ナノチューブを浸出したファイバを提供する。
【解決手段】 本発明のカーボン・ナノチューブを浸出したファイバを含む組成物は、
（ａ）複数のフィラメントを有する母材であるファイバと、（ｂ）前記母材であるファイバに共有結合されたカーボン・ナノチューブと、を有する。本発明の組成物は、（ｃ）レジンをさらに含む。前記母材であるファイバは、ファイバ・トウを含む。前記母材であるファイバは、サイジング材料を含まないファイバである。前記カーボン・ナノチューブを浸出したファイバの電気抵抗率は、前記母材であるファイバのそれより低い。 （もっと読む）

【課題】極めて電気抵抗の低いホウ素ドープ導電性ダイヤモンドライクカーボン薄膜の製造方法及び金属基板上に薄膜を一体構成した電極材料を提供する。
【解決手段】炭素源として炭化水素を、ホウ素源として有機ホウ素化合物を用い、反応調整ガスとしてアルゴンガスを混在させ、高周波プラズマＣＶＤにより基板上にホウ素ドープダイヤモンドライクカーボンを形成させる。 （もっと読む）

【課題】平均直径２ｎｍ未満の単層カーボンナノチューブを長尺化できるカーボンナノチューブ成長用基板を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブ成長用基板１は、基材１上に形成された反応防止層３と、反応防止層３上に形成された触媒材料層４と、触媒材料層４上に形成された分散層５と、分散層５上に形成された分散促進層６とを備える。 （もっと読む）

【課題】熱ＣＶＤによるグラフェン膜成膜の高温プロセス、かつプロセス時間が長いという問題を解決すべく、より低温で短時間にグラフェン膜による結晶性炭素膜を用いた透明導電性炭素膜を形成する手法を提供する。
【解決手段】基材温度を５００℃以下、圧力を５０Ｐａ以下に設定し、かつ含炭素ガスと不活性ガスからなる混合ガスに基材表面の酸化を抑制するための酸化抑制剤を添加ガスとして加えたガス雰囲気中で、マイクロ波表面波プラズマＣＶＤ法により、銅又はアルミの薄膜の基材表面上に透明導電性炭素膜を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】非晶質炭素被膜が形成された摺動部材において、これまでに比べてより低い摩擦係数を確保することができる摺動部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材の摺動面に、珪素及び窒素を含有した非晶質炭素被膜が形成された摺動部材である。摺動部材の非晶質炭素被膜は、珪素原子の含有量／炭素原子の含有量の原子比が、０．１以上であり、窒素原子の含有量／炭素原子の含有量の原子比（Ｎ／Ｃ比)が、０．１〜０．２５の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】所望形状のグラフェン素材を容易に作製する。
【解決手段】まず、基板本体１２を用意し、その基板本体１２の全面にＮｉの結晶層１４を成膜する。続いて、リソグラフィ法により結晶層１４をジグザグ状にパターニングし、触媒金属層１６とする。次に、触媒金属層１６に対してアセチレンとアルゴンとの混合ガスによりＣ原子を供給する。すると、Ｎｉ表面は（１１１）面に再配列されると共に、供給されたＣ原子は六角格子を形成してグラフェンが成長していく。グラフェンは触媒金属層１６上に形成されるため、触媒金属層１６と同じ形状つまりジグザグ状となる。次に、ジグザグ状のグラフェンの両末端に四角形の電極１８，２０を取り付ける。その後、触媒金属層１６を酸性溶液で溶かし、グラフェンをグラフェン素材１０として取り出す。 （もっと読む）

【課題】磁気感度を向上させることが可能なダイヤモンド及びこれを用いた磁気センサーを提供する。
【解決手段】本発明に係るダイヤモンドは、ＮＶ⁻センターの含有量が１×１０^−７ｍｏｌ％以上であり、炭素原子^１２Ｃ及び炭素原子^１３Ｃの合計量を基準とする炭素原子^１２Ｃの含有量が９９．９ｍｏｌ％を超えることを特徴とする。本発明に係る磁気センサーは、本発明に係るダイヤモンドを用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、球状多孔質ダイヤモンド粒子、該球状多孔質ダイヤモンド粒子の製造方法、該球状多孔質ダイヤモンド粒子が充填されているカラム、該カラムを有する液体クロマトグラフ及び該液体クロマトグラフを用いる分析方法を提供することを目的とする。
【解決手段】球状多孔質ダイヤモンド粒子は、平均粒径が０．１μｍ以上１ｍｍ以下である。球状多孔質ダイヤモンド粒子の製造方法は、ナノダイヤモンドを用いて球状多孔質ダイヤモンド粒子を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】 非平衡プラズマ燃焼を用いた難分解性有機廃液の分解処理において、前記有機廃液を高効率で可燃ガスに改質し、加えて、フラーレンや炭素系高機能材料の生成が可能な処理システムを提供する。
【解決手段】 減圧した反応管にマイクロ波を照射し、その反応管内で難分解性廃液と難分解性有機廃液の当量反応に満たない量で供給した酸素を反応させる。これにより通常の燃焼よりも多くのフリーラジカルを発生させ、反応性を向上させる。また、前記有機廃液を投入（噴霧）することにより、反応性を高め、高効率で可燃ガスを生成する。加えて、酸素比の変化、マイクロ波の出力を高めること、又は、触媒の利用によって、フラーレン或いは炭素系高機能材料の生成も可能となる。 （もっと読む）

【課題】容易に且つ膜の特性を損なうことなく特性が向上したダイヤモンド様薄膜を実現できるようにする。
【解決手段】ダイヤモンド様薄膜は、基材１１の上に形成され、炭素と結合した水素を含むダイヤモンド様材料からなる第１の層１３と、第１の層１３の上に形成され且つ炭素と結合した水素の少なくとも一部が引き抜かれ、第１の層１３と比べて水素の含有率が低いダイヤモンド様材料からなる第２の層１４と、第１の層１３と基材１１との間に形成され、第１の層１３と比べて水素の含有率が低いダイヤモンド様材料からなる第３の層１５とを備えていている。 （もっと読む）

【課題】優れた品質のカーボンナノチューブが得られるカーボンナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】アンテナ型プラズマＣＶＤ１，１１の処理室２，１２内に基板９，１５を配置し、原料気体の流通下、処理室２，１２内を所定の圧力に減圧し、アンテナ６の先端６ａからプラズマを発生させて基板９，１５上にカーボンナノチューブを形成する。プラズマを発生させる前に、処理室２，１２内に水素のみを流通して触媒材料層を還元した後、原料気体として、一酸化炭素のみ、一酸化炭素及び一酸化炭素と反応したときに化学量論的に過不足無く水を生成することができる気体との混合気体、二酸化炭素のみ、二酸化炭素及び二酸化炭素と反応したときに化学量論的に過不足無く水を生成することができる気体との混合気体からなる群から選択されるいずれか１種の気体を流通させる。 （もっと読む）

【課題】優れた品質のカーボンナノチューブが得られるカーボンナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】アンテナ型プラズマＣＶＤ１，１１の処理室２，１２内に基板９，１５を配置し、原料気体の流通下、処理室２，１２内を所定の圧力に減圧し、アンテナ６の先端６ａからプラズマを発生させて基板９，１５上にカーボンナノチューブを形成する。基板９，１５を６００〜８００℃の範囲の温度に保持し、６０〜１８０Wの範囲の電力を印加してアンテナ６にプラズマを発生させる。基板９，１５をアンテナ６の先端６ａからの距離ｄが６２．５〜８２．５ｍｍの範囲の距離になるように保持する。 （もっと読む）

【課題】ＣＮＭ等の難溶解性粉体の表面修飾処理を高速化して、大量の表面修飾処理を低コストで行うことのできる粉体可溶化方法及びその粉体可溶化方法に基づき粉体可溶化処理を行える粉体可溶化装置を提供することである。
【解決手段】攪拌部材４の終端部５を液中電極１４の対向電極として、両電極間に高電圧高周波パルス発生装置１７の合成電圧Ｖが印加される。合成電圧Ｖの印加により、水面３２近傍のＣＮＴあるいは水面３２に浮遊するＣＮＴ１１が粉体電極となって、液中電極１４との間で液中プラズマ放電２７を発生させる。液中プラズマ放電２７により液中電極１４の周囲が沸騰状態に達し、Ｈ^＋やＯＨ⁻等のラジカルを含む活性水蒸気２８が生ずる。活性水蒸気２８及び液中プラズマに接触することにより、浮遊ＣＮＴ粉体はＣＮＴ周囲に水和層が形成され親水化される。 （もっと読む）

【課題】電子移動を伴うレドックス反応における酸素還元活性に優れることから、燃料電池の電極触媒の形成材料として好適に用いることが可能な変性物を提供する。
【解決手段】導電性カーボンの官能基または多重結合と窒素含有化合物とを反応させてなる窒素含有導電性カーボンと、金属錯体と、の混合物に、加熱処理、放射線照射処理および放電処理の何れかの変性処理を行うことにより得られる変性物。 （もっと読む）

【課題】バイアス電源等の設置を不要とすることができ、基板に対して原料ガス中の炭素のみを効果的に提供してカーボンナノチューブを垂直配向で成長させ、製造することのできるプラズマＣＶＤ装置とカーボンナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１と、チャンバ１に連通するプラズマ発生部３およびガス提供部２と、チャンバ１内でカーボンナノチューブを成長させる基板Ｋが載置される載置部４と、を備えてなるプラズマＣＶＤ装置１０であり、ガス提供部２からは少なくとも炭素原料ガスが導入されるようになっており、チャンバ１内において、プラズマ発生部３と基板Ｋの間にバルク状の遮蔽材５が配設されている。 （もっと読む）

【課題】シャワープレート等を取り外さずに、シャワープレートの有無を切り替えて基板の処理や成膜が可能なガス分散用装置、このガス分散用装置を備えた真空処理装置、並びにこの真空処理装置を用いた基板の処理方法及びカーボンナノチューブの形成方法を提供する。
【解決手段】ガス供給管に連通する第１の開口部３２及び真空処理装置内部にガスを供給するための第２の開口部３３をそれぞれ対向して上面及び下面に有するハウジング３１と、ハウジング内に設けられた水平方向に滑動自在のガス分散用部材３４であって、複数のガス供給用孔３４ｃが設けられている前方部分３４ａ及びこの孔が設けられていない後方部分３４ｂとからなるガス分散用部材と、ガス分散用部材を滑動せしめるための駆動機構３５とを備えてなり、ガス分散用部材を前方に滑動せしめた時に、第２の開口部に前方部分が位置するように構成される。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板、ダイヤモンド基板等の無機系材料の放熱材料は硬度が高く難加工性であり、グラファイトフィルム、カーボンナノチューブ等の炭素系材料は放熱性が低かった。
【解決手段】アルミニウム含浸グラファイト基板の表面に析出したアルミニウムを塩酸によるウェットエッチング法によって除去する（ステップ１０１）。次に、アルミニウム含浸グラファイト基板の表面にナノメートルのオーダの凹凸構造を加工する（ステップ１０２）。 （もっと読む）

【課題】強磁性体をＣＮＴに十分に内包させる。
【解決手段】炭素の供給源である液体又は気体のアルコール５中で基板７の表面に配置された陰極の電極１１により前記基板７との間に強磁性体の金属板１５を挟み、前記金属板１５が備える尖端部１９を前記陰極に対し間隔を置いて前記基板上に配置された陽極に指向させ、前記電極９，１１間で前記基板７を介して通電すると共に前記金属板１５の尖端部１９に可視光又は紫外光を照射し、棒状の磁性体金属２５を内包したＣＮＴ２７を析出させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フラーレンベース材料を分離精製するフラーレンベース材料の製造方法を提供する。
【解決手段】イオン性又は分極性のフラーレンベース材料７を、泳動液２中に分散させた後、前記泳動中で複数の電極３，４間に電圧を印加する電気泳動法を用いて、イオン性又は分極性のフラーレンベース材料７を精製する。溶媒に溶けにくいフラーレンベース材料７の効率的な精製を行うことができ、純度の高いフラーレンベース材料７の大量精製が可能になった。 （もっと読む）