【課題】カーボンナノチューブ束の散けを防止することが可能な構造体を提供する。
【解決手段】 下地層１０に設けられた導電膜１２と、一端を導電膜１２に接続した複数のカーボンナノチューブのＣＮＴ束２０とを備え、ＣＮＴ束２０の他端側において、複数のカーボンナノチューブのうち少なくともＣＮＴ束２０の外側部のカーボンナノチューブがＣＮＴ束の外に向かって凸の曲率を有して延伸し、ＣＮＴ束の外周に向かうほど曲率が大きくなり、他端に向かって束の直径が小さくなる。 （もっと読む）

【課題】バルクレベルで超伝導状態となる新規な材料系を提供する。
【解決手段】超伝導薄膜１０１は、アモルファス状態の炭素よりなる基質１１１と、基質１１１の中に局所的に形成されたｓｐ²混成軌道による結合（ｓｐ²結合）の部分からなる微細な複数のナノグラファイト（超伝導領域）１１２と、基質１１１の中に局所的に形成されたｓｐ³混成軌道による結合（ｓｐ³結合）の部分からなる微細な複数のナノダイアモンド１１３とを備える。隣り合うナノグラファイト１１２は、超伝導近接効果を示す距離離間して形成されている。 （もっと読む）

本発明は、プラズマ化学気相成長法により外面に堆積される高ｓｐ³含有非晶質炭素被膜の形成方法に関する。この方法により、硬度、ヤング率、耐摩耗性及び摩擦係数などのトライボロジー的性質、並びに屈折率などの光学的性質の調整が可能になる。更に、得られた被膜は均一かつ優れた耐食性を備えている。圧力、ダイアモンドイド前駆体の種類及びバイアス電圧を制御することにより、この新しい方法は、ダイアモンドイド前駆体が基材との衝突によって完全に分解することを防止する。ダイアモンドイドは、高圧下で、高ｓｐ³含有膜を生じるｓｐ³結合を有する。これによりダイアモンドイド前駆体を用いない場合に比べて、堆積速度を速めることができる。
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【課題】地球温暖化の原因である工場等から排出される二酸化炭素を炭素とオゾンに還元して、低コストで二酸化炭素を固定化できるとともに、固定化により付加価値の高い生成物を得ることができる二酸化炭素の分解システムを提供する。
【解決手段】工場等から排出される二酸化炭素を、オゾン発生装置を利用して炭素と酸素に変え、さらに生じた酸素をオゾンに分解する。オゾン発生装置は、紫外線法や放電法、高圧オゾン発生装置、大気プラズマ装置による。プラズマジェットの熱源の温度は約１，０００度であり、熱源は、工場の余剰熱源、その他、太陽光や風力、水力発電等、二酸化炭素の排出量が少ない方法による。 （もっと読む）

【課題】地球温暖化の原因である工場等から排出される二酸化炭素を炭素とオゾンに還元して、低コストで二酸化炭素を固定化できるとともに、固定化により付加価値の高い生成物を得ることができる二酸化炭素の分解システムを提供する。
【解決手段】工場等から排出される二酸化炭素を、オゾン発生装置を利用して炭素と酸素に変え、さらに生じた酸素をオゾンに分解する。オゾン発生装置は、紫外線法や放電法、高圧オゾン発生装置、大気プラズマ装置による。であり、プラズマジェットの熱源の温度は約１，０００℃であり、熱源は、工場の余剰熱源、その他、太陽光や風力、水力発電等、二酸化炭素の排出が少ない方法による。 （もっと読む）

【課題】基板に形成した気相ダイヤモンド薄膜あるいは基板を除去した自立ダイヤモンド薄膜（箔又は板）に存在する歪み、欠陥、色などを効果的に除去又は減少させ、あるいは配向性多結晶又は単結晶体へと改質できるダイヤモンド薄膜の改質方法及び薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド等の黒鉛化を防止できる真空中、不活性ガス、還元性ガス、あるいはこれらの混合ガス等の雰囲気で、ダイヤモンド薄膜に１ＧＨｚ〜５００ＧＨｚのマイクロ波を照射して加熱し、たとえば、レーザーなどにより受けた損傷部を回復させるなど、ダイヤモンド薄膜を改質する。ダイヤモンド薄膜の膜厚方向に沿って、０．１μｍ以上のラマン分光法で評価したダイヤモンドスペクトルの半価幅がほぼ一定である改質された膜厚み領域を有し、その半価幅は膜厚み残部の同最大半価幅の８５％以下であるダイヤモンド薄膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】ＣＮＴを束状に、かつ高い密度で成長させることができるＣＮＴ成長方法の提供。
【解決手段】ＣＮＴ成長用触媒層として触媒金属の酸化物層を有してなる基板を用い、この基板に対してＣＮＴ成長用プロセスガスを供給し、この基板上にＣＮＴを成長させるＣＮＴ成長方法において、ＣＮＴ成長プロセス中に、プロセスガスより触媒金属の酸化物を還元させ、この触媒金属上にＣＮＴを成長させる。 （もっと読む）

【課題】 応力が低減された半導体素子用基板の提供。
【解決手段】異種基板１１としてサファイア基板を使用し、ＭＯＣＶＤ装置を用いて前記サファイア基板上に３００Å以下の膜厚でＧａＮからなるバッファー層（図示せず）を形成した後、前記異種基板１１の上に触媒層１２をパターン形成する（ａ）。この触媒層１２は基板側から窒化物／遷移金属、又は遷移金属／窒化物／遷移金属との順に積層され、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏから選ばれる少なくとも一つの元素を含有するものであって、スパッタ装置を用いて形成される。その後、ウェハーをプラズマＣＶＤ装置に搬入し、カーボンナノチューブ１３を前記触媒層上に形成する（ｂ）。この後、ウェハーをＭＯＣＶＤ装置に移動し、半導体層１４を形成する（ｃ）。次に、半導体層１４を形成したウェハーから異種基板１１を除去して半導体素子用基板とする（ｄ）。 （もっと読む）

【課題】この発明は、高い反応速度で効果的に炭素被覆金属元素含有ナノワイヤを製造できる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】上記の課題を解決するために、本発明に係る炭素被覆金属元素含有ナノワイヤ製造方法は、圧力容器中２に設けられた電極１２，１３が超臨界流体の二酸化炭素中に保持された状態で電極１２，１３に高周波電力を供給して超臨界流体の二酸化炭素中にプラズマを発生させるとともに、有機溶媒供給源４より有機溶媒を圧力容器２に供給することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを用いた配線構造を備える電子デバイスの製造方法について、炭素元素円筒型構造体からなるビアを歩留まり良く形成すること。
【解決手段】基板１上の第１絶縁膜２上に導電パターン５を形成する工程と、第１絶縁膜２と導電パターン５を覆う第２絶縁膜７を形成する工程と、第２絶縁膜７のうち導電パターン５の上にホール７ａを形成する工程と、少なくともホール７ａ内の底面と第２絶縁膜７の上面に金属膜９を形成する工程と、金属膜９の表面に触媒粒子又は触媒膜からなる触媒面１０を形成する工程と、触媒面１０から炭素元素円筒型構造体１１の束を成長する工程と、炭素元素円筒型構造体の束１０の間隙に埋込膜１２を形成する工程と、炭素元素円筒型構造体の束１１及び埋込膜１２及び金属膜９を研磨して第２絶縁膜７の上面から除去するとともに、埋込膜１２及び炭素元素円筒型構造体の束１１をホール７ａ内に残してビア１３を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノウォールの結晶性を改善すること。
【解決手段】少なくとも炭素とフッ素とを構成元素とする原料物質と水素とのプラズマ雰囲気を用いて、基材の表面にカーボンナノウォールを形成するカーボンナノウォールの製造方法において、プラズマ雰囲気に、酸素のプラズマの形成を加えたことを特徴とするカーボンナノウォールの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ＤＬＣ膜の親水性を向上させると共に、生体適合性等の機能の付与を効率良く行うことが可能なＤＬＣ膜の修飾方法を実現できるようにする。
【解決手段】ＤＬＣ膜の修飾方法は、基材の表面にダイヤモンド様薄膜を形成する工程と、ダイヤモンド様薄膜に第１のプラズマを照射することにより反応性の部位をダイヤモンド様薄膜の表面に生起させる工程と、ダイヤモンド様薄膜に少なくとも酸素を含む第２のプラズマを照射することにより反応性の部位と酸素とを反応させることにより親水性の官能基を導入する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】電極として好適に利用できる程度に高い導電性能を有する導電性ダイヤモンドライクカーボンの簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】原料ガスをプラズマ化して成膜を行う膜状のダイヤモンドライクカーボンの製造方法において、該原料ガスを、分子中に炭素原子及び窒素原子を含む化合物とする。このような化合物の例にはシアン化水素、アセトニトリル、エタンシアニドなどがある。成膜を行う際には基板に負のバイアス電力を供給できるプラズマＣＶＤ装置を用いることにより、成膜時間を更に短くすることもできる。 （もっと読む）

【課題】カーボン・ナノチューブを浸出したファイバとそれを形成する方法を提供する。
【解決手段】 本発明のカーボン・ナノチューブを浸出したファイバを形成する方法は、（ａ） カーボン・ナノチューブを形成する触媒を、母材であるファイバの表面上に配置するステップと、（ｂ） 前記カーボン・ナノチューブを前記母材であるファイバ上で直接合成するステップとを有する。前記（ａ）ステップは、（ａ１） 前記触媒の溶液を液状に形成するステップと、（ａ２） 前記触媒の溶液を前記母材であるファイバ上に噴霧するステップとを有する。 （もっと読む）

カーボンナノチューブウィック構造の方法、装置、およびシステムが開示される。システムは、フレームおよび装置を含む。装置は、熱交換器、冷却板内部容量を有する冷却板、および冷却板内部容量内にヒートパイプを含む。幾らかの実施形態においては、ヒートパイプは、ヒートパイプの内のりを形成する熱伝導性壁材、壁材上に堆積される触媒層、触媒層上に形成されるカーボンナノチューブアレイ、および作業流体を含む。他の実施形態も開示される。 （もっと読む）

【課題】この発明は、液中プラズマを用いて高速で効率よくダイヤモンドを製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】上記の課題を解決するために、本発明は、炭素と水素と酸素を含む液体であって、炭素原子数と水素原子数の合計に対する水素原子数の割合が０．７５以上０．８２以下であり、炭素原子数と酸素原子数の合計に対する炭素原子数の割合が０．４７以上０．５８以下である液体に電磁波を照射し、液体中にプラズマを発生させてダイヤモンドを製造するものである。 （もっと読む）

本発明は、単層カーボンナノチューブおよび他の炭素の同素体を製造するための、新規かつ低コストの方法に関する。該方法は、材料がグラファイトからなる固体前駆体の昇華のために、大電流で127 VACまたは220 VACの電源を使用する。固体前駆体は金属電極に接続され、大電流が接点を流れ、高温下でグラファイトが粉砕される。炭素材料は、大気圧下で反応装置の壁および電極に堆積される。得られた材料は酸で精製され、その後、カーボンナノチューブが分離される。一般に、この新規な合成法は金属触媒が無いこと、炭素材料を製造するための媒介に短絡電流を使用すること、低圧で反応すること、および極めて低コストかつ低い動作電圧をう用いる装置のアセンブリであることを特徴とする。
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【課題】使用の当初の摩擦係数を低下させることにより、安定した摺動特性を長時間有する硬質炭素被膜を形成する製造方法を提供する。
【解決手段】炭化水素系ガスを用いたプラズマ気相合成法によって、アモルファス状の炭素膜又は水素化炭素膜からなり、その表面にＣ−Ｈｘ結合（ｘ＝１，２，３）を有する硬質炭素被膜を形成した基材に、真空中又は所定のガス雰囲気中で、１００〜４００℃で熱処理することにより、硬質炭素被膜表面のＣ−Ｈｘ結合（ｘ＝１，２，３）を減少させる表面処理を行う。 （もっと読む）

【課題】誘導フラーレンの製造に適した低エネルギー大電流のプラズマ流を取り出すことが可能なプラズマ源と、誘導フラーレンの大量合成が可能な製造方法を提供する。
【解決手段】イオンエネルギーを制御可能なプラズマ源のプラズマ発生部は、金属板２、ヒーター１、ヒーター加熱電源６から構成される。空間電位設定電極３、電子反射電極４、電子供給電極５は、互いに平行に、かつ、金属板２とほぼ平行に配置する。金属板２と空間電位設定電極３の間には、プラズマ生成電源７が接続され、空間電位設定電極３側が高電位になるように電圧が印加されている。また、接地電位に対して、空間電位設定電極３には電源８により正の電圧が印加され、電子反射電極４には、電源９により負の電圧が印加され、電子供給電極５には電源１０により電極５が発熱するように電流が供給される。 （もっと読む）

半導体装置（１０）は、例えば、炭素などのナノチューブから形成される横方向導体又は配線を備える。犠牲層（１６）は、基板（１２）の上方に形成される。誘電体層（１８）は、犠牲層の上方に形成される。横方向開口（３４）は、二つの金属性触媒柱の間に位置する誘電体層の一部と犠牲層とを除去することによって形成される。横方向開口は、首部分と、ナノチューブを成長させる制約スペースとして用いられる空洞部分とを含む。プラズマ（３６）は、ナノチューブの形成方向を制御する電場を形成する電荷を加えるために用いられる。ナノチューブ（４２，４４）は、各金属性触媒柱から横方向に成長すると共に、隣接するか、或いは一つのナノチューブに合体する。ナノチューブは、首部分（２４）又は金属性触媒柱（２０，２２）と接触することができる。
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