【課題】種々の実施形態は、膨張可能な黒鉛の減圧誘導加熱によってグラフェン生成物を作成するための材料および方法を提供する。
【解決手段】グラフェン生成物は、純度が高く、均一な厚みをもつグラフェンナノシートを含むことができる。グラフェンナノシートは、約９９重量％を超える炭素を含むことができる。グラフェンナノシートは、半導体ポリマーのマトリックス内に剥離または分散し、グラフェン含有コンポジットを作成することができる。 （もっと読む）

【課題】長尺なカーボンナノチューブを得ることのできるカーボンナノチューブの製造方法及びカーボンナノチューブの製造装置、ならびに長尺なカーボンナノチューブ及びそれを用いたカーボンナノチューブワイヤを提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブの製造方法は、原料ガスとの接触によりカーボンナノチューブ５の分子構造を生成する触媒４０が設置された支持部材４を反応管２内に配置する配置ステップと、反応管２内に原料ガスを流通させ、カーボンナノチューブ５の基端部５０が支持部材４に固定されると共に先端部５１に成長用触媒４０が保持された状態でカーボンナノチューブ５を成長させる成長ステップとを有し、成長ステップにおけるカーボンナノチューブ５の成長に応じて、カーボンナノチューブ５の先端部が反応管２内に留まるように、支持部材４を反応管２に対して移動させる。 （もっと読む）

【課題】大面積のグラフェンを低コストで生産可能なグラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法を提供する。
【解決手段】純度が99.95質量％以上のＣｕからなるグラフェン製造用銅箔である。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で、高純度、高収率で、合成可能なカーボンナノ構造体の製造方法を提供すること、また、その製造方法で得られたカーボンナノ構造体を提供すること。
【解決手段】炭素源としての有機物の気体と、イオウ含有化合物との混合気体を、金属含有触媒を使用せずに８００℃以上で加熱することを特徴とする繊維状カーボンナノ構造体の製造方法；常温常圧で液体の炭素源としての有機物、及び／又は、常温常圧で液体のイオウ含有化合物を、同時に気体状態において８００℃以上で加熱することを特徴とする繊維状カーボンナノ構造体の製造方法、また、上記製造方法で得られたカーボンナノ構造体；両端が共に開いた構造を有することを特徴とする繊維状カーボンナノ構造体。 （もっと読む）

【課題】ナノカーボンを含む超微粉炭素を、さらに効率的に連続して大量生産できることが期待できる新規な構成の触媒反応装置を提供すること。
【解決手段】反応管内で原料としての含炭化水素化合物を粉体触媒と攪拌混合し、含炭化水素化合物を触媒反応により熱分解させて、超微粉炭素を生成させる触媒反応装置。反応管（３）は、外部加熱手段（２）を備えるとともに搬送攪拌手段（７）を内蔵する。さらに、反応管（３）内に1箇所又は複数個所で原料を気密的に供給する原料供給手段（１１）と、反応管（３）の搬送方向元部側に接続されて触媒を気密的に供給する触媒供給手段（１７）、（１９）と、反応管（３）の搬送方向先端側に接続されて粉体製品を触媒とともに気密的に排出する粉体排出手段（２５）と、同上部側に接続されて気体成分を減圧吸引機（３５）で吸引排出する気体排出手段（３０）、（３４）と、を付設する。 （もっと読む）

【課題】金属触媒結晶薄膜から絶縁性基板表面上に、グラフェンが横方向に成長する方法を提供する。
【解決手段】本発明のグラフェンの成長方法は、絶縁性結晶基板１０１の上部の表面の一部が露出するように、金属触媒結晶薄膜１０２を形成し、絶縁性結晶基板１０１の上部に、絶縁性基板１０１の表面の一部が露出するように、金属触媒結晶薄膜１０２を形成した状態で、炭化水素を含む気体３を用いて、グラフェンを気相化学成長させる。 （もっと読む）

【課題】薄い膜厚で密着性の高い膜を形成する鉄基材の表面処理方法を提供する。
【解決手段】基材１０の表面処理方法であって、基材１０の表面にフラーレン２０を塗布し、フラーレン２０を塗布した基材１０の表面に窒素イオンを照射し、窒素イオンを照射した鉄基材１０の表面に再度フラーレン３０を塗布し、再度フラーレン３０を塗布した基材１０の表面を加熱する。また、基材１０の表面に窒素イオンを照射するときには、フラーレン２０が窒素イオンの照射によってアモルファス化される前に、フラーレン２０がアモルファス化しない所定のイオンエネルギー以下の窒素イオンを少なくとも１回照射する。 （もっと読む）

【課題】転写を必ずしも必要としない、グラファイト薄膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】物理気相堆積法により、（ａ）炭素と（ｂ）金属又はゲルマニウムとを含む薄膜Ａを基板上に形成し、熱処理により前記炭素を前記基板上に析出させ、前記（ｂ）成分を除去し、前記基板上にグラファイト薄膜を形成することを特徴とするグラファイト薄膜の形成方法。前記薄膜Ａを形成する方法としては、例えば、炭素を含むガス中で、前記（ｂ）成分をスパッタする方法が挙げられる。 （もっと読む）

【解決手段】金属又は金属化合物からなる基体の表面を、表面粗さ５ｎｍＲ_max以下に研磨した後、この被研磨面をテンプレートとして、基体表面に単原子層又は２原子層からなる薄膜を形成する。
【効果】本発明によれば、従来に比較して飛躍的に広い面積範囲に亘って単一ドメインで、欠陥・粒界の少ない、グラフェン膜、ｈ−ＢＮ膜等の、厚さが１〜２原子層分の薄膜を、再現性よく安定的に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】高分子熱分解法による長尺（巻物状）のグラファイトフィルムの製造において、中間段階である長尺の炭化フィルムの融着の抑制。
【解決手段】高分子フィルムをロール状に巻いた状態で熱処理を行う炭化工程を経て炭素質フィルムを製造する方法であって、炭化工程では該高分子フィルムの熱分解開始温度未満においてのみ減圧しながら加熱するものであり、前記減圧は減圧度が７１ｋＰａ以上１．０ｋＰａ以下の減圧領域の少なくとも一部の領域において減圧速度が１．６０ｋＰａ／ｍｉｎ以上であること、を特徴とする炭素質フィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】スピントロニクスデバイス、単分子磁気デバイス等への応用が期待されるニッケル内包フラーレンは、鉄やニッケルなどに代表される遷移金属がフラーレンとの間で効率の良い電子移動が起こらず金属原子が生成途中でフラーレンから脱離するために、ニッケル内包フラーレンの合成は困難とされていた。
【解決手段】るつぼに入れたニッケル金属に対し電子ビームを照射し、蒸発したニッケル原子に電子を衝突させ、電子とニッケルイオンからなるプラズマを生成し、プラズマとフラーレンの反応により堆積基板上にニッケル内包フラーレンを含む堆積物を形成した。電子ビームのエミッション電流を制御することにより、ニッケル内包フラーレンの高効率合成が可能になった。 （もっと読む）

【課題】電解質に対する耐久性に優れるカーボンナノファイバ複合電極を提供すること。
【解決手段】不動態を形成する金属基板１と、金属基板１上に設けられ、不定形炭素で構成される不定形炭素層２と、不定形炭素層２に結合される多数のカーボンナノファイバ３とを備えることを特徴とするカーボンナノファイバ複合電極２０。 （もっと読む）

【課題】容易な処理で金属を担持するナノグラファイトを製造する。
【解決手段】基板１上に形成されたカーボンナノウォール２ａを利用してカーボンナノウォール２ａより微小な１又は複数のナノグラファイト２ｂで構成されるカーボンナノウォール片２ｃを生成するステップと、生成されたカーボンナノウォール片２ｃが分散する液体に、担持させる金属を混合するステップと、カーボンナノウォール片２ｃ及び金属を含む液体に還元剤を注入し、カーボンナノウォール片２ｃに金属を担持させるステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドにドナー元素が均一に添加されたナノ多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ナノ多結晶ダイヤモンド１は、炭素と、該炭素中に原子レベルで分散するように添加されたＶ族元素３と、不可避不純物とで構成される。該多結晶ダイヤモンド１の結晶粒径は５００ｎｍ以下である。上記多結晶ダイヤモンド１は、Ｖ族元素が炭素中に原子レベルで分散するように添加され、結晶粒径が１０μｍ以下である黒鉛に、高温高圧プレス装置内で熱処理を施すことで作製可能である。 （もっと読む）

【課題】磁気センシングに利用可能なナノ多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ナノ多結晶ダイヤモンド１は、炭素同位体^１２Ｃの純度が９９．９質量％以上である炭素と、炭素以外の複数の不純物とで構成される。複数の不純物の濃度は、それぞれ０．０１質量％以下であり、結晶粒径は５００ｎｍ以下である。上記ナノ多結晶ダイヤモンド１は、炭素同位体^１２Ｃの純度が９９．９質量％以上であり、化学純度が９９質量％以上である炭化水素ガスを熱分解して得られる黒鉛に、高温高圧プレス装置内で熱処理を施してダイヤモンドに変換することで作製可能である。 （もっと読む）

【課題】高純度かつ高硬度のナノ多結晶ダイヤモンドを作製可能な黒鉛およびその製造方法を提供する。
【解決手段】黒鉛１は、炭素と、該炭素以外の複数の不純物とで構成される。複数の不純物の濃度は、それぞれ０．０１質量％以下であり、黒鉛は、一体の固体であり、結晶化部分を含む。上記黒鉛１は、真空チャンバ内で１５００℃以上の温度に基材を加熱し、上記真空チャンバ内に９９．９９％以上の純度の炭化水素ガスを導入し、基材上で炭化水素ガスを分解することで形成可能である。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドにアクセプター元素が均一に添加されたナノ多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法ならびに該多結晶ダイヤモンドを用いた各種工具を提供する。
【解決手段】ナノ多結晶ダイヤモンド１は、炭素と、該炭素中に原子レベルで分散するように添加されたＩＩＩ族元素３と、不可避不純物とで構成される。該多結晶ダイヤモンド１の結晶粒径は５００ｎｍ以下である。上記多結晶ダイヤモンド１は、ＩＩＩ族元素が炭素中に原子レベルで分散するように添加された黒鉛に、高圧プレス装置内で熱処理を施すことで作製可能である。上記ナノ多結晶ダイヤモンド１は、スクライブツール、スクライブホイール、ドレッサー、回転工具、ウォータージェット用オリフィス、伸線ダイス、切削工具等の工具に有用である。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドに炭素以外の異種元素が均一に添加されたナノ多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ナノ多結晶ダイヤモンド１は、炭素と、該炭素中に原子レベルで分散するように添加され炭素以外の元素である異種元素３と、不可避不純物とで構成される。該多結晶ダイヤモンド１の結晶粒径は５００ｎｍ以下である。上記多結晶ダイヤモンド１は、炭素以外の元素である異種元素が炭素中に原子レベルで分散するように添加された黒鉛に、高圧プレス装置内で熱処理を施すことで作製可能である。 （もっと読む）

【課題】高純度かつ高硬度のナノ多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ナノ多結晶ダイヤモンド１は、炭素と、該炭素以外の複数の不純物とで構成される。複数の不純物の濃度は、それぞれ０．０１質量％以下であり、ナノ多結晶ダイヤモンド１の結晶粒径（最大長さ）は５００ｎｍ以下である。上記ナノ多結晶ダイヤモンド１は、不純物の濃度が０．０１質量％以下である黒鉛を準備し、該黒鉛に超高圧、高温を施して黒鉛をダイヤモンドに変換することで作製可能である。 （もっと読む）

【課題】ドーパントが均一にドープされたドープトナノ多結晶ダイヤモンドを作製可能な黒鉛およびその製造方法を提供する。
【解決手段】黒鉛１は、炭素と、該炭素中に原子レベルで分散するように添加されたドーパント３と、不可避不純物とで構成される。黒鉛１は、一体の固体であって、結晶化部分を含む。上記黒鉛１は、真空チャンバ内で１５００℃以上の温度に基材を加熱し、該真空チャンバ内に、炭化水素ガスと、Ｖ族元素またはＩＩＩ族元素を含むガスとを導入することで、上記基材上に形成可能である。 （もっと読む）