【課題】 実施形態は、製造工程が簡便な手法によって製造した半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 実施形態の半導体装置は、実施形態にかかる半導体装置は、基板と、基板上に触媒金属膜と、触媒金属膜上にグラフェンと、前記グラフェン上に層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールと前記コンタクトホールにカーボンナノチューブを水素、窒素、アンモニアと希ガスの中から選ばれる１種以上のガスのプラズマで処理した前記触媒金属膜上に又は前記層間絶縁膜を貫通するカーボンナノチューブを水素、窒素、アンモニアと希ガスの中から選ばれる１種以上のガスのプラズマで処理した前記触媒金属膜上に備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】流動層を用いてカーボンナノコイルなどを製造する際に、その製造効率の改善を図り得る製造装置を提供する。
【解決手段】上下端部が閉塞された筒状部材１と、この筒状部材内の中間部に配置されて流動層形成用の上方空間部Ａと反応ガス供給用の下方空間部Ｂとに区画すると共に中央に製品の取出用開口部２ａが形成され逆円錐形状の流動層保持部材２と、この保持部材上の製品を回収手段４に導く取出用筒部材３と、取出用開口部を開閉自在な開閉手段５と、筒状部材の上方空間部に粒状体を供給する粒状体供給手段６と、取出用筒部材と筒状部材との間の環状空間部Ｃ内に反応ガスを供給する反応ガス供給手段７と、筒状部材の外周に配置されてその内部を加熱し得る加熱手段８と、筒状部材の上方空間部内に配置されて当該筒状部材の内壁面に付着した付着物を掻き落し得る掻き落し手段９とを具備したもの。 （もっと読む）

【課題】目的とする触媒の担持状態に応じたグラフェンシートの微細構造を設計することが可能なマリモカーボンの製造技術を提供すること。
【解決手段】表面が酸化されたダイヤモンド微粒子と、このダイヤモンド微粒子の表面に担持された遷移金属触媒と、この遷移金属触媒から等方向的に放射伸長しマリモ状に成長した多数のカーボンナノフィラメントからなる、ほぼ球状形態を有するマリモカーボンであって、
前記カーボンナノフィラメントは、ほぼ円錐カップ形状からなるグラフェンシートが該円錐の軸方向に積層して線状に成長してなる１次構造を有し、
前記前記グラフェンシートの前記円錐の半頂角の角度分布が比較的揃った分布を有するカーボンナノフィラメントによって構成されることを特徴とする、マリモカーボン。 （もっと読む）

【課題】配向ＣＮＴをより一層安価に量産することができる配向ＣＮＴの製造方法を提供する。
【解決手段】還元ガス、原料ガス及び触媒賦活物質を噴出させ、基板の触媒被膜形成面に直交する方向に配向するカーボンナノチューブを化学気相成長により製造するための方法であり、基板の触媒被膜形成面を臨む位置に設けられた複数の噴出孔を備えるシャワーヘッドの該噴出孔から還元ガスを噴出させ、該噴出された還元ガスによって触媒被膜形成面に存在する金属触媒粒子の密度を１．０×１０^１１から１．０×１０^１３個／ｃｍ^２に調整させ、かつ、該シャワーヘッドの噴出孔から原料ガス及び触媒賦活物質を噴出させ、該噴出された原料ガス及び触媒活性物質を前記成長して配向したカーボンナノチューブの集合体中を拡散させて触媒被覆形成面と接触させるようにしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高導電性の導電体、またその簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】基材の片面に、親水性カーボンナノチューブと分散剤とを含む未処理導電層を形成し、該未処理導電層に０．０２〜１．０質量％の塩化金酸水溶液を１０〜６０秒間接触させた後、乾燥させる、導電体の製造方法。また、基材の片面に親水性カーボンナノチューブと０価の金ナノ粒子と３価の金イオンと分散剤とを含む導電層を有し、親水性カーボンナノチューブが、導電層の導電面側のＸＰＳスペクトルにおいて、８２〜８９ｅＶにピークトップを含むピークの面積強度［Ｃ］と８９〜９２ｅＶにピークトップを含むピークの面積強度［Ｄ］との比（［Ｃ］／［Ｄ］）が５〜２０であり、かつ金元素に対応するピークの面積強度［Ｅ］と炭素元素に対応するピークの面積強度［Ｆ］との比が［Ｅ］／［Ｆ］＝０．００１〜０．０５であるカーボンナノチューブからなる導電体。 （もっと読む）

【課題】本技術の目的は、ドーピングされたグラフェンの経時劣化を抑制することが可能なグラフェン構造体、その製造方法、光電変換素子、太陽電池及び撮像装置を提供すること
【解決手段】本技術のグラフェン構造体は、導電層と保護層とを具備する。導電層は、ドーパントによりドーピングされたグラフェンからなる。保護層は、前記導電層に積層された、水より酸化還元電位が高い物質からなる。 （もっと読む）

【課題】低コストでグラフェンを高速で製造できる量産性のよいグラフェンの製造方法を提供する。
【解決手段】反応容器１内に有機溶媒Ｓを収容する工程と、有機溶媒中に浸漬した一対の電極２間にパルス電圧を印加して有機溶媒Ｓを気化させ、このとき生じた気泡中でグロー放電を起こしてプラズマＰを発生させる工程と、プラズマ中の活性種により有機溶媒を分解してグラフェンＧを析出させる工程と、有機溶媒からグラフェンを回収し、この回収したグラフェンを乾燥する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】少数層グラフェンを触媒金属基板一面の大面積で容易に形成できるようにする。
【解決手段】まず、銅とニッケルを主成分とする合金からなる触媒金属構造体を用意し、この触媒金属構造体を、触媒作用によりグラフェンの合成が進行する所定の温度まで加熱する（Ｓ１０１）。次に、触媒金属構造体へ炭素原料ガスを供給し、触媒金属構造体の表面にグラフェンを合成する（Ｓ１０２）。炭素原料ガスからの炭素が触媒金属により反応し、触媒金属構造体の表面に少数層グラフェンが形成される。 （もっと読む）

【課題】鉛フリーはんだの熱伝導率を向上させ、コストと信頼性とを両立した、２００℃以上で使用可能な、高温鉛フリーはんだを提供する。
【解決手段】鉛フリーはんだに、グラフェンまたはグラファイトを添加することとする。鉛フリーはんだが、Ｂｉを主成分とし、Ａｇを含み、残りが他の不可避的不純物元素から構成される。鉛フリーはんだが、Ｂｉを主成分とし、０＜Ａｇ≦１１ｗｔ％のＡｇを含む。グラフェンまたはグラファイトの添加量が、５ｗｔ％以上で３０ｗｔ％未満である。 （もっと読む）

【課題】量産に適したグラフェンの製造方法及びグラフェン製造装置を提供すること
【解決手段】、本技術のグラフェンの製造方法は、導電性を有するフレキシブルな成膜対象物の表面に炭素源物質を接触させる。グラフェンは、成膜対象物に電流を印加して成膜対象物をグラフェンの生成温度以上に加熱することによって成膜対象物の表面において前記炭素源物質から生成される。 （もっと読む）

【課題】低い基板温度でナノ構造体またはナノ材料を製作する方法を提供する。
【解決手段】熱コントロールバリアを基板上に実質的に連続した層として提供するステップと、ガスプラズマを提供するステップと、当該ガスプラズマとは異なる熱源によって熱コントロールバリアを層の上方から追加加熱を先行して提供するステップと、追加加熱する間にガスプラズマを使用するプラズマ化学気相堆積法によって、ナノ構造体またはナノ材料を基板の層上に形成するステップと、を含んでいる製作方法。 （もっと読む）

【課題】金属原子、特に放射性金属原子に対する吸着能力が高い吸着剤と、その吸着剤を収率よく沈降させることのできる凝集剤とを使用することにより、廃液から前記金属原子を効率よく除去することのできる処理方法を提供する。
【解決手段】廃液中から金属原子を除去及び回収する処理方法であって、前記廃液に、ダイヤモンド微粒子又はカーボンナノチューブを添加混合する工程、及び前記ダイヤモンド微粒子又はカーボンナノチューブを添加混合した廃液に、凝集剤を添加する工程を有することを特徴とする処理方法。 （もっと読む）

【課題】大面積のグラフェンを低コストで生産可能なグラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法を提供する。
【解決手段】１０００℃で１時間加熱前の走査電子顕微鏡による表面の元素分析を行って測定される直径が０．５μｍ以上の酸化物及び硫化物の合計個数が１５個/ｍｍ^２以下であるグラフェン製造用銅箔である。所定の室内１００に、加熱したグラフェン製造用銅箔１０を配置すると共に炭素含有ガスＧを供給し、グラフェン製造用銅箔の表面にグラフェン２０を形成するグラフェン形成工程と、グラフェンの表面に転写シート３０を積層し、グラフェンを転写シート上に転写しながら、グラフェン製造用銅箔をエッチング除去するグラフェン転写工程と、を有するグラフェンの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】微細加工技術を用いることなく任意の幅のグラフェンリボンを形成しうるグラフェンリボンの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に触媒金属材料を堆積し、基板上に堆積した触媒金属材料を熱処理し、表面にストライプ状の双晶領域を有する触媒金属膜を形成し、触媒金属膜の双晶領域上に、触媒金属膜を触媒としてグラフェンを選択的に成長する。 （もっと読む）

【課題】欠損状細孔を側面に有するカーボンナノチューブで形成されたカーボンナノチューブ並走集合体、その製造方法、炭素系電極および蓄電デバイスを提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブ並走集合体は、同じ方向に沿って並走しつつ配向している並走配向性を有する多数のカーボンナノチューブを集合させて形成されている。カーボンナノチューブ並走集合体を成長させたままの状態において、カーボンナノチューブ並走集合体を構成するカーボンナノチューブは、側面に欠損状細孔を備えている。Ｉ_Ｄ／Ｉ_Ｇ比率は０．８０以上である。 （もっと読む）

【課題】ＣＮＴ配向集合体を連続的に製造する際に、ＣＮＴの収率及び品質の低下を防ぐことができる製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】表面に触媒を有する複数の基材１１１上にカーボンナノチューブ配向集合体を成長させるカーボンナノチューブ配向集合体の製造方法であって、複数の基材１１１を成長炉１０４ａ内に連続的に搬入し、かつ成長炉１０４ａ内において前記触媒の周囲環境を原料ガス環境とすると共に前記触媒及び前記原料ガスのうち少なくとも一方を加熱して、前記カーボンナノチューブ配向集合体を成長させる成長工程と、少なくとも酸素原子を含むクリーニングガスを用いて成長炉１０４ａ内をクリーニングするクリーニング工程とを含み、前記成長工程と前記クリーニング工程とを交互に繰り返して行なう。 （もっと読む）

【課題】炭素薄膜の製造方法、炭素薄膜を含んだ電子素子及び炭素薄膜を含んだ電気化学素子を提供する。
【解決手段】基板上にコールタール及びコールタールピッチのうち一つ以上を含んだ前駆体膜を形成する段階と、基板と前駆体膜との間の触媒膜、及び前駆体膜上の保護膜のうち一つ以上を形成する段階と、基板を熱処理し、基板上に炭素薄膜を形成する段階と、を含む炭素薄膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】新規な炭化ケイ素−炭素複合材の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化ケイ素が表面に付着した炭素質材料２を含む成形体を焼成することにより炭化ケイ素−炭素複合材１を製造する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された金属触媒層の裏面と、基板の表面との間での炭素膜の成長の制御性を高めることのできる炭素膜の形成装置、及び炭素膜の形成方法を提供する。
【解決手段】熱ＣＶＤ装置１０は、金属触媒層に対してアセチレンガスを供給する炭素含有ガス供給部１６と、基板における金属触媒層側である表面側に配置されたランプヒータ１３と、基板における金属触媒層とは反対側である裏面側に配置された水冷ステージ１２とを有している。ランプヒータ１３は、金属触媒層の表面をアセチレンガスの分解される温度に加熱し、また、水冷ステージ１２は、基板の裏面を冷却することで、ランプヒータ１３によって加熱された金属触媒層の表面と該金属触媒層の裏面とに所定の温度差を形成する。これにより、炭素膜が、基板の表面と金属触媒層の裏面との間に析出する。 （もっと読む）

【課題】単層カーボンナノチューブの双極性を単極性に変換し、トップゲート型薄膜トランジスタのチャネルとする薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの製造方法は、（A）基板を準備すること、（B）該基板上に、ソース電極、ドレイン電極、及びSWCNT（単層カーボンナノチューブ）層を形成すること（該ソース電極及び該ドレイン電極は互いに隔てられ、且つ、SWCNT層は、該ソース電極と該ドレイン電極の間に挿入される）、（C）SWCNT層上にゲート酸化物層を形成すること、（D）該ゲート酸化物層を、酸素又は窒素ガスと共に500℃から600℃でアニールすること、及び、（E）該ゲート酸化物層の上にゲート電極を形成することを含む。 （もっと読む）