【課題】単層カーボンナノチューブの双極性を単極性に変換し、トップゲート型薄膜トランジスタのチャネルとする薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの製造方法は、（A）基板を準備すること、（B）該基板上に、ソース電極、ドレイン電極、及びSWCNT（単層カーボンナノチューブ）層を形成すること（該ソース電極及び該ドレイン電極は互いに隔てられ、且つ、SWCNT層は、該ソース電極と該ドレイン電極の間に挿入される）、（C）SWCNT層上にゲート酸化物層を形成すること、（D）該ゲート酸化物層を、酸素又は窒素ガスと共に500℃から600℃でアニールすること、及び、（E）該ゲート酸化物層の上にゲート電極を形成することを含む。 （もっと読む）

【課題】高品質でドメインバウンダリーが無い均一なグラフェン薄膜を製膜する。
【解決手段】単結晶基板にエピタキシャルに成長した遷移金属単結晶薄膜を加熱し、遷移金属の表面に炭素を供給することでグラフェンを成長させるグラフェンの製造方法において、単結晶基板として、Ｍｉｃａ（１００）、もしくはＹＳＺ（１１１）を用いることとする。遷移金属はＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｗ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｐｔまたはこれらの合金である。遷移金属単結晶薄膜は3回対称または6回対称の表面を有する （もっと読む）

【課題】基板上に配置される粒子の凝集を低減して、基板表面に分散性よく粒子が配置された、基板複合体、及び、基板の表面にカーボンナノチューブが高密度で形成されたカーボンナノチューブ複合体を提供する。
【解決手段】基板複合体が、基板と、前記基板の少なくとも一方の表面に配置された粒子群を有する層と、を備え、前記層は、遷移金属及びアルカリ金属を含む。また、カーボンナノチューブ複合体は、前記基板複合体と、前記粒子群に一端が接続されている複数本のカーボンナノチューブと、を有する。 （もっと読む）

【課題】耐熱サイクル特性、耐熱応力特性に優れたアモルファス状炭素皮膜の形成を可能とするアモルファス状炭素皮膜の形成方法及びアモルファス状炭素皮膜を提供する。
【解決手段】基材表面に、アモルファス状炭素皮膜を形成させる方法であって、前記基材のアモルファス状炭素皮膜形成面に、前記基材よりも炭化物生成自由エネルギーの小さい物質からなる粒子を分散させ、化学蒸着法又は物理蒸着法により前記粒子上にアモルファス状炭素を成長させて、柱状のセグメントの集合体からなるアモルファス状炭素皮膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】量産性に優れる転写シートの提供およびその製造方法の提供にある。
【解決手段】グラフェンからなる透明導電膜層の作成において、平滑性があり触媒となる金属薄膜層を使用することにより、品質の良いグラフェンを作製するとともに、後の金属薄膜除去の工程が簡易となり、量産性のある転写シートおよびその製造方法を提供できる。 （もっと読む）

【課題】エッチング時間が短く、エッチング時の損傷を抑制したグラフェン膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】ニッケルと亜鉛の合金により構成される金属膜を、炭化水素ガスと水素ガスを含む混合雰囲気下で加熱するグラフェン膜成長工程と、前記グラフェン膜上に前記グラフェン膜を支持する支持膜を形成する支持膜形成工程と、前期金属膜をエッチング液により溶解して除去するエッチング工程を行なうことで、エッチング時間が短く、エッチング時の損傷を抑制したグラフェン膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】高導電性の導電体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも片面にカーボンナノチューブからなる導電層を有し、導電面側のＸＰＳスペクトルの４０５ｅＶの強度Ｉ_４０５と４００ｅＶの強度Ｉ_４００の強度比Ｉ_４０５／Ｉ_４００が０．４〜１．０であることを特徴とする導電体、および、基材の少なくとも片面にカーボンナノチューブからなる導電層を形成した後、硝酸で処理することにより、導電面側のＸＰＳスペクトルの４０５ｅＶの強度Ｉ_４０５と４００ｅＶの強度Ｉ_４００の強度比Ｉ_４０５／Ｉ_４００が０．４〜１．０の範囲にある導電体を製造することを特徴とする導電体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、熱音響装置に関し、特にグラフェンを利用した熱音響装置に関するものである。
【解決手段】本発明の熱音響装置は、基板と、音波発生器と、発熱器と、を含む。前記基板は、少なくも一つの線状カーボンナノチューブ構造体及び該線状カーボンナノチューブ構造体の表面に被覆された絶縁層からなる。前記音波発生器は、前記基板の一つの表面に設置され、グラフェン−カーボンナノチューブ複合構造体からなる。前記グラフェン−カーボンナノチューブ複合構造体は、積み重なって設置された少なくとも一つのグラフェン構造体及び少なくとも一つのカーボンナノチューブ構造体からなる。前記発熱器は、前記音波発生器にエネルギーを提供し、前記音波発生器から熱を発生させる。 （もっと読む）

【課題】比表面積が高く、導電性に優れ、活性の高いアナターゼ型の結晶を含み、且つ、重金属含有量が少ない酸化チタン−カーボン複合体の簡易な製造方法を提供する。
【解決手段】チューブ状又はファイバー状のポリアニリンの表面に、粒子状酸化チタンが連なってなる被覆層を形成し、酸化チタン−ポリアニリン複合体を作製する工程、及び前記酸化チタン−ポリアニリン複合体を加熱してポリアニリンをカーボンに変換する工程により、チューブ状又はファイバー状のカーボンの表面が、粒子状酸化チタンが連なってなる被覆層で被覆された酸化チタン−カーボン複合体を製造する。当該酸化チタン−カーボン複合体は、構成する粒子状酸化チタンがアナターゼ型酸化チタンを含み、重金属含有量を１０００ｐｐｍ以下とすることができる。 （もっと読む）

【課題】グラフェン‐カーボンナノチューブ複合構造体を提供する。
【解決手段】本発明のグラフェン‐カーボンナノチューブ複合構造体は、グラフェン構造体及びカーボンナノチューブ構造体からなる。前記カーボンナノチューブ構造体は、複数の微孔を有し、分子間力で長軸方向の端と端が接続された複数のカーボンナノチューブからなる。前記カーボンナノチューブ構造体における複数のカーボンナノチューブの面積と前記複数の微孔の面積との比は１：１０００〜１：１０である。前記グラフェン構造体は、前記複数の微孔を被覆する。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを用いた特性が良好な半導体基板、その製造方法、および電子装置を提供することにある。
【解決手段】
本発明の一態様による半導体基板は、一主面に下部電極を有する基板と、前記基板上の前記下部電極以外の部分に設けられた層間絶縁膜と、前記下部電極の上に設けられた触媒層と、前記触媒層上に設けられ、前記下部電極の一主面に垂直な方向に延伸する複数のカーボンナノチューブと、前記カーボンナノチューブ上に設けられ、前記下部電極と対向する上部電極と、前記触媒層および前記カーボンナノチューブの前記触媒層側の端部を覆う第１の埋め込み膜と、前記カーボンナノチューブの他端部の間に満たされ、前記第１の埋め込み膜よりも高密度のである第２の埋め込み膜と、を有する。 （もっと読む）

【課題】カーボン・ナノチューブを浸出したファイバを提供する。
【解決手段】 本発明のカーボン・ナノチューブを浸出したファイバを含む組成物は、
（ａ）複数のフィラメントを有する母材であるファイバと、（ｂ）前記母材であるファイバに共有結合されたカーボン・ナノチューブと、を有する。本発明の組成物は、（ｃ）レジンをさらに含む。前記母材であるファイバは、ファイバ・トウを含む。前記母材であるファイバは、サイジング材料を含まないファイバである。前記カーボン・ナノチューブを浸出したファイバの電気抵抗率は、前記母材であるファイバのそれより低い。 （もっと読む）

【課題】高い熱伝導率と高い赤外線吸収率を有し、高温での高い耐久性と高い耐油性をも兼ね備えた、新規な赤外吸収熱伝導部材を提供する。
【解決手段】本発明の赤外吸収熱伝導部材は、複数層を有するカーボンナノチューブの複数が長さ方向に配向したカーボンナノチューブ集合体を含み、赤外線吸収率が０．８以上であり、厚さ方向の熱伝導率が１Ｗ／ｍＫ以上である。 （もっと読む）

【課題】結晶質の炭素であっても比表面積が極めて高い多孔質炭素を提供することを目的としている。
【解決手段】メソ孔とこのメソ孔の外郭を構成する炭素質壁とを備えた多孔質炭素であって、ＣｕＫα線（波長１．５４１Å）に対するＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度２θの２６．４５°にピークを有することを特徴とする。また、上記炭素質壁は３次元網目構造を成すことが望ましく、比表面積は２００ｍ^２／ｇ以上１５００ｍ^２／ｇ以下であることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】 過大なエネルギーを投入することなく複合酸化物の粒子の粒子径を大径化した触媒、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ニッケル、コバルト、鉄、銅より選ばれる少なくとも一種と、アルミニウム、マグネシウム、クロムより選ばれる少なくとも一種とを含む複合酸化物焼結体を構成する前記複合酸化物の粒子の表面にニッケル、コバルト、鉄、銅より選ばれる少なくとも一種からなる金属微粒子を具備し、前記複合酸化物焼結体がバナジウム成分を含有していることを特徴とする触媒。 （もっと読む）

【課題】絶縁層が積層された導電層に該絶縁層を貫通するカーボンナノチューブが接続される配線構造にて電気的特性を向上することのできる配線形成方法、及び該方法を用いる配線形成装置を提供する。
【解決手段】
下部配線層３２に積層された絶縁層３４を貫通するホール３５に、その内表面の全体が含まれるように触媒層３６，３７を形成した後、ホール３５の内部にシースＳｈが形成され、且つホール３５の内壁面３５ａに対するシースの厚さがホール３５の底壁面３５ｂに対するシースＳｈの厚さよりも小さくなるようにプラズマを生成する。そして、ホール３５の内壁面３５ａに形成された触媒層３６，３７をプラズマ中のスパッタ粒子Ｓｐによって除去した後、ホール３５の底壁面３５ｂに残された触媒層３６，３７を用いて該底壁面３５ｂからカーボンナノチューブ３８を形成する。 （もっと読む）

【課題】平均直径２ｎｍ未満の単層カーボンナノチューブを長尺化できるカーボンナノチューブ成長用基板を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブ成長用基板１は、基材１上に形成された反応防止層３と、反応防止層３上に形成された触媒材料層４と、触媒材料層４上に形成された分散層５と、分散層５上に形成された分散促進層６とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板上において垂直に近い状態で配向し、かつ高密度なカーボンナノチューブを極力低い温度で形成する方法を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブの形成方法は、触媒金属層に温度Ｔ_１で酸素プラズマを作用させ、表面が酸化された触媒金属微粒子を形成する工程（ＳＴＥＰ１）と、触媒金属微粒子に温度Ｔ_１より高い温度Ｔ_２で水素プラズマを作用させ、触媒金属微粒子の表面を還元して活性化する工程（ＳＴＥＰ２）と、活性化された触媒金属微粒子の上に温度Ｔ_３でプラズマＣＶＤ法によりカーボンナノチューブを成長させる工程（ＳＴＥＰ３）と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上でき、且つ、性能的にも十分で、広い分野で使用でき、しかも、環境負荷を低減できる金属−炭素複合材料及びその製造方を提供することを目的としている。
【解決手段】炭素と、金属又は金属酸化物から成るナノ粒子と、から構成される金属−炭素複合材料において、上記炭素と上記ナノ粒子の総量に対する上記ナノ粒子の割合が、５０重量％以上９９重量％であることを特徴とするものであって、炭素内にナノ粒子が分散された構造となっている。 （もっと読む）

【課題】触媒層上に秀麗な配向ＣＮＴを合成でき、ＣＮＴを分離回収した後、基板層の再利用を実現することを目的とする。
【解決手段】本発明のＣＮＴ製造用の四層型触媒基体１は、基板層２の上に耐熱性樹脂層４を形成し、前記耐熱性樹脂層４の上にＡｌ層６を形成し、前記Ａｌ層６の上にＣＮＴ合成用の触媒層８を形成している。また、前記基板層２がベルト状に形成された基板ベルトであり、前記基板ベルトの上に前記耐熱性樹脂層４、前記Ａｌ層６及び前記触媒層８を積層して四層型触媒基体ベルトも提供できる。４００℃以上、好適には５００℃以上の耐熱温度を有した耐熱性樹脂層４を形成して、ＣＮＴ合成時に耐熱性樹脂層４が基板層２と樹脂層８との反応を防ぎ、触媒層８上に配向ＣＮＴを合成でき、ＣＮＴを分離回収しても基板層２の表面は合成前の状態であり、基板ベルトを含む基板層２の再利用を実現できる。 （もっと読む）