説明

Fターム[4G146DA03]の内容

炭素・炭素化合物 (72,636) | 装置 (3,924) | 装置の機能 (1,091) | 特定構造の炭素(フラーレン等含む)の合成 (588)

Fターム[4G146DA03]に分類される特許

141 - 160 / 588


【課題】ナノ粒子を高いスループットにて堆積させるとともに、ナノ粒子の飛行方向を揃えることができるナノ粒子堆積装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバー10には、基板保持部30に保持された基板Wの直下にKセル40が配置されている。Kセル40のるつぼ41にはナノ粒子の原材料となるコバルトが投入される。るつぼ41の開口部はガス噴出治具50に覆われて蒸気発生空間45が形成される。ガス噴出治具50の上端に設けられたガス噴出板52には、アスペクト比が10以上の複数の噴出孔56が穿設されている。るつぼ41を加熱してコバルトの蒸気が発生している蒸気発生空間45にガス供給部60からヘリウムガスを供給するとコバルトのナノ粒子が生成される。アスペクト比が10以上の噴出孔56を通過することによってナノ粒子の飛行方向が同一方向に揃えられる。 (もっと読む)


【課題】比較的に大きな内部自由体積を備えた200ナノメートル未満の直径を有する中空炭素球を提供する。
【解決手段】炭素シェルおよび内部コアを有する中空炭素球が開示されている。この中空炭素球は炭素シェルの体積に該炭素シェルの内部自由体積を加えた体積に等しい総体積を有している。この内部自由体積は総体積の25%以上である。ある場合には、該中空炭素球の公称半径は10〜180ナノメートルの範囲である。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、第1にナノ構造炭素材料を容易に、且つ、高速に形成し得る製造方法を提供することにあり、第2に様々な基板上にナノ構造炭素材料を形成可能な製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に金属化合物を含む溶液を塗布した後、該金属化合物の有機成分をプラズマ処理により分解除去し、前記基板上に金属微粒子を付着させる金属微粒子付着工程と、前記基板上にナノ構造炭素材料を形成するナノ構造炭素材料形成工程と、を有することを特徴とするナノ構造炭素材料の製造方法。 (もっと読む)


【課題】基板Wを載置するステージ3を内蔵する反応室2を備え、反応室内に炭素を含有する原料ガスを導入して、ステージに載置した基板上に熱CVD法によりカーボンナノチューブを形成するカーボンナノチューブの形成装置であって、反応室を真空ポンプ61により排気する排気系6に、真空ポンプの上流側に位置する圧力調整器62が設けられるものにおいて、原料ガスの熱分解で発生する副生成物を圧力調整器の上流側で捕捉して、圧力調整器のメンテナンスサイクルを引き延ばすことができるようにする。
【解決手段】排気系6に、圧力調整器62より上流側に位置させて、鉛直方向下方にU字状に湾曲する少なくとも1つのU字管部64を有するトラップ63を着脱自在に介設する。また、トラップ63を冷却する冷却手段66を設ける。 (もっと読む)


【課題】配向カーボンナノチューブを安定に大量合成することができる配向カーボンナノチューブ連続合成方法及び同連続合成装置を提供する。
【解決手段】触媒液を塗布して乾燥させて基体表面に触媒層を形成する塗布乾燥工程と、前記触媒層を加熱して前記基体表面に触媒粒子層を有する触媒基体を形成する触媒基体形成工程と、前記配向カーボンナノチューブの合成温度以上に加熱された原料ガスを前記触媒基体の表面に接触させて配向カーボンナノチューブを合成する合成工程と、前記配向カーボンナノチューブを回収する回収工程を含み、前記合成工程において、前記触媒基体の表面に接触する前記原料ガスの周囲又はその前段と後段に前記合成温度以上のキャリアガスが供給され、前記配向カーボンナノチューブを連続的又は断続的に合成する配向カーボンナノチューブ連続合成方法及び同連続合成装置である。 (もっと読む)


【課題】本発明は、低電流でのアーク放電を水中で行うとともに電極に物理的な振動を加えることで、装置構成がより容易な環境を模索するとともに、精製作業を経ることなく生成物の収量とCNT率を向上して、CNTを簡単かつ効率的に合成することを課題とする。
【解決手段】上記課題を解決すべく、本発明の請求項1記載の発明は、正負の電極間に電圧を印加して放電を起こしてなるカーボンナノチューブの製造方法において、前記電極に物理的な振動を加えることにより放電効率を高め、以ってカーボンナノチューブの収率を高めたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】純度及び安定性の高い高品質のナノカーボンを低コストで効率よく量産することで、殆ど半永久的にナノカーボンを生成しつづけられ、ナノカーボンを大量に生産できる装置を提供することを課題とする。
【解決手段】還元雰囲気で縦向きに設置した加熱炉容器11と、加熱炉容器内に該容器と同心円状に傾斜角度をつけて多段に配置された円錐状板13a,13bと、円錐状板の外周部の加熱ジャケット17と、加熱炉容器内に炭化水素と微量の微細金属触媒粉とを混合噴霧する炭化水素・触媒混合噴霧ノズル19と、ナノカーボン排出ノズル20とを具備し、噴霧ノズルより微細金属触媒粉の混合した金属触媒粉混合炭化水素を噴霧することにより円錐状板上で反応させてナノカーボンを成長させ、成長したナノカーボンを円錐状板から剥離させ、ナノカーボン排出ノズルにより排出することを特徴とするナノカーボン生成装置。 (もっと読む)


【課題】薄膜化や分散化に優れたオニオンライクカーボンの作製方法を提供し、オニオンライクカーボンの潤滑特性を十分に活用することを目的とする。
【解決手段】10−7Pa以上の真空度に保持された反応室内で、アークプラズマ発生手段としてアークプラズマガンを用いてカーボンをターゲットに照射させ、オニオンライクカーボンを合成する。アークプラズマガンのカソードとしてカーボンロッドを搭載し、高純度のカーボンイオンを照射する。また、オニオンライクカーボンの合成は、放電電圧、放電パルス数、真空度を作製条件パラメータとして使用する。 (もっと読む)


【課題】異なる種類のフラーレンが混在するクラスターを用いたものでありながら、一つの装置にて、効率良く単離すると共に、単離された金属内包フラーレン又はフラーレンのみが挿入されたピーポッドを用いた半導体素子の提供。
【解決手段】金属内包フラーレンと空のフラーレンとが混在するクラスターを充填したオーブン11と、オーブン11内で加熱昇華されたクラスターが噴出される再昇華円筒12と、再昇華円筒12を加熱してオーブン11から噴出されたクラスターを再昇華する加熱装置13と、再昇華円筒12内に存在する単離状態の空のフラーレン及び金属内包フラーレンを正負別々のイオンとする電子ビーム照射装置と、カーボンナノチューブが塗布された一対の堆積基板15,16と、一対の堆積基板15,16の各々に正負別々のバイアスを印加する電源装置17,18と、を備えた装置を使用する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、ナノ炭素材料が基板上にパターン配列されて形成されたナノ炭素材料複合基板を製造できるナノ炭素材料複合基板製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のナノ炭素材料複合基板製造方法は、基板に触媒を担持し、触媒を熱処理し、基板に3次元構造パターンを形成し、前記触媒が担持された基板の表面に固液界面接触分解法によりナノ炭素材料を成長させる。触媒を担持後に基板に3次元構造パターンを形成することから、凸部の上面にのみ選択的に触媒を残存させることが出来、凸部の上面にのみ選択的にナノ炭素材料を形成することが出来る。よって、好適に、ナノ炭素材料が基板上にパターン配列されて形成されたナノ炭素材料複合基板を製造出来る。 (もっと読む)


【課題】基材の搬送形態や搬送姿勢を改善することにより、カーボンナノチューブ配向集合体の生産効率の向上を図り、短時間で多くのカーボンナノチューブ配向集合体を得ることのできる生産装置及び生産方法を提供すること。
【解決手段】このカーボンナノチューブ配向集合体の生産装置S1は、触媒層を有する基材8にカーボンナノチューブ配向集合体を生成させる生産装置S1であって、基材8の周囲環境を原料ガス環境として化学気相合成によりカーボンナノチューブ配向集合体を表裏面に生成する成長工程を実現する成長ユニット4と、成長工程の後に基材8を冷却する冷却工程を実現する冷却ユニット5と、基材8を、成長ユニット4及び冷却ユニット5の順に各ユニット内部を通過させる搬送ユニット7と、搬送中において、搬送ユニット7による搬送方向と表裏面とが直交するように基材8を保持するクリップ7cとを有している。 (もっと読む)


エネルギー貯蔵デバイス内の電極表面上に形成したメソポーラスカーボン材料、およびメソポーラスカーボン材料を形成する方法を開示する。メソポーラスカーボン材料は、エネルギー貯蔵デバイス用の大表面積イオンインターカレーション媒体として機能し、フラーレン/カーボンナノチューブ(CNT)ハイブリッド基質中で相互接続されたCVD堆積したカーボンフラーレン「オニオン」およびカーボンナノチューブから作られる。フラーレン/CNTハイブリッド基質は、かなりの量の電気的エネルギーを貯蔵するのに有用な濃度にリチウムイオンを保持することが可能な高気孔率材料である。一実施形態によれば、本方法は、高分子量炭化水素前駆体を蒸発させるステップと、伝導性基板上にメソポーラスカーボン材料を形成するために伝導性基板上へと蒸気を導くステップとを含む。
(もっと読む)


【課題】 CoWP上でのカーボンナノチューブ作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明のカーボンナノチューブ配線構造の製造方法は、Cu配線上のCoを含むめっき層をプラズマ処理するプラズマ処理工程と、前記プラズマ処理工程の前又は後に前記Coを含むめっき層に、カーボンナノチューブ成長用の助触媒を付与する助触媒付与工程と、前記プラズマ処理工程及び助触媒付与工程より後に前記Coを含むめっき層及び前記Coを含むめっき層に付与された前記助触媒を加熱処理する加熱処理工程と、前記加熱処理工程より後に、プラズマCVD法によるカーボンナノチューブ成長工程とを備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】反応槽内で製造されたカーボンナノチューブを全量回収できるカーボンナノチューブの製造装置、および該製造装置を用いたカーボンナノチューブの製造方法の提供。
【解決手段】流動層反応によるカーボンナノチューブの製造装置であって、少なくとも1本の上下動可能なカーボンナノチューブ抜出し管を具備してなるカーボンナノチューブの製造装置。また、触媒と炭素含有ガスが反応する流動部を有する反応槽を含むカーボンナノチューブの製造装置であって、該反応槽内に該炭素含有ガスを供給するための炭素含有ガス供給管と、該反応槽に設けられた該炭素含有ガスを加熱するための加熱器と、該反応槽頂部から挿入された、少なくとも1本の上下動可能なカーボンナノチューブ抜出し管と、該反応槽から反応ガスを排出するための反応ガス排出管と、を具備するカーボンナノチューブの製造装置。およびこれらの製造装置を用いたカーボンナノチューブの製造方法。 (もっと読む)


カーボンナノ材料を形成するための化学蒸着(CVD)プロセスにおいて、アセチレンガスの供給(10)がフィルタ(12)によって濾過されて、揮発性炭化水素ガスが除去された後に、アセチレンガスがマスフロー制御装置(14)に提供される。マスフロー制御装置(14)は、ガス混合物が選択された割合の揮発性炭化水素ガスを有するように、濾過されたアセチレンガスを揮発性炭化水素ガスの供給と混合し得る。フィルタ(12)は、アセチレンガスに活性炭を通過させることによって濾過を行なう。
(もっと読む)


【課題】CVDによる長繊維化CNTの合成において、触媒を担持した多孔質基材に、アモルファスカーボン等の堆積物による目詰まりが発生するのを抑制し、CNTのさらなる長繊維化を目的とする。
【解決手段】一方の表面に触媒を担持した多孔質基材に対して、該触媒が担持された担持面とは反対側の表面から炭素原子を含む原料ガスを透過させ、該原料ガスの透過方向にカーボンナノチューブを化学気相成長させるカーボンナノチューブの製造方法において、前記多孔質基材の孔内に堆積した堆積物を除去する、堆積物除去手段を備えることを特徴とする、カーボンナノチューブの製造方法。 (もっと読む)


【課題】ダイヤモンドおよび単結晶基板が破損することなく、かつ大面積で結晶性の高い高品質の単結晶ダイヤモンド膜を連続膜として有する積層基板とその製造方法を低コストで提供する。
【解決手段】少なくとも、単結晶基板と、該単結晶基板上に気相合成させたダイヤモンド膜を有する積層基板であって、前記単結晶基板が、Ir単結晶またはRh単結晶であることを特徴とする積層基板。また、少なくとも、単結晶基板上にダイヤモンド膜を気相合成させる工程を有する積層基板の製造方法において、前記単結晶基板に、Ir単結晶またはRh単結晶を用いることを特徴とする積層基板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】純度および安定性の高い高機能のナノカーボンを低コストで効率よく量産することができることを課題とする。
【解決手段】内側に耐火材を配置するとともに外側に断熱材5を配置した筐体1と、この筐体1内部に最上段,中段,最下段に順次配置された、熱分解炉2,カーボン生成炉3及び燃焼炉4とを具備することを特徴とするナノカーボン製造装置。 (もっと読む)


【課題】高導電率と高透明性を有するカーボンナノチューブフィルムを製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明は、透明導電性カーボンナノチューブフィルムの製造方法、前記方法により製造されるカーボンナノチューブフィルム、および該カーボンナノチューブフィルムを含むカーボンナノチューブ素子を提供する。通常の濾過法により得られたカーボンナノチューブフィルムに比べ、本発明の方法で得られたカーボンナノチューブフィルムは透明性が高く、シート抵抗が著しく低くなる。 (もっと読む)


【課題】簡便に触媒の径制御を行うことができ、触媒の凝集を抑制できるCNT形成用基板の製造方法、CNTの製造方法、及びCNT形成用基板を提供すること。
【解決手段】本発明のCNT合成用基板の製造方法は、触媒作用を持つ成分A、及び触媒作用を持たない成分Bを含む合金層を基板の表面に形成する合金層形成工程と、前記合金層の少なくとも表面において、前記成分Bを選択的に酸化する選択酸化工程と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


141 - 160 / 588