【課題】高い透明導電性をもつカーボンナノチューブ透明導電複合材を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブの直径が１．５ｎｍ以下の状態で平均長さが１μｍ以上５μｍ以下のカーボンナノチューブを用い、かつ、平均カーボンナノチューブ長さをＸμｍとした場合、カーボンナノチューブ層バルク体積抵抗率ρ_０（Ωｃｍ）が４．０×１０^−５Ωｃｍ以上、式（１）で表される値以下である透明導電複合材。
ρ_０＝７．３３６１×１０^−７Ｘ^４−９．５９７８×１０^−６Ｘ^３＋３．７９７９×１０^−５Ｘ^２−１．８５５０×１０^−５Ｘ＋２．９７３２×１０^−５ （１） （もっと読む）

【課題】カーボンナノ構造物の成長速度を向上させ、高い成長効率を達成することが可能となるカーボンナノ構造物の製造方法及びカーボンナノ構造物製造装置を実現する。
【解決手段】炭素源となる原料ガスを、８００℃より高く、１０００℃以下に加熱されたガス予備加熱部で予備加熱する予備加熱工程と、予備加熱された原料ガスを、６５０℃より高く、８００℃以下に加熱された反応部に導入して、触媒と接触させることによってカーボンナノ構造物を生成させる反応工程とを含むカーボンナノ構造物の製造方法、及び、８００℃より高く、１０００℃以下に保たれているガス予備加熱部と、６５０℃より高く、８００℃以下に保たれている反応部とを備えるカーボンナノ構造物製造装置。 （もっと読む）

【課題】生産性や歩留まりが高いＣＮＴワイヤの製造方法を提供すること。
【解決手段】表面にＦｅ−Ａｌ層を有する基板上に、ＣＮＴを複数形成する工程と、複数のＣＮＴの一部を引き出す工程とを有することを特徴とするＣＮＴワイヤの製造方法であって、蛍光Ｘ線測定に基づき算出したＦｅ−Ａｌ層の組成比Ｆｅ／Ａｌと、蛍光Ｘ線測定に基づき算出したＦｅ−Ａｌ層の膜厚とが、下記の条件１、条件２、及び条件３のうちのいずれかを充足することを特徴とする。条件１：組成比Ｆｅ／Ａｌは０．５２〜０．７５の範囲にあり、且つＦｅ−Ａｌ層の膜厚は４〜７．９ｎｍの範囲にある。条件２：組成比Ｆｅ／Ａｌは０．２３〜０．５２の範囲にあり、且つＦｅ−Ａｌ層の膜厚は５．８〜７．９ｎｍの範囲にある。条件３：組成比Ｆｅ／Ａｌは０．５２以下であり、且つＦｅ−Ａｌ層の膜厚は５．８ｎｍ以下であり、且つＦｅ膜厚が１．６ｎｍより厚い範囲にある。 （もっと読む）

【課題】超音波噴霧法を用いて、糸条形成能を有する集合体を確実に形成できるカーボンナノチューブから成る集合体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るカーボンナノチューブから成る集合体の製造方法は、炭素源としての炭化水素化合物と触媒含有化合物とが溶解された炭化水素溶液に超音波を照射して発生した炭化水素溶液の噴霧体を、キャリアガスに同伴して所定温度に加熱されている縦型反応器２２の一端側に導入して直径の平均が３０ｎｍ以下のカーボンナノチューブを生成し、前記カーボンナノチューブを、縦型反応器２２の一端側から他端側の方向に流れるキャリアガスに同伴して移動させ、集合させることにより糸条形成能を有する集合体４０に成長させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板表面に原料ガスを均一に供給し得る熱ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】加熱室４にカーボンを含む原料ガスＧを導くと共に原料ガスを加熱して加熱室に配置された基板Ｋの表面にカーボンナノチューブを形成し得る加熱炉１を具備する熱ＣＶＤ装置であって、加熱室内に、基板をそのカーボンナノチューブ形成面が下面となるように保持し得る基板保持部材11を配置し、この基板保持部材下方の加熱炉底壁部1aにガス供給口５を形成すると共に基板保持部材上方の加熱炉上壁部1bにガス排出口６を形成し、上記基板保持部材の上側に発熱体13を配置し、ガス供給口から導かれた原料ガスを基板保持部材の下面に導くためのガス案内用ダクト体14を設け、このガス案内用ダクト体と基板保持部材との間に反応ガスを分散させる邪魔板15を設けたものである。 （もっと読む）

【課題】従来技術と比較して、室温で十分に高いキャリア濃度を有するダイヤモンド半導体及び作製方法を提供すること。
【解決手段】ダイヤモンド基板１１（図５（ａ））上にマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用い、メタンを反応ガスとし、基板温度７００℃でダイヤモンド薄膜１２を１ミクロン積層する（図５（ｂ））。ダイヤモンド薄膜１２にイオン注入装置を用い、不純物１（ＶＩ族又はＩＩ族元素）を打ち込む（図５（ｃ））。その後、不純物２（ＩＩＩ族又はＶ族元素）を打ち込んだが（図５（ｄ））、注入条件は、打ち込んだ不純物がそれぞれ表面から０．５ミクロンの厚さの範囲内で、１×１０¹⁷ｃｍ^-3となるようにシミュレーションにより決定した。その後、２種類のイオンが注入されたダイヤモンド薄膜１３をアニールすることにより（図５（ｅ））、イオン注入された不純物の活性化を行い、ダイヤモンド半導体薄膜１５を得た（図５（ｆ））。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム、マグネシウム等のより低廉な素材からなる基板を用いて、屈曲の少ない高品質なカーボンナノチューブを量産することができる方法を提供する。
【解決手段】アルミニウム、マグネシウム、または亜鉛からなる基板１１の表面に、金属または金属化合物からなる被膜１２を被覆する工程と、被膜１２の表面に金属触媒１５を配置する工程と、金属触媒１５が配置された基板１１に炭素含有ガスを供給し、化学気相成長法により、金属触媒１５にカーボンナノチューブ１８を成長させる工程とを含むカーボンナノチューブの製造方法であって、金属または金属化合物は、基板１１を構成する材料よりも融点が高く、かつ、カーボンナノチューブ１８の成長工程において金属触媒１５とは、合金化しない材料からなる。 （もっと読む）

【課題】空洞化部位の内部環境を好適に維持しつつ、カーボンナノ粒子を効率良く製造することにある。
【解決手段】空洞化部位２０を陰極部材１０の一端に形成して、陰極部材１０の第一黒鉛部１２と陽極部材４０の第二黒鉛部４２を空洞化部位２０内で対面配置したのち、液中の空洞化部位２０にガス流路１８から不活性ガスを供給しつつ、両黒鉛部間にアーク放電を発生させてカーボンナノ粒子を製造するカーボンナノ粒子の製造装置において、陽極部材４０が、反応槽４外に配置の移動部材４６と、反応槽４内に突出のガイド部４４を有し、第二黒鉛部４２が、移動装置４６によって、ガイド部４４に沿って空洞化部位２０内に向かって垂直方向に相対移動する構成とした。 （もっと読む）

【課題】ＤＬＣ膜をコストアップにならずに、導電性と耐食性の両方を備えた導電性基材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材２と、基材２上に設けられた、ニッケル及びクロムを合計成分割合で３０〜７６モル％含有するダイヤモンドライクカーボン膜３とを有する導電性基材１により上記課題を解決する。ニッケルとクロムがモル比で１：１〜３：１であることが好ましい。このダイヤモンドライクカーボン膜３は、プラズマ化した昇華ガスをニッケル及びクロム原料に照射してニッケル及びクロムをイオン化し、且つ、前記昇華ガスに炭化水素ガスを接触させて該炭化水素ガスをイオン化し、イオン化したニッケル及びクロムと炭化水素ガスとを基材２上に堆積させて成膜する。 （もっと読む）

【課題】材料の収率を向上させ得るカーボンナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】炭素原料ガスを容器１内に導いて熱分解させるとともに、当該容器１内に配置され且つ金属触媒粒子Ｃが担持された基板Ｋに、熱分解により生成した炭素原子と金属触媒粒子との反応により当該金属触媒粒子を核としてカーボンナノチューブを生成させるに際し、容器１内に設けられた一対の電極板４，５間に基板Ｋを案内するとともにこれら電極板４，５に直流電圧を印加して基板Ｋに電界を付与させるようになし、さらに電磁石体９により容器１内の基板Ｋに交番磁界を付与させる方法である。 （もっと読む）

【課題】ＤＬＣ膜の諸性質を、それぞれの用途における要求特性などに応じて、成膜後に改質し用途適正を向上させてなるＤＬＣ被覆部材とそれの有利な製造方法を提供する。
【解決手段】基材の表面に、膜厚３μｍ超の厚膜ＤＬＣを被覆してなる部材において、この部材表面における厚膜ＤＬＣを、水素が１３〜３０原子％で残部が炭素からなり、かつ共析金属微粒子を含む微粒子堆積層とし、この層の残留応力が１．０ＧＰａ以上、硬さ（Ｈｖ）が７００〜２８００の熱処理ＤＬＣの膜にて形成する。 （もっと読む）

【課題】低級炭化水素を原料として触媒反応によりナノ炭素を安定して、かつ連続的に製造することを可能にする。
【解決手段】圧力反応容器となるスクリュフィーダ本体１ａと、フィーダ本体１ａ内に触媒２０を導入する触媒供給部５、６、７と、フィーダ本体１ａ内に低級炭化水素を導入する低級炭化水素供給部３、４と、フィーダ本体１ａ内において触媒と低級炭化水素の熱分解によって生成したナノ炭素をその回転のみによって移相するスクリュ１ｂと、スクリュ１ｂによって移送される触媒とナノ炭素をフィーダ本体１ａ外に送出する固体送出部１０と、未反応低級炭化水素と熱分解によって生成した水素をフィーダ本体１ａ外に送出する気体送出部１１を備える。径時的に成長するナノ炭素を使用済触媒と共に連続的に反応容器外に排出し、それと同量の未使用触媒を供給することで転化率を一定にして効率よく連続反応させる。 （もっと読む）

【課題】プラズマダメージや被処理体（基板）の変形を防ぎ、カーボンナノチューブを成長させることが可能なカーボンナノチューブの製造装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波導入手段１１を備え、内部空間に炭素含有のプロセスガスを導入しながら所定の圧力状態を維持する真空処理室１０と、前記内部空間にあって、前記マイクロ波導入手段１１に付設された平板状のマイクロ波導入窓１６に対向配置されるように、平板状の被処理体２を載置する支持体１２と、前記支持体に内蔵された温度制御手段１３と、を少なくとも備えたカーボンナノチューブの製造装置であって、前記マイクロ波導入窓１６から導入したマイクロ波を前記プロセスガスに照射して生起させたプラズマ２０から見て、前記被処理体を覆うように、可視光より長い波長をもつ光の透過率が５％未満で、気孔率が７０％より大きく９５％未満である板材１８が配置されている。 （もっと読む）

【課題】炭素原料ガスの分解される効率を高め、カーボンナノチューブの成長速度を高めて高品質なカーボンナノチューブの連続成長を可能にする触媒部材を提供する。
【解決手段】本発明に係る触媒部材１０は、銀または銀合金からなるベース体１と、上記ベース体１の内部を貫通するように配置された鉄フィラメント３と、上記鉄フィラメント３の一方の端部の一部分に接触するように配置されたアルミナ膜７とを備える。 （もっと読む）

複合材料は、巻取り可能な寸法の金属繊維材料と、金属繊維材料の周囲に等角的に配置されるバリアコーティングと、金属繊維材料に浸出されるカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）と、を含むカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）浸出金属繊維材料を含んで構成される。連続ＣＮＴ浸出プロセスは、（ａ）巻取り可能な寸法の金属繊維材料の表面にバリアコーティング及びカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）形成触媒を配置することと、（ｂ）金属繊維材料上にカーボンナノチューブを合成し、これによりカーボンナノチューブ浸出繊維材料を形成することと、を含んで構成される。 （もっと読む）

複合材料は、巻取り可能な寸法のアラミド繊維材料を含むカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）浸出アラミド繊維材料と、アラミド繊維材料の周囲に等角に配置されたバリアコーティングと、アラミド繊維材料に浸出されたカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）と、を含む。浸出されたＣＮＴは、長さが均一かつ密度が均一である。連続ＣＮＴ浸出プロセスは、（ａ）巻取り可能な寸法のアラミド繊維材料の表面にバリアコーティング及びカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）形成触媒を配置することと、（ｂ）アラミド繊維材料上にカーボンナノチューブを合成し、これによりカーボンナノチューブ浸出アラミド繊維材料を形成することと、を含む。 （もっと読む）

【課題】エチレン系の炭化水素と水素を原料として、鉄もしくはニッケルからなる金属または鉄もしくは鉄とニッケルの合金を含有する触媒を用いて、炭素ナノ繊維を製造可能とすること、および原料ガスを低価格とするため、原料ガス中に二酸化炭素を含むプロセス排ガスを原料とする炭素ナノ繊維の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭素ナノ繊維の製造方法は、ＦｅもしくはＮｉからなる金属またはＦｅもしくはFeとＮｉの合金を含有する触媒を用い、炭化水素および水素を含有する原料ガスに二酸化炭素を含有した混合ガスを供給して所定の反応温度で反応させることによって炭素ナノ繊維を生成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】二層カーボンナノチューブを主体に構成された炭素質材料、特には膜状に形成された二層カーボンナノチューブに富む炭素質材料の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によって提供される二層カーボンナノチューブを主体に構成された炭素質材料の製造方法は、減圧可能な容器内に配置された一対の電極間にアーク放電を発生させて該電極の少なくとも一方からカーボンを蒸発させて行う製造方法であって、該アーク放電の発生領域に近接する外側領域であって９００Ｋを下回らない温度領域内において前記一対の電極の少なくとも一方からの蒸発物を回収することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
ＣＮＴを１ｍ以上の長さにする技術。カーボンナノチューブ（以下ＣＮＴとする。）の用途を拡大するためには、その長さが短すぎるし、化学的製造は難解（現在時点の最長：20ｍｍ程度）である。この時、化学的に製造されたＣＮＴには不純物（異形）が混在しているので目的形状のＣＮＴとそれ以外を分別する技術が必要となる。
【解決手段】
外科手術的な手法（化学的でない）により、すなわちフェムト秒レーザー光により直接接続することによりＣＮＴを１ｍ以上の長さにする。このときウォーターコンベアー図３を使って、微小材料の位置あわせを可能として且つ連続的に溶接する。またこの周辺技術として化学的に合成するときできる欠陥形状のＣＮＴと正規の形状を分別する発明として２種図４，５と自動濃縮技術図６を説明している。 （もっと読む）

【課題】下層の触媒金属を微粒にかつ高密度に形成して低欠陥で高密度のカーボンナノチューブ膜を形成することができるカーボンナノチューブ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】表面に金属触媒層が形成された被処理基板を準備し（工程１）、金属触媒層に酸素プラズマ処理を施し（工程２）、酸素プラズマ処理後の金属触媒層に水素含有プラズマ処理を施して、金属触媒層の表面を活性化し（工程３）、その後、金属触媒層の上にプラズマＣＶＤによりカーボンナノチューブ膜を成膜する（工程５）。 （もっと読む）