【課題】浸炭による強度および寿命の低下を防ぐことができるとともに、カーボンナノ構造物の製造に適した流動状態を確保することが可能なカーボンナノ構造物の製造装置および製造方法を実現する。
【解決手段】反応管を加熱し、原料ガスと触媒担持粒子とを流動させながら前記反応管内で反応させることによってカーボンナノ構造物を製造するカーボンナノ構造物の製造装置であって、前記反応管は金属からなり、かつ内表面に金属の酸化物層を備えているカーボンナノ構造物の製造装置を用いる。 （もっと読む）

【課題】電界集中が容易で、電子放出能及びその均一性、安定性に優れ、かつ簡便で制御性が高いプロセスで作製できるナノ炭素材料を用いた電子放出素子、その製造方法、電子放出素子を用いた面発光素子を提供する。
【解決手段】強電界によって電子を放出する電界放射型の電子放出素子において、基板上に形成された複数の突起部よりなる３次元構造パターンを具備し、突起部の高さと隣接する突起部同士との間隙との比を１：２以上１：６以下とする。 （もっと読む）

【課題】重量密度（単位体積あたりの重量が小さい）が低く、優れた成形加工性を備え、比表面積が高く、且つ一本一本のＣＮＴが規則的な方向に配向している単層ＣＮＴ配向集合体、バルク状単層ＣＮＴ配向集合体、粉体状単層ＣＮＴ配向集合体を提供する。
【解決手段】比表面積；６００〜２６００ｍ^２／ｇ、蛍光Ｘ線測定で得られた炭素純度；９５％以上、ラマンスペクトルのＧバンドピークとＤバンドピークの比Ｇ／Ｄ；１〜５０、平均外径；１．５ｎｍ〜４ｎｍ、半値幅；１ｎｍ以上で平均外径の倍以下を備え、かつ配向度が所定の条件で定義されるバルク状単層カーボンナノチューブ配向集合体。 （もっと読む）

【課題】気相からの凝集物、例えば単層または多層カーボンナノチューブから繊維を製造して機械的または電子的特性を向上する。
【解決手段】１つまたは複数のガス状反応物質の流れを反応器１２に通す工程と、反応器１２の反応領域内で１つまたは複数のガス状反応物質を反応させて、エーロゲルを形成する工程と、該エーロゲルを凝集物４へと凝集させる工程と、該凝集物４に力を加えて、それを反応領域外に連続的に移動させながら繊維２４にする工程とを含む製造方法。 （もっと読む）

【課題】従来よりも小型軽量化または省エネルギー化を図れる排気ガス制御装置を提供する。
【解決手段】
本発明の排気ガス制御装置（３）は、燃焼機関の排気ガスの経路に配設され排気ガスの流れを制御する制御弁（２４）と、この制御弁と一体的に可動する可動軸（２７）と、可動軸を摺動させつつ支承し可動軸の摺動面に摺接する摺受面を有する軸受（３４、３９）とを備える。前記摺動面または前記摺受面の少なくとも一方は、Ｓｉ、Ｈおよび残部であるＣからなる非晶質炭素膜（ＤＬＣ−Ｓｉ膜）を有し、このＤＬＣ−Ｓｉ膜は付着する界面に臨む臨界部とこの臨界部に連なり表面側へ延びる表面部とからなる。その表面部はＳｉ濃度が８〜３０原子％である部分を有し、臨界部は表面部よりもＳｉ濃度が低い。このようなＤＬＣ−Ｓｉ膜が摺動部に存在することで、常温域および高温域における摩擦係数を長期にわたり低減できる。 （もっと読む）

【課題】基板から確実にカーボンナノチューブを剥離でき、且つ基板上で生成されたカーボンナノチューブの形状および密度を維持することができるカーボンナノチューブの剥離方法を提供する。
【解決手段】表面にカーボンナノチューブＣが生成された基板Ｋを連続的に導き当該カーボンナノチューブＣの先端表面部に接着フィルム１１を配置して接着層を形成した後、この連続的に導かれる接着層を回転ローラ式の吸引具２にて吸引することによりカーボンナノチューブＣを基板Ｋから剥離させる方法である。 （もっと読む）

第１のカーボンナノチューブ浸出材料と第２のカーボンナノチューブ浸出材料とを備えた陸ベースの複合材料構造体を有する装置。前記第１及び第２のカーボンナノチューブ浸出材料は、それぞれ異なる機能性を提供するために選択されたカーボンナノチューブ担持量の範囲を有する。 （もっと読む）

【課題】利用が易しく、且つ大きな面積を有するカーボンナノチューブアレイ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】平板状の柔軟性基材１０２の少なくとも一つの表面１０４に触媒層１０８を堆積させる第一ステップと、一つの反応炉を提供し、前記触媒層が形成されている基材を曲げた後、前記反応炉の内に置く第二ステップと、前記基材を所定の温度まで加熱させる第三ステップと、前記反応炉の中に反応ガスを導入して、所定の温度で化学気相堆積法で、前記基材の触媒層が堆積された表面に複数のカーボンナノチューブ１１０からなるカーボンナノチューブアレイ１００を成長させる第四ステップと、を含む製造方法。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブの品質が劣化するのを抑制し得る熱ＣＶＤ装置における断熱体を提供する。
【解決手段】熱ＣＶＤ法によりカーボンナノチューブを基板の表面に形成するための加熱室１３の内壁面に配置される断熱体２１を、底壁部２ａ側に配置される底壁断熱部２２と、上壁部２ｂ側に配置される上壁断熱部２３と、側壁部２ｃおよび区画壁３に沿って配置される側壁断熱部２４とから構成するとともに、これら各断熱部２２〜２４として、金属製の薄い遮蔽板２５を所定間隔おきに多数並置することにより構成したもの。 （もっと読む）

【課題】触媒が全面に塗布された基板においても、所望の形状で成長したカーボンナノチューブを得ることができる蒸着装置を提供する。
【解決手段】触媒が塗布された基板Ｋを内部に配置すると共に所定の真空度を維持し得る加熱室１３を有して、熱化学気相成長法により当該基板Ｋに原料ガスＧを供給してカーボンナノチューブを成長させるカーボンナノチューブ形成用のＣＶＤ装置であって、基板Ｋのカーボンナノチューブの生成範囲に原料ガスＧを導く複数のガス案内用ダクト体２３と、これら各ガス案内用ダクト体２３にそれぞれ一端が接続されて原料ガスＧを各ガス案内用ダクト体２３に導く複数のガス導入管５とを具備したものである。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノウォールの選択成長方法を提供すること。
【解決手段】ＳｉＯ₂ からなる基板１００上に、正方形が三角格子状に配列されたパターンのＴｉ膜１０１を形成した。次に、ＳｉＯ₂ 基板１００上にカーボンナノウォールを成長させた。そして、Ｔｉからのカーボンナノウォールの成長開始時間よりも長く、ＳｉＯ₂ からのカーボンナノウォールの成長開始時間よりも短い時間で成長を終了させた。ここで、ＳｉＯ₂ からのカーボンナノウォールの成長開始時間は、Ｔｉからの成長開始時間よりも長い。その結果、ＳｉＯ₂ 基板１００上のうち、Ｔｉ膜１０１が形成されずにＳｉＯ₂ が露出している領域にはカーボンナノウォールが成長せず、Ｔｉ膜１０１上にのみ、カーボンナノウォール１０２が形成された。 （もっと読む）

【課題】個々のカーボンナノチューブを基質上の予め選択した位置に合成する、化学蒸着を用いたカーボンナノチューブおよび炭素ナノ構造体の製造方法の提供。
【解決手段】蒸着マスクを備える基質上に、有機金属層を蒸着する。マスクを除去すると、有機金属前駆体のマスク上に蒸着した部分も除去される。有機金属層の残った部分を酸化し、炭素ナノ構造体の合成に用いることのできる金属成長触媒を基質上に得る。 （もっと読む）

【課題】基板表面に生成する膜を全面でより均一にできるＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】熱化学気相成長法により基板Ｋの表面にカーボンナノチューブを生成する加熱室１３を有するカーボンナノチューブ形成用の熱ＣＶＤ装置であって、加熱室１３内を所定方向に移動される所定幅の基板Ｋを側面視が円弧形状となるように保持し得るガイド板２３を具備するとともに、このガイド板２３により保持される基板Ｋの円弧中心位置に原料ガスＧの放出口５を基板Ｋの幅方向に沿って配置したものである。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ表面上に低温でグラフェンを形成することができるグラフェンの形成方法及びグラフェンの形成装置を提供する。
【解決手段】表層にＳｉＣを有する基板１２を真空槽１１に入れ、真空槽１１を真空排気する真空排気工程と、基板１２を所定の温度に加熱する加熱工程と、真空槽１１内に酸素ガスを導入する酸素導入工程と、真空槽１１内の酸素の分圧を１×１０^−４Ｐａから１×１０^−６Ｐａの範囲の一定の圧力に制御した状態で所定時間保持する反応工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】凝集が少なく分散性が向上したナノカーボン材料製造装置及びナノカーボン材料精製方法を提供する。
【解決手段】流動層反応器により触媒付きナノカーボン材料を製造するナノカーボン材料製造部１５と、得られた触媒付きナノカーボン材料を酸溶液１６に分散してなり、触媒を酸溶液１６により溶解分離する酸処理装置１７と、前記酸処理したナノカーボン材料１８を水洗する水洗装置１９と、水洗したナノカーボン材料１８を濾過装置２３で濾過した後に、乾燥する乾燥装置２４と、乾燥したナノカーボン材料を微粉砕して精製ナノカーボン材料２６とする微粉砕装置２５とを有する。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブ配向集合体を連続的に製造する装置において、排気管からの排気流量を所定の範囲内に制御することによって、ＣＮＴ配向集合体の連続製造を安定的に保つことを可能にする。
【解決手段】炉内のガスを排気する排気管１４ａを備えるカーボンナノチューブ配向集合体の製造装置１００において、
排気管１４ａ内の排気流量を測定する排気流量測定手段１４と、排気流量測定手段１４が測定した結果に基づいて、排気管１４ａ内の排気流量を可変する排気流量可変手段１５とを備える排気流量安定化部２０を備えている。 （もっと読む）

【課題】導電性基板が絶縁部材で覆われている場合においても、適切に導電性基板を加熱できる熱ＣＶＤ法及び熱ＣＶＤ装置並びにカーボンナノチューブの製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】炭素原料ガスＧが導入される加熱室１３内に配置され且つ少なくとも一方の表面に絶縁部材Ｚが設けられた導電性基板Ｋを加熱して熱化学気相成長法により導電性基板Ｋにカーボンナノチューブを形成するカーボンナノチューブの製造方法であって、所定間隔を有して配置された一対の電極２２を絶縁部材Ｚの表面に接触又は隙間を有して対向させると共に、各電極２２と、其に対応する導電性基板Ｋと、絶縁部材Ｚ又は絶縁部材Ｚ及び隙間とにより構成される一対のキャパシタ、並びに両キャパシタ同士間の導電性基板Ｋにより形成される抵抗により構成される電気回路の両電極２２間に交流電圧を印加することにより、局所的に導電性基板Ｋを加熱するものである。 （もっと読む）

【課題】高い透明導電性をもつカーボンナノチューブ透明導電複合材を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブの直径が１．５ｎｍ以下の状態で平均長さが１μｍ以上５μｍ以下のカーボンナノチューブを用い、かつ、平均カーボンナノチューブ長さをＸμｍとした場合、カーボンナノチューブ層バルク体積抵抗率ρ_０（Ωｃｍ）が４．０×１０^−５Ωｃｍ以上、式（１）で表される値以下である透明導電複合材。
ρ_０＝７．３３６１×１０^−７Ｘ^４−９．５９７８×１０^−６Ｘ^３＋３．７９７９×１０^−５Ｘ^２−１．８５５０×１０^−５Ｘ＋２．９７３２×１０^−５ （１） （もっと読む）

【課題】 電子放出に班がなく、ＣＮＴの起毛が良好で起毛密度が高いＣＮＴ電子放出源を提供する。
【解決手段】 上記課題は、導電性を有する基板に導電性ペースト膜を形成した後、該導電性ペースト膜上に高濃度のカーボンナノチューブを含む膜を形成するカーボンナノチューブ層形成工程と、前記工程により得られたカーボンナノチューブ層形成基板を４００〜５００℃で焼成する焼成工程と、前記工程で焼成した基板のカーボンナノチューブ層表面に粘着テープを貼り付け、次いで、これを引き剥がすことにより、前記カーボンナノチューブ層表面を起毛状態とする起毛工程とを有することを特徴とするカーボンナノチューブ電子放出源の製造方法によって解決される。 （もっと読む）