【課題】カーボンナノチューブ連続繊維を安定して連続的に製造することができる実用的な装置を提供する。
【解決手段】流動気相ＣＶＤ法によって炭素源と触媒とキャリアガスとから連続的にカーボンナノチューブを合成する管状反応炉２と、管状反応炉の下流側に設けられた、内径が、管状反応炉の内径の０．１〜０．５倍の範囲の筒状体１２と、管状反応炉内から連続的に引き出したカーボンナノチューブのスライバーを挟持しながら加撚し送り出す一対のベルトニップツイスター４１０と、得られたカーボンナノチューブ連続繊維を連続的に巻き取る巻取装置５００とを備えたカーボンナノチューブ連続繊維の製造装置とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＮＴ配向集合体を連続的に製造する際に、ＣＮＴの収率及び品質の低下を防ぐことができる製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】表面に触媒を有する複数の基材１１１上にカーボンナノチューブ配向集合体を成長させるカーボンナノチューブ配向集合体の製造方法であって、複数の基材１１１を成長炉１０４ａ内に連続的に搬入し、かつ成長炉１０４ａ内において前記触媒の周囲環境を原料ガス環境とすると共に前記触媒及び前記原料ガスのうち少なくとも一方を加熱して、前記カーボンナノチューブ配向集合体を成長させる成長工程と、少なくとも酸素原子を含むクリーニングガスを用いて成長炉１０４ａ内をクリーニングするクリーニング工程とを含み、前記成長工程と前記クリーニング工程とを交互に繰り返して行なう。 （もっと読む）

【課題】製造に必要なエネルギーを低く抑えつつ、ナノ炭素を量産することができ、また二酸化炭素の発生量を抑えることができるナノ炭素の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】流動触媒、又は流動媒体を併用する流動触媒１が収容され、低級炭化水素と酸素とが供給されて自己燃焼可能な流動層反応器２と、流動層反応器２に接続され、流動層反応器２内に低級炭化水素と酸素とを供給するガス供給部５と、流動層反応器２に接続され、流動層反応器２内の排ガスを外部に排出する排ガス路８と、流動層反応器２に接続され、流動層反応器２内に流動触媒、又は流動媒体を併用する流動触媒１を補給する補給部２ａとを有するナノ炭素の製造装置を用い、流動触媒、又は流動媒体を併用する流動触媒１に低級炭化水素と酸素とを供給して流動層を形成し、低級炭化水素と酸素との自己燃焼を伴う低級炭化水素の分解反応によって、ナノ炭素と水素とを生成する。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノ構造体の長尺化や形状の安定化が可能なカーボンナノ構造体の製造装置およびカーボンナノ構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】カーボンナノ構造体の製造装置１は、カーボンナノ構造体２０を成長させる触媒部材４と、原料ガス供給部１１および原料ガス供給管５と、磁場発生部材（コイル７、８）と、加熱部材（ヒータ６）とを備える。原料ガス供給部１１および原料ガス供給管５は、触媒部材４に、カーボンナノチューブ２０を構成するための炭素を供給する。磁場発生部材（コイル７、８）は、触媒部材４の一方表面から、当該一方表面と対向する他方表面に向けて、磁場強度が徐々に高くなる勾配磁場（たとえば磁束線９、１０で示されるカスプ磁場）を印加する。加熱部材（ヒータ６）は、触媒部材４を加熱する。 （もっと読む）

【課題】高い熱伝導率と高い赤外線吸収率を有し、高温での高い耐久性と高い耐油性をも兼ね備えた、新規な赤外吸収熱伝導部材を提供する。
【解決手段】本発明の赤外吸収熱伝導部材は、複数層を有するカーボンナノチューブの複数が長さ方向に配向したカーボンナノチューブ集合体を含み、赤外線吸収率が０．８以上であり、厚さ方向の熱伝導率が１Ｗ／ｍＫ以上である。 （もっと読む）

【課題】低級炭化水素を用いて、ナノカーボンの製造と同時に、所望のガス比の合成ガスを容易に製造する。
【解決手段】低級炭化水素供給路２０が連通する空間に触媒が収容されて前記空間が低級炭化水素の直接分解がなされる反応空間である低級炭化水素分解反応装置１０と、二酸化炭素供給路２３、３５が連通する空間にナノカーボンが収容されて前記空間が、二酸化炭素を一酸化炭素に還元する反応空間である二酸化炭素還元反応装置３０と、低級炭化水素分解反応装置１０および二酸化炭素還元反応装置３０に接続され、低級炭化水素分解反応装置１０で生成された水素と二酸化炭素還元反応装置３０で生成された一酸化炭素とを混合する混合部５０とを備えることで、ナノカーボンの製造と同時に、所望のガス比の合成ガスを容易に製造できる。 （もっと読む）

【課題】前駆体熱処理法の第一工程においてスラグ状堆積物が生成しないようにすると同時に、生成するフラーレン煤中に内包カーボンナノカプセル前駆体が大量に含まれる製造方法を提供すること。
【解決手段】放電容器内に導入したヘリウム雰囲気中において、二次元または三次元に配置された３つ以上の放電電極にそれぞれ位相差のある多相交流を印加して、アーク放電を発生させ、このアーク放電により形成されたプラズマ領域を用いて複合炭素原料を蒸発せしめ、蒸発した全量を当該プラズマ領域内で凝縮させて前記放電容器内壁にフラーレン煤として付着させる製造方法であって、前記放電容器内のヘリウム圧力を１５〜９０Ｔｏｒｒとすることによって、被内包物質を内包した微小な内包カーボンナノカプセル状物質を内包カーボンナノカプセル前駆体として前記容器内壁に付着する煤中に生成させる。 （もっと読む）

【課題】単位質量当たりに導入可能な官能基の量に優れたナノカーボンを提供すること。
【解決手段】触媒支援化学的気相成長法において、マグネシウム、カルシウム及びアルミニウムからなる第１の金属群から選ばれる少なくとも１種以上の金属の酸化物と、ニッケル、鉄及びコバルトからなる第２の金属群から選ばれる少なくとも１種以上の金属の酸化物とを、特定の割合で含有する多孔質複合金属酸化物を触媒として用いる。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノ構造物の連続合成過程で原料ガスの拡散を防止して原料ガスの初期濃度を高濃度に維持でき、高品質のカーボンナノ構造物の量産を行うことのできる原料ガス拡散抑制型カーボンナノ構造物製造装置を提供することである。
【解決手段】触媒層３１を表面に形成した搬送ベルト１９により反応炉１内に搬入して昇温領域３及び反応領域２を順に搬送し、昇温領域３を通過した触媒層を反応領域２に移送して原料ガスにより触媒層上にＣＮＴを成長させる。拡散抑制体６、７により、搬送ベルト１９が通過可能な間隙８を残して炉内断面を縮減して昇温領域３及び反応領域２の境界領域を仕切り、反応領域２に供給された原料ガスの、昇温領域３側への拡散を抑制する。 （もっと読む）

【課題】触媒層上に秀麗な配向ＣＮＴを合成でき、ＣＮＴを分離回収した後、基板層の再利用を実現することを目的とする。
【解決手段】本発明のＣＮＴ製造用の四層型触媒基体１は、基板層２の上に耐熱性樹脂層４を形成し、前記耐熱性樹脂層４の上にＡｌ層６を形成し、前記Ａｌ層６の上にＣＮＴ合成用の触媒層８を形成している。また、前記基板層２がベルト状に形成された基板ベルトであり、前記基板ベルトの上に前記耐熱性樹脂層４、前記Ａｌ層６及び前記触媒層８を積層して四層型触媒基体ベルトも提供できる。４００℃以上、好適には５００℃以上の耐熱温度を有した耐熱性樹脂層４を形成して、ＣＮＴ合成時に耐熱性樹脂層４が基板層２と樹脂層８との反応を防ぎ、触媒層８上に配向ＣＮＴを合成でき、ＣＮＴを分離回収しても基板層２の表面は合成前の状態であり、基板ベルトを含む基板層２の再利用を実現できる。 （もっと読む）

【課題】熱ＣＶＤによるグラフェン膜成膜の高温プロセス、かつプロセス時間が長いという問題を解決すべく、より低温で短時間にグラフェン膜による結晶性炭素膜を用いた透明導電性炭素膜を形成する手法を提供する。
【解決手段】基材温度を５００℃以下、圧力を５０Ｐａ以下に設定し、かつ含炭素ガスと不活性ガスからなる混合ガスに基材表面の酸化を抑制するための酸化抑制剤を添加ガスとして加えたガス雰囲気中で、マイクロ波表面波プラズマＣＶＤ法により、銅又はアルミの薄膜の基材表面上に透明導電性炭素膜を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】触媒を担持した粒状基材を積層した粒状基材の集合体の触媒から効率良く、ＣＮＴを合成できるＣＮＴの製造装置および製造法を提供する。
【解決手段】合成炉と、合成炉に連通するガス供給管およびガス排気管と、合成炉内を所定温度に加熱するための加熱手段とを備え、ガス供給管を介して供給される原料ガスを、加熱手段により加熱された合成炉の加熱領域内に供給して、粒状基材に担持された触媒からカーボンナノチューブを成長させ、ガス排気管より、原料ガスを排気するカーボンナノチューブの製造装置であって、合成炉内に設けられ、触媒を担持した粒状基材の集合体を保持し、かつ原料ガスを通過させるための複数の細孔を有する保持具と、保持具に運動を与え、粒状基材を動かす保持具揺動具と、保持具に対向して配設された、ガス供給管から供給される原料ガスを複数の方向に分配するガス流形成手段と、を備えるカーボンナノチューブ製造装置。 （もっと読む）

【課題】タール状物質などの有害物質を含む化学合成物質の生成を排気側にて安価な構成にて抑制し得るガス排出手段を有する真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】基板Ｋを水平に配置し得るとともにその上方に当該基板を加熱する加熱装置21を有し且つ下方に原料ガスＧを導入し得るガス供給口５が設けられた加熱室13を有して基板の下面に蒸着材料を蒸着させ得る熱ＣＶＤ装置であって、上記加熱室に、ガス供給口５からの原料ガスを基板の下面に案内し得るガス案内用ダクト体24を設け、このガス案内用ダクト体の上端面と基板下面との間に隙間δを形成するとともに、基板の上方に当該基板の高さ位置を維持する基板高さ維持部材25を設け、上記加熱室の上壁部に真空ポンプ27を有するガス排出装置23を接続したものである。 （もっと読む）

【課題】簡易な装置を用いて有機系爆薬からダイヤモンドを容易に効率よく合成する方法を提供する。
【解決手段】耐圧性の容器中で、爆薬を爆発させることによりダイヤモンドを製造する方法であって、前記爆薬を氷で覆った状態で爆発させる工程を有することを特徴とするダイヤモンド製造方法。 （もっと読む）

【課題】化学蒸着（ＣＶＤ）プロセス反応器炉を使用して、任意の長さのカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を生成する装置を提供すること。
【解決手段】ＣＮＴを炉の全長の一部分に沿って軸方向に成長させる。この装置は、スピンドルと、スピンドルを回転させる機構とを含む。このスピンドルは、炉の温度が一定の領域に配置されており、ＣＮＴが炉内で成長しているときに、回転しているスピンドルに巻き付けてＣＮＴを集めるように動作可能である。 （もっと読む）

【課題】触媒を担持した基材の面積が大きくてもＣＮＴ配向集合体を均一に製造することを可能にする、触媒賦活物質を含むガスの噴出装置を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブの成長の触媒を賦活する触媒賦活物質を含むガスの噴出装置１００であって、複数のシャワー２０１、２０２を備え、複数のシャワー２０１、２０２では、噴出する触媒賦活物質の量が互いに異なり、外側のシャワー２０２により噴出される触媒賦活物質の量が、内側のシャワー２０１により噴出される触媒賦活物質の量より多くなるように、複数のシャワー２０１、２０２が配置されている。 （もっと読む）

【課題】触媒を担持した基材の面積が大きくてもＣＮＴ配向集合体をより均一に製造する。
【解決手段】カーボンナノチューブの触媒層を表面に有する基材上に、カーボンナノチューブの原料ガス、触媒賦活物質及び希釈ガスを含む原料ガス混合物を供給してカーボンナノチューブ配向集合体を成長させるカーボンナノチューブ配向集合体の製造方法であって、成長炉内に上記基材を設置する工程と、上記触媒層に噴射部から上記原料ガス混合物を噴射する工程と、を含み、上記触媒層と上記噴射部との距離Ｈの４倍以上の幅Ｗを上記触媒層が有し、上記希釈ガスが窒素を含み、上記触媒賦活物質が二酸化炭素を含む。 （もっと読む）

【課題】湿式精製処理を行う必要がないカーボンナノホーンを製造することができる、新しい原理に基づくカーボンナノホーンの製造技術を提供する。
【解決手段】カーボンナノホーンの製造方法が、グラファイトからなるターゲット原料をチャンバー内にセットするステップと、大気圧下で、かつ、常温の不活性ガスからなる雰囲気中で、電子加速器から放出される連続電子ビーム又はパルス状電子ビームをターゲット原料に照射することにより、ターゲット原料を溶融、ガス化させるステップを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】タール状物質などの有害物質を含む化学合成物質の生成を排気部にて安価に抑制し得るガス排出装置を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブの形成用の加熱室１３内のガスを真空ポンプ３６にて排出するための装置であって、加熱室１３と真空ポンプ３６との間の排ガス経路に、当該加熱室１３の圧力よりも低い圧力にされる減圧室を有する筒状体３１を配置すると共に、その下流側に冷却器３４を配置したものである。 （もっと読む）

【課題】容易に且つ膜の特性を損なうことなく特性が向上したダイヤモンド様薄膜を実現できるようにする。
【解決手段】ダイヤモンド様薄膜は、基材１１の上に形成され、炭素と結合した水素を含むダイヤモンド様材料からなる第１の層１３と、第１の層１３の上に形成され且つ炭素と結合した水素の少なくとも一部が引き抜かれ、第１の層１３と比べて水素の含有率が低いダイヤモンド様材料からなる第２の層１４と、第１の層１３と基材１１との間に形成され、第１の層１３と比べて水素の含有率が低いダイヤモンド様材料からなる第３の層１５とを備えていている。 （もっと読む）