【課題】化学気相成長法によって生成されたカーボンナノチューブの紡糸繊維の強度を向上させることができる技術を提供する。
【解決手段】乱流発生手段としてテーパ状の複数の貫通孔１１を有する成長用基板１０を準備し、成長用基板１０の第２の面１０ｂにカーボンナノチューブの生成反応を促進させるための触媒金属２０を担持させる。成長用基板１０の第１の面１０ａ側から、各貫通孔１１を介して、第２の面１０ｂ側に原料ガスを供給し、第２の面１０ｂ側において、原料ガスの乱流を発生させるとともに、カーボンナノチューブ３０を成長させる。原料ガスの乱流によって捩れて成長したカーボンナノチューブ３０を採取するとともに撚糸する。 （もっと読む）

【課題】種々の炭素質膜に対応して、親水性の炭素質膜を容易に製造できるようにする。
【解決手段】親水性炭素質膜の製造装置は、炭素質膜を成膜するための炭素源となるガスのプラズマ及び酸素のプラズマを発生させるプラズマ生成部１１と、炭素源となるガスのプラズマを用いて基材２１の表面に炭素質膜を成膜し、成膜した炭素質膜へ酸素を含むプラズマを照射するためのチャンバ１２と、酸素を含むプラズマの照射中に、炭素質膜の赤外吸収を測定する赤外吸収測定部１３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】単層ナノチューブを含むフィラメント状構造体を製造するための方法及び装置を提供すること。
【解決手段】この方法は、すす無し火炎を確立するように炭化水素燃料及び酸素を燃焼させること、並びに火炎のポスト火炎領域中でフィラメント状構造体を合成するための非担持触媒を提供することを含む。滞留時間は、フィラメント状構造体の成長に有利となるように選択される。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に複数のカーボンナノチューブを備えたカーボンナノチューブ集合体であって、該基板と該カーボンナノチューブとの密着力が非常に高いカーボンナノチューブ集合体を提供する。また、そのようなカーボンナノチューブ集合体を含む粘着部材を提供する。
【解決手段】本発明のカーボンナノチューブ集合体は、シリコン基板の表面に複数のカーボンナノチューブを備えたカーボンナノチューブ集合体であって、該複数のカーボンナノチューブの片端が該シリコン基板の表面に密着しており、該複数のカーボンナノチューブと該シリコン基板の表面との密着力が２５℃において１０Ｎ／ｃｍ^２以上である。 （もっと読む）

【課題】透明導電性に優れた水性分散液および導電性複合体を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、平均外径が３ｎｍ以下であるカーボンナノチューブと分散剤を含んだ分散体であって、動的光散乱法によって測定した平均粒径が２００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下であることを特徴とするカーボンナノチューブ水性分散液であり、分散剤がイオン性分散剤であることを特徴とする上記のカーボンナノチューブ水性分散液であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】触媒金属微粒子を用いて炭素元素からなる線状構造体を成長する線状構造体の成長方法及び成長装置に関し、触媒金属微粒子の凝集を抑制して高密度で線状構造体を成長しうる線状構造体の成長方法及び成長装置を提供する。
【解決手段】 基板１０上に微粒子状の触媒金属１４ａ，１８ａを堆積する工程と、触媒金属１４ａ，１８ａに炭素を含む原料ガスを作用させ、少なくとも触媒金属１４ａ，１８ａの表面を覆う炭素元素からなる構造体１６を成長する工程とを少なくとも２回繰り返して行う工程と、触媒金属１４ａ，１８ａに炭素を含む原料ガスを作用させ、基板１０上に、炭素元素からなる線状構造体２０を成長する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、カーボンナノチューブフィルムの製造方法及び引き出す装置に関する。
【解決手段】本発明のカーボンナノチューブフィルムの製造方法は、基板及び、該基板に垂直に配列された複数のカーボンナノチューブを含むカーボンナノチューブアレイを提供する第一ステップと、接着性を有する表面を含む引き出す装置を提供する第二ステップと、前記接着性を有する表面を前記カーボンナノチューブアレイに近づけて、前記カーボンナノチューブアレイの複数のカーボンナノチューブを、前記基板に対して０°〜９０°角度で傾倒させるように、前記カーボンナノチューブを前記接着性を有する表面に接着させるする第三ステップと、前記引き出す装置を前記カーボンナノチューブアレイから離れる方向に移動させて、カーボンナノチューブフィルムを引き出して得る第四ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法を用いてカーボンナノチューブを効率的に生成できる技術を提供する。
【解決手段】成長用基板１００は、中空円筒状を有しており、カーボンナノチューブ生成層２０と、発電層３０とを備える。カーボンナノチューブ生成層２０は、外表面にカーボンナノチューブの生成を促進させるための触媒が担持されている。発電層３０は、カーボンナノチューブ生成層２０の下層に配置され、固体電解質３５と、固体電解質３５の外面に設けられたアノード３３と、固体電解質３５の内面に設けられたカソード３７とを有している。発電層３０は、カーボンナノチューブの生成に際して、アノード３３にカーボンナノチューブ生成層２０から透過した副産物である水素と、カソード３７に外部から供給された酸化ガスとを利用して発電する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法において生成されるカーボンナノチューブの長さを調整できる技術を提供する。
【解決手段】装置１００は、第１の面１１に触媒粒子２１が担持された基板１０の第１の面１１側に原料ガスを供給してカーボンナノチューブ５を成長させるとともに、第２の面１２側に酸素を供給する。基板１０は、プロトン伝導性を有する固体電解質層１５と、その両面に配置された第１と第２の電極層１４ａ，１４ｂとを有しており、副生成物として生成された水素と供給酸素によって発電する。離隔電極板３０は、第２の電極層１４ｂと接続されており、予め第１の電極層１４ａと距離を有するように第１の面１１側に配置されている。制御部１５０は、離隔電極板３０までカーボンナノチューブ５が成長し、電位差計測部１３６によって計測される第１と第２の電極層１４ａ，１４ｂの間の電位差が０Ｖとなったときに、原料ガスの供給を停止する。 （もっと読む）

【課題】連続製造におけるＣＮＴ配向集合体の製造量の低下及び品質の劣化を防ぐと共に、装置大型化を容易にすることで、ＣＮＴ配向集合体の製造効率を向上することのできる製造方法を提供する。
【解決手段】触媒の周囲環境を還元ガス環境とすると共に触媒及び還元ガスのうち少なくとも一方を加熱するフォーメーション工程を実現するフォーメーションユニットと、触媒の周囲環境を原料ガス環境とすると共に触媒及び原料ガスのうち少なくとも一方を加熱してカーボンナノチューブ配向集合体を成長させる成長工程を実現する成長ユニットと、ガス混入防止手段とを用い、フォーメーションユニットにおけるフォーメーション工程と、成長ユニットにおける成長工程とを、行い、各ユニットの炉内空間が接続部によって空間的に接続されており、ガス混入防止手段を用いて各ユニットの炉内空間内へガスが相互に混入することを防止する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法を用いたカーボンナノチューブの製造工程において、成長基板における温度分布の不均一性を改善する技術を提供する。
【解決手段】流体を流すための多孔質流路層１５と、多孔質流路層１５を狭持し、水素を選択的に透過する第１と第２の電極層１１，１２とを備える成長用基板１０を準備する。成長用基板１０の第１の電極層１１側の外表面に、カーボンナノチューブの生成を促進させるための触媒金属２０を担持させる。第１の電極層１１には、原料ガスを供給してカーボンナノチューブを成長させるとともに、多孔質流路層１５にプロトン伝導性を有するイオン性液体を流しつつ、第１と第２の電極層１１，１２の間に、第１の電極層１１側を陽極として電圧を印加する。これによって、第１の電極層１１側における副産物である水素を第２の電極層１２側へと移動させる。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法を用いたカーボンナノチューブの製造工程において、触媒金属の触媒活性の低下を抑制して、カーボンナノチューブを効率的に生成できる技術を提供する。
【解決手段】基板１０の第１の電極層１１に担持された触媒粒子２０に原料ガスを供給してカーボンナノチューブ３０を生成する。第１の電極層１１において生成されたカーボンナノチューブ３０を採取した後に、第１の電極層１１に対して、空気を供給するとともに、第２の電極層１２に担持された触媒粒子２０に対して原料ガスを供給する。これによって、第１の電極層１１の触媒粒子２０の外表面に付着した残留カーボン３２を燃焼させるとともに、第２の電極層１２においてカーボンナノチューブ３０を成長させる。なお、カーボンナノチューブの副生成物である水素は、第１と第２の電極層１１，１２の間に電位差をかけることにより、反応場から除去される。 （もっと読む）

カーボンナノチューブ合成方法は、触媒を有する第１プレートの表面と近接した基質を成長チャンバー内へ導入することを含むことができる。前記方法はまた、第１プレートから基質への触媒粒子の移動が生じるのに十分な温度まで成長チャンバーを加熱することを含むことができる。前記方法はまた、供給ガスを基質へ誘導することにより、基質上にカーボンナノチューブを成長させることを含むことができる。 （もっと読む）

【課題】導電性微細繊維を高合成レートかつ高密度で合成することを可能にする基板を提供すること。
【解決手段】導電性微細繊維を基板表面に立設させて合成するために用いられる導電性微細繊維合成用基板において、前記基板が浸炭されている。前記基板と、前記基板表面に立設している複数本の導電性微細繊維と、前記基板表面又は前記導電性微細繊維の先端に保持された触媒とを含む、構造体も提供する。 （もっと読む）

【課題】化学気相成長法におけるカーボンナノチューブの生成限界長を増大させることができる技術を提供する。
【解決手段】水素を選択的に透過する基板１０を準備する。基板１０の第１の面１１に触媒薄膜２０を形成し、反応容器である加熱炉１００の炉管１１０において昇温するとともに、原料ガスを触媒薄膜２０に向かって供給する。カーボンナノチューブ５の生成にともなって基板１０の第１の面１１において生成される水素を、原料ガスから分離して、第２の面１２側へと透過させる。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノ構造物の成長段階を判定して、効率的にカーボンナノ構造物を製造するとともに、成長したカーボンナノ構造物の固着を防止する、カーボンナノ構造物の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】流動床熱ＣＶＤ法を用いたカーボンナノ構造物の製造方法において、反応炉内温度の時間変化、ガス流入口とガス流出口との差圧の時間変化、および／または、反応炉の加熱量の時間変化を測定し、得られた測定値に基づいて、カーボンナノ構造物の成長段階を判定する工程を含むカーボンナノ構造物の製造方法および製造装置。 （もっと読む）

【課題】引張強度の強いカーボンナノチューブ凝集物を製造することを目的とする。
【解決手段】カーボンナノチューブ４１０の凝集物を製造する製造方法であって、（１）反応容器１００内でカーボンナノチューブ４１０を形成する工程と、（２）前記反応容器４１０内で前記カーボンナノチューブを凝集させて凝集体５００を生成する工程と、（３）前記凝集体５００を前記反応容器１００外の加熱装置２００に移動させる工程と、（４）前記加熱装置２００で前記凝集体５００を４００度から５００度の温度で加熱する工程と、（５）前記加熱された凝集体５００に引っ張り加重を加えて前記凝集体５００中のカーボンナノチューブ４１０を配向させる工程と、を備える。 （もっと読む）

巻き取り可能な長さの基材が通過できる大きさに形成された基材入口を有する少なくとも１つのカーボン・ナノチューブ成長ゾーンを備えた装置。装置は、カーボン・ナノチューブ成長ゾーンと熱的に連結した少なくとも１つの加熱器も備える。装置は、カーボン・ナノチューブ成長ゾーンと流体的に連結した少なくとも１つの供給ガス流入口を備える。装置は、運転中、大気に開放されている。 （もっと読む）

【課題】新規な構造を有し、従来にない優れた特性を発現するカーボン膜を提供する。
【解決手段】パルス放電プラズマによってメタン、エタン、エチレン、アセチレンなどの種々の炭化水素ガスその他の原料ガスを分解および励起することにより、鉄、ニッケル、コバルト、白金などの触媒金属が担持されたアルミニウム、銅その他の基板上に、それぞれが微小なカーボンナノファイバーの集合体である多数の略円柱状あるいは略針状の突起を一方向に一様に延在してなる構造のカーボン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】表面において化学反応の促進を可能とし、また、表面の修飾をし易くした機能性材料の実現を目的とする。
【解決手段】本発明の炭素粒子の製造方法は、メソフェーズピッチを材料として用い、この材料を加熱して流動性を有する態様とし、不活性ガス中に浮遊させた状態で350〜1000°Cの温度で熱処理するとともに温度を降下させることにより炭素粒子を製造することを特徴とする。特に、炉内の下方から上方へ不活性ガスを流しながら熱処理することが好ましい。 （もっと読む）