【課題】利用が易しく、且つ大きな面積を有するカーボンナノチューブアレイ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】平板状の柔軟性基材１０２の少なくとも一つの表面１０４に触媒層１０８を堆積させる第一ステップと、一つの反応炉を提供し、前記触媒層が形成されている基材を曲げた後、前記反応炉の内に置く第二ステップと、前記基材を所定の温度まで加熱させる第三ステップと、前記反応炉の中に反応ガスを導入して、所定の温度で化学気相堆積法で、前記基材の触媒層が堆積された表面に複数のカーボンナノチューブ１１０からなるカーボンナノチューブアレイ１００を成長させる第四ステップと、を含む製造方法。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブの品質が劣化するのを抑制し得る熱ＣＶＤ装置における断熱体を提供する。
【解決手段】熱ＣＶＤ法によりカーボンナノチューブを基板の表面に形成するための加熱室１３の内壁面に配置される断熱体２１を、底壁部２ａ側に配置される底壁断熱部２２と、上壁部２ｂ側に配置される上壁断熱部２３と、側壁部２ｃおよび区画壁３に沿って配置される側壁断熱部２４とから構成するとともに、これら各断熱部２２〜２４として、金属製の薄い遮蔽板２５を所定間隔おきに多数並置することにより構成したもの。 （もっと読む）

【課題】個々のカーボンナノチューブを基質上の予め選択した位置に合成する、化学蒸着を用いたカーボンナノチューブおよび炭素ナノ構造体の製造方法の提供。
【解決手段】蒸着マスクを備える基質上に、有機金属層を蒸着する。マスクを除去すると、有機金属前駆体のマスク上に蒸着した部分も除去される。有機金属層の残った部分を酸化し、炭素ナノ構造体の合成に用いることのできる金属成長触媒を基質上に得る。 （もっと読む）

【課題】低温度かつ短時間で高比表面積または低比表面積のバイオマスカーボンを賦活させる方法およびその装置を提供することである。
【解決手段】半炭化後に粉砕し急速熱分解したバイオマスカーボン粉末を定量供給し落下させる原料供給工程と、前記落下直後の粉末を分散させる粉末分散工程と、前記分散し落下する粉末を、羽根状の板を多段式に配設した邪魔板の回転軸の回転速度を可変させることにより落下時間を調整可能とし、賦活ガス雰囲気中で高周波電源により１００〜１８００℃で放電発熱させて賦活反応をさせる賦活工程とを含む工程からなるバイオマスカーボン賦活方法によって実現できた。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノウォールの選択成長方法を提供すること。
【解決手段】ＳｉＯ₂ からなる基板１００上に、正方形が三角格子状に配列されたパターンのＴｉ膜１０１を形成した。次に、ＳｉＯ₂ 基板１００上にカーボンナノウォールを成長させた。そして、Ｔｉからのカーボンナノウォールの成長開始時間よりも長く、ＳｉＯ₂ からのカーボンナノウォールの成長開始時間よりも短い時間で成長を終了させた。ここで、ＳｉＯ₂ からのカーボンナノウォールの成長開始時間は、Ｔｉからの成長開始時間よりも長い。その結果、ＳｉＯ₂ 基板１００上のうち、Ｔｉ膜１０１が形成されずにＳｉＯ₂ が露出している領域にはカーボンナノウォールが成長せず、Ｔｉ膜１０１上にのみ、カーボンナノウォール１０２が形成された。 （もっと読む）

【課題】基板表面に生成する膜を全面でより均一にできるＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】熱化学気相成長法により基板Ｋの表面にカーボンナノチューブを生成する加熱室１３を有するカーボンナノチューブ形成用の熱ＣＶＤ装置であって、加熱室１３内を所定方向に移動される所定幅の基板Ｋを側面視が円弧形状となるように保持し得るガイド板２３を具備するとともに、このガイド板２３により保持される基板Ｋの円弧中心位置に原料ガスＧの放出口５を基板Ｋの幅方向に沿って配置したものである。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ表面上に低温でグラフェンを形成することができるグラフェンの形成方法及びグラフェンの形成装置を提供する。
【解決手段】表層にＳｉＣを有する基板１２を真空槽１１に入れ、真空槽１１を真空排気する真空排気工程と、基板１２を所定の温度に加熱する加熱工程と、真空槽１１内に酸素ガスを導入する酸素導入工程と、真空槽１１内の酸素の分圧を１×１０^−４Ｐａから１×１０^−６Ｐａの範囲の一定の圧力に制御した状態で所定時間保持する反応工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブ配向集合体を連続的に製造する装置において、排気管からの排気流量を所定の範囲内に制御することによって、ＣＮＴ配向集合体の連続製造を安定的に保つことを可能にする。
【解決手段】炉内のガスを排気する排気管１４ａを備えるカーボンナノチューブ配向集合体の製造装置１００において、
排気管１４ａ内の排気流量を測定する排気流量測定手段１４と、排気流量測定手段１４が測定した結果に基づいて、排気管１４ａ内の排気流量を可変する排気流量可変手段１５とを備える排気流量安定化部２０を備えている。 （もっと読む）

【課題】様々な分子サイズの物質を効果的に気相吸着できるガス吸着材を提供する。
【解決手段】ガス吸着材を大豆皮、菜種粕、胡麻粕、綿実粕、コットンハル、大豆殻の焼成物から構成する。この焼成物の焼成温度とメディアン径とを調整することによって、特定の細孔半径値に微分容積のピークが現れるようにする。焼成物の粉砕物は、メディアン径が約８０μｍ以下となるように篩分する。焼成物は、７００［℃］以上の温度で焼成する。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノ構造物の成長速度を向上させ、高い成長効率を達成することが可能となるカーボンナノ構造物の製造方法及びカーボンナノ構造物製造装置を実現する。
【解決手段】炭素源となる原料ガスを、８００℃より高く、１０００℃以下に加熱されたガス予備加熱部で予備加熱する予備加熱工程と、予備加熱された原料ガスを、６５０℃より高く、８００℃以下に加熱された反応部に導入して、触媒と接触させることによってカーボンナノ構造物を生成させる反応工程とを含むカーボンナノ構造物の製造方法、及び、８００℃より高く、１０００℃以下に保たれているガス予備加熱部と、６５０℃より高く、８００℃以下に保たれている反応部とを備えるカーボンナノ構造物製造装置。 （もっと読む）

約３００℃超の温度である高温原料を用いて、付着汚染制御を行いながらカーボンブラックを作製するための方法を提供する。これらの方法に従ってカーボンブラックを作製するための装置も提供する。
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【課題】基板表面に原料ガスを均一に供給し得る熱ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】加熱室４にカーボンを含む原料ガスＧを導くと共に原料ガスを加熱して加熱室に配置された基板Ｋの表面にカーボンナノチューブを形成し得る加熱炉１を具備する熱ＣＶＤ装置であって、加熱室内に、基板をそのカーボンナノチューブ形成面が下面となるように保持し得る基板保持部材11を配置し、この基板保持部材下方の加熱炉底壁部1aにガス供給口５を形成すると共に基板保持部材上方の加熱炉上壁部1bにガス排出口６を形成し、上記基板保持部材の上側に発熱体13を配置し、ガス供給口から導かれた原料ガスを基板保持部材の下面に導くためのガス案内用ダクト体14を設け、このガス案内用ダクト体と基板保持部材との間に反応ガスを分散させる邪魔板15を設けたものである。 （もっと読む）

【課題】従来技術と比較して、室温で十分に高いキャリア濃度を有するダイヤモンド半導体及び作製方法を提供すること。
【解決手段】ダイヤモンド基板１１（図５（ａ））上にマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用い、メタンを反応ガスとし、基板温度７００℃でダイヤモンド薄膜１２を１ミクロン積層する（図５（ｂ））。ダイヤモンド薄膜１２にイオン注入装置を用い、不純物１（ＶＩ族又はＩＩ族元素）を打ち込む（図５（ｃ））。その後、不純物２（ＩＩＩ族又はＶ族元素）を打ち込んだが（図５（ｄ））、注入条件は、打ち込んだ不純物がそれぞれ表面から０．５ミクロンの厚さの範囲内で、１×１０¹⁷ｃｍ^-3となるようにシミュレーションにより決定した。その後、２種類のイオンが注入されたダイヤモンド薄膜１３をアニールすることにより（図５（ｅ））、イオン注入された不純物の活性化を行い、ダイヤモンド半導体薄膜１５を得た（図５（ｆ））。 （もっと読む）

【課題】本発明は、同位体をドープしたナノ材料、その製造方法及び該同位体をドープしたナノ材料を利用する標識方法に関し、特に同位体をドープしたナノ構造体、その製造方法及び該同位体をドープしたナノ構造体を利用する標識方法に関する。
【解決手段】同位体をドープしたナノ構造体は、少なくとも一つの同位体をドープしたナノ構造体セグメントを含み、且つ該少なくとも一つの同位体をドープしたナノ構造体セグメントは少なくとも一種の元素の少なくとも両種の同位体からなり、該少なくとも両種の同位体は所定の質量比で均一に分散する。また、本発明は、前記同位体をドープしたナノ材料の製造方法及び該同位体をドープしたナノ材料を利用する標識方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】空洞化部位の内部環境を好適に維持しつつ、カーボンナノ粒子を効率良く製造することにある。
【解決手段】空洞化部位２０を陰極部材１０の一端に形成して、陰極部材１０の第一黒鉛部１２と陽極部材４０の第二黒鉛部４２を空洞化部位２０内で対面配置したのち、液中の空洞化部位２０にガス流路１８から不活性ガスを供給しつつ、両黒鉛部間にアーク放電を発生させてカーボンナノ粒子を製造するカーボンナノ粒子の製造装置において、陽極部材４０が、反応槽４外に配置の移動部材４６と、反応槽４内に突出のガイド部４４を有し、第二黒鉛部４２が、移動装置４６によって、ガイド部４４に沿って空洞化部位２０内に向かって垂直方向に相対移動する構成とした。 （もっと読む）

【課題】ＤＬＣ膜をコストアップにならずに、導電性と耐食性の両方を備えた導電性基材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材２と、基材２上に設けられた、ニッケル及びクロムを合計成分割合で３０〜７６モル％含有するダイヤモンドライクカーボン膜３とを有する導電性基材１により上記課題を解決する。ニッケルとクロムがモル比で１：１〜３：１であることが好ましい。このダイヤモンドライクカーボン膜３は、プラズマ化した昇華ガスをニッケル及びクロム原料に照射してニッケル及びクロムをイオン化し、且つ、前記昇華ガスに炭化水素ガスを接触させて該炭化水素ガスをイオン化し、イオン化したニッケル及びクロムと炭化水素ガスとを基材２上に堆積させて成膜する。 （もっと読む）

【課題】ＤＬＣ膜の諸性質を、それぞれの用途における要求特性などに応じて、成膜後に改質し用途適正を向上させてなるＤＬＣ被覆部材とそれの有利な製造方法を提供する。
【解決手段】基材の表面に、膜厚３μｍ超の厚膜ＤＬＣを被覆してなる部材において、この部材表面における厚膜ＤＬＣを、水素が１３〜３０原子％で残部が炭素からなり、かつ共析金属微粒子を含む微粒子堆積層とし、この層の残留応力が１．０ＧＰａ以上、硬さ（Ｈｖ）が７００〜２８００の熱処理ＤＬＣの膜にて形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来にない作用効果を発揮する画期的な親水性部材の製造方法，親水性部材，籾殻炭化方法，籾殻炭化装置及び親水性部材の保存方法を提供することを目的とする。
【解決手段】液体吸着材，スリップ防止材，排泄物処理材，土壌改良材，調湿材，消臭材若しくはろ過材として使用される親水性部材の製造方法であって、炭化処理部１で多孔質植物材料を攪拌しながら無酸素状態若しくは低酸素状態で加熱し、この加熱処理する際、前記炭化処理部１の内で発生するガスを該炭化処理部１の外へ強制排気して前記多孔質植物材料へのグラファイト含有量を低減せしめる親水性部材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】低級炭化水素を原料として触媒反応によりナノ炭素を安定して、かつ連続的に製造することを可能にする。
【解決手段】圧力反応容器となるスクリュフィーダ本体１ａと、フィーダ本体１ａ内に触媒２０を導入する触媒供給部５、６、７と、フィーダ本体１ａ内に低級炭化水素を導入する低級炭化水素供給部３、４と、フィーダ本体１ａ内において触媒と低級炭化水素の熱分解によって生成したナノ炭素をその回転のみによって移相するスクリュ１ｂと、スクリュ１ｂによって移送される触媒とナノ炭素をフィーダ本体１ａ外に送出する固体送出部１０と、未反応低級炭化水素と熱分解によって生成した水素をフィーダ本体１ａ外に送出する気体送出部１１を備える。径時的に成長するナノ炭素を使用済触媒と共に連続的に反応容器外に排出し、それと同量の未使用触媒を供給することで転化率を一定にして効率よく連続反応させる。 （もっと読む）