【課題】輝度の経時変化を抑制し、電流効率が高く表示品質の高い発光装置を提供することを課題とする。
【解決手段】一対の電極間に少なくとも一層の発光層を有する発光ユニットが複数個直列に接続された発光素子を複数備えた発光装置であって、一の発光ユニットと他の発光ユニットとの間には、該発光ユニット内に中間導電層が設けられている。発光層は、第２族の元素と第１６族の元素を含む化合物または第１２族の元素と第１６族の元素を含む化合物である母体材料と発光中心である不純物元素とを含んでいる。この構成により、電流密度を高めることなく、発光輝度を高めることができる。また、発光素子の隣接間リーク電流を抑えることができる。すなわち、マトリクス状に画素を配列させた表示装置において、画素間のクロストークの発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】低電圧駆動が可能な発光素子を提供する。また、発光効率が高い発光素子を提供する。また、発光輝度が高い発光素子を提供する。また、発光寿命が長い発光素子を提供することを課題とする。また、消費電力の低減された発光装置および電子機器を提供する。また、低コストで作製可能な発光装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】第１の電極と第２の電極との間に、発光層と、複合材料を含む層とを有し、発光層は、母体材料と不純物元素とを含み、複合材料を含む層は、有機化合物と無機化合物を含み、複合材料を含む層は、第２の電極と接するように設けられ、第１の電極の電位よりも第２の電極の電位の方が高くなるように電圧を印加したときに発光が得られる発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】低電圧駆動が可能な発光素子を提供することを課題とする。また、消費電力の低減された発光装置および電子機器を提供することを課題とする。また、低コストで作製可能な発光装置および電子機器を提供することを課題とする。
【解決手段】一対の電極間に、正孔をキャリアとする硫化物でなるｐ型半導体層、及び電子をキャリアとする硫化物でなるｎ型半導体層を有し、ｐ型半導体層またはｎ型半導体層の少なくとも一方に、発光中心となる元素が含まれている発光素子である。 （もっと読む）

【課題】所望のタイミングで確実に単一光子を生成でき、かつ簡単な構造で実用性の高い単一光子発生装置を提供する。
【解決手段】結晶基板１１と、結晶基板上１１に形成された蛍光体母体材料１２ａと内殻遷移を生じる１個の金属イオン１３からなる量子ドット１２とからなる単一光子発生部１４と、量子ドット１２に励起光パルス１５Ａを照射するレーザ照射装置１５と、その照射タイミングおよびパルス幅等を制御する制御部１６等から構成される。レーザ照射装置１５により金属イオン１３の発光寿命よりも短いパルス幅で、金属イオン１３の発光波長よりも短い波長の励起光パルス１５Ａを量子ドット１２に照射する。 （もっと読む）

【課題】照明装置を大面積化した際に、発光領域内での輝度のばらつきを抑制し、明るい照明装置を提供することを課題とする。
【解決手段】第１の発光ユニット１４、中間導電層１６、第２の発光ユニット１８とこれらの発光ユニットを挟む第１の電極１２、第２の電極２０から成る発光セルを複数個設け、基板１０上で直列接続する。この直列接続は、第１の発光セル１０１における第２の電極２０ａと、第２の発光セル１０２における第１の電極１２ｂが、発光ユニットに形成された第２の開口部１９ｂで接続する構造とする。中間導電層１６は、発光ユニット１４と他の発光ユニット２０の端部に至らない内側に設けられている構成を含む。この構造により、一方の電極を構成する透明導電膜の抵抗率が、他方の電極を構成する金属電極に比較して高いことによる抵抗損失の影響を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】新規発光材料を提供することを目的とする。また、低電圧駆動が可能な発光素子を提供することを課題とする。また、消費電力の低減された発光装置および電子機器を提供することを課題とする。また、低コストで作製可能な発光装置および電子機器を提供することを課題とする。
【解決手段】母体材料と、第１の不純物と、第２の不純物と、第３の不純物とを含み、第１の不純物は、母体材料に対し浅いドナー準位を形成し、第２の不純物は、母体材料に対し浅いアクセプター準位を形成し、第３の不純物は、母体材料に対し浅いトラップ準位を形成し、母体材料は、周期表第２族の元素と周期表第１６族の元素を含む化合物を有し、浅いドナー準位の電子と深いトラップ準位の正孔とが再結合することにより、発光する発光材料を提供する。 （もっと読む）

【課題】新規発光材料及びそれを用いた発光素子、発光装置、電子機器の提供。
【解決手段】母体材料と、銅、銀、金等の第一の不純物元素と、ハロゲン、ホウ素等の第二の不純物元素と、アルカリ金属、窒素等の第三の不純物元素を含み、母体材料は、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、硫化カルシウム（ＣａＳ）、硫化イットリウム（Ｙ_２Ｓ_３）、硫化ガリウム（Ｇａ_２Ｓ_３）、硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）、硫化バリウム（ＢａＳ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化イットリウム（Ｙ_２Ｏ_３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、テルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）、硫化ストロンチウム−ガリウム（ＳｒＧａ_２Ｓ_４）のいずれかである発光材料。 （もっと読む）

【課題】望ましい演色特性を有する発光デバイスを提供すること。
【解決手段】蛍光体変換発光デバイスが、ｎ型領域とｐ型領域との間に配置され第１のピーク波長を有する光を発するように構成された発光層と、第２のピーク波長を有する光を発するように構成された第１の蛍光体と、第３のピーク波長を有する光を発するように構成された第２の蛍光体と、を具備する。第２の蛍光体は、298K及び1.013barにおける励起スペクトルにおいて、460nmと470nmとの間の波長領域における最大強度が、220nmと320nmとの間の波長領域における最大強度の少なくとも5%であるように構成された、Eu3+により活性化される蛍光体である。 （もっと読む）

【課題】設備投資費に対して十分に発光機能を発揮し、かつ、原材料の使用効率も高いシンチレータプレートの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るシンチレータプレートの製造方法は、蛍光体原料を水に分散させてスラリーを調製する調製工程と、前記調製工程後に、前記スラリーを基板に塗設して基板１を冷却し、前記スラリーを凍結させる凍結工程（図３（ａ）参照）と、前記凍結工程後に、前記スラリーを真空凍結乾燥させる凍結乾燥工程（図３（ｂ）参照）と、前記凍結乾燥工程後に、前記スラリーを焼成して基板１上に蛍光体層を形成する焼成工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】良好な真空紫外線照射維持率と輝度比を有する蛍光体を提供する。
【解決手段】
（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）_3-x-yＥｕ_xＬｎ_y（Ｍｇ，Ｚｎ）_z（Ｓｉ，Ｇｅ）₂Ｏ₈
（Ｌｎは、Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｄｙ，
Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｉｎから選ばれた１種以上の元素，
ｘ＞０、ｙ＞０、０．５≦ｚ≦１．５）
によって表される蛍光体。 （もっと読む）

【課題】耐水性を向上しながも、高い鮮鋭性及びコントラストを有する放射線像変換パネル及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】支持体上に、柱状結晶の輝尽性蛍光体を含有する輝尽性蛍光体層及びアクリル系樹脂を含有する保護層を有することを特徴とする放射線像変換パネル。 （もっと読む）

【課題】帯電による異物の付着を防止し、画質の低下を防止させることができる放射線用シンチレータプレートを提供すること。
【解決手段】基板１上に付活剤を含有した蛍光体層２を具備した放射線用シンチレータプレート１０であって、少なくとも基板１又は蛍光体層２のいずれか一方に静電誘導防止物質を含ませる。 （もっと読む）

【課題】 安全かつ安価で、低加速電圧においてチャージアップもなく、発光輝度の高い電子線励起発光素子用蛍光体、その作製方法、及び電子線励起発光素子の提供。
【解決手段】 母体Ｃａ_１２Ａｌ_１４Ｏ_３３又はＳｒ_１２Ａｌ_１４Ｏ_３３に、付活剤としてＭｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、及びＢｉから選ばれた少なくとも１種類の元素を、また、導電性金属としてＺｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｎｂ、Ｖ、Ｗ、Ｓｍ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｎｄ、Ｌａ、及びＴｉからなる群から選ばれた少なくとも１種の金属を所定量含有してなる。この蛍光体は、通常の焼成により作製される。この蛍光体を用いた発光素子。 （もっと読む）

【課題】 輝尽性蛍光体を使用した放射線画像変換パネルであって、物理的耐久性が向上し、かつ輝度が向上した放射線画像変換パネル及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、当該輝尽性蛍光体層が気相成長法により形成され、当該支持体の応力拡大係数Ｋ_Icが０．３ＭＰａ・ｍ^1/2以上６０ＭＰａ・ｍ^1/2以下であることを特徴とする放射線画像変換パネル。 （もっと読む）

【課題】 リーク現象を抑制し短波長域の光を高強度でかつ継続的にＥＬ発光させることができるＥＬ用蛍光体を得、また本来は高効率でＥＬ発光しない材料系の蛍光体であっても、電解集中を効率良く発生させることにより、短波長可視光や紫外線をＥＬ発光できるＥＬ用蛍光体を提供することを目的とする。
【解決手段】 ＥＬ用蛍光体を作成する際に、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａより成る群から選ばれる少なくとも１種の金属を主成分とする金属粉末と炭素から構成される材料をメカニカルアロイングして合金化することで、導電層となる炭素から構成される材料を蛍光体中に均一に分散させる。 （もっと読む）

【解決手段】 Ａｌ、Ｓｉ、Ｐ、Ｂから選ばれる少なくとも１種の元素を含有する酸化物であって、更にＩｎ及び／又はＧａを含有し、かつ波長２００ｎｍ以下の真空紫外光で励起したとき、２８０〜４５０ｎｍの近紫外乃至青色の波長領域の発光を呈することを特徴とする酸化物。
【効果】 本発明の酸化物は、キセノン原子の共鳴線発光の１４７ｎｍなど、真空紫外領域の光で励起したとき、効率良く波長２８０〜４５０ｎｍの近紫外乃至青色領域の蛍光を示し、ブラックライト等の発光装置で、水銀フリー化などへの展開が期待できる。 （もっと読む）

【課題】基板上に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルの製造方法において、当該基板内の位置による温度の差をより小さく抑えることにより均一な輝尽性蛍光体層を形成することができる放射線画像変換パネルの製造方法と輝度分布の均一性及び画像欠陥数が大幅に改良された放射線画像変換パネルを提供する。
【解決手段】当該基板１を粘着シート１０２と断熱材１３０を介して金属ブロック１０３に密着させ、蒸着装置内の基板支持体に設置後、気相成長法により当該基板表面に輝尽性蛍光体層を形成させる。 （もっと読む）

ナノワイヤ蛍光体を採用した発光素子が開示される。この発光素子は、紫外線の波長範囲、青色光の波長範囲及び緑色光の波長範囲内で主ピークを有する第１波長の光を放射する発光ダイオードと、前記発光ダイオードから放射された前記第１波長の光の少なくとも一部を前記第１波長に比べて長い波長の第２波長の光に変換させるナノワイヤ蛍光体とを含む。ナノワイヤ蛍光体を採用することによって、発光素子の製造費用を節減することができ、非発光再結合に起因した光損失を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】画像ノイズの発生を低減し、高画質な画像を得ることができる放射線画像変換パネルの製造方法及び放射線画像変換パネルを提供すること。
【解決手段】蒸着工程を経て、支持体２と、支持体２上に形成される蛍光体層３とから構成される蛍光体プレートを形成する放射線画像変換パネルの製造方法において、蛍光体層３の表面上に存在する突出部のみを平坦化させる平坦化工程を有する。 （もっと読む）

【課題】特有の結晶構造を有する発光体によって、強い発光を示す発光体の提供。
【解決手段】多面体構造の分子により構成される母体構造に、アルカリ金属イオンおよびアルカリ土類金属イオンが挿入され、その一部が、希土類金属、遷移金属、ＩＩＩ族の金属、またはＩＶ族の金属の、いずれかのイオンで置換された構造を有する応力発光材料。該応力発光材料は、三斜晶構造、正方晶構造或いは三方晶構造を有する発光体で紫外線の発光を示す。 （もっと読む）