【課題】優れたラインウィズスラフネスを有するレジストパターンを得ることができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】酸の作用により分解して塩基性を示す化合物を与え得る基を有するスルホニウムカチオンと有機アニオンとからなるオニウム塩と、酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂と、酸発生剤とを含むレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】優れたラインウィズスラフネスを有するレジストパターンを得ることができる塩、酸発生剤、レジスト組成物等を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩を含む酸発生剤、樹脂及び溶剤を含有するレジスト組成物。


［式中、Ａ^１〜Ａ^３は、独立に、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基又は芳香族炭化水素基等；環Ｗ^１は置換基を有していてもよい環状エーテル；Ｑ^１及びＱ^２は、独立に、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基；Ｘ^１及びＸ^２は、独立に、単結合又は２価の飽和炭化水素基；Ｙ^１は、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基又は芳香族炭化水素基；ｍ_１及びｍ_２は、独立に０〜２の整数；ｍ_３は１〜３の整数、ただし、ｍ_１＋ｍ_２＋ｍ_３＝３である；ｍ_４は１〜３の整数を表す。］ （もっと読む）

【課題】従来から知られている塩を酸発生剤として含有するレジスト組成物では、得られるレジストパターンのマスクエラーファクターが必ずしも十分に満足できない場合があった。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。


［式（Ｉ）中、Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。ｎは、０又は１を表す。Ｌ^１は、単結合又は炭素数１〜１０のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。但し、ｎが０である場合、Ｌ^１は単結合ではない。Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】チタン−シリコン分子ふるいとその製造方法、及びその分子ふるいを用いたシクロヘキサノンオキシムの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のチタン−シリコン分子ふるいの製造方法は、チタン源と、シリコン源と、遷移金属源と、テンプレート剤と、水と、を混合する工程と、前記混合物を加熱してゲル混合物を形成する工程と、水熱処理を行う工程と、前記水熱処理を経たゲル混合物を焼成し、チタン−シリコン分子ふるいを得る工程を含む。又、本発明のシクロヘキサノンオキシムの製造方法は、本発明のチタン−シリコン分子ふるいを触媒としてシクロヘキサノンオキシムを製造することで、高い転化率と選択率、並びに過酸化水素の高い使用率が得られる利点を有する。 （もっと読む）

【課題】解像性に優れ、低コストで、塩基性物質によって又は塩基性物質の存在下での加熱によって最終生成物への反応が促進される高分子前駆体の構造上適用可能な選択肢の範囲が広い感光性樹脂組成物及びその様な感光性樹脂組成物に利用可能な塩基発生剤を提供する。
【解決手段】特定の構造を有し、電磁波の照射と加熱により塩基を発生することを特徴とする塩基発生剤、並びに、当該塩基発生剤及び塩基性物質によって又は塩基性物質の存在下での加熱によって最終生成物への反応が促進される高分子前駆体を含有することを特徴とする、感光性樹脂組成物である。 （もっと読む）

【課題】パーオキシナイトライト（ＯＮＯＯ^-）の発生を、紫外線照射によって位置的・時間的に制御することが可能なＮ−ニトロソアニリン誘導体、並びに、それを用いた高反応性ＲＯＳ発生剤及び高反応性ＲＯＳの発生方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のＮ−ニトロソアニリン誘導体は、下記構造式（ａ）で示されることを特徴とする（ここで、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は互いに同じ又は異なっていてもよい水素又はアルキル基を示し、Ｒ^５はアルキル基、カルボン酸基、カルボン酸エルテル基及びカルボン酸アミド基のいずれかであることを示す。ただし、Ｒ^１＝Ｒ^２＝Ｒ^５＝メチル基であって且つＲ^３＝Ｒ^４＝水素である場合、及びＲ^５＝メチル基であって且つＲ^１＝Ｒ^２＝Ｒ^３＝Ｒ^４＝水素である場合を除く。）。
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【課題】ネガ型現像プロセスにおいて、エッチング耐性に優れたレジストパターンを形成できるレジストパターン形成方法、及び該レジストパターン形成方法に用いられるネガ型現像用レジスト組成物の提供。
【解決手段】酸の作用により有機溶剤に対する溶解性が減少する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを含有するレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、レジスト膜を露光する工程、及びレジスト膜を、有機溶剤を含有する現像液を用いたネガ型現像によりパターニングしてレジストパターンを形成する工程、を含むレジストパターン形成方法であって、基材成分（Ａ）として、アクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位（ａ１）を有する樹脂成分（Ａ１）を用い、酸発生剤成分（Ｂ）が、環構造をアニオン部に有する酸発生剤（Ｂ１）を含有する。 （もっと読む）

【課題】良好な露光マージン（ＥＬ）で、レジストパターンを形成することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】樹脂、酸発生剤、式（Ｉ）で表される化合物及び溶剤を含有するレジスト組成物及びレジストパターンの製造方法。


［式中、Ｒ^１は置換基を有していてもよい炭素数１〜３０の脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基を表す；Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜３０の脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基を表すか、あるいは、Ｒ^２又はＲ^３がＲ^１と互いに結合して環を形成している；Ｒ^４は、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】良好なパターン形状を有するパターンを形成することができ、高い解像度を示す化学増幅型レジスト組成物を提供する。
【解決手段】式(Ｉ)または式（II）で示されることを特徴とする塩と樹脂とを含有する樹脂組成物であって、該樹脂は酸に不安定な基を有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶な樹脂であり、酸と作用した該樹脂はアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂であることを特徴とする樹脂組成物。


（Ｑ¹、Ｑ²は互いに独立にフッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表し、環Ｘは環Ｘの一部を形成するように記載された二つの炭素原子とともに形成する炭素数３〜３０の単環式または多環式炭化水素基を表す。） （もっと読む）

【課題】優れた解像度有するレジストパターンを形成することができるフォトレジスト組成物用の樹脂を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物。


［式中、Ｗ^１は、それぞれ独立に、Ｈ、^＊−Ｗ^３、^＊−（ＣＨ_２）_u１−（ＣＯ）_ｖ１−Ｏ−Ｗ^３又は^＊−（ＣＨ_２）_u１−（ＣＯ）_ｖ１−Ｏ−Ｗ^５−ＣＯ−Ｏ−Ｗ^３；Ｗ^２は、それぞれ独立に、^＊−Ｗ^４、^＊−（ＣＨ_２）_u２−（ＣＯ）_ｖ２−Ｏ−Ｗ^４又は^＊−（ＣＨ_２）_u２−（ＣＯ）_ｖ２−Ｏ−Ｗ^６−ＣＯ−Ｏ−Ｗ^４；Ｗ^３〜Ｗ^６は、それぞれ独立に、１価又は２価の脂環式炭化水素基を表し、該基に含まれる−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよく、該基に含まれる水素原子は、ヒドロキシル基、アルキル基又はアルコキシ基で置換されていてもよい；ｕ１及びｕ２は、それぞれ１〜６；ｖ１及びｖ２は、それぞれ０又は１；＊は結合手；ｓ及びｔは０〜２を表す。］ （もっと読む）

【課題】３５０〜５００nmの波長の光を感光して触媒活性の高いアミンを発生させることができ、乳酸エチル、酢酸2-メトキシ−１−メチルエチルへの溶解性、安定性に優れる光塩基発生剤を提供。
【解決手段】一般式（１）で表されることを特徴とする光塩基発生剤である。


［Ｒ^１〜Ｒ^５は、Ｈ、Ｃ１〜１８のアルキル基等、Ｙ^＋は第４級アンモニオ基］ （もっと読む）

【課題】二価性核酸分子コンジュゲート前駆体およびその使用の提供。
【解決手段】式（Ｉ）で表わされる二価性核酸分子コンジュゲート前駆体およびその使用。式（Ｉ）


式中、ＡおよびＢは、いずれか一方が固体担体に結合できる基であり、ａ、ｂ及びｃは、相互に独立して、０〜３の整数であり、ｍおよびｎは独立して０〜１２の整数であり、Ｒ^ａおよびＲ^ｂは独立して、ずれかの保護基である、により表わされる二価性核酸分子コンジュゲートの製造用前駆体。 （もっと読む）

【課題】二酸化炭素等の酸性ガスの回収量が高い酸性ガス吸収剤、並びにこれを用いた酸性ガス除去装置及び酸性ガス除去方法を提供する。
【解決手段】下記一般式１で表される第２級アミン化合物であって、


・・・（１）式１中、Ｒ^１０及びＲ^１１はいずれか一方が炭素数２〜５の置換又は非置換のアルキル基で他方が炭素数１〜５の置換又は非置換のアルキル基であり、Ｒ^１０とＲ^１１が結合して環式構造を形成してもよく、環式構造の場合はＲ^１０とＲ^１１は炭素数１〜５の置換または非置換のアルキル基であり、Ｒ^１２はヒドロキシアルキル基である化合物、を少なくとも１種含有する吸収剤、並びにこれを用いた酸性ガス除去装置及び酸性ガス除去方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、フォトリソグラフィー法を適用した場合に、ばらつきの少ない、三次元形状の再現性に優れた感光性ネガ型樹脂組成物を提供することを目的の一つとする。
【解決手段】本発明は、（ａ）エポキシ基を有する化合物と、（ｂ）（ｂ１）で表わされるカチオン部構造および（ｂ２）で表されるアニオン部構造を含有する第１のオニウム塩と、（ｃ）（ｃ１）で表わされるカチオン部構造および（ｃ２）で表されるアニオン部構造を含有する第２のオニウム塩と、を含むことを特徴とする感光性ネガ型樹脂組成物である。 （もっと読む）

【課題】優れたラインウィズスラフネス（ＬＷＲ）を有するパターンを得ることができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。［Ｒ^１及びＲ^２は水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素を表し、Ｒ^３は炭素数２〜１２の炭化水素を表すか、Ｒ^２及びＲ^３は互いに結合して炭素原子とともに炭素数３〜２０の環を形成する。Ｒ^４及びＲ^５は水素原子、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。Ｘ^１は２価の炭素数１〜１７の炭化水素基を表し、前記２価の炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよく、前記２価の炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。Ｗ^１は、炭素数４又は５の複素環を表す。Ａ^＋は、有機カチオンを表す。］
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【課題】レジスト組成物用クエンチャーとして好適な化合物、該クエンチャーを含有するレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、下記一般式（ｃ１）で表される化合物（Ｃ１）を含む含窒素有機化合物成分（Ｃ）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）（ただし、前記化合物（Ｃ１）を除く）を含有することを特徴とするレジスト組成物［式中、Ｒ^Ｎは置換基を有していてもよい含窒素複素環式基であり；Ｘ^０は炭素数１〜１０の直鎖状若しくは分岐鎖状の２価の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜２０の環状若しくは環状の部分構造を有する２価の脂肪族炭化水素基、又はこれらの水素原子の一部若しくは全てがフッ素原子で置換された基であり；Ｍ^＋は有機カチオンである。］。
［化１］
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【課題】パターン倒れを抑制でき、且つ、パターン形状やＬＷＲ、ＥＬマージン等のリソグラフィー特性にも優れたレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、下記一般式（ｃ１）で表される化合物（Ｃ１）を含む含窒素有機化合物成分（Ｃ）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）（ただし、前記化合物（Ｃ１）を除く）を含有することを特徴とするレジスト組成物［Ｒ^１は置換基を有していてもよい炭素数５以上の脂環式基であり、Ｘは２価の連結基であり、Ｙは直鎖状、分岐鎖状、若しくは環状のアルキレン基、又はアリーレン基であり、Ｒｆはフッ素原子を含む炭化水素基であり、Ｍ^＋は有機カチオンである。］。
［化１］
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【課題】得られるパターンのフォーカスマージン（ＤＯＦ）及びマスクエラーファクター（ＭＥＦ）が良好な塩及び該塩を含有するレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩及びこの塩を含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ、ヒドロキシ基又はアルキル基、該アルキル基中のメチレン基はオキシ基等で置き換わっていてもよい；Ｒ^３はアルキル基；ｌ、ｍ及びｎは、それぞれ０〜３の整数；ｐは１〜３の整数；スルホニウムカチオンを含む複素環のメチレン基はオキシ基、カルボニル基で置き換わっていてもよい；Ｒ^４及びＲ^５はそれぞれフッ素原子又はペルフルオロアルキル基；Ｌ^１は２価の飽和炭化水素基、該基中のメチレン基はオキシ基、カルボニル基で置き換わっていてもよい；Ｙは脂肪族炭化水素基又は飽和環状炭化水素基等、これらの基中のメチレン基はオキシ基等で置き換わっていてもよい。］ （もっと読む）

【課題】リソグラフィー特性が良好なレジスト組成物、当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法、該レジスト組成物用の酸発生剤として有用である新規な化合物及び酸発生剤の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）として、一般式（ｂ１−１）で表される基をカチオン部に有する酸発生剤（Ｂ１）を含有するレジスト組成物。
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【課題】レジストパターン製造時のフォーカスマージン（ＤＯＦ）を十分に満足するレジスト組成物の提供。
【解決手段】式（ａ）で表される構造単位とラクトン環を有する構造単位とを含む樹脂及び酸発生剤を含有するレジスト組成物。
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