【課題】レジスト組成物用の酸発生剤として有用で新規な化合物、該化合物からなる酸発生剤、該酸発生剤を含有するレジスト組成物及び該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物であって、前記酸発生剤成分（Ｂ）が、一般式（ｂ０）で表される化合物からなる酸発生剤（Ｂ１）を含有することを特徴とするレジスト組成物［式中、Ｒ^１は水素原子、または置換されていてもよい炭化水素基であり、ｐは０以上の整数であり、ｑは１以上の整数であり、Ｍ^＋は対カチオンである。］。
［化１］
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【課題】有機光学材料用樹脂に対して高い屈折率を付与するための添加剤として有用であって、しかも、安価な原料を用いて経済的に有利な条件で容易に製造できる新規な化合物、及びその製造方法を提供する
【解決手段】一般式（１）：


（式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又はハロゲン原子を示し、Ｒ^５は、アルキル基、又は芳香族複素環基を示す。）で表されるジアリールスルホン化合物、並びに４，４’−ジハロジアリールスルホン化合物と、チオール塩化合物とを反応させることを特徴とする一般式（１）で表されるジアリールスルホン化合物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】金属ナトリウムを使用することなく、効率的で経済的な水素化アルミニウム化合物の製造方法の提供。
【解決手段】式：Ｍ（ＡｌＨ_３ＯＲ^１）_ｙ、（式中、Ｒ^１は（ｉ）１〜６個の炭素原子を有するアルコキシ基；および（ｉｉ）３〜１２個の炭素原子を有するアルキル基；の少なくとも１つによって置換されたフェニルであり；Ｍはアルカリ金属、Ｂｅ、またはＭｇであり；並びにｙは１または２である）の化合物。 （もっと読む）

【課題】光活性エネルギー線照射で強酸を発生するオニウムボレート塩を提供する。
【解決手段】式（１）で表されるオニウムボレート塩。


[式（１）中、ＡはVIA族〜VIIA族の原子価mの原子、mは１又は２の整数、ｎは０〜３の整数。Ｒは炭素数６〜３０のアリール基、炭素数４〜３０の複素環基、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数２〜３０のアルケニル基又は炭素数２〜３０のアルキニル基を表し、Ｄは下記一般式（２）で表される構造、


X⁻はオニウムの対イオンを表し、そのうち少なくとも１個はボレートアニオンである] （もっと読む）

【課題】優れたラインエッジラフネスを有するパターンを得ることができる塩及びこれを用いたレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。


［式中、Ｗは飽和炭化水素環を表し、該環に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−ＳＯ_２−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい；Ｌ^１は、単結合又は２価の飽和炭化水素基を表し、該基に含まれる水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、該基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい；Ｑ¹及びＱ²は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基；Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたフォーカスマージンを有するパターンを得ることができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（ＩＡ）で表されるアニオンを有するスルホニウム塩と、酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得るアクリル樹脂と、酸発生剤とを含むレジスト組成物。［Ｒ^１及びＲ^２は水素原子、脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基、芳香族炭化水素基又はアラルキル基を表し、該脂肪族炭化水素基、該飽和環状炭化水素基、該芳香族炭化水素基及びアラルキル基に含まれる水素原子は、ヒドロキシル基、ニトリル基、フッ素原子、トリフルオロメチル基又はニトロ基で置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよく、Ｒ^１及びＲ^２は互いに結合してＮとともに環を形成してもよい。］
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【課題】解像力に優れ、露光ラチチュード（ＥＬ）が広く、また線幅バラツキ（ＬＷＲ）が小さいパターンを形成できるパターン形成方法、これに用いる化学増幅レジスト組成物及びレジスト膜を提供する。
【解決手段】化学増幅型レジスト組成物により膜を形成する工程、該膜を露光する工程、及び、有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、を含むパターン形成方法であり、前記化学増幅型レジスト組成物が、（Ａ）樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｉ）で表される酸を発生する化合物、（Ｃ）架橋剤、及び、（Ｄ）溶剤、を含有することを特徴とするパターン形成方法。式（Ｉ）中、Ａは、環状の有機基を表す。その他の各符号は所定の構造を表す。
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【課題】光酸発生剤化合物（ＰＡＧ）の新規の合成方法、新規の光酸発生剤化合物、およびそのＰＡＧ化合物を含むフォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】ポジ型またはネガ型フォトレジスト組成物において使用するための、スルホニウム（＞Ｓ＋）成分を含む新規の光酸発生剤化合物（ＰＡＧ）。特に好ましいスルホニウムＰＡＧは、ジフルオロスルホン酸カチオン成分（例えば、Ｒ−ＣＦ２ＳＯ３−、ここで、Ｒは非水素置換基である）を含む。また、スルホニウム含有光酸発生剤を製造するための合成方法は、置換アルキルスルフィドを環化して、シクロペンチル、シクロヘキシルまたはシクロヘプチルスルホニウムＰＡＧ（例えば、ＲＳ＋＜（ＣＨ２）４−６（式中、Ｒは非水素置換基である））を合成する。 （もっと読む）

【課題】優れた解像度、ラインウィドゥスラフネス又はラインエッジラフネスを有するパターンを得ることができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂と、酸発生剤と、式（Ｉ）で表される化合物とを含有するレジスト組成物。［式（Ｉ）中、Ｚ^１は、Ｃ_７〜Ｃ_２０アルキレン基、Ｃ_３〜Ｃ_２０２価の飽和環状炭化水素基、又は、Ｃ_１〜Ｃ_６アルキレン基とＣ_３〜Ｃ_２０２価の飽和環状炭化水素基とを組み合わせた基を表す。］
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本発明は、式（I）又は（II）の酸、例えば、相応するスルホニウム塩及びインドニウム塩ならびに相応するスルホニルオキシムを生成する化合物に属し、式（I）又は（II）中、ＸはＣＨ₂又はＣＯであり；ＹはＯ、ＮＲ₄、Ｓ、Ｏ（ＣＯ）、Ｏ（ＣＯ）Ｏ、Ｏ（ＣＯ）ＮＲ₄ 、ＯＳＯ₂、Ｏ（ＣＳ）又はＯ（ＣＳ）ＮＲ₄ であり；Ｒ₁は、例えばＣ₁〜Ｃ₁₈−アルキル、Ｃ₁〜Ｃ₁₀−ハロアルキル、Ｃ₂〜Ｃ₁₂−アルケニル、Ｃ₄〜Ｃ₃₀−シクロアルケニル、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₃−アルキル、Ｃ₃〜Ｃ₃₀−シクロアルキル、Ｃ₃〜Ｃ₃₀−シクロアルキル−Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルキル、中断されているＣ₂〜Ｃ₁₈−アルキル、中断されているＣ_３〜Ｃ₃₀−シクロアルキル、中断されているＣ_３〜Ｃ₃₀−シクロアルキル−Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルキル、中断されているＣ₄〜Ｃ₃₀−シクロアルケニル、フェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニリル、フルオレニル又はヘテロアリールであり、全て非置換であるか又は置換されている；又はＲ₁は、ＮＲ₁₂Ｒ₁₃であり；Ｒ₂とＲ₃は、例えば、Ｃ₃〜Ｃ₃₀−シクロアルキレン、Ｃ₃〜Ｃ₃₀−シクロアルキル−Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルキレン、Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルキレン、Ｃ₁〜Ｃ₁₀−ハロアルキレン、Ｃ₂〜Ｃ₁₂−アルケニレン、Ｃ₄〜Ｃ₃₀−シクロアルケニレン、フェニレン、ナフチレン、アントラシレン、フェナントリレン、ビフェニレン又はヘテロアリーレンであり；全て非置換であるか又は置換されている；Ｒ₄は、例えばＣ₃〜Ｃ₃₀−シクロアルキル、Ｃ₃〜Ｃ₃₀−シクロアルキル−Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルキル、Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルキル、Ｃ₁〜Ｃ₁₀−ハロアルキル、Ｃ₂〜Ｃ₁₂−アルケニル、Ｃ₄〜Ｃ₃₀−シクロアルケニル、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₃−アルキルであり；Ｒ₁₂とＲ₁₃は、例えばＣ₃〜Ｃ₃₀−シクロアルキル、Ｃ₃〜Ｃ₃₀−シクロアルキル−Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルキル、Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルキル、Ｃ₁〜Ｃ₁₀−ハロアルキル、Ｃ₂〜Ｃ₁₂−アルケニル、Ｃ₄〜Ｃ₃₀−シクロアルケニル、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₃−アルキル、Ａｒ、（ＣＯ）Ｒ₁₅、（ＣＯ）ＯＲ₁₅又はＳＯ₂Ｒ₁₅であり；かつＡｒは、フェニル、ビフェニリル、フルオレニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル又はヘテロアリールであり、全て非置換であるか又は置換されている。
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【課題】本発明は、高エネルギー線を光源としたフォトリソグラフィーにおいて、レジスト材料として用いることのできるスルホニウム塩、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】式（１）で示されるスルホニウム塩。


（式中、Ｘ、Ｙは重合性官能基を有する基を示す。Ｚはヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜３３の二価の炭化水素基を示す。Ｒ^１はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜３６の二価の炭化水素基を示す。Ｒ^２及びＲ^３はそれぞれヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜３０の一価の炭化水素基を示すか、あるいはＲ^２及びＲ^３が相互に結合して式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。） （もっと読む）

【課題】陽極酸化により多孔質酸化膜にし、それに金属触媒を担持した触媒担体により、化学的に水素貯蔵・供給を繰り返す媒体を用いて、水素を取り出す脱水素または水素を取り込む水素付加の水素触媒部材において、水素触媒部材は熱伝導効率に優れた反応容器形状への収納に適し、水素及び媒体の流れを確保する形状で安価であることが望まれている。
【解決手段】１ｍｍ〜５０ｍｍの短冊状のアルミニウム箔の表面に多孔質酸化膜を設けた水素触媒部材を使用する。 （もっと読む）

【課題】優れた露光マージン及びフォーカスマージンを有するパターンを形成することができるフォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物に由来する繰り返し単位及び式（ＩＩ）で表される化合物に由来する繰り返し単位を有する樹脂を含むフォトレジスト組成物。［Ｒ^１及びＲ^３１は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよいＣ_１−６アルキル基を表す。Ｚ^１は、単結合又は＊−［ＣＨ₂］_ｓ３−ＣＯ−Ｌ^４−基を表す。Ｌ^１、Ｌ^２、Ｌ^３及びＬ^４は、それぞれ独立に、−Ｏ−又は−Ｓ−を表す。Ｔは、骨格に−ＳＯ_２−を含む複素環基を表す。］
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【課題】優れた印刷若しくは塗工適性と、良好な密着性および耐熱性とを有するインキ若しくは塗料組成物を得ることができる架橋剤を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される有機チタン化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物を含む架橋剤。該架橋剤と、バインダーと、顔料と、溶剤とを含有する、インキ若しくは塗料組成物。


（式（Ｉ）中の、Ａ¹、Ａ²、Ａ³およびＡ⁴はそれぞれ独立にＣ１−２０アルキル基または分岐構造を有するＣ１−２０アシル基を示す。ただし、Ａ¹、Ａ²、Ａ³およびＡ⁴のうちの少なくとも１つは分岐構造を有するＣ１−２０アシル基である。） （もっと読む）

【課題】ブリッジが発生しにくく、また、基板依存性が小さく、解像性に優れたパターンを形成することができるネガ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】ネガ型レジスト組成物であって、ベース樹脂は、スチレン系繰り返し単位を含み、重量平均分子量が１，０００〜１０，０００であり、塩基性成分として窒素を含有する化合物は、カルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素原子に共有結合で結合する水素を有しないアミン化合物の１種以上を含むものであることを特徴とするネガ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】この樹脂をレジスト組成物に用いることにより、優れたＣＤ均一性を有するパターンを得ることを目的とする。
【解決手段】樹脂、式（１）及び式（２）で表される酸発生剤を含むレジスト組成物。


［式（１）及び（２）中、Ｑ^１〜Ｑ^４はそれぞれ独立にＦ又はＣ_1-6ペルフルオロアルキル基；Ｘ^１及びＸ^２は、単結合又は２価のＣ_1-17飽和炭化水素基；Ｙ^１はアルキル基で置換されていてもよいＣ₃₋₃₆飽和環状炭化水素基；Ｙ^２は、少なくとも１つのＨがヒドロキシ基又はＣ_１−6ヒドロキシアルキル基で置換されているＣ₃₋₃₆飽和環状炭化水素基、Ｃ₃₋₃₆ラクトン／Ｃ₃₋₃₆環状ケトン／Ｃ₃₋₃₆スルトン骨格を有する環状基；Ｐ^１〜Ｐ^３は、それぞれ独立に、置換基を有してもよいＣ₃₋₃₆芳香族炭化水素基／Ｃ_１−６脂肪族炭化水素基を表し、Ｐ^１〜Ｐ^３のうちの２つが互いに結合して環を形成してもよい。］ （もっと読む）

【課題】優れた解像度及びフォーカスマージンを有するパターンを形成することができるレジスト組成物の酸発生剤用の塩を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。［Ｑ^１及びＱ^２はフッ素原子又はＣ_1-6ペルフルオロアルキル基を表す。Ｌ^１及びＬ^２はＣ_1-17アルキレン基を表し、前記アルキレン基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。環Ｗ^１はＣ_３-３６飽和炭化水素環を表す。ｖは１又は２の整数を表す。Ｒ^５はＣ_1-６アルキル基又はＣ_1-6アルコキシ基を表す。ｗは０〜２の整数を表す。環Ｗ^２はＣ_４-３６ラクトン環を表す。Ｒ^３はＣ_1-６アルキル基又はＣ_1-6アルコキシ基を表す。ｔは０〜２の整数を表す。Ｚ^＋は有機対イオンを表す。］
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【課題】優れた解像度及びＣＤ均一性を有するパターンを形成することができるレジスト組成物の酸発生剤用の塩を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。［Ｑ^１及びＱ^２はフッ素原子又はＣ_1-6ペルフルオロアルキル基を表す。Ｌ^１及びＬ^２はＣ_1-17アルキレン基を表し、前記アルキレン基の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。環Ｗ^１はＣ_３-３６飽和炭化水素環を表す。ｖは１又は２の整数を表す。Ｒ^５はＣ_1-６アルキル基又はＣ_1-6アルコキシ基を表す。ｗは０〜２の整数を表す。環Ｗ^２はＣ_３-３６飽和炭化水素環を表す。Ｒ^１はＣ_1-１２炭化水素基を表す。Ｒ^２はＣ_1-６アルキル基又はＣ_1-6アルコキシ基を表す。ｓは０〜２の整数を表す。Ｚ^＋は有機対イオンを表す。］
（もっと読む）

【課題】優れた解像度及び形状を有するレジストパターンを得ることを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。


［式（Ｉ）中、Ｑ^１及びＱ^２は、それぞれ独立に、フッ素原子又はＣ_1-6ペルフルオロアルキル基を表す。Ｌ^１は、置換基を有していてもよい２価のＣ_1-17飽和炭化水素基を表し、前記２価の飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。Ｒ^１は、フッ素原子を含むＣ_１−６アルキル基を表す。Ｚ⁺は、有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】欠陥が少なく、かつ優れた形状及びラインエッジラフネスを有するレジストパターンを得ることを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。


［式中、Ｑ^１及びＱ^２は、それぞれ、Ｆ又はペルフルオロアルキル基；Ｌ^１は、単結合又は置換基を有していてもよい２価の飽和炭化水素基、該飽和炭化水素基の−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい；Ｙ^１は、（ｍ＋１）価の飽和環状炭化水素基、該基の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ_２−で置き換わっていてもよい；Ｘ^１は脂肪族炭化水素基、該基に含まれる少なくとも１つの水素原子はフッ素原子で置換されており、該基に含まれる少なくとも１つの水素原子は水酸基で置換されていてもよい；ｍは、１又は２の整数；Ｚ^＋は有機対イオンを表す。］ （もっと読む）