【課題】視感効率の高い赤色の発光が得られる有機金属錯体を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｇ２）で表される有機金属錯体は課題の性能を有し、発光素子、発光装置、電子機器に利用することができる。


（式中、Ｒ^１〜Ｒ^５は水素又はシアノ基を表し、Ｍは第9属又は第10属の中心金属であり、Ｌはモノアニオン性の配位子を表す。） （もっと読む）

【課題】発光特性が良好な発光素子を提供する。またそれに好適に用いることができる新規な金属錯体を提供する。
【解決手段】一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、一対の電極間の少なくとも一層に、３座以上の配位子を有し、かつ配位子が鎖状配位子である金属錯体の少なくとも一種を含有する有機電界発光素子。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つのＣｌ原子で置換されたフェニルピリジン配位子から選択される主配位子を有する新規なＩｒ錯体を含む発光材料に関する。このような発光材料は、Ｃｌ原子を有さないフェニルピリジン配位子を有する別のＩｒ錯体、さらにはＢｒ原子またはＦ原子などのＣｌ以外のハロゲン原子を有するフェニルピリジン配位子を有するＩｒ錯体よりも大幅に向上したフォトルミネッセンス量子収率を有することが分かり、その結果、特に発光デバイスの効率が改善されることが分かった。本発明はさらに、このような発光材料の使用、およびこのような発光材料を含む有機発光デバイスに関する。
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【課題】金属酸化物の製造法および金属酸化物コーティング法の提供。
【解決手段】次式Ｉの化合物を加水分解して金属酸化物を製造する。


式中、ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ等であり、ＸはＯ_1/2又はＯＲであり、Ｒはアルキルであり、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶及びＲ⁷は各々独立にＨ、アルコキシ、Ｃ₁−Ｃ₁₀アルキル等である。式Ｉの１種以上の化合物で基材を被覆してから上記化合物を加水分解すること及び／又は上記化合物を約５０〜約４５０℃に加熱することによって、１種以上の金属酸化物を含有する物品を製造する。 （もっと読む）

【課題】
新規な光学活性ジコバルト錯体、及び／又はそれを触媒として用いた不斉マイケル反応による新規光学活性ニトロ化合物の製造方法を提供する。
【解決手段】
下記式（Ｉ）又は（Ｉ′）（式中、Ｒ^０、Ｒ^１、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６及びＲ^７は、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ_１−１０アルキル基又はＣ_１−１０アルコキシ基などを示し、Ｒ^２とＲ^３は、それらが結合しているベンゼン環と一緒になってナフタレン環を形成する、などを示す。）で示される新規な光学活性ジコバルト錯体、及び／又はそれを触媒として用いた不斉マイケル反応による光学活性ニトロ化合物の新規製造方法。
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【課題】 低抵抗で且つ高密度なルテニウム含有薄膜を提供する。
【解決手段】 化学気相蒸着法により形成したルテニウム含有薄膜を加熱処理して、膜密度が１０．５〜１２．２ｇ／ｃｍ^３で、且つ比抵抗値が８〜１００μΩｃｍであるルテニウム含有薄膜を製造する。 （もっと読む）

本発明はＯＬＥＤを提供し、そのＯＬＥＤにおいては、単一層又は複数層を含む有機薄膜層がカソードとアノードとの間に備えられ、その有機薄膜層が少なくとも１種の発光層を含み、その少なくとも１種の発光層が、（ａ）下記式（１）：Ｒａ−Ａｒ^１−Ａｒ^２−Ｒｂ（１）（式中、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｒａ、及びＲｂは置換又は非置換のベンゼン環、又は、置換もしくは非置換のナフタレン環、クリセン環、置換もしくは非置換のフルオロランテン環、トリフェニレン環、置換もしくは縮合したフェナントレン環、置換もしくは非置換のベンゾフェナントレン環、置換もしくは非置換のジベンゾフェナントレン環、置換もしくは非置換のベンゾクリセン環、置換もしくは非置換のピセン環、及び置換もしくは非置換のベンゾフルオランテン環から選択される置換もしくは芳香族炭化水素基を表す）、及び（ｂ）少なくとも１つの燐光物質であって、請求項１記載の部分化学構造のうちの１つで表される置換化学構造（式中、Ｒはそれぞれ独立に、水素又は１〜３の炭素原子を有するアルキル置換基であり、且つ式の少なくとも１つの環は前記のアルキル置換基１つ以上を有する）を有する燐光有機金属錯体を含むもの、を含む。
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【課題】 効率よく簡便な操作で、かつ安全性の高い工業的に優れたパラジウムヘキサフルオロアセチルアセトナートの単離方法を提供する。
【解決手段】粗パラジウムヘキサフルオロアセチルアセトナートを、シクロヘキサン、および、炭素数７〜１０の炭化水素系溶媒から選ばれた少なくとも１種類の溶媒から晶析し、単離する精製パラジウムヘキサフルオロアセチルアセトナートの単離方法である。 （もっと読む）

【課題】 光学活性二環性プロリン化合物の製造方法の提供。
【解決手段】式（１）で表される化合物を、塩基存在下、シクロペンテン−１−カルボアルデヒドと反応させ、二環性プロリン化合物を誘導する。
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【課題】 インクジェットプリンタにおいて発光組成物および素子の製造に用いることができるインク組成物の提供を目的とする。
【解決手段】 電子輸送化合物、放出性化合物および有機溶媒を含む組成物がここに開示される。これらの組成物は発光素子の製造において有用であり、印刷過程によって基板上に被着させることができる。 （もっと読む）

【課題】発光効率が良好であり、低駆動電圧の有機電界発光素子の提供。
【解決手段】一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、前記有機層のうちの少なくとも一層に下記一般式（１）で表される化合物を含有することを特徴とする有機電界発光素子。


（一般式（１）中、Ｚ_１１、Ｚ_１２はそれぞれ独立に芳香族複素環または芳香族炭化水素環を表し、Ｒ_１１は水素原子又は置換基を表す。） （もっと読む）

【課題】従来の方法に比べて容易にかつ収率よく金属錯体を製造する。
【解決手段】適当な溶剤に式（１）で表される部分構造を有する化合物と所望の配位子化合物とを溶解させて反応させるのみで、当該所望の配位子を有する金属錯体を得ることができる。


（式（１）中、Ｍは、周期表の第４〜７周期の金属から選ばれる金属元素である。Ｘ^１１〜Ｘ^２６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表すが、Ｘ^１１〜Ｘ^２６のうち少なくとも１つはハロゲン原子である。） （もっと読む）

【課題】発光効率が高く、長寿命であり且つ駆動電圧の低減された発光素子を提供することを課題とする。
【解決手段】陽極と、陰極と、それら２つの電極間に互いに接して層構造を形成する複数の発光層と、を有し、当該複数の発光層は、陽極に近接する第１の発光層と、陰極に近接する第２の発光層と、を有し、第１及び第２の発光層は、各々ホスト材料、正孔輸送性材料、及び発光材料を含み、正孔輸送性材料の濃度は、第１の発光層の方が第２の発光層よりも高い発光素子を提供する。 （もっと読む）

本発明は、接触水素化の分野に関し、特に、ケトン、アルデヒド及びエステル又はラトンを、それぞれアルコール又はジオールへ還元するための水素化方法における特別なルテニウム触媒又はプレ触媒の使用に関する。前記触媒は、型（Ｎ−Ｎ）のリガンド及び型（Ｐ−ＰＯ）のリガンドを含むルテニウム錯体である。 （もっと読む）

【課題】発光特性が良好な発光素子を提供する。またそれに好適に用いることができる新規な金属錯体を提供する。
【解決手段】一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、一対の電極間の少なくとも一層に、３ 座以上の配位子を有し、かつ配位子が鎖状配位子である金属錯体の少なくとも一種を含有する有機電界発光素子。 （もっと読む）

その中のカチオン並びにアニオンが、２個以上の配位子に会合している４０より大きい原子量の中心金属原子Ｍ１個、Ｍに結合している炭素原子を有する環状有機原子団を有している配位子少なくとも１個及びＭに結合している窒素原子を有する環状有機原子団を有している配位子少なくとも１個から成っている、有機金属錯カチオン及び有機金属錯アニオンの塩が記載されている。この新規塩は、電子デバイス中の導電性及び／又は発光性構成成分として使用することができる。発光の色は、適当な発光特性のアニオン及びカチオンを選択することによって選ぶことができる。 （もっと読む）

【課題】 残留不純物の少ない良質なルテニウム膜を得ることができる化学的気相成長材料及びその化学的気相成長材料を用いてルテニウム膜を形成する簡易な方法の提供。
【解決手段】
テトラ（μ−トリフルオロアセタト）ジ（アセトン）ジルテニウム、テトラ（μ−ペンタフルオロプロピオナト）ジ（アセトン）ジルテニウムの如きルテニウム化合物と、溶媒とを含む化学気相成長材料、および該化学気相成長材料を用いた化学気相成長方法。 （もっと読む）

【課題】優れた特性を有する有機発光層用組成物を提供する。
【解決手段】有機発光ダイオードの改良されたエレクトロルミネッセンス効率が、式Ｌ₂ＭＸ（式中、Ｌ及びＸは異なる二座配位子である）の遷移金属の有機金属錯体を含有する発光層を用いて得られる。この式の化合物は、従来の方法によるものよりも一層容易に合成することができ、合成の自由な選択により燐光錯体中への蛍光分子の挿入、発光色の微細な調節をするための配位子及びキャリヤーをトラップするための配位子の挿入を行うことができる。 （もっと読む）

本発明は、式（Ｉ）の抗腫瘍性化合物、その調製方法、およびそれを含有する医薬組成物に関する。
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高い効率及び安定性、狭いスペクトル、及び向上した加工性を有するリン光物質及びデバイス。燐光物質は式（Ｉ）を有し、式中、Ｍは４０より大きな原子量の金属であり；Ａ及びＢはそれぞれ独立に５又は６員の芳香族又はヘテロ芳香族環であり、Ａ−Ｂは環Ａ上の窒素原子及び環Ｂ上のｓｐ^２混成炭素原子とを介して金属に配位した芳香族又はヘテロ芳香族環の結合された対を表し；Ｒ_ａ、Ｒ_ｂ、Ｒ_ｘ、Ｒ_ｙ、Ｒ_ｚはそれぞれ独立に、非置換、アルキル、ヘテロアルキル、アリール、又はヘテロアリール基からなる群から選択され；Ｒ_ａ及びＲ_ｂのそれぞれは１つ以上の置換基を表し、一緒になって縮合環を形成することもでき；Ｒ_ｘ及びＲ_ｙのうち少なくとも１つはカルボニル基のα位よりも遠い位置での分岐を有する分岐アルキル基を含み；ｍは金属の酸化状態であり；ｎはｍより小さな整数であり且つ少なくとも１である。
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