【課題】良好な輸送性を有し、発光性を改良した有機発光ダイオードなどに使用できる層を提供する。
【解決手段】下記式で表される発光性のデンドリマーを含有する層。
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【課題】複数のセグメントと複数のリンカーとが共有結合による有機骨格として整列した、規則的な（周期的な）構造をもつ有機フィルムを提供する。
【解決手段】所定の構造をもつ有機フィルム（ＳＯＦ）であって、複数のセグメントと複数のリンカーとが共有結合による有機骨格（ＣＯＦ）として整列しており、このＳＯＦの少なくとも一部分が周期的である、所定の構造をもつ有機フィルム（ＳＯＦ）。さらに、所定の構造をもつ有機フィルム（ＳＯＦ）を調製するプロセス。 （もっと読む）

【課題】ＰＥＣＶＤ法により機械強度に優れた電気絶縁膜を提供し、それを配してなる半導体電子デバイスを提供する。
【解決手段】スピロ構造を有する環状シロキサン化合物である２，２，４，４，６，６−トリ（ブタン−１，４−ジイル）シクロトリシロキサン、２，２，４，４，６，６，８，８−テトラ（ブタン−１，４−ジイル）シクロテトラシロキサン、２，２，４，４，６，６−トリ（ペンタン−１，５−ジイル）シクロトリシロキサン、または２，２，４，４，６，６−トリ（２−ブテン−１，４−ジイル）シクロトリシロキサンを原料ガスとして用い、ＰＥＣＶＤ法によって、機械強度に優れた電気絶縁膜、およびそれを配してなる半導体電子デバイスを製造する。 （もっと読む）

【課題】電荷輸送ポリマーの効率を増大し、寿命の改善・輝度の増加を図る。
【解決手段】Ａｒ^hＸ²からなる第１の繰返し単位と第２の繰返し単位を有するポリマーにおいて、Ａｒ^hは、置換又は未置換ヘテロアリール基からなり、各Ｘは同じか又は異なる独立した置換又は未置換アリール又はヘテロアリール基からなり、第２の繰返し単位は第１の繰返し単位に隣接しており、ここで、ポリマーの幹の主要部の一部である各Ｘは、第２の繰返し単位に直接共役されていることを特徴とするポリマー。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子に用いた場合、光電変換効率が高くなる化合物を提供する。
【解決手段】式（１）で表される構造を含み、光吸収端波長が600nm以上である化合物。


さらに、式（１）で表される構造とは異なる構造を含むことが好ましく、式（１）で表される構造とは異なる構造が、芳香族７員環、芳香族６員環及び芳香族５員環からなる群から選ばれる芳香族環が二つ以上縮合した芳香族縮合環から水素原子を２個除いた２価の芳香族基であり、該２価の芳香族基において、結合手を有する２個の原子間の最短の経路に存在する該芳香族縮合環を構成する原子の数が、結合手を有する原子を含め、３個又は４個であることがより好ましい。 （もっと読む）

誘導体化導電性モノマーおよびそれから製造されたポリマーが提供される。この誘導体化モノマーはフッ素化酸置換基を有する。このポリマーを含有する緩衝層を有する電子デバイスもまた提供される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、体積膨張係数が低減されており且つ無機フィラーの凝集が抑制され強度が維持されている液晶ポリマー組成物の製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明に係る液晶ポリマー組成物の製造方法は、無機フィラーの表面に、液晶ポリマー分子を構成するモノマーとの結合能を有する官能基を導入する工程；および官能基が導入された無機フィラーと、液晶ポリマー分子を構成するモノマーを混合し、得られた混合物を重合反応に付す工程；を含むことを特徴とする液晶ポリマー組成物の製造方法。 （もっと読む）

本発明は、改善された半導電性を有するオリゴマーの有機化合物及びコアシェル構造を有する高分子化合物及び／又はモノマーの線状化合物とのその混合物並びにその電子部品における使用に関する。 （もっと読む）

二つの有機シリコン化合物を含む混合物からチャンバ内で基板上に低誘電率膜を堆積させる方法が提供される。混合物には、更に、炭化水素化と酸化ガスが含まれてもよい。第一有機シリコン化合物は、Ｓｉ原子あたり平均一つ以上のＳｉ-Ｃ結合を有する。第二有機シリコン化合物のＳｉ原子あたりのＳｉ-Ｃ結合の平均数は、第一有機シリコン化合物におけるＳｉ原子あたりのＳｉ-Ｃ結合の平均数より大きい。低誘電率膜は、良好なプラズマ／ウェットエッチング損傷抵抗、良好な機械的性質、且つ望ましい誘電率を有する （もっと読む）

本発明は、珪素、炭素、酸素及び水素原子を有する少なくとも１つの膜母材前駆体と、少なくとも１つの、Ｒが、直鎖或いは分岐、飽和或いは不飽和炭化水素基若しくは環状飽和或いは不飽和炭化水素基の何れかである式（I）の孔形成化合物か、または、少なくとも１つの次の孔形成化合物の何れかを反応させることを含む、基板への低誘電率ｋの多孔膜を形成する方法であって、少なくとも１つの次の孔形成化合物は、1-メチル-4-（1-メチルエチル）-7-オキサビシクロ［2,2,1］ヘプタン、1,3,3-トリメチル-2-オキサビシクロ［2,2,1］オクタンあるいは1,8-シネオール若しくは1-メチル-4-（1-メチルエテニル）-7-オキサビシクロ［4,1,0］ヘプタンである方法、新規な前駆体混合物及び式（I）の化合物の基板上への低誘電ｋ膜の化学気相堆積での孔形成化合物としての使用に関する。
【化１】

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【課題】 基板上に共役ポリマーを含む被覆を作るための方法を提供する。
【解決手段】 この方法は基板を準備し、共役ポリマー被覆形成物質を大気圧プラズマ放電中にまたはそれからもたらされる反応性ガス流中に導入し、被覆形成物質の導入と同時に、追加の物質を前記プラズマ放電中またはそれからもたらされる反応性ガス流中に導入し、基板を前記プラズマ放電またはそれからもたらされる反応性ガス流に露出し、それにより前記被覆を得ることを含む。 （もっと読む）

本発明は、樹脂への少量の添加でも難燃性に優れ、ブリードアウトを防止できる反応性難燃剤、及びそれを用いた難燃性樹脂加工品を提供する。
反応性難燃剤として、例えば、下記の一般式（Ｉ）で示され、Ｒ^１〜Ｒ^４の末端に少なくとも１つの不飽和基を有する有機環状リン化合物を用いる。難燃性樹脂加工品は、この有機環状リン化合物を含有する樹脂組成物を固化した後、加熱又は放射線の照射によって反応させて得られる。

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【課題】 膜形成用組成物、特に、電子デバイスなどに用いられる低誘電率でかつ比誘電率の経時変化の少ない絶縁膜を形成することができる膜形成用組成物、およびそれを有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】 カゴ型構造を有する化合物を含む膜形成用組成物であって、組成物中の各金属の含量がそれぞれ３００ｐｐｂ以下であることを特徴とする膜形成用組成物、それを用いた絶縁膜および電子デバイス。 （もっと読む）

架橋された、コア抜きされたデンドリマー内の金属カルコゲニドなどの半導体粒子の複合体粒子が記載されている。さらに、複合体粒子および、複合体粒子を含有する組成物の製造方法が記載されている。
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【課題】 熱処理後に高耐熱性、低誘電率となる樹脂組成物、およびそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】 一般式（１）で表される構造を有する化合物と、前記化合物中のヒドロキシル基と反応する溶解促進化合物とを反応させて得られた化合物を膜形成成分として含む樹脂組成物。
【化１】


［Ａｒは多環式構造を有する基又は芳香族基、aは０又は１を示す。Ｒ_１１は水素又は炭素数１以上の有機基で、ｑは０以上の整数で２以上の場合、互いに同じでも異なっても良い。Ｒ_１〜Ｒ_５とＲ_６〜Ｒ_１０は１つ以上がＡｒとの結合部位で、また、１つ以上がヒドロキシル基であり、それら以外は水素、脂環式構造を有する基、炭素数１以上１０以下の有機基及びカルボキシル基のいずれかを示す。またＲ_１１、Ｒ_１〜Ｒ_５及びＲ_６〜Ｒ_１０は、１つ以上が脂環式構造を有する基を示す。Ｘは、−Ｏ−、−ＮＨＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＣＯＯ−及び−ＯＣＯ−のいずれかを示す。］ （もっと読む）

【課題】新規なＳｉ含有膜形成材料、殊にＰＥＣＶＤ装置に適したシラン化合物を含んでなる低誘電率絶縁膜用材料を提供すること、並びにそれを用いたＳｉ含有膜及びこれらの膜を含んでなる半導体デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】下記一般式（１）
【化１】


（式中、Ａは、酸素原子、ホウ素原子、及び窒素原子からなる群から選ばれた少なくとも一種を含む基を表し、Ｒ^１、Ｒ^２は、水素原子または、炭化水素基を表す。ｐは、１乃至４の整数を表し、ｑは、０乃至３の整数を表す。ｐ＋ｑは、１乃至４である。）で示されるシラン化合物を含有することを特徴とする、Ｓｉ含有膜形成材料、及びその用途等。 （もっと読む）

【課題】 モールドのパターンを連続して精密に転写でき、かつ光学的特性に優れる転写体を得ることができる転写体の製造方法を提供する。
【解決手段】 ペルフルオロ（ポリオキシアルキレン）鎖と硬化性基とを有する化合物（Ａ）を含有する硬化性材料を、最小寸法が５０μｍ以下の凹凸パターン１３が表面に形成されたモールド１４と接触した状態で硬化させ、モールド１４の凹凸パターン１３が転写された転写体を得る製造方法により解決される。 （もっと読む）