【課題】電子部材上の複数の端子等によって生じる凹凸を良好に埋め込むことができ、且つ、接続端子間において良好な電気的接続と隣接端子間において高い絶縁信頼性を得ることを可能にする導電接続材料、電子部材を電気的に接続する方法及び電子部材の電極上に簡便な方法で接続端子を製造する方法を提供すること。
【解決手段】本発明の導電接続材料は、樹脂組成物と、半田箔又は錫箔から選ばれる金属箔とから構成される積層構造を有するものであって、前記導電接続材料を電子部材の電極上に貼り付ける際の貼り付け温度をＴ［℃］、前記導電接続材料に掛ける圧力をＰ［Ｐａ］、前記貼り付け温度における樹脂組成物の前記溶融粘度をη［Ｐａ・ｓ］としたとき、１．２×１０^３≦（Ｔ×Ｐ）／η≦１．５×１０^９の関係を満足し、前記貼り付け温度Ｔは、６０〜１５０℃、前記圧力Ｐは、０．２〜１．０ＭＰａ、前記貼り付け温度における前記樹脂組成物の溶融粘度ηは、０．１〜１００００Ｐａ・ｓであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 初期粘着性を有し、プレヒートなどの工程がなく、作業性がよく、金属同士、金属と有機材料、有機材料と有機材料とを接着でき、接着強度は強力であり、接着強度は温度変化で劣化しにくく、しかも１枚の離型紙を用いても、巻取り、巻き解しが容易であり、低コストである粘接着シート１を提供する。
【解決手段】 粘着性と接着性を併せ持つ粘接着シート１であって、離型紙２１、及び粘接着層１１からなり、粘接着層１１を構成する粘接着剤がアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、及び硬化剤を含み、かつ、離型紙２１の両面が離型性の表面を有することを特徴とし、また、粘接着層１１が芯材１５を含み、粘接着剤１１が芯材１５へ含浸状態であることも特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、低屈折率であって、水媒体にて塗布することが可能であり、さらにその硬化物が透明性、ガラス、ＰＶＡ、ＴＡＣ、ＰＥＴに対する密着性に優れた、主に光学用物品向けの水性低屈折率樹脂及び水性低屈折率樹脂組成物を提供する。
【解決手段】 本発明は、ポリビニルアルコール類にフッ素原子含有（メタ）アクリレート化合物をグラフト重合して得られる共重合体である水性低屈折率樹脂及び水性低屈折率樹脂組成物であり、ポリビニルアルコール類としてメルカプト変性ポリビニルアルコールが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 耐キャスター性、耐落下衝撃性に優れ、凹凸を抑制し、凹凸や節、木目の経時形状変化の少ない表層改質針葉樹材製合板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 木質化粧合板の製造方法であって、合板が少なくとも台板を針葉樹材とする合板であり、合板の台板表面を７０〜１３０℃に前加熱する工程（工程１）、活性エネルギー線硬化性塗料を塗工し、活性エネルギー線を照射する工程（工程２）、装飾層を貼合する工程（工程３）をこの順に有することを特徴とする木質化粧合板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高い加工性を有し、平滑で寸法安定性に優れる絶縁接着層を与える接着剤樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記の成分（ａ）及び（ｂ）を含有し、（ｂ）成分の含有量は、接着剤樹脂組成物の不揮発成分１００重量部に対し２０〜８０重量部である接着剤樹脂組成物。
（ａ）：（イ）エポキシ樹脂、（ロ）硬化剤、（ハ）硬化促進剤及び（ニ）リン含有フェノキシ樹脂を含有するエポキシ系接着樹脂原料［但し、エポキシ系接着樹脂原料における（ニ）成分の含有量は、エポキシ系接着樹脂原料中の不揮発成分１００重量部に対し４０〜７０重量部である］、（ｂ）：平均長径Ｄ_Ｌが０.１〜１５μｍの板状シリカと、平均粒径Ｄ_Ｒが０.０５〜１０μｍの球状シリカとを含有する無機フィラー［但し、前記平均長径Ｄ_Ｌと平均粒径Ｄ_Ｒとの関係がＤ_Ｌ＞Ｄ_Ｒ／２を満足し、粒径が３０μｍ以上のシリカを含有しない］。 （もっと読む）

【課題】チップとチップ支持体の間に所定の大きさの間隔をもつ空間を創り出すことを可能にするダイ取付接着剤を提供すること。
【解決手段】ダイ取付接着剤は、硬化性高分子基材と共に、前記高分子基材中に含まれる、接着剤によって接合される基板間に平坦な接着剤層厚さを与えるのに十分な量で組成物中に存在する、平均粒径が１μｍ〜１０００μｍであり、短軸に対する長軸のアスペクト比が約１．０〜１．５である無機絶縁体粒子と、前記硬化性高分子基材の量を基準にして少なくとも５０質量％を超える量であって、５℃／分の昇温速度で求めた場合に−５５℃から＋２００℃の間で任意のガラス転移温度前後で２４０μｍ／ｍ／℃未満の任意の線熱膨張係数を有する接着剤を得るのに十分な量で存在する少なくとも１種の低熱膨張係数充填剤とを含み、１０μｍ〜１００μｍの範囲内のサイズを有する前記低熱膨張係数充填剤が０．１質量％未満の量で存在することを特徴とする硬化性接着剤組成物である。 （もっと読む）

一時的ウェハー接着のための方法は、硬化性接着剤組成物、及び、この硬化性接着剤組成物と組み合わせた分解剤、を採用する。本接着剤組成物は、（Ａ）ケイ素に結合した不飽和有機基を分子あたり平均少なくとも２個含有するポリオルガノシロキサン、（Ｂ）組成物を硬化させるのに十分な量の、ケイ素に結合した水素原子を分子あたり平均少なくとも２個含有する有機ケイ素化合物、（Ｃ）触媒量のヒドロシリル化触媒、及び（Ｄ）塩基、を含んでもよい。この組成物を硬化させることにより調製されるフィルムは、熱により分解可能であり、及び、除去可能である。 （もっと読む）

【課題】低温短時間条件における高い接着力と、優れた導通信頼性とを兼ね備えた異方性導電フィルム、該異方性導電フィルムを用いた接合体、及び接続方法の提供。
【解決手段】少なくとも導電層２１と、絶縁層２２とを有してなり、前記絶縁層２２が、バインダー、単官能の重合性モノマー、及び硬化剤を含有し、前記導電層２１が、Ｎｉ粒子、金属被覆樹脂粒子１２ａ、バインダー、重合性モノマー、及び硬化剤を含有し、前記金属被覆樹脂粒子１２ａが、樹脂コアを少なくともＮｉで被覆した樹脂粒子である異方性導電フィルム１２とする。絶縁層２２が、フェノキシ樹脂、単官能の（メタ）アクリルモノマー、及び有機過酸化物を少なくとも含有する態様、などが好ましい。 （もっと読む）

【課題】シリコーン接着剤の加熱・硬化時におけるシロキサンガスの発生量を極力低減する。
【解決手段】シリコーン接着剤３０は、Ａ）１分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有し、ケイ素原子に結合した水酸基とアルコキシ基を有さない、４量体から２０量体までの環状シロキサンの含有量が０．１質量％以下であるオルガノポリシロキサンを１００質量部、Ｂ）１分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有し、アルケニル基、ケイ素原子に結合した水酸基とアルコキシ基を有さないオルガノポリシロキサン、Ｃ）接着性付与剤を少なくとも０．０５質量部、Ｄ）熱伝導性充填剤を１００〜２０００質量部、Ｅ）ヒドロシリル化反応用触媒を含み、Ｂの配合量がＡ中のアルケニル基１モルに対してケイ素原子結合水素原子が０.５〜１０モルとなる量であり、且つ、ＢとＣの合計量が、ＡとＢとＣの合計量に対して０.５〜１０質量％である。 （もっと読む）

【課題】溶着強度が強い、ホットメルトによる熱可塑性樹脂成形体の接着方法の提供。
【解決手段】熱可塑性樹脂成形体のホットメルト接着方法であって、成形体１と付加体２の接着部分３に凹凸ａｂが２個以上連続で設けてあり、その接着にホットメルト４を使用する事を特徴とする熱可塑性樹脂成形体のホットメルト接着方法。更に好ましくは、該凹凸ａｂが凸部幅ｃ１mm以上、凸部高さｅ１mm以上、凹部幅ｄが凸部幅ｃより大きく、長さ５mm以上である事を特徴とするホットメルト接着方法。 （もっと読む）

【課題】フレキシブルプリント配線板などに貼付して電磁ノイズを遮蔽する用途に好適に用いられる電磁波シールド接着フィルムであって、フレキシブルプリント配線板に貼着した後、十分な電磁波シールド性に加えて、鉛フリーハンダリフロー時の高温に耐え得る耐熱性を有し、屈曲性に優れると共に、高温高湿度下に曝されても導電性が低下せず、さらにイオンマイグレーションを抑制し、環境問題に対応する難燃性電磁波シールド接着フィルムを提供する。
【解決手段】ホスファフェナントレン誘導体（Ｘ）を含むことを特徴とする難燃性電磁波シールド接着フィルム。 （もっと読む）

【課題】
引張せん断接着強さとはく離接着強さの両方が高いレベルでバランスよく優れており、かつ高耐熱性であり、信頼性が高い構造用接着剤として優れた一液型エポキシ樹脂系接着剤を提供する。
【解決手段】
（A）エポキシ樹脂１００質量部、（Ｂ）潜在性硬化剤５〜３０質量部、（C）平均粒径０．０５〜０．５μmの架橋ゴム微粒子３〜１５質量部、（Ｄ）硬化促進剤１〜５質量部、（Ｅ）平均粒径０．５〜５μmの揺変性付与剤１０〜４０質量部とからなる一液性エポキシ樹脂組成物であり、（A）のエポキシ樹脂が（A−１）ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂７５〜５０質量％と、（A−２）ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂２５〜５０質量％の二成分系混合エポキシ樹脂であることを特徴とする一液型エポキシ樹脂系接着剤。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、半導体ウエハの研磨工程において半導体ウエハの回路面を保護すること、及び研磨後の半導体ウエハの反りを低減することができ、また、半導体チップと回路基板の接続端子間において良好な電気的接続と隣接端子間において高い絶縁信頼性を得ることが可能であり、更には電気、電子部品の生産性に優れるバックグラインドテープ付き導電接続材料を提供することにある。
【解決手段】 本発明のバックグラインドテープ付き導電接続材料は、バックグラインドテープと、導電接続材料とが積層されてなるバックグラインドテープ付き導電接続材料であって、前記導電接続材料が、樹脂組成物と、半田箔又は錫箔から選ばれる金属箔とから構成される積層構造を有することを特徴とする。また、本発明の電気、電子部品は、上記に記載のバックグラインドテープ付き導電接続材料の導電接続材料を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】無溶剤型と同等の接着力を有する溶剤型エポキシ接着剤の提供。
【解決手段】エポキシ樹脂１００質量部に対して、硬化剤としてジシアンジアミド粉体を２〜８質量部含み、ケトン系溶剤をさらに含むことを特徴とする溶剤型エポキシ接着剤。更に好ましくは、前記ケトン系溶剤は、アセトン、メチルエチルケトン、及びメチルイソブチルケトンから選択される１種以上であることを特徴とする溶剤型エポキシ接着剤。 （もっと読む）

【課題】 優れた難燃性および接着性を有する難燃性ラミネート接着剤を提供すること、およびこの難燃性ラミネート接着剤を用いたシールドテープ、詳しくは、ハロゲンフリーで、難燃性であり、かつインピーダンス調整により高速伝送化が達成可能なフラットケーブル、を形成することができるシールドテープを提供することを課題とする。
【解決手段】 リン系有機モノマーを共重合したポリエステル樹脂：１００重量部と、水酸化アルミニウム：７０〜１３０重量部と、を含むことを特徴とする、難燃性ラミネート接着剤である。また、絶縁性プラスチックフィルム、金属箔、および接着層で構成されるシールドテープにおいて、絶縁性プラスチックフィルムと金属箔との間を、上記難燃性ラミネート接着剤で接着した、フラットケーブル用シールドテープである。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも一種の熱活性可能な接着料、少なくとも一種の誘導加熱可能な材料、及び少なくとも一種の熱伝導性フィラー材を含む平面要素であって、該フィラー材の材料が、少なくとも０．５Ｗ／（ｍ＊Ｋ）の熱伝導性を有することを特徴とする平面要素に関する。 （もっと読む）

【課題】鉛フリー半田に用いられるような２６０℃程度の高温半田リフロー処理によっても耐半田クラック性に優れた熱硬化性接着剤組成物およびそれを用いた半導体パッケージを提供する。
【解決手段】繊維状支持基材に熱硬化樹脂を含浸させてなる樹脂支持体２と半導体素子３とを熱硬化性接着剤組成物１を用いて所定の加熱条件Ａにて接着する工程と、前記工程により接着された支持体２と半導体素子３とを所定の加熱条件Ｂにて封止用樹脂組成物により封止する工程と、前記工程により封止された後、熱処理する工程とを有する半導体装置の製造方法に用いられる熱硬化性接着剤組成物１であって、所定の反り評価試験における反り量１が所定の条件式１を満たすものである熱硬化性接着剤組成物。［条件式１：−１０（μｍ）≦反り量１≦１０（μｍ）］ （もっと読む）

【課題】 極性基を有する化合物を含有するフレキシブルプリント基板とアルカリガラス基板とを低温かつ良好な接着力で接続する。
【解決手段】 端子１０が形成された第１の電子部品１１と、端子１２が形成された第２の電子部品１３とを電気的に接続する異方性導電フィルム２１において、ラジカル系硬化剤と、アクリル樹脂と、エポキシ樹脂と導電性粒子２０とを含有する導電性粒子含有層２２と、カチオン系硬化剤とエポキシ樹脂とアクリル樹脂とラジカル系硬化剤とを含有する絶縁性接着層２３とを有する。 （もっと読む）

【課題】フィルム状にしたときの埋込性に十分に優れるとともに、接続信頼性に優れる半導体装置の作製を可能なアンダーフィル形成用接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】少なくとも、（Ａ）熱可塑性樹脂と、（Ｂ）熱硬化性樹脂と、（Ｃ）潜在性硬化剤と、（Ｄ）無機フィラーと、を含有し、上記（Ａ）熱可塑性樹脂がビスフェノールＡ、Ｆ共重合型フェノキシ樹脂を含む、アンダーフィル形成用接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、片面樹脂封止型の半導体装置において、２６０℃以上という高温環境下においても耐半田クラック性に優れる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
金属製支持体のダイパット上に熱硬化性接着剤組成物を介して半導体素子を載置する工程と、所定の加熱条件Ａにより前記接着剤組成物を硬化するとともに前記金属製支持体と前記半導体素子とを接着する工程と、前記金属製支持体のダイパットの前記半導体装置が接着された面と反対面の側を露出させた状態で、前記金属製支持体と半導体素子とを封止用樹脂組成物により封止する工程と、を有する半導体装置の製造方法に用いられる熱硬化性接着剤組成物であって、前記熱硬化性接着剤組成物の所定の反り評価試験Ｓにおける反り量１と反り量２とが、所定の条件式１および２を満たすものである半導体装置製造方法。 （もっと読む）