【課題】得られるパターン形状が良好であり、焦点深度に優れ且つ液浸露光時に接触した水等の液浸露光用液体への溶出物の量が少なく、レジスト被膜と水等の液浸露光用液体との後退接触角及び前進接触角のバランスに優れた感放射線性樹脂組成物、それを用いたレジスト成膜方法及びレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本樹脂組成物は、式（１）で表される繰り返し単位、及びフッ素原子を有する繰り返し単位を含有する樹脂（Ａ）と、酸解離性基を有する繰り返し単位を含有し、フッ素原子を有する繰り返し単位を含有しない樹脂（Ｂ）と、酸発生剤（Ｃ）とを含む。
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【課題】レジスト材料の溶解性に優れた液浸露光用レジスト組成物、該液浸露光用レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法および当該液浸露光用レジスト組成物に用いる添加剤として有用な含フッ素化合物を提供すること。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）および含フッ素樹脂成分（Ｆ）を有機溶剤（Ｓ）に溶解してなり、含フッ素樹脂成分（Ｆ）は、フッ素原子を含む構成単位（ｆ１）と、親水性基含有脂肪族炭化水素基を含む構成単位（ｆ２）と、第３級アルキル基含有基又はアルコキシアルキル基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ｆ３）とを有することを特徴とする液浸露光用レジスト組成物。 （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）式（１）の繰り返し単位を有する高分子化合物、（Ｂ）酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる高分子化合物、（Ｃ）高エネルギー線の露光により酸を発生する化合物、（Ｄ）有機溶剤を含有するレジスト材料。


【効果】本発明により、環状アセタール構造を有する新規高分子添加剤を用いたレジスト材料が提供される。この高分子材料は撥水性、滑水性、脂溶性、酸分解性、加水分解性など各種性能の調整が可能である。 （もっと読む）

【解決手段】式（１）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物。


（Ｒ¹は水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基、Ｘは一般式（Ｘ−１）〜（Ｘ−３）で表されるいずれかの構造を表す。（Ｘ−１）の中でＲ^2a、Ｒ^2b、Ｒ^3a、Ｒ^3bは一価の有機基、Ｒ⁴はアルキル基、（Ｘ−２）の中でＲ^5a、Ｒ^5b、Ｒ^6a、Ｒ^6b、Ｒ^7a、Ｒ^7bは一価の有機基、（Ｘ−３）の中でＲ^8a、Ｒ^8b、Ｒ^9a、Ｒ^9bは一価の有機基で、繰り返し単位（１）の−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−結合にＲ^2a〜Ｒ^3b、Ｒ^5a〜Ｒ^7b、Ｒ^8a〜Ｒ^9bのいずれかが連結する。）
【効果】この高分子材料は波長２００ｎｍ以下の放射線に対して優れた透明性を有し、樹脂の構造の選択により撥水性、滑水性、脂溶性、酸分解性、加水分解性など各種性能の調整が可能であり、かつ入手及び取り扱いが容易な原料からの製造が可能である。 （もっと読む）

【課題】スピンコーティングやスプレーコーティングのような高速で高シェアのかかるようなコーティング剤の塗装を行う場合や、極性の高いコーティング剤の塗装を行う場合でも、極めて優れた表面調整効果を示し、さらに十分な塗装膜への上塗り適性をコーティング剤に持たせることができるコーティング剤用表面調整剤を提供する。
【解決手段】コーティング剤用表面調整剤は、フッ素含有(メタ)アクリレートモノマー(A)と、アルキル(メタ)アクリレートモノマー(B)と、モノ−又はポリ−オキシアルキレン基の片末端が不活性基で封鎖されたモノ−又はポリ−オキシアルキレニル(メタ)アクリレートモノマー(C)とが、夫々重量部の比で４０以上６０未満と０．１以上３未満と３１以上５９．９未満、又は６６以上８５未満と３以上２０未満と０．１以上３１未満として、共重合しており、その重量平均分子量を３０００〜５００００とする共重合物を、含有している。 （もっと読む）

【課題】耐曲げ漏光性、耐熱性、耐湿熱性、耐屈曲性、被覆層との密着性などがバランス良く優れ、屋内配線や自動車内配線用等に使用されるプラスチック光ファイバ、およびプラスチック光ファイバコードを提供する。
【解決手段】メチルメタクリレートを主成分とする重合体からなるコアと該コアの外周にコアの屈折率より小さい屈折率を有する有機重合体からなる少なくとも１層のクラッドを有するコア／クラッド構造のプラスチック光ファイバにおいて該クラッドはエチレン１０〜３５重量％とテトラフルオロエチレン４５〜７０重量％とヘキサフルオロプロピレン２０〜４５重量％と他の共重合可能な成分０〜１０重量％からなる層を有するプラスチック光ファイバ。 （もっと読む）

【課題】低屈折率かつ高耐擦傷性の反射防止フィルムの提供。
【解決手段】下記一般式（１）の化合物、および無機微粒子を含む組成物を硬化してなる層を含有する。（式（１）中、Ｙは式（２）で表される基（但し、Ｘは水素原子、フッ素原子、塩素原子、メチル基、又は水酸基を表す。）又はビニル基を表し、Ｌ_１は式（３）又は（４）で表される基を表し、Ｌ_２及びＬ_３は、式（５）、（６）又は（７）で表される基を表し、Ｒｆ_１は飽和パーフルオロアルキル基、Ｒｆ_２はパーフルオロアルキル基又はフッ素原子を表し、Ｒｆ_３は、パーフルオロアルキル基又は塩素原子を表す。）
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【課題】超微細領域での、高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネスを同時に満足する電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】特定のオキシムスルホネート構造を有する繰り返し単位及び酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を生じる基を有する繰り返し単位を有する樹脂を含有することを特徴とする電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】トナー用添加剤として有用な樹脂粒子の提供。
【解決手段】下記式(Ｉ）で示されるシルセスキオキサン(ａ)を含む付加重合性単量体を重合させるか、該シルセスキオキサン(ａ)と付加重合性単量体(ｂ)とを共重合体させて得られる、体積平均粒径１０〜５００ｎｍの樹脂粒子。［式中、Ｒ¹〜Ｒ⁷は水素、炭素数１〜４０のアルキル、置換または非置換のアリール、および置換または非置換のアリールアルキルからなる群からそれぞれ独立して選択される基である；このアルキルにおいて、任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく；そして、Ａ^１は付加重合性官能基である。］
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【課題】本発明は、カルボキシル基含有アクリル単量体単位を含む共重合体を遠心分離機を用いて濾過するに当たり、水の量を制御することで遠心分離機の濾過性を悪化させない回収方法を提供する。
【解決手段】
カルボキシル基含有アクリル系単量体およびこれと共重合可能なその他アクリル系単量体混合物を共重合し、カルボキシル基含有アクリル単量体単位を含む共重合体（Ａ）を重合し、かつ、得られたカルボキシル基含有アクリル単量体単位を含む共重合体（Ａ）のスラリ（Ｃ）１００重量部に対し水が０．０１重量部以上、５重量部以下の状態からカルボキシル基含有アクリル単量体を含む共重合体（Ａ）を回収する。 （もっと読む）

【課題】高集積化、高速度化が進むＬＳＩを生産する際、極めて微細なパターンルールを加工する技術として、簡便で工程管理に有用なダブルパターン形成方法を提供する。
【解決手段】被加工基板上に第１ポジ型レジスト材料を塗布し、高エネルギー線をパターン照射し、アルカリ現像して第１ポジ型パターンを得る工程、得られたポジ型パターンを第２レジスト材料の溶剤に対して不溶化並びに第２レジスト材料をパターニングする際の不溶化させる工程として高温加熱及び／又は高エネルギー線の照射工程を含み、次いで、第２レジスト材料を第１レジストパターン上に塗布し、高エネルギー線をパターン照射、現像して、第２レジストパターンを得る工程を含むダブルパターン形成方法で、該第１レジスト材料含有の樹脂が式（１）の繰り返し単位を有するダブルパターン形成方法。
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【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる樹脂成分（Ａ）と、活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物（Ｂ）とを含有し、樹脂成分（Ａ）が一般式（１）で示される非脱離性の水酸基を含有する繰り返し単位を有する高分子化合物であるポジ型レジスト材料。


（Ｒ¹は水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基を示す。Ｙは水素原子又は水酸基を示し、少なくとも１個のＹは水酸基である。波線は結合の向きが不特定であることを示す。）
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、微細加工技術、特にＡｒＦリソグラフィー技術において極めて高い解像性を有し、精密な微細加工に極めて有用である。 （もっと読む）

基材に対して撥水撥油性、防汚性および風合いを付与できる表面処理剤が、
（Ｉ）含フッ素単量体を含む単量体から誘導された繰り返し単位を有する含フッ素重合体であって、官能性オルガノポリシロキサンから誘導されたシリコーン残基を有する含フッ素重合体、ならびに
（ＩＩ）ビニル単量体を含んでなる非フッ素重合体
を含んでなる水性撥水撥油剤分散組成物から得られる。 （もっと読む）

【課題】接触角及び後退角に優れ、水接触時の、水へのレジスト組成物の溶出量が少ないレジスト膜を形成することができる化学増幅型ポジ型レジスト組成物の提供。
【解決手段】酸に不安定な基を側鎖に有する構造単位を含有し、酸の作用によりアルカリ可溶性に変化する樹脂（Ａ）、式（I）で表される構造単位及びフッ素含有構造単位を含有する樹脂（Ｂ）、並びに酸発生剤を含有する化学増幅型ポジ型レジスト組成物。


（式（Ｉ）中、Ｘ_１、Ｘ_２、Ｘ_３及びＸ_４は、それぞれ独立に、酸素原子又は硫黄原子を表す。ｍは、１〜３の整数を表す。ｎは、０〜３の整数を表す。） （もっと読む）

【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる樹脂成分（Ａ）と、活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物（Ｂ）とを含有し、樹脂成分（Ａ）が一般式（１）で示される非脱離性の水酸基を含有する繰り返し単位を有する高分子化合物であるポジ型レジスト材料。


（Ｒ¹は水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基を示す。Ｘは単結合又はメチレン基を示す。ｍは１又は２である。なお、ｍ個の水酸基は二級炭素原子に結合する。）
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、微細加工技術、特にＡｒＦリソグラフィー技術において極めて高い解像性を有し、精密な微細加工に極めて有用である。 （もっと読む）

基材に対して撥水撥油性、防汚性および風合いを付与できる表面処理剤が、
（Ａ）（ａ）式：
ＣＨ_２＝Ｃ(−Ｘ)−Ｃ(＝Ｏ)−Ｙ−Ｚ−Ｒｆ
［式中、Ｘは、水素原子、一価の有機基またはハロゲン原子であり、
Ｙは、−Ｏ−または−ＮＨ−であり、
Ｚは、直接結合または二価の有機基であり、
Ｒｆは、炭素数８〜１２のフルオロアルキル基である。］
で示される含フッ素単量体を含んでなる単量体、および
（Ｂ）メルカプト官能性オルガノポリシロキサン、ビニル官能性オルガノポリシロキサン、（メタ）アクリルアミド官能性オルガノポリシロキサンおよび（メタ）アクリレート官能性オルガノポリシロキサンからなる群から選択された少なくとも１種の官能性オルガノポリシロキサン
を含んでなる含フッ素重合体から得られる。 （もっと読む）

【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる樹脂成分（Ａ）と、活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物（Ｂ）とを含有し、樹脂成分（Ａ）が一般式（１）で示される非脱離性の水酸基を含有する繰り返し単位を有する高分子化合物であるポジ型レジスト材料。


（Ｒ¹は水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基を示す。ｍは１又は２である。なお、ｍ個の水酸基は三級炭素原子に結合する。）
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、微細加工技術、特にＡｒＦリソグラフィー技術において極めて高い解像性を有し、精密な微細加工に極めて有用である。 （もっと読む）

【課題】レジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】ポジ型レジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、
前記レジスト膜を露光する工程、前記レジスト膜の露光後加熱を８０℃以下で行う工程、
および前記レジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法であって、前記ポジ型レジスト組成物は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有し、該基材成分（Ａ）を構成する全構成単位に対する酸解離性溶解抑制基を有する構成単位の割合が５５〜８０モル％であることを特徴とする、レジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】付着した指紋が外観上目立ちにくく、拭取りが容易なハードコート膜が得られる耐指紋性向上剤および活性エネルギー線硬化性樹脂を提供する。
【解決手段】炭素数６〜２２のアルキル基を有するビニルモノマー（ａ１）および芳香族系ビニルモノマー（ａ２）から選ばれる少なくとも一種のビニルモノマー（Ａ）と、分子中に５〜１３個のフッ素原子を有するビニルモノマー（Ｂ）を、（Ａ）：（Ｂ）＝９０〜９９．９重量％：０．１〜１０重量％の比率で含有する重合成分を重合して得られる共重合体（Ｉ）を耐指紋性向上剤として配合する。および前記モノマー成分および分子中にエポキシ基を有するビニルモノマー（Ｃ）を（Ａ）：（Ｂ）：（Ｃ）＝２０〜７０重量％：０．１〜１０重量％：２０〜７９．９重量％の比率で含有する重合成分を重合して得られる共重合体（ＩＩ）に、α,β−不飽和カルボン酸を反応させて得られる活性エネルギー線硬化型樹脂とする。 （もっと読む）

【課題】露光時に疎水性を有し、かつ、現像の際にレジスト膜表面の親水性が高くなる特性を有し、良好なレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有し、前記基材成分（Ａ）は、一般式（ａ０−１）で表される基を含む構成単位（ａ０）を有する樹脂成分（Ａ１）を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。一般式（ａ０−１）中、Ｒ^２はメチル基、エチル基又はフッ素原子を有する有機基であり；−Ｏ−Ｒ^２はアルカリ現像液の作用により解離する基であり、−Ｃ（＝Ｏ）−の炭素原子は前記樹脂成分（Ａ１）の主鎖に直接結合していないものとする。
［化１］
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