【課題】本発明の目的は、通常露光（ドライ露光）によるパターニングにおいて、１００ｎｍ以下の微細パターンの形成においても、プロファイル形状、パターン倒れ、露光ラチチュード性能に優れ、液浸露光によるパターニングにも優れたポジ型レジスト組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、及び、（Ｃ）エステル結合が窒素原子に結合した構造を有するアミン化合物を含有することを特徴とするレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ガラス基板に対する密着性や弾性回復力に優れた柱状スペーサーの提供を前提として、このような柱状スペーサーを得ることのできるフォトスペーサー用硬化性樹脂組成物の提供を課題としている。
【解決手段】液晶セルの柱状スペーサーの製造のために用いられるフォトスペーサー用硬化性樹脂組成物であって、酸基を導入し得るモノマーと、アミド基含有モノマーとを必須成分として含むモノマー成分から合成された酸基含有ポリマーの酸基に、ラジカル重合性不飽和二重結合と酸基と反応し得る官能基を有する化合物を反応させることによって得られる感光性ポリマーと、多官能モノマーと、光重合開始剤とを有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 透明性であり、かつ、熱変形しにくい、すなわち、線膨張係数が低い組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】 環状オレフィンポリマーと特定の構造を有する、架橋性重合体の架橋体との組成物。 （もっと読む）

【課題】流動保持性及び粘性保持性の両方に優れた水硬性組成物用の分散保持剤、更には水硬性粉末の種類によらず優れた流動保持性及び粘性保持性を発現する分散保持剤を提供する。
【解決手段】一般式（１）で表される特定の単量体１と、対応するアルコール化合物が特定の物性を満たす一般式（２）で表される特定の単量体２とを重合して得られる共重合体からなる水硬性組成物用分散保持剤であって、該共重合体の構成単量体中、単量体１の比率が特定範囲にあり、単量体２の少なくとも一部として特定の単量体が用いられ、且つ酸基又はその中和基を有する単量体の比率が５重量％以下である、水硬性組成物用分散保持剤。 （もっと読む）

【課題】従来から知られるレジスト組成物では、レジストパターン製造時のフォーカスマージン（ＤＯＦ）が必ずしも十分ではない場合があった。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩と、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂とを含有するレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。Ｌ^１は炭素数２〜１７の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、該２価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。但し、該２価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基のうち、環Ｗと結合するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わらない。環Ｗは、炭素数２〜３６の複素環を表す。Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ用途のために、改良された（すなわち、低減された）ライン幅ラフネスを有するフォトレジストポリマーを提供する。
【解決手段】ポリマーは、酸脱保護性モノマー、塩基可溶性モノマー、ラクトン含有モノマーおよび光酸生成モノマーを含むモノマー；下記式の連鎖移動剤；並びに場合によって開始剤の重合生成物を含む：


式中、Ｚはｙ価のＣ_１−２０有機基であり、ｘは０または１であり、Ｒ^ｄは置換もしくは非置換のＣ_１−２０アルキル、Ｃ_３−２０シクロアルキル、Ｃ_６−２０アリール、またはＣ_７−２０アラルキルである。 （もっと読む）

【課題】天然ゴム本来の特性を損なうことなく、官能基等を導入することができる改質天然ゴムの新規な製造方法を提供する。
【解決手段】天然ゴムラテックス中で、ハロゲン化水素により天然ゴムのイソプレン単位における二重結合の一部をハロゲン化して式（１）及び（２）で表される構成単位の少なくとも一方を有するハロゲン化天然ゴムであり、該ハロゲン化天然ゴムのハロゲン基の少なくとも一部をアミノ基等の他の置換基に置換した改質天然ゴム。


（式中、Ｘはハロゲンである。） （もっと読む）

【課題】優れたフォーカスマージン（ＤＯＦ）でレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこの樹脂を含むレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基；Ａ¹は、式（ａ−ｇ１）で表される基；ｓは０〜２の整数；Ａ^１０は脂肪族炭化水素基；Ａ^１１は、単結合又は脂肪族炭化水素基、但し、ｓ＝０の時、Ａ^１１は単結合ではない；Ｘ^１０は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基又はオキシカルボニルオキシ基；環ＷＲ^２は、置換基を有していてもよいラクトン環基を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたマスクエラーファクターを有するレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこの樹脂を含むレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基；ｒは１又は２；Ａ¹は、式（ａ−ｇ１）で表される基；ｓは０〜２の整数；Ａ^１０は脂肪族炭化水素基；Ａ^１１は、単結合又は脂肪族炭化水素基；Ｘ^１０は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基又はオキシカルボニルオキシ基、但し、Ａ^１１が単結合の時、ｓ＝１かつＸ^１０は酸素原子である；Ｒ^２は、酸に不安定な基を表す。］ （もっと読む）

【課題】従来のレジスト組成物では、得られるパターンのマスクエラーファクター（ＭＥ
Ｆ）が必ずしも十分に満足できない場合があった。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物。


［式（Ｉ）中、Ｔ１は、単結合又は芳香族炭化水素基を表す。Ｌ１は、飽和炭化水素基を
表し、該飽和炭化水素基を構成しているメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き
換わっていてもよい。ｍは０又は１を表す。Ｌ２及びＬ３は、単結合又は飽和炭化水素基
を表し、該飽和炭化水素基を構成しているメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置
き換わっていてもよい。環Ｗ１及び環Ｗ２は、炭化水素環を表す。Ｒ１及びＲ２は、水素
原子、ヒドロキシ基又はアルキル基を表す。Ｒ３及びＲ４は、ヒドロキシ基又はアルキル
基を表す。Ｒ５は、水素原子又はメチル基を表す。ｔは、０〜２の整数を表す。ｕは、０
〜２の整数を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）でレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物に由来する構造単位を有する樹脂と、式（Ｂ１）で表される塩とを含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基；Ｒ^２は、酸に不安定な基；Ｑ¹及びＱ²は、それぞれ独立に、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基；Ｌ^b1は、単結合又は２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい；Ｙは、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基；Ｚ⁺は、有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】優れた形状でレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこの樹脂を含むレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基を表す；環Ｗ^１は、置換基を有していてもよい炭素数３〜３４のスルトン環を表す。］ （もっと読む）

【課題】良好な形状のレジストパターンを形成できる、ネガ型レジスト組成物に用いる樹脂成分として有用な高分子化合物の提供。
【解決手段】一般式（ｆ１−１）又は一般式（ｆ１−２）で表される塩基解離性基を含む構成単位（ｆ１）と架橋性基含有基を含む構成単位（ｆ２）とを有する高分子化合物。式中、Ｒは水素原子、炭素原子数１〜５の低級アルキル基、又は炭素原子数１〜５のハロゲン化低級アルキル基であり；Ｘは二価の有機基であり、Ａ_ａｒｙｌは置換基を有していてもよい芳香族環式基であり、Ｘ_０１は単結合又は二価の連結基であり、Ｒ^２はフッ素原子を有する有機基である。
（もっと読む）

【課題】優れたパターン倒れ耐性（ＰＣＭ）を有するレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこの樹脂を含むレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基を表す。環Ｗ^２は置換基を有していてもよい炭素数３〜３４のラクトン環を表す。］ （もっと読む）

【課題】半導体の微細加工に利用できるレジスト組成物を提供すること。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物。［式（Ｉ）中、Ｔ^１は、単結合又は芳香族炭化水素基を表し、Ｌ^１は、２価の炭素数１〜１７の飽和炭化水素基を表し、ｍは０又は１を表し、Ｌ^２及びＬ^３は、単結合又は２価の炭素数１〜６の飽和炭化水素基を表し、環Ｗ^１及び環Ｗ^２は、炭素数３〜３６の炭化水素環を表し、Ｒ^１及びＲ^２は、水素原子等を表し、Ｒ^３及びＲ^４は、ヒドロキシ基等を表し、Ｒ^５は、水素原子又はメチル基を表し、ｔは、０〜２の整数を表し、ｕは、０〜２の整数を表す。］
（もっと読む）

【課題】閾値電圧の絶対値及びヒステリシスが小さい有機薄膜トランジスタを製造しうる有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を提供すること。
【解決手段】（Ａ）分子内にビニルオキシ基を含有する低分子化合物及び／又は分子内にビニルオキシ基及び活性水素と反応しうる第２の官能基を電磁波の照射もしくは熱の作用により生成しうる第１の官能基を含有する高分子化合物と、（Ｂ）分子内にＮ−マレオイルアミノ基を含含有する低分子化合物及び／又は分子内にＮ−マレオイルアミノ基及び活性水素と反応しうる第２の官能基を電磁波の照射もしくは熱の作用により生成しうる第１の官能基を含有する高分子化合物とを、含有し、前記２種類の高分子化合物のうちの少なくとも一方の高分子化合物を含有する有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。 （もっと読む）

【課題】炭素原子数６以下のフッ素化アルキル基を有する界面活性剤であっても、炭素原子数８以上のフッ素化アルキル基を有する界面活性剤と同等以上のレベリング性を有し、かつ優れた消泡性を有するフッ素系界面活性剤を提供する。また、このフッ素系界面活性剤を用いたコーティング組成物及びレジスト組成物を提供する。
【解決手段】炭素原子数６以下のフッ素化アルキル基（酸素原子によるエーテル結合を有するものも含む。）を有する単量体（ｍ１）及び非フッ素系単量体（ｍ２）を必須の単量体成分として、前記単量体（ｍ１）及び（ｍ２）の共存下でリビングラジカル重合することにより製造されたものであることを特徴とするフッ素系界面活性剤を用いる。 （もっと読む）

【課題】優れた解像度を有するレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）の化合物由来の構造単位を有する樹脂と、式（Ｂ１）の塩と、溶剤とを含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ^２〜Ｒ^４は、独立にアルキル基等；Ａ¹は式（ａ−ｇ１）の基；ｓは０〜２の整数；Ａ¹⁰及びＡ¹¹は、独立に脂肪族炭化水素基；Ｘ¹⁰は、酸素原子等を表す。］ （もっと読む）

【課題】 本発明は、短時間でＰＥＢを行うことができ、それによりスループットの向上や、酸拡散距離を短くすることができることによる解像性の向上が達成できるパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 被加工基板上に波長６００〜２０００ｎｍの範囲の光を吸収する下層膜を形成し、該下層膜上にフォトレジスト膜を形成し、該フォトレジスト膜を露光した後、波長６００〜２０００ｎｍの光を照射して加熱することでポストエクスポジュアーベーク（ＰＥＢ）を行い、その後現像によってパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】耐熱性に優れる調光材料、およびこれを用いて構成される調光フィルムを提供する。
【解決手段】調光材料を、エネルギー線照射により硬化可能な高分子媒体2と、ヒドロキシ基を有する（メタ）アクリレートに由来する構造単位と炭素数４〜２０のアルキル（メタ）アクリレートに由来する構造単位とを一定のモル比で含む共重合体である樹脂分散剤、ならびに調光粒子10を含み、前記高分子媒体中に分散された光調整懸濁液9とを含んで構成する。また該調光材料を用いて調光フィルムを構成する。 （もっと読む）