【課題】 湿式処理主体のプロセスにより、連続処理化が容易で、生産性が高く、かつ絶縁抵抗の劣化やマイグレーションを促進することなく、めっき作業時間の短縮を図り、めっき析出安定性をより向上させることができ、更にポリイミド樹脂フィルムと金属との境界面の平滑性および密着性を安定して確保できる。
【解決手段】 ポリイミド樹脂材を前処理する前処理工程と、無電解めっき処理工程と、厚付け銅めっき処理工程とを含み、（１）上記前処理工程は、カルボニル基を分子内に有する有機溶剤を用いてポリイミド樹脂材の表面を処理する工程と、アルカリ性水溶液で処理する工程とを含み、（２）上記無電解めっき処理工程は、無電解ニッケルめっき処理工程であり、（３）上記厚付け銅めっき処理工程は、上記無電解めっきで得られるめっき層表面にアルカリ性無電解銅めっき処理およびアルカリ性電気銅めっき処理から選ばれる少なくとも１つのめっき処理工程である。 （もっと読む）

【課題】 めっき層と不導体表面とが強固に密着しており、平滑なめっき層を得ることができて、めっき耐久性や装飾性のより高いめっき被膜が形成された製品を得ることができる無電解銅めっき被膜形成方法を提供する。
【解決手段】
無電解銅めっき液に、通常の使用量の10倍程度の濃度である50mg/l〜10g/lとなるように１価の銅の安定剤を添加し、又は、通常の使用量の10倍程度の濃度である0.01〜0.1mol/lとなるようにアミン系の錯化剤を添加し、ｐＨ11〜13、温度20〜70℃で無電解銅めっきを行う無電解銅めっき被膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】鉛イオンが含まれない無電解ニッケルめっき液を使用する場合であってもブリッジの発生を十分防止できる無電解ニッケルめっき用前処理液、無電解ニッケルめっきの前処理方法、無電解ニッケルめっき方法、並びに、プリント配線板及び半導体チップ搭載用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】無電解ニッケルめっき用前処理液として、特定の脂肪族チオール化合物、およびジスルフィド化合物から選択される少なくとも１種の硫黄化合物と、有機溶剤とを含み、前処理液中の上記硫黄化合物の合計含有量が０．０００５〜１０ｇ／Ｌであり、且つ、前処理液中の有機溶剤の合計含有量Ｘ（ｍＬ／Ｌ）と前処理液中の上記硫黄化合物の合計含有量Ｙ（ｇ／Ｌ）との比（Ｘ／Ｙ）が８００００以下のものである前処理液を用い、該前処理液を銅配線を有する半導体チップ搭載用基板表面に接触させた後、銅配線上に無電解ニッケルめっきを施す。 （もっと読む）

【課題】高温に曝される状況下であっても、下地めっき層に含まれる成分（たとえばニッケル）が、表面めっき層に拡散するのを効果的に抑制し、表面めっき層と導電性接続材との接続安定性および信頼性を向上させ、またリペア性を向上させる
【解決手段】絶縁部材３０に形成された配線層３１，３２の所定部分に、下地めっき層３５，３６および表面めっき層３７，３８が積層形成された配線付き絶縁部材３において、下地めっき層３５，３６における表面めっき層３７，３８と接する表層部の全体３５Ｂ，３６Ｂを、ニッケルと、コバルトおよび鉄のうちの少なくとも一方とを含んだ固溶体を有するものとした。 （もっと読む）

【課題】プリント基板などの銅電極の上に、選択的に直接無電解ニッケルめっき膜の形成が可能な無電解ニッケルめっき浴およびそれを用いた無電解めっき方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】酢酸ニッケルを主成分とする金属供給源としてのニッケル塩と、還元剤としてのヒドラジンと、錯化剤としてのＥＤＴＡおよび乳酸と、ｐＨ緩衝剤としてのホウ酸とからなる無電解めっき浴とし、絶縁樹脂１の表面に銅電極２が形成された被めっき物を無電解めっきすることにより、高純度ニッケルめっき膜４を形成する。 （もっと読む）

【解決手段】基板の上に銅を形成するための方法であって、銅源溶液を混合器に供給する工程と、還元溶液を混合器に供給する工程と、銅源溶液と還元溶液とを混合して、約６．５より大きいｐＨを有するメッキ溶液を形成する工程と、メッキ溶液を基板に供給する工程と、を備え、基板は、触媒層を備え、メッキ溶液を基板に供給する工程は、触媒層を形成する工程と、制御された環境に触媒層を維持する工程と、触媒層の上に銅を形成する工程とを備える、方法が開示されている。また、銅構造を形成するためのシステムも開示されている。 （もっと読む）

【課題】 ポリイミド樹脂上に金属めっき皮膜を析出させるにあたり、十分なポリイミド−金属皮膜間の密着性を確保できる技術を提供すること。
【解決手段】 ポリイミド樹脂をアルカリ処理した後、触媒付与処理、無電解金属めっきおよび電解金属めっきを行うポリイミド樹脂上の金属めっき皮膜形成方法であって、前記アルカリ処理と触媒付与処理の間に塩基性アミノ酸水溶液処理を行うことを特徴とするポリイミド樹脂上の金属めっき皮膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】 めっき液の変質を抑制して、特性及び信頼性を損なうことのないめっき膜を形成することができるようにする。
【解決手段】 めっき液貯槽３０２内のめっき液をめっき槽２００に供給するめっき液供給管３０８とめっき槽２００内のめっき液をめっき液貯槽３０２に戻すめっき液回収管３１０を有するめっき液循環系３５０と、めっき液循環系３５０全体におけるめっき液の液温の低下を抑制する保温部２７２ａ，２７２ｂ，３５２，３５６とを有する。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い配線基板を簡単な製造プロセスで形成することにある。
【解決手段】 本発明にかかる配線基板１００の製造方法は、（ａ）基板１０の第１の領域２８および第２の領域２９に第１の界面活性剤を含む界面活性剤層１６を設ける工程と、（ｂ）前記第２の領域に設けられた前記界面活性剤層の一部を除去する工程と、（ｃ）第２の界面活性剤および触媒を含む溶液に前記基板を浸漬することによって、前記第１の領域に触媒層３２を設ける工程と、（ｄ）前記触媒層上に金属を析出させることによって金属層３６を設ける工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 浴中での銀イオンの安定性が改善され、十分な錯化力が得られるとともに、生産コストを低減できる、実用性に優れたシアン化物非含有銀系メッキ浴を提供することにある。
【解決手段】 本発明のシアン化物非含有銀系メッキ浴は、銀塩を含む可溶性塩と、下記一般式（Ｉ）等でそれぞれ示される化合物からなる群より選ばれた１種以上のスルフィド
系化合物とを含有する。
一般式（Ｉ）：
【化１】


（式中、ｎは２〜４の整数を表す。Ｒ₁及びＲ₂は同一又は異なって、Ｃ₁〜₃アルキル又は水酸基が置換してもよいＣ₂〜₆アルキレン基を表す。Ｍは、水素、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アンモニウム又は有機アミンを表す。）で示される化合物。 （もっと読む）

【課題】 微細かつ高密度の導電性回路を、正確かつ低コストで形成する。
【解決手段】 パラジウムを混入した熱可塑性樹脂を射出形成して基体１を形成し、この基体の表層１ａに含まれるパラジウムを除去する。パラジウムを除去した表層１ａにレーザー光２を照射して、この表層を除去すると共にその下の触媒を含む下地層１ｂの露呈面１ｄを粗化して親水性にする。基体１に無電解銅めっきを施すと、下地層１ｂの露呈面１ｄにのみ導電層３が形成され、この導電層によって導電性回路を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 固体表面に、フッ素化合物などの強撥油・撥水性を示す化合物を用いたグラフトポリマーパターンを用いて、簡便な方式により、容易に、かつ、効率よく高解像度で、高精度の導電性パターンを得ることができる導電性パターン形成方法を提供する。
【解決手段】 加熱又は露光によりラジカルを発生しうる基板表面に、撥油・撥水性の官能基とラジカル重合可能な不飽和二重結合性基を有する化合物を含有する液体をパターン状に配置した後、加熱もしくは露光により、液体配置領域に基板表面と直接結合する撥油・撥水性のグラフトポリマーパターンを形成し、グラフトポリマーの非生成領域に導電性材料を導電性素材を付着させることを特徴とする。液体をパターン状に配置する方法としては、インクジェット法、印章法、印刷法などが挙げられる。 （もっと読む）

【課題】 配線基板や実装部品との接合部を形成する際に、半導体製造技術においてはリフロー等の熱処理又は加熱されるため、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）等の耐熱性の低い実装部品の場合には、上手く接合出来ない。
【解決手段】 本発明は、配線基板１と実装部品３の配線導体５，１１間を電気的に接続するための接合部２がメッキ処理により析出された金属により形成される接合構造体である。この接合部２は、配線導体５及び／又は配線導体１１に形成されたバンプの先端部を近接又は当接させて保持し、電解メッキ液１７内で通電させることにより、電解メッキ金属を析出させて形成される。 （もっと読む）

【課題】 基板に対する密着性に優れた無電解銅めっき膜を形成する。
【解決手段】 下記（１）〜（４）の工程を行う。
（１）無機酸化膜を表面に有する基板１０の表面をシランカップリング剤で処理することにより、基板の表面にシランカップリング剤１２を結合させるカップリング処理工程。
（２）基板の表面に触媒金属を含有する溶液を接触させることにより、シランカップリング剤に触媒金属１４を捕捉させる第１触媒化工程。
（３）基板の表面に塩化錫溶液と塩化パラジウム溶液または錫・パラジウムコロイド溶液を接触させることにより、基板の表面のシランカップリング剤が結合していない部分にパラジウム１６を析出させる第２触媒化工程。
（４）基板の表面に微量のニッケル化合物を含有する銅めっき液を用いて無電解銅めっきを行うことにより、無電解銅めっき膜１８を形成する無電解めっき工程。 （もっと読む）

【課題】ワイヤーボンディング接合用の金めっき皮膜形成用無電解金めっき液を提供する。
【解決手段】シアン化金化合物と、シュウ酸及び／又はその塩とを含有し、下地金属溶出抑制剤を含まないことを特徴とするワイヤーボンディング接合用の金めっき皮膜形成用無電解金めっき液。シアン化金化合物は金イオン濃度で０．５〜１０ｇ／Ｌ、シュウ酸及び／又はその塩は５〜５０ｇ／Ｌが好ましい。前記無電解金めっき液は、下地溶出金属の隠蔽剤を含有することが好ましく、前記隠蔽剤はエチレンジアミン四酢酸及び／又はその塩が好ましい。 （もっと読む）

【課題】 耐候性に優れかつ熱負荷における粒成長を抑制した導電性皮膜を得ることができる金属コロイド溶液を提供する。
【解決手段】 銀と、金、白金、パラジウム、鉄、スズ、チタン、ガリウム、ニッケル、亜鉛およびアルミニウムからなる群より選択される元素の少なくとも１種とを含むことを特徴とする金属コロイド溶液を用いる。 （もっと読む）

【課題】より微細で信頼性の高い微細パターンを容易に形成可能な選択的無電解めっき方法を提供する。
【解決手段】基板１の表面を塩化スズ（II）で増感処理する工程と、増感処理された基板に紫外線４をパターン照射し、紫外線の露光部における基板の増感を抑制する工程と、紫外線の露光部に形成されるスズ吸着層２ａを除去する工程と、紫外線の非露光部に残留したスズ吸着層２を塩化パラジウム（II）で活性化処理する工程と、活性化処理された基板を還元処理する工程とを経た後に、還元処理された金属パラジウムの触媒核５を有するスズ吸着層２上に金属の無電解めっき膜６を形成する。 （もっと読む）

【課題】導電性材料の製造方法において、透明性と導電性が共に高く、かつ生産性の良い導電性材料が得られるための製造方法を提供する。
【解決手段】支持体上に少なくとも１層のハロゲン化銀乳剤層を含有する導電性材料前駆体を用いて製造する導電性材料の製造方法において、該導電性材料前駆体を酵素含有処理液で処理することを特徴とする導電性材料の製造方法を用いる。 （もっと読む）

【課題】無電解ニッケルめっき被膜／無電解パラジウムめっき被膜／置換金めっき被膜の３層めっき被膜端子において、取り扱いが簡単な置換金めっきのみで金被膜を形成し、汎用性の高い無電解ニッケル−リンを使用しても、ワイヤーボンディング接合及びはんだボール接合の両方において優れた接合強度を有し、ランニング特性にも優れた無電解パラジウムめっき液を提供することができる。
【解決手段】少なくとも、成分（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）
（ａ）パラジウム塩有機錯体
（ｂ）スルフィド基を有するモノカルボン酸又はその塩
（ｃ）次亜リン酸又はその塩
を含有することを特徴とする無電解パラジウムめっき液により課題を解決した。 （もっと読む）

【課題】金属中にカーボンナノチューブもしくはその誘導体を常温で混入させることのできるめっき構造物およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るめっき構造物は、めっき皮膜中に直径２００ｎｍ以下、アスペクト比１０以上のカーボンナノチューブもしくはその誘導体が均一に混入していることを特徴とする。めっき皮膜中に樹脂材を混入させることもできる。誘導体としては、カーボンナノチューブに種々の化学修飾を施したものやカーボンナノチューブをフッ素化したものが含まれる。 （もっと読む）