【課題】絶縁樹脂層と配線層との間の密着性に優れた多層回路基板を提供する。
【解決手段】絶縁樹脂層と配線層とを含んでなる多層回路基板の製造方法において、絶縁樹脂層表面に、水酸基、カルボニル基およびカルボキシル基からなる群から選ばれた少なくとも１種類の官能基を生成させ、絶縁樹脂層表面をトリアジン化合物および／またはシランカップリング剤で処理し、次いで、パラジウム触媒を用いた無電解金属めっき膜を形成し、さらに無電解金属めっき膜上に金属電気めっき膜を形成させる。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム膜を基体上に容易に形成するための組成物と方法を提供すること。
【解決手段】アミン化合物と水素化アルミニウム化合物との錯体および大気圧下での沸点が３００℃より高く、２３℃で液体であり且つ前記錯体と反応しない媒体とを含有するコーティング用組成物、ならびに上記組成物を基体上に塗布し、熱処理または光照射してアルミニウム膜を生成し次いで前記媒体を除去するアルミニウム膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】埋込み配線の露出表面に、保護膜を選択性良く安定して形成して回収・配線を保護することができるようにする。
【解決手段】フィルタ３０５では取りきれない無電解めっき液中の微細な磁性浮遊物を磁気力によって除去する磁気除去部３５６，３６２を有し、これにより、無電解めっき液中の微細な磁性浮遊物が、例えば絶縁膜等の表面に付着して異常析出物が生じることを防止し、しかも無電解めっき液の性質を一定にしてめっき反応を安定させる。 （もっと読む）

【課題】 Ｌ／Ｓ＝５０／５０μｍ以下の高密度な微細銅パターンを有する基板であっても、選択的に無電解金属めっき処理を行うことのできるプリント配線板の製造方法を提供すること。
【解決手段】 銅パターンを有する基板を、ヒドラジンまたはその誘導体およびニッケルイオンを含有する活性化剤に浸漬した後、無電解金属めっき処理を行うことを特徴とするプリント配線板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】水平搬送方式の無電解銅めっき方法において、めっき液に基板が浸漬された後に、スムーズにめっき反応を開始させることができる無電解銅めっき方法を提供する。
【解決手段】銅張積層板１２を水平方向Ａに搬送する水平搬送方式の無電解銅めっき方法である。めっき槽１４に収容されためっき液に銅張積層板１２を浸漬させる前に、無電解銅めっきの反応電位を銅張積層板１２に付与する。 （もっと読む）

【課題】基板との密着性に優れ、充分な導電性を有し、且つ基板との界面における凹凸が小さい金属膜を、簡便な方法で形成しうる金属膜形成方法、及び、エッチング工程を行うことなく微細な金属パターンの形成が可能であり、且つ、基板との密着性に優れ、充分な導電性を有し、基板との界面における凹凸が小さい金属パターンを簡便な方法で形成しうる金属パターン形成方法を提供することにある。
【解決手段】（ａ１）基板上に、金属イオン又は金属塩と相互作用する官能基を有し該基板と直接化学結合するポリマーからなるポリマー層を設ける工程と、（ａ２）ポリマー層に金属イオン又は金属塩を付与する工程と、（ａ３）金属イオン又は金属塩を還元して、表面抵抗率が１０〜１００ｋΩ／□の導電性層を形成する工程と、（ａ４）電気めっきにより、表面抵抗率が１×１０⁻¹Ω／□以下の導電性層を形成する工程と、を有することを特徴とする金属膜形成方法等である。 （もっと読む）

【課題】装置のイニシャルコスト、ランニングコストを低くでき、広い設置スペースを必要とすることなく、高品質の保護膜を金属部の表面に効率よく形成できるようにする。
【解決手段】処理槽を有する前処理ユニットと、めっき槽を有する無電解めっきユニットと、後洗浄ユニットとを有し、前処理ユニットと無電解めっきユニットは、吸着ヘッド２３４と該吸着ヘッドの周囲を囲繞する基板受け２３６を備えた共通の基板保持ヘッドを有し、吸着ヘッドには、円周方向に沿って延びる真空引き可能な凹状部２５０ａを有する吸着リング２５０が取付けられ、基板受けは、内方に突出し内周端部にシールリング２５４ａを有し、吸着ヘッドによってシールリングを基板の周縁部に圧接させて、基板の周縁部をシールリングでシールして基板を保持し、吸着リングの凹状部を真空引きして、基板の周縁部を吸着リングでシールしながら基板を吸着保持して基板を基板受けから引離す。 （もっと読む）

【課題】セラミックス、プラスチックス等の各種の基板上に、簡単な処理工程によって優れた密着性を有する無電解めっき皮膜を形成できる方法を提供する。
【解決手段】下記（１）及び（２）の工程を含む無電解めっき用前処理方法：
（１）亜鉛イオン、硝酸イオン及びアミンボラン化合物を含み、亜鉛イオン濃度が０．０３〜０．０８モル／Ｌであって、硝酸イオンのモル濃度が亜鉛イオンのモル濃度の１〜３倍の範囲内にある水溶液からなる酸化亜鉛膜形成用組成物を被処理物に接触させて、酸化亜鉛膜を形成する工程、
（２）上記（１）工程によって酸化亜鉛膜を形成した被処理物を、触媒金属を含有するｐＨ３．５以上の水溶液からなる触媒付与液に接触させる工程、
並びに上記方法によって前処理を行った後、被処理物を無電解めっき液に接触させ、その
後、必要に応じて熱処理を行うことを特徴とする無電解めっき方法。 （もっと読む）

【課題】プリント回路基板に要求される半田付け性およびワイヤボンディング性を満足させることが可能なプリント回路基板のメッキ層形成方法を提供する。
【解決手段】半導体表面実装のためのワイヤボンディング部１２、１３および外部部品との接続のための半田付け部を含み、一定の回路パターンが形成されたプリント回路基板を用意する段階と、プリント回路基板のワイヤボンディング部１２、１３および半田付け部を除いた部分にフォトソルダレジスト層１４を形成する段階と、ワイヤボンディング部１２、１３および半田付け部に無電解パラジウムまたはパラジウム合金メッキ層１５を形成する段階と、パラジウムまたはパラジウム合金メッキ層１５上に、水溶性金化合物を含む置換型浸漬金メッキ液を接触させて無電解金または金合金メッキ層１６を形成する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】 無電解スズの有機スルホン酸メッキ浴において、優れたハンダ濡れ性のスズ皮膜を得る。
【解決手段】 可溶性第一スズ塩と有機スルホン酸とチオ尿素類を含有する無電解スズメッキ浴において、上記有機スルホン酸として、(Ａ)アルカンスルホン酸と(Ｂ)アルカノールスルホン酸の各アニオン部分を含有し、さらに(Ｃ)カルボン酸と(Ｄ)次亜リン酸類とを含有し、成分(Ａ)（アニオン換算）が０.５０モル／Ｌ以上、成分(Ｂ)（アニオン換算）が１.０モル／Ｌ以上、成分(Ｃ)（アニオン換算）が０.２モル／Ｌ以上、成分(Ｄ)が０.７５モル／Ｌ以上含有される無電解スズメッキ浴である。成分(Ａ)〜(Ｄ)の各種酸が所定濃度以上で含まれて有機一体的な相乗作用が働くため、ハンダ濡れ性の向上並びに良好なフィレットの形成に効果的に寄与する。 （もっと読む）

【課題】 十分な選択めっき性が得られるとともに、耐食性に優れる無電解ニッケル／金めっきを施すことが可能な無電解ニッケルめっき方法を提供すること。
【解決手段】 基板上に形成された金属導体配線上に第１の無電解ニッケルめっき皮膜を、当該第１無電解ニッケルめっき皮膜全量を基準としたリン含有量が６〜８質量％となるように形成する第１の無電解ニッケルめっき工程と、上記第１のニッケルめっき皮膜上に、上記第１のニッケルめっき皮膜よりもリン含有量が高い第２の無電解ニッケルめっき皮膜を形成する第２の無電解ニッケルめっき工程と、を有することを特徴とする無電解ニッケルめっき方法。 （もっと読む）

【課題】銅表面の無光沢化および銅表面とレジストの密着力を確保し、現像あるいはレジスト剥離の際、銅表面にレジストが残らないことを可能とした銅表面の前処理方法及び配線基板を提供する。
【解決手段】銅表面にレジストまたはカバーレイを形成する際の前処理方法であって、銅表面に銅よりも貴な金属を離散的に形成する工程、その後、前記銅表面を酸化処理する工程を有する銅表面の前処理方法。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線への無電解めっき膜の選択析出性を向上することにより、配線間リークの低減等を図り、信頼性の高い半導体装置を得ることができる無電解めっき膜の形成方法及び形成装置を提供する。
【解決手段】加熱機構１０によりウエハ７に形成されたＣｕ配線のみを加熱する。次にノズル９から無電解めっき液を吐出し、Ｃｕ配線上に無電解めっき膜を形成する。加熱されたＣｕ配線上では無電解めっき膜の形成が進行し、Ｃｕ配線上以外の部分では無電解めっき膜の形成は抑制される。その結果、無電解めっき膜のＣｕ配線上への選択析出性を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】無機薄膜を密着信頼性及びパターン精度高くポリイミド樹脂基材の表面に形成することができるポリイミド樹脂基材の無機薄膜パターン形成方法を提供する。
【解決手段】ポリイミド樹脂基材１の表面に、所定のパターン形状のマイクロ流路溝２を有するマスク材３を密着させてマイクロ流路４を形成する（１）工程。マイクロ流路４内にアルカリ溶液５を供給して、ポリイミド樹脂のイミド環を開裂させてカルボキシル基を生成させた改質層６を形成する（２）工程。マイクロ流路４内に金属イオン含有溶液７を供給して、改質層６に金属イオン含有溶液７を接触させてカルボキシル基の金属塩を生成させる（３）工程。マイクロ流路４内に還元溶液、還元ガス、不活性ガス、又は活性ガスを供給して、前記金属塩を金属として、もしくは金属酸化物あるいは半導体として、析出させて無機薄膜９を形成する（４）工程。これらの工程から無機薄膜パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】 無電解めっき方法を可能にするための触媒層を、パラジウムを用いることなく、安価で、簡易な工程により形成することができる。
【解決手段】 錫化合物を含む錫化合物水溶液に基材を接触させる錫処理工程と、錫処理工程の後、銅化合物を含む銅化合物水溶液に基材１を接触させる銅処理工程と、銅処理工程の後、基材１を希硫酸に接触させる希硫酸処理工程と、希硫酸処理工程の後、基材１を銅めっき液に接触させて銅めっき膜２を形成するめっき処理工程と、めっき処理工程の後、基材１を、実質的に酸素および水素を含まない雰囲気内において加熱する熱処理工程とを有する。 （もっと読む）

【解決手段】パラジウム化合物と、錯化剤としてアンモニア及びアミン化合物から選ばれる少なくとも１種と、還元剤として次亜リン酸及び次亜リン酸塩から選ばれる少なくとも１種と、不飽和カルボン酸、不飽和カルボン酸無水物、不飽和カルボン酸塩及び不飽和カルボン酸誘導体から選ばれる不飽和カルボン酸化合物を少なくとも１種とを含有する無電解パラジウムめっき浴。
【効果】本発明の無電解パラジウムめっき浴は、浴安定性が高く、浴の分解が起こりにくく、従来の無電解パラジウムめっき浴に比べて浴寿命が長い。しかも、長時間使用してもめっき皮膜特性への影響もなく、優れたはんだ接合特性及びワイヤボンディング特性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 樹脂との密着性のよいめっき皮膜を得ることができる無電解めっき前処理剤を提供する。
【解決手段】 また本発明に係る無電解めっき前処理剤は、次の化学構造式で示されるＳ−アルキル置換されたトリアジンチオール誘導体からなる。
【化６】


ただし、Ｒ₁は、Ｈ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋなどの１価の元素、Ｒ₂は、Ｈ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋなどの１価の元素もしくはアルキル基、Ｒ₃はアルキル基を示す。 （もっと読む）

【課題】無電解めっき技術を使用した回路パターン形成方法を提供する。
【解決手段】親水性を有する部分と撥水性を有する部分の両者でパターンが形成された基板を、チオール化合物と貴金属微粒子を含有する触媒化液に浸漬して上記基板の親水性を有する部分又は撥水性を有する部分のいずれか一方に前記貴金属微粒子を選択的に吸着させることにより無電解めっきの触媒となし、次いで該基板上にめっき法によるパターン回路を形成させる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】高精度で微細なパターンを形成し、メッキ析出膜とベースパターンとの密着性に優れ、実用に耐えうる機械的強度を備えた回路基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１１と、基板１１上に選択的に形成され、金属微粒子１４を含有した非導電性の樹脂層１２と、樹脂層１２上に、樹脂層１２から露出する金属微粒子１４と接触させて形成された導電金属層１３とを具備し、樹脂層１２と導電金属層１３との界面における樹脂層１２の凹凸は、樹脂層１２の断面の粗さ曲線において、粗さ成分とうねり成分との境界の波長（λｃ）が１μｍの場合に、基準長さ（ｌｒ）１μｍ当りの最大高さ（Ｒｚ）を２０ｎｍ≦Ｒｚ≦５００ｎｍの範囲とする。 （もっと読む）

【課題】 特に、従来に比べて、基板と金属膜間の密着性を向上させることが可能な金属膜を有する基板およびその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 基板１と金属膜５との間に単分子膜２が形成され、このとき、単分子膜２が基板１にシロキサン結合を介して強固に結合するとともに、金属との親和力の強いピロリル基と前記金属膜５とが結合することで、基板１と金属膜５間の密着性が従来に比べて優れたものとなる。本実施の形態では、従来のように、基板１の表面に凹凸加工がなされていないため、例えば配線パターンに加工された前記金属膜５は、所望の形状に、高精度に、微細加工されたものになっている。 （もっと読む）