【課題】亜臨界流体又は超臨界流体を使用し、半導体層の表面に形成された絶縁膜上に誘導共析現象を利用して短時間で均一な金属被膜を無電解めっきで得られるようにした無電解めっき方法を提供すること。
【解決手段】金属基体試料２２の表面に無電解めっきする際に、無電解めっき液１９中に金属粉末を分散させた状態で超臨界流体ないしは亜臨界流体を使用して無電解めっきを行う。そうすると、誘導共析現象を利用して短時間で均質な厚いめっき層が得られる。本発明の無電解めっき方法では、金属粉末として平均粒径は１ｎｍ以上１００μｍ以下のものを使用でき、半導体素子内の微細金属配線形成方法であるダマシン法ないしデュアルダマシン法にも適用可能である。 （もっと読む）

【課題】還元剤として有毒なホルムアルデヒドを含まず、環境にやさしくかつ均一な銅堆積物をもたらす無電解メッキ用銅組成物の提供。
【解決手段】一以上の銅イオン源と、ヒダントインおよびヒダントイン誘導体から選択される一以上のキレート化剤と、フルクトースおよびフルクトースエステルから選択される一以上の還元剤とを含む無電解銅メッキ組成物、および、該銅無電解メッキ組成物を用いる複数のスルーホールを含むプリント配線板の無電解銅メッキ方法。 （もっと読む）

本発明は、０．０１〜２０ｇ／Ｌの銀イオンまたは銀錯体イオン、０．１〜１５０ｇ／Ｌのアミン錯化剤、０．１〜１５０ｇ／Ｌのアミノ酸錯化剤、および０．１〜１５０ｇ／Ｌのポリヒドロキシ酸錯化剤を含む弱アルカリ性の化学銀めっき溶液に関する。本発明において提供する弱アルカリ性の化学銀めっき溶液は、国内および国外の両方で現在一般的に用いられている酸性の化学銀めっきプロセスに存在する欠点を克服することが出来る。これらの欠点としては、銅ワイヤの消耗および腐食、側面の腐食、ブラインドホール内に銀めっきをすることの困難性、はんだボールの孔隙および溶接の低い強度が挙げられる。前記銀めっき溶液によってめっきされた銀層は、高い腐食耐性、低い接触抵抗、エレクトロマイグレーションが無いこと、高い溶接強度などの特性を有し、めっき片が溶接された場合に、はんだ中に気泡が発生しない。
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【課題】めっき層の形成速度を著しく向上させることができると共に、被めっき材のめっき領域のみに、ムラなく、均一に精度よくめっき層を選択的に形成することができる無電解めっき方法を提供する。
【解決手段】被めっき材の非めっき領域に有機錯化剤を付着させ、前記被めっき材に無電解めっき処理を施すことにより前記被めっき材のめっき領域にめっき層を選択的に形成する。 （もっと読む）

【課題】銅を浸食（アタック）せずにパラジウム、スズ、銀、パラジウム合金、銀合金及びスズ合金等の除去性が高く、有害物質を含まないため取り扱い容易なパラジウム、スズ、銀、パラジウム合金、銀合金及びスズ合金を選択的に除去できる金属除去液及びこれを用いた除去方法を提供する。
【解決手段】本発明の金属除去液は、パラジウム、スズ、銀、パラジウム合金、銀合金及びスズ合金を除去する溶液であって、前記金属除去液には鎖状チオカルボニル化合物を含む。本発明のパラジウム、スズ、銀、パラジウム合金、銀合金及びスズ合金の除去方法は、鎖状チオカルボニル化合物を含む金属除去液を使用して、銅又は銅合金と、パラジウム、スズ、銀、パラジウム合金、銀合金及びスズ合金から選ばれる少なくとも１つの金属を含む系から銅又は銅合金以外の金属を選択的に除去する。 （もっと読む）

【課題】温・湿度依存性の低い金属膜付基板、及びその作製方法を提供すること。温・湿度依存性の低く、金属パターンの非形成領域の絶縁信頼性に優れた金属パターン材料、及びその作製方法を提供すること。
【解決手段】（ａ１）基板上に、めっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する多座配位可能な非解離性官能基を有し、且つ、該基板と直接化学結合したポリマーからなるポリマー層を形成する工程と、（ａ２）該ポリマー層に多座配位可能なめっき触媒又はその前駆体を付与する工程と、（ａ３）該多座配位可能なめっき触媒又はその前駆体に対してめっきを行う工程と、を有することを特徴とする金属膜付基板の作製方法等である。 （もっと読む）

【課題】無電解ニッケルめっきの異常析出を十分に抑制することにより、絶縁信頼性に優れ、ワイヤボンディング性及びはんだ接続信頼性に十分優れた半導体チップ搭載用基板および前処理液を提供する。
【解決手段】半導体チップ搭載用基板１０は、基板２０と、基板２０の第１の主面上に設けられたワイヤボンディング用接続端子１と、基板の第１の主面とは反対側の第２の主面上に設けられたはんだ接続用端子１２と、第１の主面上に設けられワイヤボンディング用接続端子１から延びている接続配線１４とを備え、端子１、１２は、金属の表面を被覆する無電解ニッケルめっき皮膜を有し、接続配線１４は必要に応じて配線の表面を被覆する無電解ニッケルめっき皮膜を有する。端子１、１２及び必要に応じて接続配線１４は、金属端子及び／又は金属配線の表面を被覆するように０．８μｍ以上の厚みを有する無電解ニッケルめっき皮膜が選択的に形成されている。 （もっと読む）

【課題】無電解めっき浴の強アルカリ性への耐性が付与された、基材との密着性に優れ、かつ良好な導電性を有する導電性膜の形成方法を提供することにある。
また、本発明の目的は、前記導電性膜の形成方法を用いて形成された導電性膜を提供することにある。
【解決手段】ガラス基材上に、前記ガラス基材と直接化学結合可能な部位を有するラジカル重合開始剤を前記ガラス基材に結合させる工程と、分子内にラジカル重合可能な不飽和部位と無電解めっき触媒を吸着しうる部位とを有するポリマーを接触し、３２０ｎｍ〜７００ｎｍの波長の光により露光を行う工程と、無電解めっき触媒となる金属イオンを吸着させ、該触媒金属イオンを還元して薄膜を形成した後、無電解めっき処理を行う工程と、を有することを特徴とする導電性膜の形成方法、それを用いた形成された導電性膜。 （もっと読む）

【課題】無電解ニッケルめっきの未析出や金属導体配線以外への異常析出の発生を防止できる無電解ニッケルめっき方法を提供する。
【解決手段】金属導体配線を形成した被めっき物の金属導体部分にのみ選択的に無電解ニッケルめっき処理を施す無電解ニッケルめっき方法において、該被めっき物にパラジウム触媒付与を行った後、硫酸水素塩および金属塩化物を含む液で処理してから無電解ニッケルめっき処理を行うことを特徴とする無電解ニッケルめっき方法。 （もっと読む）

【課題】プリント配線板の製造等に好適に用いることができるめっき用材料であり、該材料表面の表面粗度が小さい場合にも、該表面に形成した無電解めっき皮膜との接着性に優れた無電解めっき用材料と溶液、それを用いてなるプリント配線板を提供する。
【解決手段】無電解めっきを施すための表面ａを有する無電解めっき用材料であって、表面ａの表面粗度は、カットオフ値０．００２ｍｍで測定した算術平均粗さで０．５μｍ以下となっており、かつ、脂環構造を有するポリイミド樹脂を含有することを特徴とする無電解めっき用材料によって上記課題を解決しうる。 （もっと読む）

【課題】析出速度と浴安定性を兼ね備えた無電解銅めっき浴を簡便に提供することのできる無電解銅めっき浴用反応促進剤を提供すること。
【解決手段】 以下の式（Ｉ）、
【化１】


（式中、ＲおよびＲ’はそれぞれ独立して水素または炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｘ⁻は対アニオンを示す）
で表される構造単位を有するジアリルアミン系重合物を含有することを特徴とする無電解銅めっき浴用反応促進剤。 （もっと読む）

【課題】ガラスなどの酸化ケイ素系基板上へ無電解めっき法を用いて導電性パターンを形成するのに好適な新規疎水性ポリマー、それを用いた、基材上に密着性に優れた導電膜を有する積層体、その形成方法、該導電膜を配線として有するプリント配線基板、薄層トランジスタ及びこれらを備えた装置を提供する。
【解決手段】ラジカル重合可能な不飽和性部位と、無電解めっきの触媒を吸着する部位とを有する疎水性ポリマーであって、該ラジカル重合可能な不飽和性部位と該無電解めっきの触媒を吸着する部位の構成比が、６０：４０〜３０：７０である疎水性ポリマー。このポリマーを重合開始層に結合させてグラフトポリマー層を形成し、そこに無電解めっき触媒を付与し、無電解めっきを行うことで、表面に導電性膜が形成された積層体を得る。 （もっと読む）

【課題】電解めっき工程の生産性を向上させた配線板の製造方法を提供する。また、金属薄膜と絶縁性基板との密着性が高い配線を有する配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性基板上に金属薄膜を形成して配線基板１０２とし、該配線基板１０２の金属薄膜２上に電解めっき法によってめっき膜を形成する配線板の製造方法である。めっき膜を形成する工程は、めっき液９に浸漬させていない状態の配線基板１０２の金属薄膜２とめっき液９に浸漬した状態のダミーカソード６を電気的に並列接続し、金属薄膜２とダミーカソード６に電圧が印加された状態を準備する準備工程と、配線基板１０２をめっき液９に浸漬して、配線基板１０２の金属薄膜２に電解めっきを行う電解めっき工程とからなる。 （もっと読む）

【課題】微細パターンの金属層が精度良く形成されためっき基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明にかかるめっき基板１００の製造方法は、無電解めっき法により金属層３３を形成するめっき基板の製造方法であって、基板１０上に所定パターンの樹脂成形体２２を形成する工程と、樹脂成形体の上に触媒層３１を形成する工程と、無電解めっき液に基板を浸漬することにより、触媒層上に金属を析出させて金属層３３を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ポリイミド樹脂表面に密着性が良好なＮｉ薄膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】ポリイミド樹脂をアルカリ溶液で処理して表面に改質層を形成する改質工程；前記ポリイミド樹脂をＮｉイオン含有溶液で処理して、該Ｎｉイオンを改質層に吸着させる吸着工程；および前記Ｎｉイオンを改質層に吸着させたポリイミド樹脂Ａをジメチルアミンボラン還元溶液で処理して、前記Ｎｉイオンを還元する還元工程；を含んでなり、改質層に吸着したときにジメチルアミンボラン還元溶液で還元され得る金属イオン（Ｍイオン）を改質層に吸着させた樹脂Ｂを、ポリイミド樹脂Ａの還元処理に先だってまたは同時に、ジメチルアミンボラン還元溶液と接触させることを特徴とするＮｉ薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 シランカップリング剤の残存及び除去不足を排除して、シランカップリング剤を用いた各種基板へのめっき不具合を解消する。
【解決手段】 水と有機溶剤の混合溶液に浸漬して、シランカップリング剤を分解、除去した後めっきする。シランカップリング剤は、加水分解し易い性質を持ち、且つ加水分解すると溶解しやすくなるので、水で分解させ、有機溶剤に溶解させることとした。これによって、どのようなシランカップリング剤でも除去可能となる。 （もっと読む）

【課題】回路形成後、触媒除去液を作用させなくとも、回路間におけるめっき層の析出を抑制な回路形成用基材を提供する。
【解決手段】基材の少なくとも一方表面に、無電解金属めっき層と、電解金属めっき層とがこの順で積層されており、基材表面における親水基の量を５〜３０ｎｍｏｌ／ｃｍ^２の範囲内とし、基材表面に付与されている金属パラジウムの量を１〜３ｎｍｏｌ／ｃｍ^２の範囲内とした回路形成用基材とする。 （もっと読む）

【課題】めっき製品の品質向上を目的とする。特に、ファインピッチ配線基板の製造において、工程数とコストを削減しつつ、微細配線の形成を可能とする。
【解決手段】基材に対するオゾン処理、オゾン水処理、紫外線処理、プラズマ処理、コロナ放電処理から選択される１種以上の表面処理を行なう前処理工程と、めっき工程と、マイクロポーラスめっき及び／又はマイクロクラックめっきを行なうめっき工程とを含むことを特徴とするめっき処理方法。 （もっと読む）

【課題】エラストマー材料からなる基体の表面に、密着性の高い金属パターンが比較的簡単な工程で精度よく形成された表面実装用部品を提供する。
【解決手段】表面実装用部品１は、基体３と、基体３の表面に形成されたパターン５とを備えている。基体３は、導電性を有するエラストマー材料によって形成されたもので、導電性を有するエラストマー材料としては、シリコーン系エラストマーをベースにして導電材として機能する銀フィラーを配合してなる材料が利用されている。パターン５は、銅によって形成されたもので、パラジウム化合物を含有する触媒成分含有液を用いて、パターン５に相当する形状の印刷を基体３の表面に施すとともに、当該印刷が施された箇所に銅を含有する金属成分含有液を接触させて、無電解めっき法にて銅を析出させることによって形成されている。 （もっと読む）

次世代溶媒流体中のタンタル金属膜を例えば金属シード層として有用な基板上および/または沈着表面上に沈着させるための方法と装置が開示される。沈着は、混合前駆体溶液の液体状態、近臨界状態、または超臨界状態での液体および/または圧縮性溶媒流体中の低原子価かつ酸化状態の金属前駆体を必要とする。金属膜の沈着は、熱的活性化および/または光分解的活性化を介して達成される。本発明は、半導体、金属、ポリマー、セラミック、並びに同様の基板または複合物の製造および加工に応用される。

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