銅表面の前処理方法及びこの方法を用いた配線基板
【課題】銅表面の無光沢化および銅表面とレジストの密着力を確保し、現像あるいはレジスト剥離の際、銅表面にレジストが残らないことを可能とした銅表面の前処理方法及び配線基板を提供する。
【解決手段】銅表面にレジストまたはカバーレイを形成する際の前処理方法であって、銅表面に銅よりも貴な金属を離散的に形成する工程、その後、前記銅表面を酸化処理する工程を有する銅表面の前処理方法。
【解決手段】銅表面にレジストまたはカバーレイを形成する際の前処理方法であって、銅表面に銅よりも貴な金属を離散的に形成する工程、その後、前記銅表面を酸化処理する工程を有する銅表面の前処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、銅表面の前処理方法及びこの方法を用いた配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の情報化社会の発展は目覚しく、民生機器ではパソコン、携帯電話などの小型化、軽量化、高性能化、高機能化が進められ、産業用機器としては無線基地局、光通信装置、サーバ、ルータなどのネットワーク関連機器など、大型、小型を問わず、同じように機能の向上が求められている。また、情報伝達量の増加に伴い、年々扱う信号の高周波化が進む傾向にあり、高速処理および高速伝送技術の開発が進められている。実装関係についてみると、ＣＰＵ、ＤＳＰや各種のメモリなどのＬＳＩの高速化、高機能化と共に、新たな高密度実装技術としてシステムオンチップ（ＳｏＣ）、システムインパッケージ（ＳｉＰ）などの開発が盛んに行われている。そして、微小な実装エリアに複数の半導体チップを搭載するため、Ｌ／Ｓ＝３０μｍ／３０μｍ以下の微細配線を形成した半導体チップ搭載基板が使用されるようになってきた。
【０００３】
微細配線を形成する半導体チップ搭載基板は、サブトラクティブ法、あるいはセミアディティブ法により行われている。
【０００４】
サブトラクティブ法による一般的な配線形成工程は、銅表面にエッチングレジストを形成し、その後、露光、現像を行い、レジストパターンを形成する。次に、不要な銅をエッチングし、レジスト剥離を行うことにより配線を形成する。
【０００５】
セミアディティブ法による一般的な配線形成工程は、銅（シード層）表面にめっきレジストを形成し、その後、露光、現像を行い、レジストパターンを形成する。次に、電気めっき、レジスト剥離及びエッチングを行うことにより配線を形成する。
【０００６】
また、これらの配線形成後に、外部接続端子や半導体チップ接続端子等以外の配線を保護するために、配線上にソルダーレジストやカバーレイを形成することもできる。
【０００７】
これらの方法により、Ｌ／Ｓ幅の設計値に対する微細配線の形成率を上げるためには、レジストパターンを設計通りに形成することが必要である。しかし、Ｌ／Ｓ＝３０μｍ／３０μｍ以下の微細配線形成においては、露光の際、光沢性のある銅表面では、光の反射によるハレーションの影響により、レジストパターンの精度が得られにくい問題がある。
また、特に、サブトラクティブ法ではエッチングの際に、銅表面とレジストパターンとの密着力が低下し、レジストパターンが剥がれる問題がある。一方、配線／ソルダーレジスト間や配線／カバーレイ間では、配線が微細になるに従い、十分な接着性が得られないという問題がある。
【０００８】
上記に示した問題を解決するためには、銅表面の無光沢化および銅表面とレジストの密着力の強化が重要である。これらを実現するために、従来の方法として、下記に示した銅表面処理方法が行われてきた。
【０００９】
つまり、銅表面にミクロンオーダーの粗化形状を付与して銅表面を無光沢化し、アンカー効果によって銅表面とレジストとの接着力を得る方法である。例えば、無機酸および銅の酸化剤を含む主剤と、少なくとも一種のアゾール類および少なくとも一種のエッチング抑制剤を含む助剤とを含む水溶液を用いて、銅表面に高さ２〜３μｍの連続的な凹凸粗化形状を付与する方法がある（特許文献１参照）。
【００１０】
また、銅表面に微細な酸化銅の針状結晶を付与して銅表面を無光沢化し、アンカー効果によって銅表面とレジストとの接着力を得る方法がある。例えば、亜塩素酸ナトリウムなどの酸化剤を含有するアルカリ性水溶液を用いて、８０℃前後で浸漬することにより、微細な酸化銅の針状結晶を付与する方法である（特許文献２参照）。
【００１１】
その他、銅表面に微細な金属銅の針状結晶を付与して銅表面を無光沢化し、アンカー効果によって銅表面とレジストとの接着力を得る方法がある。例えば、亜塩素酸ナトリウムなどの酸化剤を含有するアルカリ性水溶液を用いて、８０℃前後で浸漬することにより酸化銅の微細な針状結晶を付与し、更にはその後アミンボラン類の少なくとも一種類とホウ素系薬品を混合した酸性溶液により還元処理を施すことにより、微細な金属銅の針状結晶を付与する方法である（特許文献３参照）。
【００１２】
【特許文献１】特開２０００−２８２２６５号公報
【特許文献２】特公平７−１３３０４号公報
【特許文献３】特許第２６５６６２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
前述の特許文献１に示すように、銅表面に高さ２〜３μｍの連続的な凹凸粗化形状を形成し、銅表面とレジストとの密着力を向上させる第１の従来技術は、アンカー効果によって密着力を確保していた。
しかし、サブトラクティブ法による微細配線形成においては、ライン／スペースが狭く且つレジストと密着している銅界面の凹凸が１μｍを超す粗化形状になると、現像の際、エッチングレジストを銅表面から完全に除去することが困難であるため、その後のエッチング処理時に、銅配線間に短絡が発生する問題がある。また、レジスト剥離の際、同様にエッチングレジストを銅表面から完全に除去することが困難なため、その後の配線／絶縁樹脂あるいはソルダーレジスト間の密着性が得られない問題がある。その他、外部接続端子等の金めっき処理時に、めっきの未析出あるいはめっきムラが発生する問題がある。更に、銅配線表面の凹凸が１μｍを超す粗化形状のため、このような銅配線に高速の電気信号を流すと、表皮効果により電気信号は配線の表面付近に集中して流れるようになるため、伝送損失が大きくなるという問題がある。
【００１４】
また、セミアディティブ法による微細配線形成においては、銅のシード層膜厚が薄く、特にスパッタリングにより形成された銅のシード層の膜厚は０．１μｍ〜１．０μｍであるために、このような銅表面には凹凸形成をすることができない問題がある。
【００１５】
前述の特許文献２及び３に示すように、配線表面に高さ１．０μｍ未満の微細な酸化銅の針状結晶あるいは金属銅の針状結晶を付与し、銅表面とレジストとの接着強度を向上させる第２、第３の従来技術も、第１の従来技術と同様にアンカー効果によって密着力を確保していた。
しかし、サブトラクティブ法による微細配線形成においては、レジストと密着している銅界面の凹凸が針状形状になると、前述と同様にレジスト残りによる、銅配線間に短絡が発生する問題、配線／絶縁樹脂あるいはソルダーレジスト間の密着性が得られない問題、金めっきの未析出あるいは金めっきムラが発生する問題がある。
【００１６】
また、セミアディティブ法による微細配線形成においては、スパッタリング等により形成された銅のシード層上に凹凸形成することは可能である。しかし、前述と同様にレジストを銅表面から完全に除去することができないため、シード層／配線間の接続信頼性が得られない問題、銅配線間に短絡が発生する問題、配線／絶縁樹脂あるいはソルダーレジスト間の密着性が得られない問題、金めっきの未析出あるいは金めっきムラが発生する問題がある。
【００１７】
本発明の目的は、上記従来技術の問題点を改善するためになされたものであり、銅表面の無光沢化および銅表面とレジストの密着力を確保し、現像あるいはレジスト剥離の際、銅表面にレジストが残らないことを可能とした銅表面の前処理方法及びこの方法を用いた配線基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記目的を達成するために、本発明は、銅表面上に銅よりも貴な金属を離散的に形成し、その後、酸化処理することにより緻密且つ均一な微細凹凸を形成することによって、銅表面を無光沢化し、その上にレジスト形成することを基本とし、次のように構成される。
１．銅表面にレジストまたはカバーレイを形成する際の前処理方法であって、銅表面に銅よりも貴な金属を離散的に形成する工程、その後、前記銅表面に酸化剤を含むアルカリ性水溶液で酸化処理する工程を有することを特徴とする銅表面の前処理方法。
２．前記酸化処理する工程後に、還元処理、カップリング処理及び腐食抑制処理から選択される工程を有することを特徴とする１に記載の銅表面の前処理方法。
３．前記酸化剤を含むアルカリ性水溶液で酸化処理する工程は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含むアルカリ性水溶液に、酸化剤として、塩素酸塩、亜塩素酸塩、次亜塩素酸塩、過塩素酸塩およびペルオキソ二硫酸塩から選択される塩を少なくとも１つ以上含むアルカリ性水溶液で処理することを特徴とする１または２に記載の銅表面の前処理方法。
４．前記銅よりも貴な金属は、金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、レニウム、ルテニウム、オスミウム及びイリジウムから選択される金属、または前記金属を含む合金であることを特徴とする１〜３のいずれかに記載の銅表面の前処理方法。
５．前記銅よりも貴な金属を離散的に形成する工程は、前記銅よりも貴な金属が前記銅の表面に０．００１μｍｏｌ／ｄｍ２以上かつ４０μｍｏｌ／ｄｍ２以下となるように離散的に形成することを特徴とする１〜４のいずれかに記載の銅表面の前処理方法。
６．前記銅表面の前処理方法によって生じる表面粗さは、Ｒｚで１ｎｍ以上かつ１０００ｎｍ以下であることを特徴とする１〜５に記載の銅表面の前処理方法。
７．銅表面に銅よりも貴な金属を離散的に形成し、その後、前記銅表面に酸化剤を含むアルカリ性水溶液で酸化処理を行い、さらにその後、レジスト形成することにより得られる配線基板。
８．前記酸化処理の後、さらに、還元処理、カップリング処理及び腐食抑制処理から選択される処理を行うことにより得られる７に記載の配線基板。
９．前記酸化剤を含むアルカリ性水溶液による酸化処理は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含むアルカリ性水溶液に、酸化剤として、塩素酸塩、亜塩素酸塩、次亜塩素酸塩、過塩素酸塩およびペルオキソ二硫酸塩から選択される塩を少なくとも１つ以上含むアルカリ性水溶液で処理することを特徴とする７または８に記載の配線基板。
１０．前記銅よりも貴な金属は、金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、レニウム、ルテニウム、オスミウム及びイリジウムから選択される金属、または前記金属を含む合金であることを特徴とする７〜９のいずれかに記載の配線基板。
１１．前記銅よりも貴な金属が、前記銅の表面に０．００１μｍｏｌ／ｄｍ２以上かつ４０μｍｏｌ／ｄｍ２以下となるように離散的に形成された７〜１０のいずれかに記載の多層配線基板
１２．前記銅の表面処理後の表面粗さは、Ｒｚで１ｎｍ以上かつ１０００ｎｍ以下であることを特徴とする７〜１１に記載の配線基板。
【発明の効果】
【００１９】
銅表面の無光沢化および銅表面とレジストの密着力を確保し、現像あるいはレジスト剥離の際、銅表面にレジストが残らないことを可能とした銅表面の前処理方法及びこの方法を用いた配線基板を提供することが可能となった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を用いて本発明の実施の形態を説明する。ここでは、本発明の銅表面の前処理方法を説明する。さらに、この方法を用いた配線基板の適用例として、半導体チップ搭載基板を一例として説明するが、その他の多層配線基板、半導体パッケージにも同様に適用することができる。
【００２１】
（銅表面の凹凸形成法）
銅表面に銅よりも貴な金属を離散的に形成し、その後酸化処理を行うことで銅表面に緻密且つ均一な酸化銅の結晶による微細凹凸を形成できる。さらに酸化処理後に、還元処理を行うことで、緻密且つ均一な金属銅の結晶による微細凹凸を形成できる。さらに還元処理後、カップリング処理、腐食抑制処理の少なくとも１つ以上の処理を行うこともできる。酸化処理後、あるいは還元処理後、あるいはカップリング処理、腐食抑制処理後、これらの銅の表面処理によって生じる銅表面の粗さは、Ｒｚ（十点平均粗さ）で１ｎｍ以上かつ１，０００ｎｍ以下であることが好ましい。また、Ｒｚで１ｎｍ以上かつ１００ｎｍ以下であることがより好ましく、１ｎｍ以上かつ５０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。Ｒｚが１ｎｍ未満では、レジストとの密着力の低下や露光時の銅表面での光の反射により、配線形成率は悪化する傾向があり、Ｒｚが１，０００ｎｍを超えると現像の際、レジストを銅表面から完全に除去することが困難であるため、その後のエッチング処理時に、銅配線間に短絡が発生する傾向がある。また、レジスト剥離の際、同様にレジストを銅表面から完全に除去することが困難なため、その後の配線／絶縁樹脂あるいはソルダーレジスト間の密着性が得られない傾向がある。その他、外部接続端子等の金めっき処理時に、めっきの未析出あるいはめっきムラが発生する傾向がある。更に、銅配線表面の凹凸が１μｍを超す粗化形状のため、このような銅配線に高速の電気信号を流すと、表皮効果により電気信号は配線の表面付近に集中して流れるようになるため、伝送損失が大きくなるという従来技術の問題点が発生しやすくなる傾向がある。
【００２２】
（銅よりも貴な金属形成法）
銅より貴な金属を離散的に銅表面へ形成する量は、０．００１μｍｏｌ／ｄｍ２以上かつ４０μｍｏｌ／ｄｍ２以下であることが好ましい。また、形成量は０．０１μｍｏｌ／ｄｍ２以上かつ１０μｍｏｌ／ｄｍ２以下であることがより好ましく、０．１μｍｏｌ／ｄｍ２以上かつ４μｍｏｌ／ｄｍ２以下であることがさらに好ましい。形成量が０．００１μｍｏｌ／ｄｍ２未満では、緻密且つ均一な微細凹凸を形成することが困難になる傾向があり、４０μｍｏｌ／ｄｍ２を超えると密着力が低下し配線形成率は悪化する傾向がある。
銅より貴な金属としては、金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、レニウム、ルテニウム、オスミウム及びイリジウムから選択される金属、又はこれらの金属を含む合金から選ばれる金属を用いることができる。また、銅よりも貴な金属を離散的に銅表面に形成する方法は、無電解めっき、電気めっき、置換めっき、スプレー噴霧、塗布、スパッタリング又は蒸着等により、下地の銅表面が完全に銅よりも貴な金属で覆われることなく、銅表面に均一に分散して存在していることが好ましい。更に好ましい方法としては、金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、レニウム、ルテニウム、オスミウム及びイリジウムから選択される金属、又はこれらの金属を含む合金を置換めっきで形成する方法である。また、銅より貴な金属を離散的に銅表面に形成した量は、王水によって、貴な金属を溶解させた後、その溶解液を原子吸光光度計で定量分析を行うことにより、単位面積あたりの貴な金属量を求めることができる。
【００２３】
（酸化処理方法）
酸化処理方法としては、処理液として酸化剤を含むアルカリ性水溶液を用いる方法がある。
【００２４】
本発明に用いる酸化剤を含むアルカリ性水溶液としては、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含むアルカリ性水溶液に、酸化剤として、塩素酸塩、亜塩素酸塩、次亜塩素酸塩、過塩素酸塩およびペルオキソ二硫酸塩を少なくとも１つ以上含んでいるアルカリ性水溶液を用いることができる。さらに、酸化剤を含むアルカリ性水溶液は、リン酸塩を含むアルカリ性水溶液であることが好ましい。
ここでいうリン酸塩を具体的にあげると、りん酸三ナトリウム、りん酸三カリウム及びりん酸三リチウム等がある。また、ここでいうアルカリ金属又はアルカリ土類金属はこれらを含む化合物であってもよく、アルカリ金属を含む化合物またはアルカリ土類金属を含む化合物を具体的にあげると、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム及び炭酸ナトリウムがある。さらに、ここでいう酸化剤を具体的にあげると、次亜塩素酸ナトリウム、亜塩素酸ナトリウム、塩素酸ナトリウム、過塩素酸ナトリウム、次亜塩素酸カリウム、亜塩素酸カリウム、塩素酸カリウム、過塩素酸カリウム、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸カリウム及びペルオキソ二硫酸ナトリウム等がある。
【００２５】
これらの酸化剤を含むアルカリ性水溶液により、銅表面に酸化銅の結晶による凹凸を形成することができる。酸化銅の結晶量は、０．００１ｍｇ／ｃｍ２以上かつ０．３ｍｇ／ｃｍ２以下であることが好ましい。また、酸化銅結晶量は、０．０１ｍｇ／ｃｍ２以上かつ０．２ｍｇ／ｃｍ２下であることがより好ましく、０．０３ｍｇ／ｃｍ２上かつ０．１ｍｇ／ｃｍ２以下であることが更に好ましい。酸化銅結晶量が０．００１ｍｇ／ｃｍ２未満では、レジストとの密着力の低下や露光時の銅表面での光の反射により、配線形成率は悪化する傾向があり、０．３ｍｇ／ｃｍ２を超えると現像の際、レジストを銅表面から完全に除去することが困難であるため、その後のエッチング処理時に、銅配線間に短絡が発生する傾向がある。また、レジスト剥離の際、同様にレジストを銅表面から完全に除去することが困難なため、その後の配線／絶縁樹脂あるいはソルダーレジスト間の密着性が得られない傾向がある。その他、外部接続端子等の金めっき処理時に、めっきの未析出あるいはめっきムラが発生する傾向がある。更に、銅配線表面の凹凸が１μｍを超す粗化形状のため、このような銅配線に高速の電気信号を流すと、表皮効果により電気信号は配線の表面付近に集中して流れるようになるため、伝送損失が大きくなるという従来技術の問題点が発生しやすくなる傾向がある。
【００２６】
銅表面に形成した酸化銅結晶量は、電解還元量を測定することにより調べることができる。例えば、酸化処理を施した銅を作用極(陰極)として、０．５ｍＡ／ｃｍ２の一定の電気量を通電し、銅の表面電位が酸化銅の電位から金属銅の電位に完全に変化するまで、即ち−１．０Ｖを超えて安定な電位になるまでの時間を測定し、その電解還元量から酸化銅結晶量を求めることができる。これらの酸化剤を含むアルカリ性水溶液の処理温度については、２０〜９５℃で行うことが好ましい。さらには３０〜８０℃で行うことがより好ましく、４０〜６０℃で行うことが特に好ましい。これらの処理液の濃度および処理時間については、酸化銅の結晶量で０．００１ｍｇ／ｃｍ２以上かつ０．３ｍｇ／ｃｍ２以下となるように適宜条件を選択して用いることが好ましい。さらに酸化銅結晶量で０．０１ｍｇ／ｃｍ２以上かつ０．２ｍｇ／ｃｍ２以下がより好ましく、０．０３ｍｇ／ｃｍ２以上かつ０．１ｍｇ／ｃｍ２以下がさらに好ましい。
【００２７】
また、これらの処理の前処理として、銅表面の清浄化を行う脱脂処理、酸洗処理あるいはこれらを適宜組合わせて行っても良い。
【００２８】
（還元処理）
酸化処理により銅表面に形成された酸化銅の結晶による凹凸は、還元処理により金属銅の結晶による凹凸にすることができる。
還元処理を行う水溶液としては、ｐＨ９．０から１３．５に調整したアルカリ性水溶液を使用できる。この水溶液にはアルデヒド類、リン含有化合物又はホウ素含有化合物を含む。アルデヒド類としては、例えば、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド又は芳香族アルデヒド化合物が挙げられる。リン含有化合物としては、例えば、次亜リン酸および次亜リン酸塩が挙げられる。ホウ素含有化合物としては、例えば、ジメチルアミンボランおよび水素化ホウ素塩が挙げられる。処理方法としては、浸漬、スプレー噴霧又は塗布等の方法が挙げられる。
【００２９】
（カップリング処理）
カップリング剤を用いることによって、銅表面と絶縁層（ビルドアップ層等）との接着強度を向上できる。使用するカップリング剤としては、例えば、シラン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、チタン系カップリング剤、ジルコニウム系カップリング剤が挙げられ、中でもシラン系カップリング剤が好ましい。例えば、シラン系カップリング剤は、エポキシ基、アミノ基、メルカプト基、イミダゾール基、ビニル基、またはメタクリル基等の官能基を分子中に有していてもよい。これらのシラン系カップリング剤の少なくとも１種もしくは２種以上の混合物を含有する溶液を使用することができる。シラン系カップリング剤溶液の調整に使用される溶媒は、水、アルコール又はケトン類等を用いることが可能である。また、カップリング剤の加水分解を促進するために、少量の酢酸や塩酸等の酸を添加することもできる。前記カップリング剤の含有量は、溶液全体に対して、０．０１重量％〜５重量％が好ましく、０．１重量％〜１．０重量％がさらに好ましい。カップリング剤による処理としては、浸漬、スプレー噴霧又は塗布等の方法が挙げられる。前記のシラン系カップリング剤で処理した基板は、自然乾燥、加熱乾燥、または真空乾燥により乾燥を行うが、使用するカップリング剤の種類によって、乾燥前に水洗または超音波洗浄を行うことも可能である。
【００３０】
（腐食抑制処理）
腐食抑制処理に使用する腐食抑制剤は、Ｓ含有有機化合物またはＮ含有有機化合物を少なくとも１種以上含んでいるものであればよい。ここでいうＳ含有有機化合物とは、具体的には、メルカプト基、スルフィド基又はジスルフィド基等のイオウ原子を有する基を含有する有機化合物が挙げられる。また、Ｎ含有有機化合物とは、分子内に−Ｎ＝、Ｎ＝Ｎ及び−ＮＨ２から選択される窒素原子を有する基を含有する有機化合物が挙げられる。腐食抑制剤は、前記の酸性溶液、アルカリ性水溶液またはカップリング剤溶液に加えて用いることも可能である。また、カップリング剤を含む溶液による処理の前または後に、前記腐食抑制剤を含む溶液を用いて処理を行うことが可能である。処理方法としては、浸漬、スプレー噴霧又は塗布等の方法が挙げられる。
【００３１】
（Ｓ含有有機化合物）
Ｓ含有有機化合物は、上記の通り、メルカプト基、スルフィド基、又はジスルフィド基のようなイオウ原子を含有する化合物であって、例えば、脂肪族チオール（ＨＳ−（ＣＨ２）ｎ−Ｒ（但し、式中、ｎは１から２３までの整数、Ｒは一価の有機基、水素基またはハロゲン原子を表す）で表される構造を有し、Ｒはアミノ基、アミド基、カルボキシル基、カルボニル基、ヒドロキシル基のいずれかであることが好ましいが、これに限定したものではなく、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、アシルオキシ基、ハロアルキル基、ハロゲン原子、水素基、チオアルキル基、チオール基、置換されていても良いフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、複素環などが挙げられ、Ｒ中のアミノ基、アミド基、カルボキシル基、ヒドロキシル基は、１個あればよく、好ましくは１個以上、他に上記のアルキル基等の置換基を有していても良く、式中、ｎが１から２３までの整数で示される化合物を用いることが好ましく、さらに、ｎが４から１５までの整数で示される化合物がより好ましく、またさらに６から１２までの整数で示される化合物であることが特に好ましい。）、チアゾール誘導体（例えば、チアゾール、２−アミノチアゾール、２−アミノチアゾール−４−カルボン酸、アミノチオフェン、ベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾチアゾール、２−アミノベンゾチアゾール、２−アミノ−４−メチルベンゾチアゾール、２−ベンゾチアゾロール、２，３−ジヒドロイミダゾ〔２，１−ｂ〕ベンゾチアゾール−６−アミン、２−（２−アミノチアゾール−４−イル）−２−ヒドロキシイミノ酢酸エチル、２−メチルベンゾチアゾール、２−フェニルベンゾチアゾール、２−アミノ−４−メチルチアゾール等）、チアジアゾール誘導体（例えば、１，２，３−チアジアゾール、１，２，４−チアジアゾール、１，２，５−チアジアゾール、１，３，４−チアジアゾール、２−アミノ−５−エチル−１，３，４−チアジアゾール、５−アミノ−１，３，４−チアジアゾール−２−チオール、２，５−メルカプト−１，３，４−チアジアゾール、３−メチルメルカプト−５−メルカプト−１，２，４−チアジアゾール、２−アミノ−１，３，４−チアジアゾール、２−（エチルアミノ）−１，３，４−チアジアゾール、２−アミノ−５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール等）、メルカプト安息香酸、メルカプトナフトール、メルカプトフェノール、４−メルカプトビフェニル、メルカプト酢酸、メルカプトコハク酸、３−メルカプトプロピオン酸、チオウラシル、３−チオウラゾール、２−チオウラミル、４−チオウラミル、２−メルカプトキノリン、チオギ酸、１−チオクマリン、チオクモチアゾン、チオクレゾール、チオサリチル酸、チオチアヌル酸、チオナフトール、チオトレン、チオナフテン、チオナフテンカルボン酸、チオナフテンキノン、チオバルビツル酸、チオヒドロキノン、チオフェノール、チオフェン、チオフタリド、チオフテン、チオールチオン炭酸、チオルチドン、チオールヒスチジン、３−カルボキシプロピルジスルフィド、２−ヒドロキシエチルジスルフィド、２−アミノプロピオン酸、ジチオジグリコール酸、Ｄ−システイン、ジ−ｔ−ブチルジスルフィド、チオシアン、チオシアン酸等があげられる。
【００３２】
（Ｎ含有有機化合物）
Ｎ含有有機化合物は、上記の通り、分子内に−Ｎ＝、Ｎ＝Ｎ及び−ＮＨ２から選択される窒素原子を有する化合物であって、例えば、トリアゾール誘導体（例えば、１Ｈ−１，２，３−トリアゾール、２Ｈ−１，２，３−トリアゾール、１Ｈ−１，２，４−トリアゾール、４Ｈ−１，２，４−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、１−アミノベンゾトリアゾール、３−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、３−アミノ−１Ｈ−１，２，４−トリアゾール、３，５−ジアミノ−１，２，４−トリアゾール、３−オキシ−１，２，４−トリアゾール、アミノウラゾール等）、テトラゾール誘導体（例えば、テトラゾリル、テトラゾリルヒドラジン、１Ｈ−１，２，３，４−テトラゾール、２Ｈ−１，２，３，４−テトラゾール、５−アミノ−１Ｈ−テトラゾール、１−エチル−１，４−ジヒドロキシ５Ｈ−テトラゾール−５−オン、５−メルカプト−１−メチルテトラゾール、テトラゾールメルカプタン等）、オキサゾール誘導体（例えば、オキサゾール、オキサゾリル、オキサゾリン、ベンゾオキサゾール、３−アミノ−５−メチルイソオキサゾール、２−メルカプトベンゾオキサゾール、２−アミノオキサゾリン、２−アミノベンゾオキサゾール等）、オキサジアゾール誘導体（例えば、１，２，３−オキサジアゾール、１，２，４−オキサジアゾール、１，２，５−オキサジアゾール、１，３，４−オキサジアゾール、１，２，４−オキサジアゾロン−５、１，３，４−オキサジアゾロン−５等）、オキサトリアゾール誘導体（例えば、１，２，３，４−オキサトリアゾール、１，２，３，５−オキサトリアゾール等）、プリン誘導体（例えば、プリン、２−アミノ−６−ヒドロキシ−８−メルカプトプリン、２−アミノ−６−メチルメルカプトプリン、２−メルカプトアデニン、メルカプトヒポキサンチン、メルカプトプリン、尿酸、グアニン、アデニン、キサンチン、テオフィリン、テオブロミン、カフェイン等）、イミダゾール誘導体（例えば、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、２−メルカプトベンゾイミダゾール、４−アミノ−５−イミダゾールカルボン酸アミド、ヒスチジン等）、インダゾール誘導体（例えば、インダゾール、３−インダゾロン、インダゾロール等）、ピリジン誘導体（例えば、２−メルカプトピリジン、アミノピリジン等）、ピリミジン誘導体（例えば、２−メルカプトピリミジン、２−アミノピリミジン、４−アミノピリミジン、２−アミノ−４，６−ジヒドロキシピリミジン、４−アミノ−６−ヒドロキシ−２−メルカプトピリミジン、２−アミノー４−ヒドロキシ−６−メチルピリミジン、４−アミノ−６−ヒドロキシ−２−メチルピリミジン、４−アミノ−６−ヒドロキシピラゾロ［３，４−ｄ］ピリミジン、４−アミノ−６−メルカプトピラゾロ［３，４−ｄ］ピリミジン、２−ヒドロキシピリミジン、４−メルカプト−１Ｈ−ピラゾロ［３，４−ｄ］ピリミジン、４−アミノ−２，６−ジヒドロキシピリミジン、２，４−ジアミノ−６−ヒドロキシピリミジン、２，４，６−トリアミノピリミジン等）、チオ尿素誘導体（例えば、チオ尿素、エチレンチオ尿素、２−チオバルビツール酸等）、アミノ酸（例えば、グリシン、アラニン、トリプトファン、プロリン、オキシプロリン等）、１，３，４−チオオキサジアゾロン−５、チオクマゾン、２−チオクマリン、チオサッカリン、チオヒダントイン、チオピリン、γ−チオピリン、グアナジン、グアナゾール、グアナミン、オキサジン、オキサジアジン、メラミン、２，４，６−トリアミノフェノール、トリアミノベンゼン、アミノインドール、アミノキノリン、アミノチオフェノール、アミノピラゾール等があげられる。
【００３３】
（腐食抑制剤の溶液）
本発明で使用する腐食抑制剤を含む溶液の調整には、水および有機溶媒を使用することができる。有機溶媒の種類は、特に限定はしないが、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコールなどのアルコール類、ジ−ｎ−プロピルエーテル、ジ−ｎ−ブチルエーテル、ジアリルエーテルなどのエーテル類、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナンなどの脂肪族炭化水素、ベンゼン、トルエン、フェノールなどの芳香族炭化水素などを用いることができ、これらの溶媒を１種類ないし２種類以上組み合わせて用いることもできる。
【００３４】
（腐食抑制剤溶液の濃度および処理時間）
本発明で用いる腐食抑制剤溶液中の腐食抑制剤の濃度は、０．１〜５０００ｐｐｍが好ましい。さらに、０．５〜３０００ｐｐｍがより好ましく、またさらに１〜１０００ｐｐｍであることが特に好ましい。腐食抑制剤の濃度が０．１ｐｐｍ未満では、イオンマイグレーション抑制効果や、銅表面と絶縁層との接着強度が低下する傾向がある。腐食抑制剤の濃度が５０００ｐｐｍを超えると、イオンマイグレーション抑制効果は得られるが、銅表面と絶縁層との接着強度が低下する傾向がある。腐食抑制剤を含んだ溶液での処理時間は、特に限定しないが腐食抑制剤の種類および濃度に応じて適宜変化させることが好ましい。また、処理後に超音波洗浄を行うことも可能である。
【００３５】
（レジストまたはカバーレイ）
本発明に用いるレジストとしては、エッチングレジスト、めっきレジスト、ソルダーレジスト等が挙げられる。エッチングレジストおよびめっきレジストは、配線形成を目的に使用するために、配線形成後に剥離され、基板等には残らないものである。ソルダーレジストまたはカバーレイは、外部接続端子や半導体チップ接続端子等以外の配線保護を目的としているために、基板表面に形成される。これらのレジストまたはカバーレイは、液状またはフィルム状のものを使用することができ、感光性があることが好ましい。
【００３６】
（半導体チップ搭載基板）
図１に、本発明の半導体チップ搭載基板の一実施例（片面ビルドアップ層２層）の断面模式図を示した。ここでは、ビルドアップ層（層間絶縁層）を片面にのみ形成した実施形態で説明するが、必要に応じて図８に示すようにビルドアップ層は両面に形成しても良い。
【００３７】
本発明の半導体チップ搭載基板は、図１に示すように、半導体チップが搭載される側の絶縁層であるコア基板１００上に、半導体チップ接続端子及び第１の層間接続端子１０１を含む第１の配線１０６ａが形成される。コア基板の他方の側には、第２の層間接続端子１０３を含む第２の配線１０６ｂが形成され、第１の層間接続端子と第２の層間接続端子は、コア基板の第１の層間接続用ＩＶＨ（インタースティシャルバイアホール）１０２を介して電気的に接続される。コア基板の第２の配線側には、ビルドアップ層１０４が形成され、ビルドアップ層上には第３の層間接続端子を含む第３の配線１０６ｃが形成され、第２の層間接続端子と第３の層間接続端子は、第２の層間接続用ＩＶＨ１０８を介して電気的に接続される。
【００３８】
ビルドアップ層が複数形成される場合は、同様の構造を積層し、最外層のビルドアップ層上には、マザーボードと接続される外部接続端子１０７が形成される。配線の形状や各々の接続端子の配置等は特に制限されず、搭載する半導体チップや目的とする半導体パッケージを製造するために、適宜設計可能である。また、半導体チップ接続端子と第１の層間接続端子等を共用することも可能である。外部接続端子と第３の層間接続端子とは、第３の層間接続用ＩＶＨ１０５を介して電気的に接続される。更に、最外層のビルドアップ層上には、必要に応じてソルダーレジスト等の絶縁被覆１０９を設けることもできる。
【００３９】
（コア基板）
コア基板の材質は特に問わないが、有機基材、セラミック基材、シリコン基材、ガラス基材などが使用できる。熱膨張係数や絶縁性を考慮すると、セラミックや、ガラスを用いることが好ましい。ガラスのうち非感光性ガラスとしては、ソーダ石灰ガラス（成分例：ＳｉＯ２ ６５〜７５ｗｔ％、Ａｌ２Ｏ３ ０．５〜４ｗｔ％、ＣａＯ ５〜１５ｗｔ％、ＭｇＯ ０．５〜４ｗｔ％、Ｎａ２Ｏ １０〜２０ｗｔ％）、ホウ珪酸ガラス（成分例：ＳｉＯ２ ６５〜８０ｗｔ％、Ｂ２Ｏ３ ５〜２５ｗｔ％、Ａｌ２Ｏ３ １〜５ｗｔ％、ＣａＯ ５〜８ｗｔ％、ＭｇＯ ０．５〜２ｗｔ％、Ｎａ２Ｏ ６〜１４ｗｔ％、Ｋ２Ｏ １〜６ｗｔ％）等が挙げられる。また、感光性ガラスとしてはＬｉ２Ｏ−ＳｉＯ２系結晶化ガラスに感光剤として金イオン及び銀イオンを含むものが挙げられる。
【００４０】
有機基板としては、ガラス布に樹脂を含浸させた材料を積層した基板や樹脂フィルムが使用できる。使用する樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、またはそれらの混合樹脂が挙げられるが、熱硬化性樹脂からなる有機絶縁材料が好ましい。熱硬化性樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、アクリル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シリコン樹脂、シクロペンタジエンから合成した樹脂、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌラートを含む樹脂、芳香族ニトリルから合成した樹脂、３量化芳香族ジシアナミド樹脂、トリアリルトリメタリレートを含む樹脂、フラン樹脂、ケトン樹脂、キシレン樹脂、縮合多環芳香族を含む樹脂及びベンゾシクロブテン樹脂等を用いることができる。熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、アラミド樹脂及び液晶ポリマ等が挙げられる。
【００４１】
これらの樹脂には充填材を添加しても良い。充填材としては、例えば、シリカ、タルク、水酸化アルミニウム、ホウ酸アルミニウム、窒化アルミニウム及びアルミナ等が挙げられる。
【００４２】
コア基板の厚さは１００〜８００μｍであるのが、ＩＶＨ形成性の点で好ましく、更に１５０〜５００μｍであるのがより好ましい。
【００４３】
（ビルドアップ層）
層間絶縁層（ビルドアップ層）１０４は、絶縁材料からなり、絶縁材料としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、またはそれらの混合樹脂が使用できる。中でも、熱硬化性樹脂からなる有機絶縁材料を主成分とするのが好ましい。熱硬化性樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、アクリル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シリコン樹脂、シクロペンタジエンから合成した樹脂、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌラートを含む樹脂、芳香族ニトリルから合成した樹脂、３量化芳香族ジシアナミド樹脂、トリアリルトリメタリレートを含む樹脂、フラン樹脂、ケトン樹脂、キシレン樹脂、縮合多環芳香族を含む樹脂及びベンゾシクロブテン樹脂等を用いることができる。熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、アラミド樹脂及び液晶ポリマ等が挙げられる。
【００４４】
絶縁材料には充填材を添加しても良い。充填材としては、例えば、シリカ、タルク、水酸化アルミニウム、ホウ酸アルミニウム、窒化アルミニウム及びアルミナ等が挙げられる。
【００４５】
（熱膨張係数）
半導体チップの熱膨張係数とコア基板の熱膨張係数とが近似していて、かつコア基板の熱膨張係数とビルドアップ層の熱膨張係数とが近似していることが好ましいが、これに限定したものではない。さらに、半導体チップ、コア基板、ビルドアップ層の各々の熱膨張係数をα１、α２、α３（ｐｐｍ／℃）としたとき、α１≦α２≦α３であることがより好ましい。
【００４６】
具体的には、コア基板の熱膨張係数α２は、７〜１３ｐｐｍ／℃が好ましく、更に好ましくは９〜１１ｐｐｍ／℃である。ビルドアップ層の熱膨張係数α３は１０〜４０ｐｐｍ／℃であるのが好ましく、更に好ましくは１０〜２０ｐｐｍ／℃であり、１１〜１７ｐｐｍ／℃が特に好ましい。
【００４７】
（ヤング率）
ビルドアップ層のヤング率は、１〜５ＧＰａであるのが熱ストレスに対する応力緩和の点で好ましい。ビルドアップ層中の充填材は、ビルドアップ層の熱膨張係数が１０〜４０ｐｐｍ／℃、ヤング率が１〜５ＧＰａになるように添加量を適宜調整して添加するのが好ましい。
【００４８】
（半導体チップ搭載基板の製造方法）
半導体チップ搭載基板は、以下の製造方法の組み合わせで製造することができる。製造工程の順番は、本発明の目的を逸脱しない範囲では、特に限定しない。
【００４９】
（配線形成方法）
配線の形成方法としては、コア基板表面またはビルドアップ層上に金属箔を形成し、金属箔の不要な箇所をエッチングで除去する方法（サブトラクト法）、コア基板表面またはビルドアップ層上の必要な箇所にのみめっきにより配線を形成する方法（アディティブ法）、コア基板表面またはビルドアップ層上に薄い金属層（シード層）を形成し、その後、電解めっきで必要な配線を形成した後、薄い金属層をエッチングで除去する方法（セミアディティブ法）がある。
【００５０】
（サブトラクト法）
金属箔上の配線となる箇所にエッチングレジストを形成し、エッチングレジストから露出した箇所に、化学エッチング液をスプレー噴霧して、不要な金属箔をエッチング除去し、配線を形成することができる。例えば、金属箔として銅箔を用いる場合、エッチングレジストは、通常の配線板に用いることのできるエッチングレジスト材料を使用できる。例えばレジストインクをシルクスクリーン印刷してエッチングレジストを形成したり、またエッチングレジスト用ネガ型感光性ドライフィルムを銅箔の上にラミネートして、その上に配線形状に光を透過するフォトマスクを重ね、紫外線で露光し、露光しなかった箇所を現像液で除去してエッチングレジストを形成する。化学エッチング液には、塩化第二銅と塩酸の溶液、塩化第二鉄溶液、硫酸と過酸化水素の溶液、過硫酸アンモニウム溶液など、通常の配線板に用いる化学エッチング液を用いることができる。
【００５１】
（セミアディティブ法）
コア基板表面またはビルドアップ層上に、セミアディティブ法のシード層を形成する方法は、蒸着またはめっきによる方法と、金属箔を貼り合わせる方法がある。また同様の方法で、サブトラクト法の金属箔を形成することもできる。
【００５２】
蒸着による方法の場合は、例えば、シード層として、スパッタリングにより下地金属と薄膜銅層を形成する場合、薄膜銅層を形成するために使用されるスパッタリング装置は、２極スパッタ、３極スパッタ、４極スパッタ、マグネトロンスパッタ、ミラートロンスパッタ等を用いることができる。スパッタに用いるターゲットは、密着を確保するために、例えばＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｎｉ／Ｃｒ、Ｎｉ／Ｃｕ等の金属を下地金属として用い、５〜５０ｎｍスパッタリングする。その後、銅をターゲットにして０．１〜１．０μｍスパッタリングしてシード層を形成できる。
【００５３】
また、めっきによる方法の場合は、コア基板表面またはビルドアップ層上にめっき銅を、０．５〜３μｍ無電解銅めっきし、形成することもできる。
【００５４】
貼り合わせる方法は、コア基板またはビルドアップ層に接着機能がある場合に使用され、金属箔をプレスやラミネートによって貼り合わせることによりシード層を形成することもできる。しかし、薄い金属層を直接貼り合わせるのは非常に困難であるため、厚い金属箔を張り合わせた後にエッチング等により薄くする方法や、キャリア付金属箔を貼り合わせた後にキャリア層を剥離する方法などがある。例えば前者としてはキャリア銅／ニッケル／薄膜銅の三層銅箔があり、キャリア銅をアルカリエッチング液で、ニッケルをニッケルエッチング液で除去できる。後者としては、アルミ、銅、絶縁材料などをキャリアとしたピーラブル銅箔などが使用でき、５μｍ以下のシード層を形成できる。また、厚み９〜１８μｍの銅箔を貼り付け、５μｍ以下になるように、エッチングにより均一に薄くし、シード層を形成してもかまわない。
【００５５】
前述の方法で形成されたシード層上に、めっきレジストを必要なパターンに形成し、シード層を介して電解銅めっきにより配線を形成する。その後、めっきレジストを剥離し、最後にシード層をエッチング等により除去し、配線が形成できる。
【００５６】
（配線の形状）
配線の形状は特に問わないが、図５及び６に示すように、半導体パッケ−ジ領域１３の、少なくとも半導体チップが搭載される側には半導体チップ接続端子１６（ワイヤボンド端子等）、その反対面にはマザーボードと電気的に接続される外部接続端子１９（はんだボール等が搭載される箇所）及びそれらを繋ぐ展開配線２０、層間接続端子等を備える。
また、配線の配置も特に問わないが、図５に示したように（内層配線、層間接続端子等は省略）、半導体チップ接続端子より内側に外部接続端子を形成したファン−インタイプや、図６に示したような半導体チップ接続端子の外側に外部接続端子を形成したファン−アウトタイプ、またはこれらを組み合わせたタイプでもよい。図５に、ファン−インタイプ半導体チップ搭載基板の平面図を、図６にファン−アウトタイプ半導体チップ搭載基板の平面図を示した。なお、半導体チップ接続端子１６の形状は、ワイヤボンド接続やフリップチップ接続などが可能であれば、特に問わない。また、ファン−アウト、ファン−インどちらのタイプでも、ワイヤボンド接続やフリップチップ接続などが可能である。さらに必要に応じて、半導体チップと電気的に接続されないダミーパターン２１（図６参照）を形成してもかまわない。ダミーパターンの形状や配置も特には問わないが、半導体チップ搭載領域１５及び１８に均一に配置するのが好ましい。これによって、ダイボンド接着剤（ダイボンドフィルム接着領域１４及び１７）で半導体チップを搭載する際に、ボイドが発生しにくくなり、信頼性を向上できる。
【００５７】
（バイアホール）
多層の半導体チップ搭載基板は、複数の配線層を有するため、各層の配線を電気的に接続するためのバイアホールを設けることができる。バイアホールは、コア基板またはビルドアップ層に接続用の穴を設け、この穴を導電性ペーストやめっき等で充填し形成できる。穴の加工方法としては、パンチやドリルなどの機械加工、レーザ加工、薬液による化学エッチング加工、プラズマを用いたドライエッチング加工などがある。
【００５８】
また、ビルドアップ層のバイアホール形成方法としては、予めビルドアップ層に導電性ペーストやめっきなどで導電層を形成し、これをコア基板にプレス等で積層する方法などもある。
【００５９】
（絶縁被覆の形成）
半導体チップ搭載基板の外部接続端子側には絶縁被覆を形成することができる。パターン形成は、ワニス状の材料であれば印刷で行うことも可能であるが、より精度を確保するためには、感光性のソルダーレジスト、カバーレイフィルム又はフィルム状レジストを用いるのが好ましい。材質としては、例えば、エポキシ系、ポリイミド系、エポキシアクリレート系、フルオレン系の材料を用いることができる。
【００６０】
このような絶縁被覆は硬化時の収縮があるため、片面だけに形成すると基板に大きな反りを生じやすい。そこで、必要に応じて半導体チップ搭載基板の両面に絶縁被覆を形成することもできる。さらに、反りは絶縁被覆の厚みによって変化するため、両面の絶縁被覆の厚みは、反りが発生しないように調整することがより好ましい。その場合、予備検討を行い、両面の絶縁被覆の厚みを決定することが好ましい。また、薄型の半導体パッケージとするには、絶縁被覆の厚みが５０μｍ以下であることが好ましく、３０μｍ以下がより好ましい。
【００６１】
（配線のめっき）
配線の必要な部分にニッケル及び金めっきを順次施すことができる。さらに必要に応じてニッケル、パラジウム及び金めっきを施しても良い。これらのめっきは、配線の半導体チップ接続端子と、マザーボードまたは他の半導体パッケージと電気的に接続するための外部接続端子に施される。このめっきは、無電解めっき、または電解めっきのどちらを用いてもよい。
【００６２】
（半導体チップ搭載基板の製造方法）
このような半導体チップ搭載基板は、以下のような工程で製造することができる。図２の（ａ）〜（ｇ）に、本発明の銅配線形成処理方法および銅配線を用いた半導体チップ搭載基板製造方法の実施形態一例を断面模式図で示した。ただし、製造工程の順番は、本発明の目的を逸脱しない範囲では、特に限定しない。
【００６３】
（工程ａ）
（工程ａ）は、図２（ａ）に示したようにコア基板１００上に第１の配線１０６ａを作製する工程である。まず、コア基板の片面に銅層を形成する。コア基板上に銅層を作製するには、スパッタリング、蒸着又はめっき等により薄膜を形成した後、電気銅めっきで膜厚を所望の厚みまでめっきすることにより、銅層を得ることができる。
【００６４】
次に、コア基板の片面に形成された銅層に、前記脱脂処理を行い、その後、塩酸あるいは硫酸洗浄を行う。次に、銅よりも貴な金属である金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、レニウム、ルテニウム、オスミウム及びイリジウムから選択される金属、またはこれらの金属を含む合金を離散的に形成し、酸化剤を含むアルカリ性水溶液に浸漬することにより酸化処理を行う。その後、還元処理、カップリング処理及び腐食抑制処理の少なくとも１つ以上の処理を行ってもよい。いずれにしても配線表面のＲｚを１ｎｍ以上かつ１，０００ｎｍ以下になるように処理を行う。
【００６５】
その後、処理された銅層上に第１の配線形状にエッチングレジストを形成し、塩化銅、塩化鉄、硫酸−過酸化水素及び硝酸−過酸化水素などのエッチング液を用いて配線を作製することができる。
【００６６】
なお、第１の配線１０６ａは、第１の層間接続端子１０１及び半導体チップ接続端子（半導体チップと電気的に接続される部分）を含んでおり、微細配線の形成方法としてはセミアディティブ法を用いても良い。
【００６７】
（工程ｂ）
（工程ｂ）は、図２（ｂ）に示したように、前記第１の層間接続端子１０１と後述する第２の配線とを接続するための、第１の層間接続用ＩＶＨ１０２（バイアホール）を形成する工程である。
【００６８】
バイアホールの形成は、コア基板が非感光性基材の場合、レーザ光を用いることができる。非感光性基材としては、前述した非感光性ガラスなどが挙げられるが、これに限定したものではない。この場合、使用するレーザ光は限定されるものではなく、ＣＯ２レーザ、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザ等を用いることができる。また、コア基板が感光性基材の場合、バイアホール以外の領域をマスクし、バイアホール部に紫外光を照射する。なお感光性基材としては、前述した感光性ガラスなどが挙げられるが、これに限定したものではない。この場合、紫外光を照射後、熱処理とエッチングによりバイアホールを形成する。また、コア基板が、有機溶剤等の薬液による化学エッチング加工が可能な基材の場合は、化学エッチングによってバイアホールを形成することもできる。形成されたバイアホールは層間を電気的に接続するために、導電性のペーストやめっきなどで充填して層間接続のための導電層を形成することができる。
【００６９】
（工程ｃ）
（工程ｃ）は、図２（ｃ）に示したように、コア基板の第１の配線１０６ａと反対側の面に第２の配線１０６ｂを形成する工程である。コア基板の第１の配線と反対の面に（工程ａ）と同様に銅層を形成し、次に、銅層に前記脱脂処理を行い、その後、塩酸あるいは硫酸洗浄を行う。次に、銅よりも貴な金属である金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、レニウム、ルテニウム、オスミウム及びイリジウムから選択される金属、またはこれらの金属を含む合金を離散的に形成し、酸化剤を含むアルカリ性水溶液に浸漬することにより酸化処理を行う。その後、還元処理、カップリング処理及び腐食抑制処理の少なくとも１つ以上の処理を行ってもよい。いずれにしても、配線表面のＲｚを１ｎｍ以上かつ１，０００ｎｍ以下になるように処理を行う。その後、処理された銅層上に、必要な配線形状にエッチングレジストを形成し、塩化銅、塩化鉄、硫酸−過酸化水素及び硝酸−過酸化水素等のエッチング液を用いて第２の配線を形成する。銅層の形成方法としては、（工程ａ）と同様にスパッタリング、蒸着又は無電解めっきなどで銅薄膜を形成した後、電気銅めっきを用いて所望の厚みまで銅めっきすることにより銅層が得られる。
【００７０】
なお、第２の配線は第２の層間接続端子１０３を含んでおり、微細配線の形成方法としてはセミアディティブ法を用いても良い。
【００７１】
（工程ｄ）
（工程ｄ）は、図２（ｄ）に示すように前記第２の配線を形成した面にビルドアップ層（層間絶縁層）１０４を形成する工程である。まず、第２の配線表面を、脱脂処理を行い、その後、塩酸あるいは硫酸洗浄を行う。次に、銅よりも貴な金属である金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、レニウム、ルテニウム、オスミウム及びイリジウムから選択される金属、またはこれらの金属を含む合金を離散的に形成し、酸化剤を含むアルカリ性水溶液に浸漬することにより酸化処理を行う。その後、還元処理、カップリング処理、腐食抑制処理の少なくとも１つ以上の処理を行ってもよい。いずれにしても、配線表面のＲｚを１ｎｍ以上かつ１，０００ｎｍ以下になるように処理を行う。
【００７２】
次に、コア基板１００表面及び第２の配線１０６ｂ表面に、ビルドアップ層１０４を形成する。ビルドアップ層１０４の絶縁材料としては、前記したように熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、またはそれらの混合樹脂が使用できるが、熱硬化性樹脂を主成分とするのが好ましい。ワニス状の材料の場合、印刷やスピンコートで、またはフィルム状の絶縁材料の場合、ラミネートやプレスなどの手法を用いてビルドアップ層を得ることができる。絶縁材料が熱硬化性樹脂を含む場合は、さらに加熱硬化させることが望ましい。
【００７３】
（工程ｅ）
（工程ｅ）は、図２（ｅ）に示したように、前記ビルドアップ層に第２の層間接続用のＩＶＨ（バイアホール）１０８を形成する工程であり、バイアホールの形成手段としては、レーザ穴あけ装置を使用することができる。レーザ穴あけ機で用いられるレーザの種類はＣＯ２レーザ、ＹＡＧレーザ又はエキシマレーザ等を用いることができるが、ＣＯ２レーザが生産性及び穴品質の点で好ましい。また、ＩＶＨ径が３０μｍ未満の場合は、レーザ光を絞ることが可能なＹＡＧレーザが適している。また、ビルドアップ層が有機溶剤等の薬液による化学エッチング加工が可能な材料の場合は、化学エッチングによってバイアホールを形成することもできる。
【００７４】
（工程ｆ）
（工程ｆ）は、図２（ｆ）に示したように、前記第２のバイアホールが形成されたビルドアップ層上に、第３の配線１０６ｃを形成する工程である。またＬ／Ｓ＝３０μｍ／３０μｍ以下の微細な配線を形成するプロセスとしては、前記したセミアディティブ法が好ましい。ビルドアップ層上に、蒸着またはめっきによる方法や金属箔を貼り合わせる方法などにより、シード層を形成する。次に、シード層を、脱脂処理を行い、その後、塩酸あるいは硫酸洗浄する。次に、銅よりも貴な金属である金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、レニウム、ルテニウム、オスミウム及びイリジウムから選択される金属、またはこれらの金属を含む合金を離散的に形成し、酸化剤を含むアルカリ性水溶液に浸漬することにより酸化処理を行う。その後、還元処理、カップリング処理及び腐食抑制処理の少なくとも１つ以上の処理を行ってもよい。いずれにしても、配線表面のＲｚを１ｎｍ以上かつ１，０００ｎｍ以下になるように処理を行う。その後、処理されたシード層上に、めっきレジストを必要なパターンに形成し、シード層を介して電解銅めっきにより配線を形成する。その後、めっきレジストを剥離し、最後にシード層をエッチング等により除去し、微細な配線が形成できる。
【００７５】
（工程ｄ）から（工程ｆ）までを繰り返して、図２（ｇ）に示すようにビルドアップ層１０４を２層以上作製してもよい。この場合、最外のビルドアップ層に形成された層間接続端子が、外部接続端子１０７となる。
【００７６】
（工程ｇ）
（工程ｇ）は、図２（ｇ）に示したように、外部接続端子以外の配線等を保護するための絶縁被覆１０９を形成する工程である。絶縁被覆材としては、ソルダーレジストが用いられ、熱硬化型や紫外線硬化型のものが使用できるが、レジスト形状を精度良く仕上げることができる紫外線硬化型のものが好ましい。まず、外部接続端子およびそれ以外の配線等を、脱脂処理を行い、その後、塩酸あるいは硫酸洗浄を行う。次に、銅よりも貴な金属である金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、レニウム、ルテニウム、オスミウム及びイリジウムから選択される金属、またはこれらの金属を含む合金を離散的に形成し、酸化剤を含むアルカリ性水溶液に浸漬することにより酸化処理を行う。その後、還元処理、カップリング処理及び腐食抑制処理の少なくとも１つ以上の処理を行ってもよいが、いずれにしても、配線表面のＲｚを１ｎｍ以上かつ１，０００ｎｍ以下になるように処理を行う。その後、外部接続端子以外の部分にソルダーレジストを形成し、外部接続端子１０７を露出させる。第３の層間接続用ＩＶＨ１０５を介して第３の配線と電気的に接続する。
【００７７】
（半導体チップ搭載基板の形状）
半導体チップ搭載基板２２の形状は、特に問わないが、図７に示したようなフレーム形状にすることが好ましい。半導体チップ搭載基板の形状をこのようにすることで、半導体パッケージの組立てを効率よく行うことができる。以下、好ましいフレーム形状について詳細に説明する。
【００７８】
図７に示したように、半導体パッケージ領域１３（１個の半導体パッケージとなる部分）を行及び列に各々複数個等間隔で格子状に配置したブロック２３を形成する。さらに、このようなブロックを複数個行及び列に形成する。図７では、２個のブロックしか記載していないが、必要に応じて、ブロックも格子状に配置してもよい。ここで、半導体パッケージ領域間のスペース部の幅は、５０〜５００μｍが好ましく、１００〜３００μｍがより好ましい。さらに、後に半導体パッケージを切断するときに使用するダイサーのブレード幅と同じにするのが最も好ましい。
【００７９】
このように半導体パッケージ領域を配置することで、半導体チップ搭載基板の有効利用が可能になる。また、半導体チップ搭載基板の端部には、位置決めのマーク等１１を形成することが好ましく、貫通穴によるピン穴であることがより好ましい。ピン穴の形状や配置は、形成方法や半導体パッケージの組立て装置に合うように選択すればよい。
【００８０】
さらに、前記半導体パッケージ領域間のスペース部や前記ブロックの外側には補強パターン２４を形成することが好ましい。補強パターンは、別途作製し半導体チップ搭載基板と貼り合わせてもよいが、半導体パッケージ領域に形成される配線と同時に形成された金属パターンであることが好ましく、さらに、その表面には、配線と同様のニッケル、金などのめっきを施すか、絶縁被覆をすることがより好ましい。補強パターンが、このような金属の場合は、電解めっきの際のめっきリードとして利用することも可能である。また、ブロックの外側には、ダイサーで切断する際の切断位置合わせマーク２５を形成することが好ましい。このようにして、フレーム形状の半導体チップ搭載基板を作製することができる。
【００８１】
（半導体パッケージ）
図３に、本発明のフリップチップタイプ半導体パッケージの実施形態一例を断面模式図で示す。図３に示したように本発明の半導体パッケージは、上記本発明の半導体チップ搭載基板（層間絶縁層１０４、絶縁被覆１０９を含む）に、さらに半導体チップ１１１が搭載されているもので、半導体チップと半導体チップ接続端子とを接続バンプ１１２を用いてフリップチップ接続することによって電気的に接続して得ることができる。
【００８２】
さらに、これらの半導体パッケージには、図示するように、半導体チップと半導体チップ搭載基板の間をアンダーフィル材１１３で封止することが好ましい。アンダーフィル材の熱膨張係数は、半導体チップ及びコア基板１００の熱膨張係数と近似していることが好ましいがこれに限定したものではない。さらに好ましくは（半導体チップの熱膨張係数）≦（アンダーフィル材の熱膨張係数）≦（コア基板の熱膨張係数）である。さらに、半導体チップの搭載には異方導電性フィルム（ＡＣＦ）や導電性粒子を含まない接着フィルム（ＮＣＦ）を用いて行うこともできる。この場合は、アンダーフィル材で封止する必要がないため、より好ましい。さらに、半導体チップを搭載する際に超音波を併用すれば、電気的な接続が低温でしかも短時間で行えるため特に好ましい。
また、マザーボードとの電気的な接続を行うために、外部接続端子には、例えば、はんだボール１１４を搭載することができる。はんだボールには、共晶はんだやＰｂフリーはんだが用いられる。はんだボールを外部接続端子に固着する方法としては、Ｎ２リフロー装置を用いることができるが、これに限定したものではない。
【００８３】
また、図４には、ワイヤボンドタイプ半導体パッケージ（コア基板１００、層間絶縁層１０４、絶縁被覆１０９を含む）の実施形態の断面図を示す。半導体チップ１１１の搭載には、一般のダイボンドペーストも使用できるが、ダイボンドフィルム１１７を用いるのがより好ましい。半導体チップと半導体チップ接続端子との電気的な接続は金ワイヤ１１５を用いたワイヤボンドで行う。半導体チップの封止は、半導体用封止樹脂１１６をトランスファモールドで行うことができる。その場合、半導体チップの少なくともフェース面を半導体用封止樹脂で封止するが、封止領域は、必要な部分だけを封止しても良いが、図４のように半導体パッケージ領域全体を封止するのが、より好ましい。これは、半導体パッケージ領域を行及び列に複数個配列した半導体チップ搭載基板において、基板と封止樹脂を同時にダイサー等で切断する場合、特に有効な方法である。
【００８４】
また、マザーボードとの電気的な接続を行うために、外部接続端子には、例えば、はんだボール１１４を搭載することができる。はんだボールには、共晶はんだやＰｂフリーはんだが用いられる。はんだボールを外部接続端子に固着する方法としては、Ｎ２リフロー装置を用いることができるが、これに限定したものではない。
【００８５】
半導体パッケージ領域を行及び列に複数個配列した半導体チップ搭載基板においては、最後に、ダイサー等を用いて個々の半導体パッケージに切断する。
【実施例】
【００８６】
以下に、本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００８７】
実施例１
（工程ａ）
（工程ａ−１）
コア基板１００（図２参照、以下同様とする。）として０．４ｍｍ厚のソーダガラス基板（熱膨張係数１１ｐｐｍ／℃）を用意し、片面にスパッタリングにより２００ｎｍの銅薄膜を形成した後、電気銅めっきで１０μｍの厚さまでめっきを行った。なおスパッタリングは、日本真空技術株式会社製装置型番ＭＬＨ−６３１５を用いて、以下に示した条件１で行った。
（条件１）
電流：３．５Ａ
電圧：５００Ｖ
アルゴン流量：３５ＳＣＣＭ（０．０５９Ｐａ・ｍ３／ｓ）
圧力：５×１０−３Ｔｏｒｒ（６．６×１０−１Ｐａ）
成膜速度：５ｎｍ／秒
【００８８】
（工程ａ−２）
（工程ａ−１）で形成した銅表面を、水を用いて２００ｍｌ／Ｌに調整した酸性脱脂液Ｚ−２００（ワールドメタル社製、商品名）に、液温５０℃で２分間浸漬した後、液温５０℃の水に２分間浸漬することにより湯洗し、さらに１分間水洗した。次いで、３．６Ｎの硫酸水溶液に１分間浸漬し、１分間水洗した。
【００８９】
（工程ａ−３）
以上の前処理工程を経た後に、置換パラジウムめっき液ＳＡ−１００（日立化成工業株式会社、製品名）に３０℃で３分間浸漬して１．０μｍｏｌ／ｄｍ２の置換パラジウムめっきを施し、１分間水洗し、りん酸三ナトリウム１０ｇ／Ｌおよび水酸化カリウム２５ｇ／Ｌを含むアルカリ性水溶液に亜塩素酸ナトリウム１５ｇ／Ｌを添加した酸化処理液に、５０℃で３分間浸漬した。この後、５分間水洗し、８５℃で３０分間乾燥させた。
【００９０】
（工程ａ−４）
その後、エッチングレジストを形成し、露光、現像を行い、第１の配線１０６ａとなる部分にレジストを形成し、塩化第二鉄エッチング液を用いて不要な銅をエッチングし、レジスト剥離をして第１の配線１０６ａ（第１の層間接続端子１０１及び半導体チップ接続端子を含む）を形成した。
【００９１】
（工程ｂ）
ガラス基板の第１の配線が形成された面と反対の面から第１の層間接続端子１０１に到達するまで、レーザで穴径５０μｍのＩＶＨ穴を形成した。レーザとしてＹＡＧレーザＬＡＶＩＡ−ＵＶ２０００（住友重機械工業株式会社製、商品名）を使用し、周波数４ｋＨｚ、ショット数５０、マスク径０．４ｍｍの条件でＩＶＨ穴の形成を行った。
【００９２】
得られたＩＶＨの穴に導電性ペーストＭＰ−２００Ｖ（日立化成工業株式会社製、商品名）を充填して、１６０℃３０分で硬化し、ガラス基板の第１の層間接続端子と電気的に接続し、第１の層間接続用ＩＶＨ（バイアホール）１０２を形成した。
【００９３】
（工程ｃ）
（工程ｃ−１）
（工程ｂ）で形成された第１の層間接続用ＩＶＨ（第１のバイアホール）と電気的に接続するために、ガラス基板の、第１の配線と反対側の面にスパッタリングにより２００ｎｍの銅薄膜を形成した後、電気銅めっきで１０μｍの厚さまでめっきを行った。スパッタリングは、（工程ａ−１）と同様に行った。
【００９４】
（工程ｃ−２）
（工程ｃ−１）で形成した銅表面を、水で２００ｍｌ／Ｌに調整した酸性脱脂液Ｚ−２００（ワールドメタル社製、商品名）に、液温５０℃で２分間浸漬した後、液温５０℃の水に２分間浸漬することにより湯洗し、さらに１分間水洗した。次いで、３．６Ｎの硫酸水溶液に１分間浸漬し、１分間水洗した。
【００９５】
（工程ｃ−３）
以上の前処理工程を経た後に、置換パラジウムめっき液ＳＡ−１００（日立化成工業株式会社、製品名）に３０℃で３分間浸漬して１．０μｍｏｌ／ｄｍ２の置換パラジウムめっきを施し、１分間水洗し、りん酸三ナトリウム１０ｇ／Ｌおよび水酸化カリウム２５ｇ／Ｌを含むアルカリ性水溶液に亜塩素酸ナトリウム１５ｇ／Ｌ添加した酸化処理液に、５０℃で３分間浸漬した。この後、５分間水洗し、８５℃で３０分間乾燥させた。
【００９６】
（工程ｃ−４）
その後、（工程ａ）と同様に第２の配線１０６ｂとなる部分にレジストを形成し、塩化第二鉄エッチング液を用い、不要な銅をエッチングして第２の配線１０６ｂ（第２の層間接続端子１０３を含む）を形成した。
【００９７】
（工程ｄ）
（工程ｃ）で形成した第２の配線側の面を、水で２００ｍｌ／Ｌに調整した酸性脱脂液Ｚ−２００（ワールドメタル社製、商品名）に、液温５０℃で２分間浸漬した後、液温５０℃の水に２分間浸漬することにより湯洗し、さらに１分間水洗した。次いで、３．６Ｎの硫酸水溶液に１分間浸漬し、１分間水洗した。
【００９８】
以上の前処理工程を経た後に、置換パラジウムめっき液ＳＡ−１００（日立化成工業株式会社、製品名）に３０℃で３分間浸漬して１．０μｍｏｌ／ｄｍ２の置換パラジウムめっきを施し、１分間水洗し、りん酸三ナトリウム１０ｇ／Ｌおよび水酸化カリウム２５ｇ／Ｌを含むアルカリ性水溶液に亜塩素酸ナトリウム１５ｇ／Ｌ添加した酸化処理液に、５０℃で１分間浸漬した。この後、３分間水洗し、還元処理液ＨＩＳＴ−１００Ｄ（日立化成工業株式会社製、商品名）に３５℃で１分間浸漬し、さらに５分間水洗を行った。この処理工程を経た後に、８５℃で３０分間乾燥させた。
【００９９】
次に、層間絶縁層（ビルドアップ層）１０４を次のように形成した。すなわち、シアネ―トエステル系樹脂組成物の絶縁ワニスをスピンコート法により、条件１５００ｒｐｍで、ガラス基板上に塗布し、厚み２０μｍの樹脂層を形成した後、常温（２５℃）から６℃／ｍｉｎの昇温速度で２３０℃まで加熱し、２３０℃で８０分間保持することにより熱硬化し、１５μｍのビルドアップ層を形成した。
【０１００】
（工程ｅ）
ビルドアップ層１０４の表面から第２の層間接続用端子１０３に到達するまで、レーザで穴径５０μｍのＩＶＨ穴を形成した。レーザにはＹＡＧレーザＬＡＶＩＡ−ＵＶ２０００（住友重機械工業株式会社製、商品名）を使用し、周波数４ｋＨｚ、ショット数２０、マスク径０．４ｍｍの条件でＩＶＨ穴の形成を行った。
【０１０１】
（工程ｆ）
（工程ｆ−１）
第３の配線１０６ｃの形成及び第２のバイアホール１０８の形成のために、スパッタリングにより、シード層となる下地金属Ｎｉ層２０ｎｍを形成し、さらに薄膜銅層２００ｎｍを形成した。スパッタリングは、日本真空技術株式会社製ＭＬＨ−６３１５を用いて以下に示した条件２で行った。
（条件２）
（ニッケル）
電流：５．０Ａ
電流：３５０Ｖ
電圧アルゴン流量：３５ＳＣＣＭ（０．０５９Ｐａ・ｍ３／ｓ）
圧力：５×１０−３Ｔｏｒｒ（６．６×１０−１Ｐａ）
成膜速度：０．３ｎｍ／秒
（銅）
電流：３．５Ａ
電圧：５００Ｖ
アルゴン流量：３５ＳＣＣＭ（０．０５９Ｐａ・ｍ３／ｓ）
圧力：５×１０−３Ｔｏｒｒ（６．６×１０−１Ｐａ）
成膜速度：５ｎｍ／秒
【０１０２】
（工程ｆ−２）
（工程ｆ−１）で形成した銅表面を、水で２００ｍｌ／Ｌに調整した酸性脱脂液Ｚ−２００（ワールドメタル社製、商品名）に、液温５０℃で２分間浸漬した後、液温５０℃の水に２分間浸漬することにより湯洗し、さらに１分間水洗した。次いで、３．６Ｎの硫酸水溶液に１分間浸漬し、１分間水洗した。
【０１０３】
（工程ｆ−３）
以上の前処理工程を経た後に、置換パラジウムめっき液ＳＡ−１００（日立化成工業株式会社、製品名）に３０℃で３分間浸漬して１．０μｍｏｌ／ｄｍ２の置換パラジウムめっきを施し、１分間水洗し、りん酸三ナトリウム１０ｇ／Ｌおよび水酸化カリウム２５ｇ／Ｌを含むアルカリ性水溶液に亜塩素酸ナトリウム１５ｇ／Ｌを添加した酸化処理液に、５０℃で３分間浸漬した。この後、５分間水洗し、８５℃で３０分間乾燥させた。
【０１０４】
（工程ｆ−４）
次に、めっきレジストＰＭＥＲ Ｐ−ＬＡ９００ＰＭ（東京応化工業株式会社製、商品名）を用いスピンコート法で、（工程ｆ−２）及び（工程ｆ−３）で処理したシード層上に、膜厚２０μｍのめっきレジスト層を形成した。１０００ｍＪ／ｃｍ２の条件で露光し、ＰＭＥＲ現像液Ｐ−７Ｇを用いて２３℃で６分間浸漬揺動し、Ｌ／Ｓ＝１０μｍ／１０μｍのレジストパターンを形成した。その後、硫酸銅めっき液を用いてパターン銅めっきを約５μｍ行った。めっきレジストの剥離は、メチルエチルケトンを用いて室温（２５℃）で１分間浸漬し除去した。シード層のクイックエッチングには、ＣＰＥ−７００（三菱瓦斯化学株式会社製、商品名）の５倍希釈液を用いて、３０℃で３０秒間浸漬揺動することにより、これらをエッチング除去し、配線を形成した。
【０１０５】
（工程ｇ）
（工程ｇ−１）
この後、（工程ｄ）〜（工程ｆ）までを再度繰り返し、ビルドアップ層及び外部接続端子１０７を含む最外層の配線をさらに一層形成した。
【０１０６】
（工程ｇ−２）
次に、（工程ｇ−１）で形成した配線を、２００ｍｌ／Ｌに調整した酸性脱脂液Ｚ−２００（ワールドメタル社製、商品名）に、液温５０℃で２分間浸漬した後、液温５０℃の水に２分間浸漬することにより湯洗し、さらに１分間水洗した。次いで、３．６Ｎの硫酸水溶液に１分間浸漬し、１分間水洗した。
【０１０７】
（工程ｇ−３）
以上の前処理工程を経た後に、置換パラジウムめっき液ＳＡ−１００（日立化成工業株式会社、製品名）に３０℃で３分間浸漬して１．０μｍｏｌ／ｄｍ２の置換パラジウムめっきを施し、１分間水洗し、りん酸三ナトリウム１０ｇ／Ｌおよび水酸化カリウム２５ｇ／Ｌを含むアルカリ性水溶液に亜塩素酸ナトリウム１５ｇ／Ｌ添加した酸化処理液に、５０℃で３分間浸漬した。この後、５分間水洗し、８５℃で３０分間乾燥させた。
【０１０８】
（工程ｇ−４）
最後にソルダーレジスト１０９を形成して、図１（１パッケージ分の断面図）、図５（１パッケージ分の平面図）、及び図７（半導体チップ搭載基板全体図）に示すようなファン−インタイプＢＧＡ用半導体チップ搭載基板を作製した。
【０１０９】
（工程ｈ）
前記（工程ａ）〜（工程ｇ）により作製された半導体チップ搭載基板の半導体チップ搭載領域に、接続バンプ１１２（図３参照、以下同様とする。）の形成された半導体チップ１１１を、フリップチップボンダを用いて超音波を印加しながら必要な数だけ搭載した。さらに、半導体チップ搭載基板と半導体チップの隙間に、半導体チップ端部からアンダーフィル材を注入し、オーブンを用いて８０℃で１時間の１次硬化及び１５０℃で４時間の２次硬化を行った。次に、外部接続端子に直径０．４５ｍｍの鉛・錫共晶はんだボール１１４をＮ２リフロー装置で融着した。最後に、幅２００μｍのブレードを装着したダイサーで半導体チップ搭載基板を切断し、図３に示す半導体パッケージを作製した。
【０１１０】
実施例２
（工程ａ−３）、（工程ｃ−３）、（工程ｆ−３）、（工程ｇ−３）において、置換パラジウムめっき液ＳＡ−１００（日立化成工業株式会社、製品名）に３０℃で３分間浸漬して１．０μｍｏｌ／ｄｍ２の置換パラジウムめっきを施し、１分間水洗し、りん酸三ナトリウム１０ｇ／Ｌおよび水酸化カリウム２５ｇ／Ｌを含むアルカリ性水溶液に亜塩素酸ナトリウム１５ｇ／Ｌ添加した酸化処理液に、５０℃で３分間浸漬した。この後、５分間水洗し、還元処理液ＨＩＳＴ−１００（日立化成工業株式会社製、商品名）に４０℃で３分間浸漬し、さらに１０分間水洗を行った。この処理工程を経た後に、８５℃で３０分間乾燥させた。その他工程は、実施例１と同様に行った。
【０１１１】
実施例３
（工程ａ−３）、（工程ｃ−３）、（工程ｆ−３）、（工程ｇ−３）において、置換パラジウムめっき液ＳＡ−１００（日立化成工業株式会社、製品名）に３０℃で３分間浸漬して１．０μｍｏｌ／ｄｍ２の置換パラジウムめっきを施し、１分間水洗し、りん酸三ナトリウム１０ｇ／Ｌおよび水酸化カリウム２５ｇ／Ｌを含むアルカリ性水溶液に亜塩素酸ナトリウム１５ｇ／Ｌ添加した酸化処理液に、５０℃で３分間浸漬し、この後５分間水洗した。これらの工程を経た後に、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン０．５％水溶液に３０℃で３分間浸漬してカップリング処理を施し、１分間水洗した。この処理工程を経た後に、８５℃で３０分間乾燥させた。その他工程は、実施例１と同様に行った。
【０１１２】
実施例４
（工程ａ−３）、（工程ｃ−３）、（工程ｆ−３）、（工程ｇ−３）において、置換パラジウムめっき液ＳＡ−１００（日立化成工業株式会社、製品名）に３０℃で３分間浸漬して１．０μｍｏｌ／ｄｍ２の置換パラジウムめっきを施し、１分間水洗し、りん酸三ナトリウム１０ｇ／Ｌおよび水酸化カリウム２５ｇ／Ｌを含むアルカリ性水溶液に亜塩素酸ナトリウム１５ｇ／Ｌ添加した酸化処理液に、５０℃で３分間浸漬し、この後５分間水洗した。これらの工程を経た後に、２−アミノ−６−ヒドロキシ−８−メルカプトプリン（和光純薬工業株式会社製、商品名）の濃度が、１０ｐｐｍであるエタノール溶液に２５℃で、１０分間浸漬し、１分間水洗した。この処理工程を経た後に、８５℃で３０分間乾燥させた。その他工程は、実施例１と同様に行った。
【０１１３】
実施例５
（工程ａ−３）、（工程ｃ−３）、（工程ｆ−３）、（工程ｇ−３）において、置換パラジウムめっき液ＳＡ−１００（日立化成工業株式会社、製品名）に３０℃で３分間浸漬して１．０μｍｏｌ／ｄｍ２の置換パラジウムめっきを施し、１分間水洗し、りん酸三ナトリウム１０ｇ／Ｌおよび水酸化カリウム２５ｇ／Ｌを含むアルカリ性水溶液に亜塩素酸ナトリウム１５ｇ／Ｌ添加した酸化処理液に、５０℃で３分間浸漬し、この後、５分間水洗した。これらの工程を経た後に、３−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール（和光純薬工業株式会社製、商品名）の濃度が、１０ｐｐｍであるエタノール溶液に２５℃で、１０分間浸漬し、１分間水洗した。この処理工程を経た後に、８５℃で３０分間乾燥させた。その他工程は、実施例１と同様に行った。
【０１１４】
実施例６
（工程ａ−３）、（工程ｃ−３）、（工程ｆ−３）、（工程ｇ−３）において、置換パラジウムめっき液ＳＡ−１００（日立化成工業株式会社、製品名）に３０℃で３分間浸漬して１．０μｍｏｌ／ｄｍ２の置換パラジウムめっきを施し、１分間水洗し、りん酸三ナトリウム１０ｇ／Ｌおよび水酸化カリウム２５ｇ／Ｌを含むアルカリ性水溶液に亜塩素酸ナトリウム１５ｇ／Ｌ添加した酸化処理液に、５０℃で３分間浸漬し、この後、５分間水洗した。これらの工程を経た後に、２−アミノ−６−ヒドロキシ−８−メルカプトプリン（和光純薬工業株式会社製、商品名）の濃度が、１０ｐｐｍであるエタノール溶液に２５℃で、１０分間浸漬し、１分間水洗した。さらに、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン０．５％水溶液に３０℃で３分間浸漬してカップリング処理を施し、１分間水洗した。この処理工程を経た後に、８５℃で３０分間乾燥させた。その他工程は、実施例１と同様に行った。
【０１１５】
実施例７
（工程ａ−３）、（工程ｃ−３）、（工程ｆ−３）、（工程ｇ−３）において、置換パラジウムめっき液ＳＡ−１００（日立化成工業株式会社、製品名）に３０℃で３分間浸漬して１．０μｍｏｌ／ｄｍ２の置換パラジウムめっきを施し、１分間水洗し、りん酸三ナトリウム１０ｇ／Ｌおよび水酸化カリウム２５ｇ／Ｌを含むアルカリ性水溶液に亜塩素酸ナトリウム１５ｇ／Ｌ添加した酸化処理液に、５０℃で３分間浸漬し、この後、５分間水洗した。さらに、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン０．５％水溶液に３０℃で３分間浸漬してカップリング処理を施し、１分間水洗した。これらの工程を経た後に、３−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール（和光純薬工業株式会社製、商品名）の濃度が、１０ｐｐｍであるエタノール溶液に２５℃で、１０分間浸漬し、１分間水洗した。この処理工程を経た後に、８５℃で３０分間乾燥させた。その他工程は、実施例１と同様に行った。
【０１１６】
実施例８
（工程ａ−３）、（工程ｃ−３）、（工程ｆ−３）、（工程ｇ−３）において、置換パラジウムめっき液ＳＡ−１００（日立化成工業株式会社、製品名）に３０℃で３分間浸漬して１．０μｍｏｌ／ｄｍ２の置換パラジウムめっきを施し、１分間水洗し、りん酸三ナトリウム１０ｇ／Ｌおよび水酸化カリウム２５ｇ／Ｌを含むアルカリ性水溶液に亜塩素酸ナトリウム１５ｇ／Ｌ添加した酸化処理液に、５０℃で３分間浸漬した。この後、５分間水洗し、還元処理液ＨＩＳＴ−１００（日立化成工業株式会社製、商品名）に４０℃で３分間浸漬し、さらに１０分間水洗を行った。これらの工程を経た後に、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン０．５％水溶液に３０℃で３分間浸漬してカップリング処理を施し、１分間水洗した。この処理工程を経た後に、８５℃で３０分間乾燥させた。その他工程は、実施例１と同様に行った。
【０１１７】
実施例９
（工程ａ−３）、（工程ｃ−３）、（工程ｆ−３）、（工程ｇ−３）において、置換パラジウムめっき液ＳＡ−１００（日立化成工業株式会社、製品名）に３０℃で３分間浸漬して１．０μｍｏｌ／ｄｍ２の置換パラジウムめっきを施し、１分間水洗し、りん酸三ナトリウム１０ｇ／Ｌおよび水酸化カリウム２５ｇ／Ｌを含むアルカリ性水溶液に亜塩素酸ナトリウム１５ｇ／Ｌ添加した酸化処理液に、５０℃で３分間浸漬した。この後、５分間水洗し、還元処理液ＨＩＳＴ−１００（日立化成工業株式会社製、商品名）に４０℃で３分間浸漬し、さらに１０分間水洗を行った。これらの工程を経た後に、２−アミノ−６−ヒドロキシ−８−メルカプトプリン（和光純薬工業株式会社製、商品名）の濃度が、１０ｐｐｍであるエタノール溶液に２５℃で、１０分間浸漬し、１分間水洗した。この処理工程を経た後に、８５℃で３０分間乾燥させた。その他工程は、実施例１と同様に行った。
【０１１８】
実施例１０
（工程ａ−３）、（工程ｃ−３）、（工程ｆ−３）、（工程ｇ−３）において、置換パラジウムめっき液ＳＡ−１００（日立化成工業株式会社、製品名）に３０℃で３分間浸漬して１．０μｍｏｌ／ｄｍ２の置換パラジウムめっきを施し、１分間水洗し、りん酸三ナトリウム１０ｇ／Ｌおよび水酸化カリウム２５ｇ／Ｌを含むアルカリ性水溶液に亜塩素酸ナトリウム１５ｇ／Ｌ添加した酸化処理液に、５０℃で３分間浸漬した。この後、５分間水洗し、還元処理液ＨＩＳＴ−１００（日立化成工業株式会社製、商品名）に４０℃で３分間浸漬し、さらに１０分間水洗を行った。これらの工程を経た後に、３−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール（和光純薬工業株式会社製、商品名）の濃度が、１０ｐｐｍであるエタノール溶液に２５℃で、１０分間浸漬し、１分間水洗した。この処理工程を経た後に、８５℃で３０分間乾燥させた。その他工程は、実施例１と同様に行った。
【０１１９】
実施例１１
（工程ａ−３）、（工程ｃ−３）、（工程ｆ−３）、（工程ｇ−３）において、置換パラジウムめっき液ＳＡ−１００（日立化成工業株式会社、製品名）に３０℃で３分間浸漬して１．０μｍｏｌ／ｄｍ２の置換パラジウムめっきを施し、１分間水洗し、りん酸三ナトリウム１０ｇ／Ｌおよび水酸化カリウム２５ｇ／Ｌを含むアルカリ性水溶液に亜塩素酸ナトリウム１５ｇ／Ｌ添加した酸化処理液に、５０℃で３分間浸漬した。この後、５分間水洗し、還元処理液ＨＩＳＴ−１００（日立化成工業株式会社製、商品名）に４０℃で３分間浸漬し、さらに１０分間水洗を行った。これらの工程を経た後に、２−アミノ−６−ヒドロキシ−８−メルカプトプリン（和光純薬工業株式会社製、商品名）の濃度が、１０ｐｐｍであるエタノール溶液に２５℃で、１０分間浸漬し、１分間水洗した。さらに、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン０．５％水溶液に３０℃で３分間浸漬してカップリング処理を施し、１分間水洗した。この処理工程を経た後に、８５℃で３０分間乾燥させた。その他工程は、実施例１と同様に行った。
【０１２０】
実施例１２
（工程ａ−３）、（工程ｃ−３）、（工程ｆ−３）、（工程ｇ−３）において、置換パラジウムめっき液ＳＡ−１００（日立化成工業株式会社、製品名）に３０℃で３分間浸漬して１．０μｍｏｌ／ｄｍ２の置換パラジウムめっきを施し、１分間水洗し、りん酸三ナトリウム１０ｇ／Ｌおよび水酸化カリウム２５ｇ／Ｌを含むアルカリ性水溶液に亜塩素酸ナトリウム１５ｇ／Ｌ添加した酸化処理液に、５０℃で３分間浸漬した。この後、５分間水洗し、還元処理液ＨＩＳＴ−１００（日立化成工業株式会社製、商品名）に４０℃で３分秒間浸漬し、さらに１０分間水洗を行った。さらに、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン０．５％水溶液に３０℃で３分間浸漬してカップリング処理を施し、１分間水洗した。これらの工程を経た後に、３−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール（和光純薬工業株式会社製、商品名）の濃度が、１０ｐｐｍであるエタノール溶液に２５℃で、１０分間浸漬し、１分間水洗した。この処理工程を経た後に、８５℃で３０分間乾燥させた。その他工程は、実施例１と同様に行った。
【０１２１】
実施例１３
（工程ａ−３）、（工程ｃ−３）、（工程ｆ−３）、（工程ｇ−３）において、置換金めっき液ＨＧＳ−５００（日立化成工業株式会社、製品名）に３０℃で１分間浸漬して１．０μｍｏｌ／ｄｍ２の置換金めっきを施し、１分間水洗し、りん酸三ナトリウム１０ｇ／Ｌおよび水酸化カリウム２５ｇ／Ｌを含むアルカリ性水溶液に亜塩素酸ナトリウム１５ｇ／Ｌ添加した酸化処理液に、５０℃で３分間浸漬した。この後、５分間水洗し、８５℃で３０分間乾燥させた。その他工程は、実施例１と同様に行った。
【０１２２】
実施例１４
（工程ａ−３）、（工程ｃ−３）、（工程ｆ−３）、（工程ｇ−３）において、硝酸銀７．５ｇ／Ｌ、水酸化アンモニア７５ｇ／Ｌ、チオ硫酸ナトリウム５水和物をそれぞれ含む置換銀めっき液に３０℃で２０秒間浸漬して１．０μｍｏｌ／ｄｍ２の置換銀めっきを施し、１分間水洗し、りん酸三ナトリウム１０ｇ／Ｌおよび水酸化カリウム２５ｇ／Ｌを含むアルカリ性水溶液に亜塩素酸ナトリウム１５ｇ／Ｌ添加した酸化処理液に、５０℃で３分間浸漬した。この後、５分間水洗し、８５℃で３０分間乾燥させた。その他工程は、実施例１と同様に行った。
【０１２３】
実施例１５
（工程ａ’）
（工程ａ’−１）
コア基板１００（図９参照、以下同様とする。）として０．４ｍｍ厚のソーダガラス基板（熱膨張係数１１ｐｐｍ／℃）を用意し、片面に絶縁層１０４を次のように形成した。すなわち、シアネ―トエステル系樹脂組成物の絶縁ワニスをスピンコート法により、条件１５００ｒｐｍで、ガラス基板上に塗布し、厚み２０μｍの樹脂層を形成した後、常温（２５℃）から６℃／ｍｉｎの昇温速度で２３０℃まで加熱し、２３０℃で８０分間保持することにより熱硬化し、絶縁層１０４を形成した。
【０１２４】
（工程ａ’−２）
実施例１の（工程ａ−１）によりめっき面１１８を形成した。次に、実施例１の（工程ａ−２）を行った。
【０１２５】
（工程ａ’−３）
実施例１の（工程ａ−３）を行い、ドライフィルム・エッチングレジスト（旭化成エレクトロニクス社製 サンフォートＳＰＧ−１５２ フィルム厚１５μｍ）の形成あるいは液状・エッチングレジスト互応化学工業社製 ＥＫＩＲＥＳＩＮ ＰＥＲ−８００ ネガタイプ）を形成し、その後、露光、現像を行い、配線１０６となる部分にレジスト１１９を形成した。
【０１２６】
（工程ｄ’）
塩化第二鉄エッチング液を用いて不要なめっきをエッチングし、次に、レジスト剥離を行い、配線１０６を形成した。その後、絶縁層（ビルドアップ層）１０４を（工程ａ’−１）と同様に形成し、図１１に示すＬ／Ｓ＝５μｍ／５μｍ（配線対：２５対、配線数：５０本）、図１２に示すＬ／Ｓ＝７μｍ／７μｍ（配線対：２５対、配線数：５０本）、図１３に示すＬ／Ｓ＝１０μｍ／１０μｍ（配線対：２５対、配線数：５０本）、図１４に示すＬ／Ｓ＝１５μｍ／１５μｍ（配線対：２５対、配線数：５０本）のくし型配線基板を作製した。
【０１２７】
実施例１６
実施例１５の（工程ａ’−３）において、実施例１の（工程ａ−３）を行うかわりに、実施例２の（工程ａ−３）を行った以外は、実施例１５と同様に行った。
【０１２８】
実施例１７
実施例１５の（工程ａ’−３）において、実施例１の（工程ａ−３）を行うかわりに、実施例３の（工程ａ−３）を行った以外は、実施例１５と同様に行った。
【０１２９】
実施例１８
実施例１５の（工程ａ’−３）において、実施例１の（工程ａ−３）を行うかわりに、実施例４の（工程ａ−３）を行った以外は、実施例１５と同様に行った。
【０１３０】
実施例１９
実施例１５の（工程ａ’−３）において、実施例１の（工程ａ−３）を行うかわりに、実施例５の（工程ａ−３）を行った以外は実施例１５と同様に行った。
【０１３１】
実施例２０
実施例１５の（工程ａ’−３）において、実施例１の（工程ａ−３）を行うかわりに実施例６の（工程ａ−３）を行った以外は実施例１５と同様に行った。
【０１３２】
実施例２１
実施例１５の（工程ａ’−３）において、実施例１の（工程ａ−３）を行うかわりに、実施例７の（工程ａ−３）を行った以外は実施例１５と同様に行った。
【０１３３】
実施例２２
実施例１５の（工程ａ’−３）において、実施例１の（工程ａ−３）を行うかわりに、実施例８の（工程ａ−３）を行った以外は実施例１５と同様に行った。
【０１３４】
実施例２３
実施例１５の（工程ａ’−３）において、実施例１の（工程ａ−３）を行うかわりに、実施例９の（工程ａ−３）を行った以外は実施例１５と同様に行った。
【０１３５】
実施例２４
実施例１５の（工程ａ’−３）において、実施例１の（工程ａ−３）を行うかわりに、実施例１０の（工程ａ−３）を行った以外は実施例１５と同様に行った。
【０１３６】
実施例２５
実施例１５の（工程ａ’−３）において、実施例１の（工程ａ−３）を行うかわりに、実施例１１の（工程ａ−３）を行った以外は実施例１５と同様に行った。
【０１３７】
実施例２６
実施例１５の（工程ａ’−３）において、実施例１の（工程ａ−３）を行うかわりに、実施例１２の（工程ａ−３）を行った以外は実施例１５と同様に行った。
【０１３８】
実施例２７
実施例１５の（工程ａ’−３）において、実施例１の（工程ａ−３）を行うかわりに、実施例１３の（工程ａ−３）を行った以外は、実施例１５と同様に行った。
【０１３９】
実施例２８
実施例１５の（工程ａ’−３）において、実施例１の（工程ａ−３）を行うかわりに、実施例１４の（工程ａ−３）を行った以外は実施例１５と同様に行った。
【０１４０】
実施例２９
（工程ａ’’）
（工程ａ’’−１）
絶縁層１０４’（図１０参照、以下同様とする。）として２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製 カプトン１００Ｖ）を用意した。
【０１４１】
（工程ａ’’−２）
実施例１の（工程ａ−１）によりめっき面１１８を形成した。次に、実施例１の（工程ａ−２）を行った。
【０１４２】
（工程ａ’’−３）
実施例１の（工程ａ−３）を行い、ドライフィルム・エッチングレジスト（旭化成エレクトロニクス社製 サンフォートＳＰＧ−１５２ フィルム厚１５μｍ）の形成あるいは液状・エッチングレジスト互応化学工業社製 ＥＫＩＲＥＳＩＮ ＰＥＲ−８００ ネガタイプ）を形成し、その後、露光、現像を行い、配線１０６となる部分にレジスト１１９を形成した。
【０１４３】
（工程ｄ’’）
（工程ｄ’’−１）
塩化第二鉄エッチング液を用いてエッチングし、次に、レジスト剥離を行い、配線１０６を形成した。次に、実施例１の（工程ａ−２）を行った。
【０１４４】
（工程ｄ’’−２）
実施例１の（工程ａ−３）を行い、絶縁被覆（ソルダーレジスト）を形成し、その後、露光、現像を行い、配線１０６を被覆したソルダーレジスト１０９を形成し、図１１に示すＬ／Ｓ＝５μｍ／５μｍ（配線対：２５対、配線数：５０本）、図１２に示すＬ／Ｓ＝７μｍ／７μｍ（配線対：２５対、配線数：５０本）、図１３に示すＬ／Ｓ＝１０μｍ／１０μｍ（配線対：２５対、配線数：５０本）、図１４に示すＬ／Ｓ＝１５μｍ／１５μｍ（配線対：２５対、配線数：５０本）のくし型配線基板を作製した。
【０１４５】
実施例３０
実施例２９の（工程ｄ’’−２）において、実施例１の（工程ａ−３）を行ったかわりに、実施例２の（工程ａ−３）を行った以外は実施例２９と同様に行った。
【０１４６】
実施例３１
実施例２９の（工程ｄ’’−２）において、実施例１の（工程ａ−３）を行ったかわりに、実施例３の（工程ａ−３）を行った以外は実施例２９と同様に行った。
【０１４７】
実施例３２
実施例２９の（工程ｄ’’−２）において、実施例１の（工程ａ−３）を行ったかわりに、実施例４の（工程ａ−３）を行った以外は実施例２９と同様に行った。
【０１４８】
実施例３３
実施例２９の（工程ｄ’’−２）において、実施例１の（工程ａ−３）を行ったかわりに、実施例５の（工程ａ−３）を行った以外は実施例２９と同様に行った。
【０１４９】
実施例３４
実施例２９の（工程ｄ’’−２）において、実施例１の（工程ａ−３）を行ったかわりに、実施例６の（工程ａ−３）を行った以外は実施例２９と同様に行った。
【０１５０】
実施例３５
実施例２９の（工程ｄ’’−２）において、実施例１の（工程ａ−３）を行ったかわりに、実施例７の（工程ａ−３）を行った以外は実施例２９と同様に行った。
【０１５１】
実施例３６
実施例２９の（工程ｄ’’−２）において、実施例１の（工程ａ−３）を行ったかわりに、実施例８の（工程ａ−３）を行った以外は実施例２９と同様に行った。
【０１５２】
実施例３７
実施例２９の（工程ｄ’’−２）において、実施例１の（工程ａ−３）を行ったかわりに、実施例９の（工程ａ−３）を行った以外は実施例２９と同様に行った。
【０１５３】
実施例３８
実施例２９の（工程ｄ’’−２）において、実施例１の（工程ａ−３）を行ったかわりに、実施例１０の（工程ａ−３）を行った以外は実施例２９と同様に行った。
【０１５４】
実施例３９
実施例２９の（工程ｄ’’−２）において、実施例１の（工程ａ−３）を行ったかわりに、実施例１１の（工程ａ−３）を行った以外は実施例２９と同様に行った。
【０１５５】
実施例４０
実施例２９の（工程ｄ’’−２）において、実施例１の（工程ａ−３）を行ったかわりに、実施例１２の（工程ａ−３）を行った以外は実施例２９と同様に行った。
【０１５６】
実施例４１
実施例２９の（工程ｄ’’−２）において、実施例１の（工程ａ−３）を行ったかわりに、実施例１３の（工程ａ−３）を行った以外は実施例２９と同様に行った。
【０１５７】
実施例４２
実施例２９の（工程ｄ’’−２）において、実施例１の（工程ａ−３）を行ったかわりに、実施例１４の（工程ａ−３）を行った以外は実施例２９と同様に行った。
【０１５８】
実施例４３
絶縁層１０４’として２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製 カプトン１００Ｖ）に、実施例１に示す（工程ａ−３）の処理を行った。
【０１５９】
実施例４４
絶縁層１０４’として２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製 カプトン１００Ｖ）に、実施例２に示す（工程ａ−３）の処理を行った。
【０１６０】
実施例４５
絶縁層１０４’として２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製 カプトン１００Ｖ）に、実施例３に示す（工程ａ−３）の処理を行った。
【０１６１】
実施例４６
絶縁層１０４’として２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製 カプトン１００Ｖ）に、実施例４に示す（工程ａ−３）の処理を行った。
【０１６２】
実施例４７
絶縁層１０４’として２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製 カプトン１００Ｖ）に、実施例５に示す（工程ａ−３）の処理を行った。
【０１６３】
実施例４８
絶縁層１０４’として２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製 カプトン１００Ｖ）に、実施例６に示す（工程ａ−３）の処理を行った。
【０１６４】
実施例４９
絶縁層１０４’として２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製 カプトン１００Ｖ）に、実施例７に示す（工程ａ−３）の処理を行った。
【０１６５】
実施例５０
絶縁層１０４’として２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製 カプトン１００Ｖ）に、実施例８に示す（工程ａ−３）の処理を行った。
【０１６６】
実施例５１
絶縁層１０４’として２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製 カプトン１００Ｖ）に、実施例９に示す（工程ａ−３）の処理を行った。
【０１６７】
実施例５２
絶縁層１０４’として２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製 カプトン１００Ｖ）に、実施例１０に示す（工程ａ−３）の処理を行った。
【０１６８】
実施例５３
絶縁層１０４’として２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製 カプトン１００Ｖ）に、実施例１１に示す（工程ａ−３）の処理を行った。
【０１６９】
実施例５４
絶縁層１０４’として２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製 カプトン１００Ｖ）に、実施例１２に示す（工程ａ−３）の処理を行った。
【０１７０】
実施例５５
絶縁層１０４’として２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製 カプトン１００Ｖ）に、実施例１３に示す（工程ａ−３）の処理を行った。
【０１７１】
実施例５６
絶縁層１０４’として２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製 カプトン１００Ｖ）に、実施例１４に示す（工程ａ−３）の処理を行った。
【０１７２】
比較例１
実施例１の（工程ａ−３）、（工程ｃ−３）、（工程ｆ−３）、（工程ｇ−３）のかわりに、各工程おいて、りん酸三ナトリウム１０ｇ／Ｌおよび水酸化カリウム２５ｇ／Ｌを含むアルカリ性水溶液に亜塩素酸ナトリウム１５ｇ／Ｌ添加した酸化処理液に８５℃で３分間浸漬した。この後、５分間水洗し、８５℃で３０分間乾燥させた。それ以外は、実施例１と同様に行った。
【０１７３】
比較例２
実施例１の（工程ａ−３）、（工程ｃ−３）、（工程ｆ−３）、（工程ｇ−３）のかわりに、各工程において、りん酸三ナトリウム１０ｇ／Ｌおよび水酸化カリウム２５ｇ／Ｌを含むアルカリ性水溶液に亜塩素酸ナトリウム１５ｇ／Ｌ添加した酸化処理液に８５℃で３分間浸漬した。この後、５分間水洗し、還元処理液ＨＩＳＴ−１００（日立化成工業株式会社製、商品名）に４０℃で３分間浸漬し、さらに１０分間水洗を行った。この処理工程を経た後に、８５℃で３０分間乾燥させた。それ以外は、実施例１と同様に行った。
【０１７４】
比較例３
実施例１の（工程ａ−３）、（工程ｃ−３）、（工程ｆ−３）、（工程ｇ−３）のかわりに、各工程において、マイクロエッチング剤であるメックエッチボンドＣＺ８１００（メック株式会社製、商品名）に４０℃で１分３０秒間浸漬し、水洗した後、常温にて３．６Ｎの硫酸水溶液に６０秒間浸漬し、更に水洗を１分間行った。この処理工程を経た後に、８５℃で３０分間乾燥させた。それ以外は、実施例１と同様に行った。
【０１７５】
比較例４
実施例１の（工程ａ−３）、（工程ｃ−３）、（工程ｆ−３）、（工程ｇ−３）の各工程を行わなかった。すなわち、凹凸形成処理を行わなかった。それ以外は、実施例１と同様に行った。
【０１７６】
比較例５
実施例１５の（工程ａ’−３）のかわりに、、比較例１の（工程ａ−３）を行い、それ以外は実施例１５と同様に行った。
【０１７７】
比較例６
実施例１５の（工程ａ’−３）のかわりに、比較例２の（工程ａ−３）を行い、それ以外は実施例１５と同様に行った。
【０１７８】
比較例７
実施例１５の（工程ａ’−３）のかわりに、比較例３の（工程ａ−３）を行い、それ以外は実施例１５と同様に行った。
【０１７９】
比較例８
実施例１５の（工程ａ’−３）において、実施例１の（工程ａ−３）を行わなかった。これ以外は実施例１５と同様に行った。
【０１８０】
比較例９
実施例２９の（工程ｄ’’−２）において、実施例１の（工程ａ−３）のかわりに、比較例１の（工程ａ−３）を行い、それ以外は実施例２９と同様に行った。
【０１８１】
比較例１０
実施例２９の（工程ｄ’’−２）において、実施例１の（工程ａ−３）のかわりに、比較例２の（工程ａ−３）を行い、それ以外は実施例２９と同様に行った。
【０１８２】
比較例１１
実施例２９の（（工程ｄ’’−２）において、実施例１の（工程ａ−３）のかわりに、比較例３の（工程ａ−３）を行い、それ以外は実施例２９と同様に行った。
【０１８３】
比較例１２
実施例２９の（工程ｄ’’−２）において、実施例１の（工程ａ−３）を行わなかった。これ以外は実施例２９と同様に行った。
【０１８４】
比較例１３
絶縁層１０４’として２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製 カプトン１００Ｖ）に、比較例１に示す（工程ａ−３）の処理を行った。
【０１８５】
比較例１４
絶縁層１０４’として２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製 カプトン１００Ｖ）に、比較例２に示す（工程ａ−３）の処理を行った。
【０１８６】
比較例１５
絶縁層１０４’として２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製 カプトン１００Ｖ）に、比較例３に示す（工程ａ−３）の処理を行った。
【０１８７】
比較例１６
絶縁層１０４’として２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製 カプトン１００Ｖ）に対し、何も処理は行わなかった。
【０１８８】
以上のように作製した試験サンプルに対し、以下の試験を行った。
【０１８９】
（銅表面平滑度、形状、無光沢評価試験）
実施例１〜１４及び比較例１〜４に記載された（工程ａ−３）まで処理した後、銅表面平滑度評価試験を行った。Ｒｚが１ｎｍ以上かつ１００ｎｍ以下のものを◎、Ｒｚが１００ｎｍを超えかつ１０００ｎｍ以下のものを○、Ｒｚが１ｎｍ未満または１０００ｎｍを超えるものを△とした。結果を表１に示した。次に、銅表面形状を調べた。電子顕微鏡による観察で、銅表面形状が緻密且つ均一の凹凸のものを○、そうでないものを×とした。結果を表１に併記した。但し、比較例４については、（工程ａ−３）を行なっていないため、銅表面に凹凸を形成することができなかった。更に、目視により光沢の有無を調べた。無光沢のものを○、光沢のあるものを×とした。結果を表１に併記した。
【０１９０】
（レジストパターン形成率評価試験）
実施例１５〜２８及び比較例５〜８に記載された（工程ａ’−３）まで処理した後、ドライフィルム・エッチングレジスト及び液状・エッチングレジストによる各Ｌ／Ｓのレジストパターン形成率の評価をした。評価方法は、各Ｌ／Ｓのレジストが形成されたレジスト幅を測定し、各Ｌ／Ｓレジスト幅の設計値に対する誤差が±１０％以内のものを良品とし、その割合を調べた。ドライフィルム・エッチングレジストについては表２に、液状・エッチングレジストについては表３に結果を示した。
【０１９１】
（配線間の短絡評価試験）
実施例１５〜２８及び比較例５〜８に記載された（工程ａ’）及び（工程ｄ’）の処理後、ドライフィルム・エッチングレジスト及び液状・エッチングレジストによる各Ｌ／Ｓくし型配線基板の配線間の短絡数を調べた。ドライフィルム・エッチングレジストについては表４に、液状・エッチングレジストについては表５に結果を示した。
【０１９２】
（電食試験）
実施例１５〜２８及び比較例５〜８に記載された（工程ａ’）及び（工程ｄ’）の処理後、ドライフィルム・エッチングレジスト及び液状・エッチングレジストによる各Ｌ／Ｓくし型配線基板の配線間絶縁抵抗値を測定し、１．０×１０９Ω未満の値をＮＧとした。
ドライフィルム・エッチングレジストについては表６に、液状・エッチングレジストについては表７に結果を示した。各Ｌ／Ｓくし型配線基板の配線間絶縁抵抗はアドバンテスト株式会社社製Ｒ−８３４０Ａ型デジタル超高抵抗微小電流計を用いて、室温でＤＣ５Ｖの電圧を３０秒間印加し、櫛型間の絶縁抵抗値を測定した。また、１ＧΩ以下の絶縁抵抗測定には、株式会社ヒューレット・パッカード（ＨＰ）社製デジタルマルチメータ３４５７Ａを用いた。次に、８５℃・相対湿度８５％に保った恒湿恒温層中で連続的に電圧ＤＣ５Ｖを印加し、一定時間毎に上記と同様に各Ｌ／Ｓ配線間の絶縁抵抗値を測定した。恒湿恒温槽は株式会社日立製作所製ＥＣ−１０ＨＨＰＳ型恒湿恒温を用い、投入後１０００時間まで測定した。但し、比較例８については、配線形成をすることができず、試験基板を作成することができなかった。
【０１９３】
（金めっき試験）
実施例１〜１４及び比較例１〜４に記載された（工程ｇ）まで処理した後、外部接続端子部分への金めっき処理を行った。金めっき処理方法としては、水で２００ｍｌ／Ｌに調整した酸性脱脂液Ｚ−２００（ワールドメタル社製、商品名）に、液温５０℃で２分間浸漬した後、液温５０℃の水に２分間浸漬することにより湯洗し、さらに１分間水洗した。次いで、３．６Ｎの硫酸水溶液に１分間浸漬し、１分間水洗した。次に、置換パラジウムめっき液ＳＡ−１００（日立化成工業株式会社、製品名）に３０℃で３分間浸漬して、外部接続端子部分に選択的にパラジウムを施し、１分間水洗した。次に、無電解ニッケルめっき液ＮＩＰＳ−１００（日立化成工業株式会社、製品名）に８５℃で１５分間浸漬して、外部接続端子部分に選択的にニッケルを５μｍ施し、１分間水洗した。次に、置換金めっき液ＨＧＳ−５００（日立化成工業株式会社、製品名）に８５℃で１０分間浸漬して、外部接続端子部分に選択的に金を０．０５μｍ施し、１分間水洗した。次に、無電解金めっき液ＨＧＳ−２０００（日立化成工業株式会社、製品名）に６０℃で４０分間浸漬して、外部接続端子部分に選択的に金を０．５μｍ施し、５分間水洗し、８５℃で３０分間乾燥させた。金めっき評価方法は、目視あるいは顕微鏡観察により、金めっきのムラなしを○、金めっきムラありを△、金めっき未析出を×とした。結果を表８に示す。
【０１９４】
（耐ＰＣＴ性評価試験）
実施例２９〜４２及び比較例９〜１２に記載された（工程ｄ’’）まで処理した後、耐ＰＣＴ試験（１２１℃、２００ｈ、２ａｔｍ）を行った。評価方法は、試験後の配線（Ｃｕ）／ソルダーレジスト（ＳＲ）間及びポリイミドフィルム（ＰＩ）／ソルダーレジスト間の膨れ有無を調べ、膨れ無しを○、膨れ有りを×とした。結果を表９に示す。但し、比較例１１については、配線形成をすることができず、試験基板を作成することができなかった。
【０１９５】
（耐溶解性評価試験）
実施例４３〜５６及び比較例１３〜１６に記載されたＰＩの処理前後の重量減少量を測定し、ｍ２当たりの溶解量を算出した。評価方法は、ＰＩの溶解量１００ｍｇ／ｍ２未満を○、ＰＩの溶解量１００ｍｇ／ｍ２以上を×とした。結果を表１０に示す。
【０１９６】
（半導体パッケージの信頼性試験）
実施例１〜１４及び比較例１〜４に記載された各々の半導体パッケージを、吸湿処理を行った後、到達温度２４０℃、長さ２ｍのリフロー炉に０．５ｍ／分の条件で流し、２２個のサンプルをリフローし、クラックの発生を調べ、発生した場合をＮＧとした。結果を表１１に示した。ただし、比較例３については、配線精度を維持することができず、試験基板を作製することができなかった。
【０１９７】
【表１】
【０１９８】
【表２】
【０１９９】
【表３】
【０２００】
【表４】
【０２０１】
【表５】
【０２０２】
【表６】
【０２０３】
【表７】
【０２０４】
【表８】
【０２０５】
【表９】
【０２０６】
【表１０】
【０２０７】
【表１１】
【０２０８】
実施例１から５６に示したように、本発明の場合、数十ナノレベルの緻密且つ均一な凹凸を銅表面に形成することにより銅表面を無光沢化できた。また、その銅表面にレジストを形成することにより、レジストパターンの形成率は良好であり、配線間の短絡も無いことが分かった。また、作製した半導体パッケージの信頼性も極めて良好であった。その他、電食試験による各Ｌ／Ｓの配線間絶縁信頼性、耐ＰＣＴ性、耐溶解性においても極めて良好であった。これに対し、従来技術では、比較例１から１６に示したように銅表面の無光沢化および凹凸形状、レジストパターン形成率、配線間の短絡数、半導体パッケージの信頼性、配線間絶縁信頼性、耐ＰＣＴ性、耐溶解性の全てを満足することはできなかった。したがって本発明により、銅表面に数十ナノレベルの緻密且つ均一の微細凹凸を銅表面に形成することにより、良好な配線が形成できる。また本発明により、ソルダレジストまたはカバーレイを接着性良く形成でき、各種信頼性に優れた配線基板、半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージが製造できる。
【図面の簡単な説明】
【０２０９】
【図１】本発明の一実施形態が適用される半導体チップ搭載基板の断面図。
【図２】（ａ）〜（ｇ）は本発明の半導体チップ搭載基板の製造方法の一実施形態を示す工程図。
【図３】本発明の一実施形態が適用されるフリップチップタイプ半導体パッケージの断面図。
【図４】本発明の一実施形態が適用されるワイヤボンドタイプ半導体パッケージの断面図。
【図５】本発明のファン−インタイプ半導体チップ搭載基板の平面図。
【図６】本発明のファン−アウトタイプ半導体チップ搭載基板の平面図。
【図７】本発明の半導体チップ搭載基板のフレーム形状を表す平面図。
【図８】本発明の一実施形態が適用される半導体チップ搭載基板の断面図。
【図９】（ａ’）〜（ｄ’）は本発明の電食試験用評価基板製造方法の一実施形態を示す工程図。
【図１０】（ａ’’）〜（ｄ’’）は本発明の耐ＰＣＴ性評価基板製造方法の一実施形態を示す工程図。
【図１１】本発明の一実施形態が適用される電食試験用評価基板の平面図。
【図１２】本発明の一実施形態が適用される電食試験用評価基板の平面図。
【図１３】本発明の一実施形態が適用される電食試験用評価基板の平面図。
【図１４】本発明の一実施形態が適用される電食試験用評価基板の平面図。
【符号の説明】
【０２１０】
１１．位置決めマーク（位置合わせ用ガイド穴）
１３．半導体パッケージ領域
１４．ダイボンドフィルム接着領域（フリップチップタイプ）
１５．半導体チップ搭載領域（フリップチップタイプ）
１６．半導体チップ接続端子
１７．ダイボンドフィルム接着領域（ワイヤボンドタイプ）
１８．半導体チップ搭載領域（ワイヤボンドタイプ）
１９．外部接続端子
２０．展開配線
２１．ダミーパターン
２２．半導体チップ搭載基板
２３．ブロック
２４．補強パターン
２５．切断位置合わせマーク
１００ コア基板
１０１ 第１の層間接続端子
１０２ 第１の層間接続用ＩＶＨ（バイアホール）
１０３ 第２の層間接続端子
１０４ 層間絶縁層（ビルドアップ層）
１０４’ 絶縁層（ポリイミドフィルム）
１０５ 第３の層間接続用ＩＶＨ（バイアホール）
１０６ 配線
１０６ａ 第１の配線
１０６ｂ 第２の配線
１０６ｃ 第３の配線
１０７ 外部接続端子
１０８ 第２の層間接続用ＩＶＨ（バイアホール）
１０９ 絶縁被覆（ソルダーレジスト）
１１１ 半導体チップ
１１２ 接続バンプ
１１３ アンダーフィル材
１１４ はんだボール
１１５ 金ワイヤ
１１６ 半導体用封止樹脂
１１７ ダイボンドフィルム
１１８ めっき面
１１９ レジスト
【技術分野】
【０００１】
本発明は、銅表面の前処理方法及びこの方法を用いた配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の情報化社会の発展は目覚しく、民生機器ではパソコン、携帯電話などの小型化、軽量化、高性能化、高機能化が進められ、産業用機器としては無線基地局、光通信装置、サーバ、ルータなどのネットワーク関連機器など、大型、小型を問わず、同じように機能の向上が求められている。また、情報伝達量の増加に伴い、年々扱う信号の高周波化が進む傾向にあり、高速処理および高速伝送技術の開発が進められている。実装関係についてみると、ＣＰＵ、ＤＳＰや各種のメモリなどのＬＳＩの高速化、高機能化と共に、新たな高密度実装技術としてシステムオンチップ（ＳｏＣ）、システムインパッケージ（ＳｉＰ）などの開発が盛んに行われている。そして、微小な実装エリアに複数の半導体チップを搭載するため、Ｌ／Ｓ＝３０μｍ／３０μｍ以下の微細配線を形成した半導体チップ搭載基板が使用されるようになってきた。
【０００３】
微細配線を形成する半導体チップ搭載基板は、サブトラクティブ法、あるいはセミアディティブ法により行われている。
【０００４】
サブトラクティブ法による一般的な配線形成工程は、銅表面にエッチングレジストを形成し、その後、露光、現像を行い、レジストパターンを形成する。次に、不要な銅をエッチングし、レジスト剥離を行うことにより配線を形成する。
【０００５】
セミアディティブ法による一般的な配線形成工程は、銅（シード層）表面にめっきレジストを形成し、その後、露光、現像を行い、レジストパターンを形成する。次に、電気めっき、レジスト剥離及びエッチングを行うことにより配線を形成する。
【０００６】
また、これらの配線形成後に、外部接続端子や半導体チップ接続端子等以外の配線を保護するために、配線上にソルダーレジストやカバーレイを形成することもできる。
【０００７】
これらの方法により、Ｌ／Ｓ幅の設計値に対する微細配線の形成率を上げるためには、レジストパターンを設計通りに形成することが必要である。しかし、Ｌ／Ｓ＝３０μｍ／３０μｍ以下の微細配線形成においては、露光の際、光沢性のある銅表面では、光の反射によるハレーションの影響により、レジストパターンの精度が得られにくい問題がある。
また、特に、サブトラクティブ法ではエッチングの際に、銅表面とレジストパターンとの密着力が低下し、レジストパターンが剥がれる問題がある。一方、配線／ソルダーレジスト間や配線／カバーレイ間では、配線が微細になるに従い、十分な接着性が得られないという問題がある。
【０００８】
上記に示した問題を解決するためには、銅表面の無光沢化および銅表面とレジストの密着力の強化が重要である。これらを実現するために、従来の方法として、下記に示した銅表面処理方法が行われてきた。
【０００９】
つまり、銅表面にミクロンオーダーの粗化形状を付与して銅表面を無光沢化し、アンカー効果によって銅表面とレジストとの接着力を得る方法である。例えば、無機酸および銅の酸化剤を含む主剤と、少なくとも一種のアゾール類および少なくとも一種のエッチング抑制剤を含む助剤とを含む水溶液を用いて、銅表面に高さ２〜３μｍの連続的な凹凸粗化形状を付与する方法がある（特許文献１参照）。
【００１０】
また、銅表面に微細な酸化銅の針状結晶を付与して銅表面を無光沢化し、アンカー効果によって銅表面とレジストとの接着力を得る方法がある。例えば、亜塩素酸ナトリウムなどの酸化剤を含有するアルカリ性水溶液を用いて、８０℃前後で浸漬することにより、微細な酸化銅の針状結晶を付与する方法である（特許文献２参照）。
【００１１】
その他、銅表面に微細な金属銅の針状結晶を付与して銅表面を無光沢化し、アンカー効果によって銅表面とレジストとの接着力を得る方法がある。例えば、亜塩素酸ナトリウムなどの酸化剤を含有するアルカリ性水溶液を用いて、８０℃前後で浸漬することにより酸化銅の微細な針状結晶を付与し、更にはその後アミンボラン類の少なくとも一種類とホウ素系薬品を混合した酸性溶液により還元処理を施すことにより、微細な金属銅の針状結晶を付与する方法である（特許文献３参照）。
【００１２】
【特許文献１】特開２０００−２８２２６５号公報
【特許文献２】特公平７−１３３０４号公報
【特許文献３】特許第２６５６６２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
前述の特許文献１に示すように、銅表面に高さ２〜３μｍの連続的な凹凸粗化形状を形成し、銅表面とレジストとの密着力を向上させる第１の従来技術は、アンカー効果によって密着力を確保していた。
しかし、サブトラクティブ法による微細配線形成においては、ライン／スペースが狭く且つレジストと密着している銅界面の凹凸が１μｍを超す粗化形状になると、現像の際、エッチングレジストを銅表面から完全に除去することが困難であるため、その後のエッチング処理時に、銅配線間に短絡が発生する問題がある。また、レジスト剥離の際、同様にエッチングレジストを銅表面から完全に除去することが困難なため、その後の配線／絶縁樹脂あるいはソルダーレジスト間の密着性が得られない問題がある。その他、外部接続端子等の金めっき処理時に、めっきの未析出あるいはめっきムラが発生する問題がある。更に、銅配線表面の凹凸が１μｍを超す粗化形状のため、このような銅配線に高速の電気信号を流すと、表皮効果により電気信号は配線の表面付近に集中して流れるようになるため、伝送損失が大きくなるという問題がある。
【００１４】
また、セミアディティブ法による微細配線形成においては、銅のシード層膜厚が薄く、特にスパッタリングにより形成された銅のシード層の膜厚は０．１μｍ〜１．０μｍであるために、このような銅表面には凹凸形成をすることができない問題がある。
【００１５】
前述の特許文献２及び３に示すように、配線表面に高さ１．０μｍ未満の微細な酸化銅の針状結晶あるいは金属銅の針状結晶を付与し、銅表面とレジストとの接着強度を向上させる第２、第３の従来技術も、第１の従来技術と同様にアンカー効果によって密着力を確保していた。
しかし、サブトラクティブ法による微細配線形成においては、レジストと密着している銅界面の凹凸が針状形状になると、前述と同様にレジスト残りによる、銅配線間に短絡が発生する問題、配線／絶縁樹脂あるいはソルダーレジスト間の密着性が得られない問題、金めっきの未析出あるいは金めっきムラが発生する問題がある。
【００１６】
また、セミアディティブ法による微細配線形成においては、スパッタリング等により形成された銅のシード層上に凹凸形成することは可能である。しかし、前述と同様にレジストを銅表面から完全に除去することができないため、シード層／配線間の接続信頼性が得られない問題、銅配線間に短絡が発生する問題、配線／絶縁樹脂あるいはソルダーレジスト間の密着性が得られない問題、金めっきの未析出あるいは金めっきムラが発生する問題がある。
【００１７】
本発明の目的は、上記従来技術の問題点を改善するためになされたものであり、銅表面の無光沢化および銅表面とレジストの密着力を確保し、現像あるいはレジスト剥離の際、銅表面にレジストが残らないことを可能とした銅表面の前処理方法及びこの方法を用いた配線基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記目的を達成するために、本発明は、銅表面上に銅よりも貴な金属を離散的に形成し、その後、酸化処理することにより緻密且つ均一な微細凹凸を形成することによって、銅表面を無光沢化し、その上にレジスト形成することを基本とし、次のように構成される。
１．銅表面にレジストまたはカバーレイを形成する際の前処理方法であって、銅表面に銅よりも貴な金属を離散的に形成する工程、その後、前記銅表面に酸化剤を含むアルカリ性水溶液で酸化処理する工程を有することを特徴とする銅表面の前処理方法。
２．前記酸化処理する工程後に、還元処理、カップリング処理及び腐食抑制処理から選択される工程を有することを特徴とする１に記載の銅表面の前処理方法。
３．前記酸化剤を含むアルカリ性水溶液で酸化処理する工程は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含むアルカリ性水溶液に、酸化剤として、塩素酸塩、亜塩素酸塩、次亜塩素酸塩、過塩素酸塩およびペルオキソ二硫酸塩から選択される塩を少なくとも１つ以上含むアルカリ性水溶液で処理することを特徴とする１または２に記載の銅表面の前処理方法。
４．前記銅よりも貴な金属は、金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、レニウム、ルテニウム、オスミウム及びイリジウムから選択される金属、または前記金属を含む合金であることを特徴とする１〜３のいずれかに記載の銅表面の前処理方法。
５．前記銅よりも貴な金属を離散的に形成する工程は、前記銅よりも貴な金属が前記銅の表面に０．００１μｍｏｌ／ｄｍ２以上かつ４０μｍｏｌ／ｄｍ２以下となるように離散的に形成することを特徴とする１〜４のいずれかに記載の銅表面の前処理方法。
６．前記銅表面の前処理方法によって生じる表面粗さは、Ｒｚで１ｎｍ以上かつ１０００ｎｍ以下であることを特徴とする１〜５に記載の銅表面の前処理方法。
７．銅表面に銅よりも貴な金属を離散的に形成し、その後、前記銅表面に酸化剤を含むアルカリ性水溶液で酸化処理を行い、さらにその後、レジスト形成することにより得られる配線基板。
８．前記酸化処理の後、さらに、還元処理、カップリング処理及び腐食抑制処理から選択される処理を行うことにより得られる７に記載の配線基板。
９．前記酸化剤を含むアルカリ性水溶液による酸化処理は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含むアルカリ性水溶液に、酸化剤として、塩素酸塩、亜塩素酸塩、次亜塩素酸塩、過塩素酸塩およびペルオキソ二硫酸塩から選択される塩を少なくとも１つ以上含むアルカリ性水溶液で処理することを特徴とする７または８に記載の配線基板。
１０．前記銅よりも貴な金属は、金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、レニウム、ルテニウム、オスミウム及びイリジウムから選択される金属、または前記金属を含む合金であることを特徴とする７〜９のいずれかに記載の配線基板。
１１．前記銅よりも貴な金属が、前記銅の表面に０．００１μｍｏｌ／ｄｍ２以上かつ４０μｍｏｌ／ｄｍ２以下となるように離散的に形成された７〜１０のいずれかに記載の多層配線基板
１２．前記銅の表面処理後の表面粗さは、Ｒｚで１ｎｍ以上かつ１０００ｎｍ以下であることを特徴とする７〜１１に記載の配線基板。
【発明の効果】
【００１９】
銅表面の無光沢化および銅表面とレジストの密着力を確保し、現像あるいはレジスト剥離の際、銅表面にレジストが残らないことを可能とした銅表面の前処理方法及びこの方法を用いた配線基板を提供することが可能となった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を用いて本発明の実施の形態を説明する。ここでは、本発明の銅表面の前処理方法を説明する。さらに、この方法を用いた配線基板の適用例として、半導体チップ搭載基板を一例として説明するが、その他の多層配線基板、半導体パッケージにも同様に適用することができる。
【００２１】
（銅表面の凹凸形成法）
銅表面に銅よりも貴な金属を離散的に形成し、その後酸化処理を行うことで銅表面に緻密且つ均一な酸化銅の結晶による微細凹凸を形成できる。さらに酸化処理後に、還元処理を行うことで、緻密且つ均一な金属銅の結晶による微細凹凸を形成できる。さらに還元処理後、カップリング処理、腐食抑制処理の少なくとも１つ以上の処理を行うこともできる。酸化処理後、あるいは還元処理後、あるいはカップリング処理、腐食抑制処理後、これらの銅の表面処理によって生じる銅表面の粗さは、Ｒｚ（十点平均粗さ）で１ｎｍ以上かつ１，０００ｎｍ以下であることが好ましい。また、Ｒｚで１ｎｍ以上かつ１００ｎｍ以下であることがより好ましく、１ｎｍ以上かつ５０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。Ｒｚが１ｎｍ未満では、レジストとの密着力の低下や露光時の銅表面での光の反射により、配線形成率は悪化する傾向があり、Ｒｚが１，０００ｎｍを超えると現像の際、レジストを銅表面から完全に除去することが困難であるため、その後のエッチング処理時に、銅配線間に短絡が発生する傾向がある。また、レジスト剥離の際、同様にレジストを銅表面から完全に除去することが困難なため、その後の配線／絶縁樹脂あるいはソルダーレジスト間の密着性が得られない傾向がある。その他、外部接続端子等の金めっき処理時に、めっきの未析出あるいはめっきムラが発生する傾向がある。更に、銅配線表面の凹凸が１μｍを超す粗化形状のため、このような銅配線に高速の電気信号を流すと、表皮効果により電気信号は配線の表面付近に集中して流れるようになるため、伝送損失が大きくなるという従来技術の問題点が発生しやすくなる傾向がある。
【００２２】
（銅よりも貴な金属形成法）
銅より貴な金属を離散的に銅表面へ形成する量は、０．００１μｍｏｌ／ｄｍ２以上かつ４０μｍｏｌ／ｄｍ２以下であることが好ましい。また、形成量は０．０１μｍｏｌ／ｄｍ２以上かつ１０μｍｏｌ／ｄｍ２以下であることがより好ましく、０．１μｍｏｌ／ｄｍ２以上かつ４μｍｏｌ／ｄｍ２以下であることがさらに好ましい。形成量が０．００１μｍｏｌ／ｄｍ２未満では、緻密且つ均一な微細凹凸を形成することが困難になる傾向があり、４０μｍｏｌ／ｄｍ２を超えると密着力が低下し配線形成率は悪化する傾向がある。
銅より貴な金属としては、金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、レニウム、ルテニウム、オスミウム及びイリジウムから選択される金属、又はこれらの金属を含む合金から選ばれる金属を用いることができる。また、銅よりも貴な金属を離散的に銅表面に形成する方法は、無電解めっき、電気めっき、置換めっき、スプレー噴霧、塗布、スパッタリング又は蒸着等により、下地の銅表面が完全に銅よりも貴な金属で覆われることなく、銅表面に均一に分散して存在していることが好ましい。更に好ましい方法としては、金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、レニウム、ルテニウム、オスミウム及びイリジウムから選択される金属、又はこれらの金属を含む合金を置換めっきで形成する方法である。また、銅より貴な金属を離散的に銅表面に形成した量は、王水によって、貴な金属を溶解させた後、その溶解液を原子吸光光度計で定量分析を行うことにより、単位面積あたりの貴な金属量を求めることができる。
【００２３】
（酸化処理方法）
酸化処理方法としては、処理液として酸化剤を含むアルカリ性水溶液を用いる方法がある。
【００２４】
本発明に用いる酸化剤を含むアルカリ性水溶液としては、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含むアルカリ性水溶液に、酸化剤として、塩素酸塩、亜塩素酸塩、次亜塩素酸塩、過塩素酸塩およびペルオキソ二硫酸塩を少なくとも１つ以上含んでいるアルカリ性水溶液を用いることができる。さらに、酸化剤を含むアルカリ性水溶液は、リン酸塩を含むアルカリ性水溶液であることが好ましい。
ここでいうリン酸塩を具体的にあげると、りん酸三ナトリウム、りん酸三カリウム及びりん酸三リチウム等がある。また、ここでいうアルカリ金属又はアルカリ土類金属はこれらを含む化合物であってもよく、アルカリ金属を含む化合物またはアルカリ土類金属を含む化合物を具体的にあげると、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム及び炭酸ナトリウムがある。さらに、ここでいう酸化剤を具体的にあげると、次亜塩素酸ナトリウム、亜塩素酸ナトリウム、塩素酸ナトリウム、過塩素酸ナトリウム、次亜塩素酸カリウム、亜塩素酸カリウム、塩素酸カリウム、過塩素酸カリウム、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸カリウム及びペルオキソ二硫酸ナトリウム等がある。
【００２５】
これらの酸化剤を含むアルカリ性水溶液により、銅表面に酸化銅の結晶による凹凸を形成することができる。酸化銅の結晶量は、０．００１ｍｇ／ｃｍ２以上かつ０．３ｍｇ／ｃｍ２以下であることが好ましい。また、酸化銅結晶量は、０．０１ｍｇ／ｃｍ２以上かつ０．２ｍｇ／ｃｍ２下であることがより好ましく、０．０３ｍｇ／ｃｍ２上かつ０．１ｍｇ／ｃｍ２以下であることが更に好ましい。酸化銅結晶量が０．００１ｍｇ／ｃｍ２未満では、レジストとの密着力の低下や露光時の銅表面での光の反射により、配線形成率は悪化する傾向があり、０．３ｍｇ／ｃｍ２を超えると現像の際、レジストを銅表面から完全に除去することが困難であるため、その後のエッチング処理時に、銅配線間に短絡が発生する傾向がある。また、レジスト剥離の際、同様にレジストを銅表面から完全に除去することが困難なため、その後の配線／絶縁樹脂あるいはソルダーレジスト間の密着性が得られない傾向がある。その他、外部接続端子等の金めっき処理時に、めっきの未析出あるいはめっきムラが発生する傾向がある。更に、銅配線表面の凹凸が１μｍを超す粗化形状のため、このような銅配線に高速の電気信号を流すと、表皮効果により電気信号は配線の表面付近に集中して流れるようになるため、伝送損失が大きくなるという従来技術の問題点が発生しやすくなる傾向がある。
【００２６】
銅表面に形成した酸化銅結晶量は、電解還元量を測定することにより調べることができる。例えば、酸化処理を施した銅を作用極(陰極)として、０．５ｍＡ／ｃｍ２の一定の電気量を通電し、銅の表面電位が酸化銅の電位から金属銅の電位に完全に変化するまで、即ち−１．０Ｖを超えて安定な電位になるまでの時間を測定し、その電解還元量から酸化銅結晶量を求めることができる。これらの酸化剤を含むアルカリ性水溶液の処理温度については、２０〜９５℃で行うことが好ましい。さらには３０〜８０℃で行うことがより好ましく、４０〜６０℃で行うことが特に好ましい。これらの処理液の濃度および処理時間については、酸化銅の結晶量で０．００１ｍｇ／ｃｍ２以上かつ０．３ｍｇ／ｃｍ２以下となるように適宜条件を選択して用いることが好ましい。さらに酸化銅結晶量で０．０１ｍｇ／ｃｍ２以上かつ０．２ｍｇ／ｃｍ２以下がより好ましく、０．０３ｍｇ／ｃｍ２以上かつ０．１ｍｇ／ｃｍ２以下がさらに好ましい。
【００２７】
また、これらの処理の前処理として、銅表面の清浄化を行う脱脂処理、酸洗処理あるいはこれらを適宜組合わせて行っても良い。
【００２８】
（還元処理）
酸化処理により銅表面に形成された酸化銅の結晶による凹凸は、還元処理により金属銅の結晶による凹凸にすることができる。
還元処理を行う水溶液としては、ｐＨ９．０から１３．５に調整したアルカリ性水溶液を使用できる。この水溶液にはアルデヒド類、リン含有化合物又はホウ素含有化合物を含む。アルデヒド類としては、例えば、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド又は芳香族アルデヒド化合物が挙げられる。リン含有化合物としては、例えば、次亜リン酸および次亜リン酸塩が挙げられる。ホウ素含有化合物としては、例えば、ジメチルアミンボランおよび水素化ホウ素塩が挙げられる。処理方法としては、浸漬、スプレー噴霧又は塗布等の方法が挙げられる。
【００２９】
（カップリング処理）
カップリング剤を用いることによって、銅表面と絶縁層（ビルドアップ層等）との接着強度を向上できる。使用するカップリング剤としては、例えば、シラン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、チタン系カップリング剤、ジルコニウム系カップリング剤が挙げられ、中でもシラン系カップリング剤が好ましい。例えば、シラン系カップリング剤は、エポキシ基、アミノ基、メルカプト基、イミダゾール基、ビニル基、またはメタクリル基等の官能基を分子中に有していてもよい。これらのシラン系カップリング剤の少なくとも１種もしくは２種以上の混合物を含有する溶液を使用することができる。シラン系カップリング剤溶液の調整に使用される溶媒は、水、アルコール又はケトン類等を用いることが可能である。また、カップリング剤の加水分解を促進するために、少量の酢酸や塩酸等の酸を添加することもできる。前記カップリング剤の含有量は、溶液全体に対して、０．０１重量％〜５重量％が好ましく、０．１重量％〜１．０重量％がさらに好ましい。カップリング剤による処理としては、浸漬、スプレー噴霧又は塗布等の方法が挙げられる。前記のシラン系カップリング剤で処理した基板は、自然乾燥、加熱乾燥、または真空乾燥により乾燥を行うが、使用するカップリング剤の種類によって、乾燥前に水洗または超音波洗浄を行うことも可能である。
【００３０】
（腐食抑制処理）
腐食抑制処理に使用する腐食抑制剤は、Ｓ含有有機化合物またはＮ含有有機化合物を少なくとも１種以上含んでいるものであればよい。ここでいうＳ含有有機化合物とは、具体的には、メルカプト基、スルフィド基又はジスルフィド基等のイオウ原子を有する基を含有する有機化合物が挙げられる。また、Ｎ含有有機化合物とは、分子内に−Ｎ＝、Ｎ＝Ｎ及び−ＮＨ２から選択される窒素原子を有する基を含有する有機化合物が挙げられる。腐食抑制剤は、前記の酸性溶液、アルカリ性水溶液またはカップリング剤溶液に加えて用いることも可能である。また、カップリング剤を含む溶液による処理の前または後に、前記腐食抑制剤を含む溶液を用いて処理を行うことが可能である。処理方法としては、浸漬、スプレー噴霧又は塗布等の方法が挙げられる。
【００３１】
（Ｓ含有有機化合物）
Ｓ含有有機化合物は、上記の通り、メルカプト基、スルフィド基、又はジスルフィド基のようなイオウ原子を含有する化合物であって、例えば、脂肪族チオール（ＨＳ−（ＣＨ２）ｎ−Ｒ（但し、式中、ｎは１から２３までの整数、Ｒは一価の有機基、水素基またはハロゲン原子を表す）で表される構造を有し、Ｒはアミノ基、アミド基、カルボキシル基、カルボニル基、ヒドロキシル基のいずれかであることが好ましいが、これに限定したものではなく、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、アシルオキシ基、ハロアルキル基、ハロゲン原子、水素基、チオアルキル基、チオール基、置換されていても良いフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、複素環などが挙げられ、Ｒ中のアミノ基、アミド基、カルボキシル基、ヒドロキシル基は、１個あればよく、好ましくは１個以上、他に上記のアルキル基等の置換基を有していても良く、式中、ｎが１から２３までの整数で示される化合物を用いることが好ましく、さらに、ｎが４から１５までの整数で示される化合物がより好ましく、またさらに６から１２までの整数で示される化合物であることが特に好ましい。）、チアゾール誘導体（例えば、チアゾール、２−アミノチアゾール、２−アミノチアゾール−４−カルボン酸、アミノチオフェン、ベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾチアゾール、２−アミノベンゾチアゾール、２−アミノ−４−メチルベンゾチアゾール、２−ベンゾチアゾロール、２，３−ジヒドロイミダゾ〔２，１−ｂ〕ベンゾチアゾール−６−アミン、２−（２−アミノチアゾール−４−イル）−２−ヒドロキシイミノ酢酸エチル、２−メチルベンゾチアゾール、２−フェニルベンゾチアゾール、２−アミノ−４−メチルチアゾール等）、チアジアゾール誘導体（例えば、１，２，３−チアジアゾール、１，２，４−チアジアゾール、１，２，５−チアジアゾール、１，３，４−チアジアゾール、２−アミノ−５−エチル−１，３，４−チアジアゾール、５−アミノ−１，３，４−チアジアゾール−２−チオール、２，５−メルカプト−１，３，４−チアジアゾール、３−メチルメルカプト−５−メルカプト−１，２，４−チアジアゾール、２−アミノ−１，３，４−チアジアゾール、２−（エチルアミノ）−１，３，４−チアジアゾール、２−アミノ−５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール等）、メルカプト安息香酸、メルカプトナフトール、メルカプトフェノール、４−メルカプトビフェニル、メルカプト酢酸、メルカプトコハク酸、３−メルカプトプロピオン酸、チオウラシル、３−チオウラゾール、２−チオウラミル、４−チオウラミル、２−メルカプトキノリン、チオギ酸、１−チオクマリン、チオクモチアゾン、チオクレゾール、チオサリチル酸、チオチアヌル酸、チオナフトール、チオトレン、チオナフテン、チオナフテンカルボン酸、チオナフテンキノン、チオバルビツル酸、チオヒドロキノン、チオフェノール、チオフェン、チオフタリド、チオフテン、チオールチオン炭酸、チオルチドン、チオールヒスチジン、３−カルボキシプロピルジスルフィド、２−ヒドロキシエチルジスルフィド、２−アミノプロピオン酸、ジチオジグリコール酸、Ｄ−システイン、ジ−ｔ−ブチルジスルフィド、チオシアン、チオシアン酸等があげられる。
【００３２】
（Ｎ含有有機化合物）
Ｎ含有有機化合物は、上記の通り、分子内に−Ｎ＝、Ｎ＝Ｎ及び−ＮＨ２から選択される窒素原子を有する化合物であって、例えば、トリアゾール誘導体（例えば、１Ｈ−１，２，３−トリアゾール、２Ｈ−１，２，３−トリアゾール、１Ｈ−１，２，４−トリアゾール、４Ｈ−１，２，４−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、１−アミノベンゾトリアゾール、３−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、３−アミノ−１Ｈ−１，２，４−トリアゾール、３，５−ジアミノ−１，２，４−トリアゾール、３−オキシ−１，２，４−トリアゾール、アミノウラゾール等）、テトラゾール誘導体（例えば、テトラゾリル、テトラゾリルヒドラジン、１Ｈ−１，２，３，４−テトラゾール、２Ｈ−１，２，３，４−テトラゾール、５−アミノ−１Ｈ−テトラゾール、１−エチル−１，４−ジヒドロキシ５Ｈ−テトラゾール−５−オン、５−メルカプト−１−メチルテトラゾール、テトラゾールメルカプタン等）、オキサゾール誘導体（例えば、オキサゾール、オキサゾリル、オキサゾリン、ベンゾオキサゾール、３−アミノ−５−メチルイソオキサゾール、２−メルカプトベンゾオキサゾール、２−アミノオキサゾリン、２−アミノベンゾオキサゾール等）、オキサジアゾール誘導体（例えば、１，２，３−オキサジアゾール、１，２，４−オキサジアゾール、１，２，５−オキサジアゾール、１，３，４−オキサジアゾール、１，２，４−オキサジアゾロン−５、１，３，４−オキサジアゾロン−５等）、オキサトリアゾール誘導体（例えば、１，２，３，４−オキサトリアゾール、１，２，３，５−オキサトリアゾール等）、プリン誘導体（例えば、プリン、２−アミノ−６−ヒドロキシ−８−メルカプトプリン、２−アミノ−６−メチルメルカプトプリン、２−メルカプトアデニン、メルカプトヒポキサンチン、メルカプトプリン、尿酸、グアニン、アデニン、キサンチン、テオフィリン、テオブロミン、カフェイン等）、イミダゾール誘導体（例えば、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、２−メルカプトベンゾイミダゾール、４−アミノ−５−イミダゾールカルボン酸アミド、ヒスチジン等）、インダゾール誘導体（例えば、インダゾール、３−インダゾロン、インダゾロール等）、ピリジン誘導体（例えば、２−メルカプトピリジン、アミノピリジン等）、ピリミジン誘導体（例えば、２−メルカプトピリミジン、２−アミノピリミジン、４−アミノピリミジン、２−アミノ−４，６−ジヒドロキシピリミジン、４−アミノ−６−ヒドロキシ−２−メルカプトピリミジン、２−アミノー４−ヒドロキシ−６−メチルピリミジン、４−アミノ−６−ヒドロキシ−２−メチルピリミジン、４−アミノ−６−ヒドロキシピラゾロ［３，４−ｄ］ピリミジン、４−アミノ−６−メルカプトピラゾロ［３，４−ｄ］ピリミジン、２−ヒドロキシピリミジン、４−メルカプト−１Ｈ−ピラゾロ［３，４−ｄ］ピリミジン、４−アミノ−２，６−ジヒドロキシピリミジン、２，４−ジアミノ−６−ヒドロキシピリミジン、２，４，６−トリアミノピリミジン等）、チオ尿素誘導体（例えば、チオ尿素、エチレンチオ尿素、２−チオバルビツール酸等）、アミノ酸（例えば、グリシン、アラニン、トリプトファン、プロリン、オキシプロリン等）、１，３，４−チオオキサジアゾロン−５、チオクマゾン、２−チオクマリン、チオサッカリン、チオヒダントイン、チオピリン、γ−チオピリン、グアナジン、グアナゾール、グアナミン、オキサジン、オキサジアジン、メラミン、２，４，６−トリアミノフェノール、トリアミノベンゼン、アミノインドール、アミノキノリン、アミノチオフェノール、アミノピラゾール等があげられる。
【００３３】
（腐食抑制剤の溶液）
本発明で使用する腐食抑制剤を含む溶液の調整には、水および有機溶媒を使用することができる。有機溶媒の種類は、特に限定はしないが、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコールなどのアルコール類、ジ−ｎ−プロピルエーテル、ジ−ｎ−ブチルエーテル、ジアリルエーテルなどのエーテル類、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナンなどの脂肪族炭化水素、ベンゼン、トルエン、フェノールなどの芳香族炭化水素などを用いることができ、これらの溶媒を１種類ないし２種類以上組み合わせて用いることもできる。
【００３４】
（腐食抑制剤溶液の濃度および処理時間）
本発明で用いる腐食抑制剤溶液中の腐食抑制剤の濃度は、０．１〜５０００ｐｐｍが好ましい。さらに、０．５〜３０００ｐｐｍがより好ましく、またさらに１〜１０００ｐｐｍであることが特に好ましい。腐食抑制剤の濃度が０．１ｐｐｍ未満では、イオンマイグレーション抑制効果や、銅表面と絶縁層との接着強度が低下する傾向がある。腐食抑制剤の濃度が５０００ｐｐｍを超えると、イオンマイグレーション抑制効果は得られるが、銅表面と絶縁層との接着強度が低下する傾向がある。腐食抑制剤を含んだ溶液での処理時間は、特に限定しないが腐食抑制剤の種類および濃度に応じて適宜変化させることが好ましい。また、処理後に超音波洗浄を行うことも可能である。
【００３５】
（レジストまたはカバーレイ）
本発明に用いるレジストとしては、エッチングレジスト、めっきレジスト、ソルダーレジスト等が挙げられる。エッチングレジストおよびめっきレジストは、配線形成を目的に使用するために、配線形成後に剥離され、基板等には残らないものである。ソルダーレジストまたはカバーレイは、外部接続端子や半導体チップ接続端子等以外の配線保護を目的としているために、基板表面に形成される。これらのレジストまたはカバーレイは、液状またはフィルム状のものを使用することができ、感光性があることが好ましい。
【００３６】
（半導体チップ搭載基板）
図１に、本発明の半導体チップ搭載基板の一実施例（片面ビルドアップ層２層）の断面模式図を示した。ここでは、ビルドアップ層（層間絶縁層）を片面にのみ形成した実施形態で説明するが、必要に応じて図８に示すようにビルドアップ層は両面に形成しても良い。
【００３７】
本発明の半導体チップ搭載基板は、図１に示すように、半導体チップが搭載される側の絶縁層であるコア基板１００上に、半導体チップ接続端子及び第１の層間接続端子１０１を含む第１の配線１０６ａが形成される。コア基板の他方の側には、第２の層間接続端子１０３を含む第２の配線１０６ｂが形成され、第１の層間接続端子と第２の層間接続端子は、コア基板の第１の層間接続用ＩＶＨ（インタースティシャルバイアホール）１０２を介して電気的に接続される。コア基板の第２の配線側には、ビルドアップ層１０４が形成され、ビルドアップ層上には第３の層間接続端子を含む第３の配線１０６ｃが形成され、第２の層間接続端子と第３の層間接続端子は、第２の層間接続用ＩＶＨ１０８を介して電気的に接続される。
【００３８】
ビルドアップ層が複数形成される場合は、同様の構造を積層し、最外層のビルドアップ層上には、マザーボードと接続される外部接続端子１０７が形成される。配線の形状や各々の接続端子の配置等は特に制限されず、搭載する半導体チップや目的とする半導体パッケージを製造するために、適宜設計可能である。また、半導体チップ接続端子と第１の層間接続端子等を共用することも可能である。外部接続端子と第３の層間接続端子とは、第３の層間接続用ＩＶＨ１０５を介して電気的に接続される。更に、最外層のビルドアップ層上には、必要に応じてソルダーレジスト等の絶縁被覆１０９を設けることもできる。
【００３９】
（コア基板）
コア基板の材質は特に問わないが、有機基材、セラミック基材、シリコン基材、ガラス基材などが使用できる。熱膨張係数や絶縁性を考慮すると、セラミックや、ガラスを用いることが好ましい。ガラスのうち非感光性ガラスとしては、ソーダ石灰ガラス（成分例：ＳｉＯ２ ６５〜７５ｗｔ％、Ａｌ２Ｏ３ ０．５〜４ｗｔ％、ＣａＯ ５〜１５ｗｔ％、ＭｇＯ ０．５〜４ｗｔ％、Ｎａ２Ｏ １０〜２０ｗｔ％）、ホウ珪酸ガラス（成分例：ＳｉＯ２ ６５〜８０ｗｔ％、Ｂ２Ｏ３ ５〜２５ｗｔ％、Ａｌ２Ｏ３ １〜５ｗｔ％、ＣａＯ ５〜８ｗｔ％、ＭｇＯ ０．５〜２ｗｔ％、Ｎａ２Ｏ ６〜１４ｗｔ％、Ｋ２Ｏ １〜６ｗｔ％）等が挙げられる。また、感光性ガラスとしてはＬｉ２Ｏ−ＳｉＯ２系結晶化ガラスに感光剤として金イオン及び銀イオンを含むものが挙げられる。
【００４０】
有機基板としては、ガラス布に樹脂を含浸させた材料を積層した基板や樹脂フィルムが使用できる。使用する樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、またはそれらの混合樹脂が挙げられるが、熱硬化性樹脂からなる有機絶縁材料が好ましい。熱硬化性樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、アクリル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シリコン樹脂、シクロペンタジエンから合成した樹脂、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌラートを含む樹脂、芳香族ニトリルから合成した樹脂、３量化芳香族ジシアナミド樹脂、トリアリルトリメタリレートを含む樹脂、フラン樹脂、ケトン樹脂、キシレン樹脂、縮合多環芳香族を含む樹脂及びベンゾシクロブテン樹脂等を用いることができる。熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、アラミド樹脂及び液晶ポリマ等が挙げられる。
【００４１】
これらの樹脂には充填材を添加しても良い。充填材としては、例えば、シリカ、タルク、水酸化アルミニウム、ホウ酸アルミニウム、窒化アルミニウム及びアルミナ等が挙げられる。
【００４２】
コア基板の厚さは１００〜８００μｍであるのが、ＩＶＨ形成性の点で好ましく、更に１５０〜５００μｍであるのがより好ましい。
【００４３】
（ビルドアップ層）
層間絶縁層（ビルドアップ層）１０４は、絶縁材料からなり、絶縁材料としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、またはそれらの混合樹脂が使用できる。中でも、熱硬化性樹脂からなる有機絶縁材料を主成分とするのが好ましい。熱硬化性樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、アクリル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シリコン樹脂、シクロペンタジエンから合成した樹脂、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌラートを含む樹脂、芳香族ニトリルから合成した樹脂、３量化芳香族ジシアナミド樹脂、トリアリルトリメタリレートを含む樹脂、フラン樹脂、ケトン樹脂、キシレン樹脂、縮合多環芳香族を含む樹脂及びベンゾシクロブテン樹脂等を用いることができる。熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、アラミド樹脂及び液晶ポリマ等が挙げられる。
【００４４】
絶縁材料には充填材を添加しても良い。充填材としては、例えば、シリカ、タルク、水酸化アルミニウム、ホウ酸アルミニウム、窒化アルミニウム及びアルミナ等が挙げられる。
【００４５】
（熱膨張係数）
半導体チップの熱膨張係数とコア基板の熱膨張係数とが近似していて、かつコア基板の熱膨張係数とビルドアップ層の熱膨張係数とが近似していることが好ましいが、これに限定したものではない。さらに、半導体チップ、コア基板、ビルドアップ層の各々の熱膨張係数をα１、α２、α３（ｐｐｍ／℃）としたとき、α１≦α２≦α３であることがより好ましい。
【００４６】
具体的には、コア基板の熱膨張係数α２は、７〜１３ｐｐｍ／℃が好ましく、更に好ましくは９〜１１ｐｐｍ／℃である。ビルドアップ層の熱膨張係数α３は１０〜４０ｐｐｍ／℃であるのが好ましく、更に好ましくは１０〜２０ｐｐｍ／℃であり、１１〜１７ｐｐｍ／℃が特に好ましい。
【００４７】
（ヤング率）
ビルドアップ層のヤング率は、１〜５ＧＰａであるのが熱ストレスに対する応力緩和の点で好ましい。ビルドアップ層中の充填材は、ビルドアップ層の熱膨張係数が１０〜４０ｐｐｍ／℃、ヤング率が１〜５ＧＰａになるように添加量を適宜調整して添加するのが好ましい。
【００４８】
（半導体チップ搭載基板の製造方法）
半導体チップ搭載基板は、以下の製造方法の組み合わせで製造することができる。製造工程の順番は、本発明の目的を逸脱しない範囲では、特に限定しない。
【００４９】
（配線形成方法）
配線の形成方法としては、コア基板表面またはビルドアップ層上に金属箔を形成し、金属箔の不要な箇所をエッチングで除去する方法（サブトラクト法）、コア基板表面またはビルドアップ層上の必要な箇所にのみめっきにより配線を形成する方法（アディティブ法）、コア基板表面またはビルドアップ層上に薄い金属層（シード層）を形成し、その後、電解めっきで必要な配線を形成した後、薄い金属層をエッチングで除去する方法（セミアディティブ法）がある。
【００５０】
（サブトラクト法）
金属箔上の配線となる箇所にエッチングレジストを形成し、エッチングレジストから露出した箇所に、化学エッチング液をスプレー噴霧して、不要な金属箔をエッチング除去し、配線を形成することができる。例えば、金属箔として銅箔を用いる場合、エッチングレジストは、通常の配線板に用いることのできるエッチングレジスト材料を使用できる。例えばレジストインクをシルクスクリーン印刷してエッチングレジストを形成したり、またエッチングレジスト用ネガ型感光性ドライフィルムを銅箔の上にラミネートして、その上に配線形状に光を透過するフォトマスクを重ね、紫外線で露光し、露光しなかった箇所を現像液で除去してエッチングレジストを形成する。化学エッチング液には、塩化第二銅と塩酸の溶液、塩化第二鉄溶液、硫酸と過酸化水素の溶液、過硫酸アンモニウム溶液など、通常の配線板に用いる化学エッチング液を用いることができる。
【００５１】
（セミアディティブ法）
コア基板表面またはビルドアップ層上に、セミアディティブ法のシード層を形成する方法は、蒸着またはめっきによる方法と、金属箔を貼り合わせる方法がある。また同様の方法で、サブトラクト法の金属箔を形成することもできる。
【００５２】
蒸着による方法の場合は、例えば、シード層として、スパッタリングにより下地金属と薄膜銅層を形成する場合、薄膜銅層を形成するために使用されるスパッタリング装置は、２極スパッタ、３極スパッタ、４極スパッタ、マグネトロンスパッタ、ミラートロンスパッタ等を用いることができる。スパッタに用いるターゲットは、密着を確保するために、例えばＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｎｉ／Ｃｒ、Ｎｉ／Ｃｕ等の金属を下地金属として用い、５〜５０ｎｍスパッタリングする。その後、銅をターゲットにして０．１〜１．０μｍスパッタリングしてシード層を形成できる。
【００５３】
また、めっきによる方法の場合は、コア基板表面またはビルドアップ層上にめっき銅を、０．５〜３μｍ無電解銅めっきし、形成することもできる。
【００５４】
貼り合わせる方法は、コア基板またはビルドアップ層に接着機能がある場合に使用され、金属箔をプレスやラミネートによって貼り合わせることによりシード層を形成することもできる。しかし、薄い金属層を直接貼り合わせるのは非常に困難であるため、厚い金属箔を張り合わせた後にエッチング等により薄くする方法や、キャリア付金属箔を貼り合わせた後にキャリア層を剥離する方法などがある。例えば前者としてはキャリア銅／ニッケル／薄膜銅の三層銅箔があり、キャリア銅をアルカリエッチング液で、ニッケルをニッケルエッチング液で除去できる。後者としては、アルミ、銅、絶縁材料などをキャリアとしたピーラブル銅箔などが使用でき、５μｍ以下のシード層を形成できる。また、厚み９〜１８μｍの銅箔を貼り付け、５μｍ以下になるように、エッチングにより均一に薄くし、シード層を形成してもかまわない。
【００５５】
前述の方法で形成されたシード層上に、めっきレジストを必要なパターンに形成し、シード層を介して電解銅めっきにより配線を形成する。その後、めっきレジストを剥離し、最後にシード層をエッチング等により除去し、配線が形成できる。
【００５６】
（配線の形状）
配線の形状は特に問わないが、図５及び６に示すように、半導体パッケ−ジ領域１３の、少なくとも半導体チップが搭載される側には半導体チップ接続端子１６（ワイヤボンド端子等）、その反対面にはマザーボードと電気的に接続される外部接続端子１９（はんだボール等が搭載される箇所）及びそれらを繋ぐ展開配線２０、層間接続端子等を備える。
また、配線の配置も特に問わないが、図５に示したように（内層配線、層間接続端子等は省略）、半導体チップ接続端子より内側に外部接続端子を形成したファン−インタイプや、図６に示したような半導体チップ接続端子の外側に外部接続端子を形成したファン−アウトタイプ、またはこれらを組み合わせたタイプでもよい。図５に、ファン−インタイプ半導体チップ搭載基板の平面図を、図６にファン−アウトタイプ半導体チップ搭載基板の平面図を示した。なお、半導体チップ接続端子１６の形状は、ワイヤボンド接続やフリップチップ接続などが可能であれば、特に問わない。また、ファン−アウト、ファン−インどちらのタイプでも、ワイヤボンド接続やフリップチップ接続などが可能である。さらに必要に応じて、半導体チップと電気的に接続されないダミーパターン２１（図６参照）を形成してもかまわない。ダミーパターンの形状や配置も特には問わないが、半導体チップ搭載領域１５及び１８に均一に配置するのが好ましい。これによって、ダイボンド接着剤（ダイボンドフィルム接着領域１４及び１７）で半導体チップを搭載する際に、ボイドが発生しにくくなり、信頼性を向上できる。
【００５７】
（バイアホール）
多層の半導体チップ搭載基板は、複数の配線層を有するため、各層の配線を電気的に接続するためのバイアホールを設けることができる。バイアホールは、コア基板またはビルドアップ層に接続用の穴を設け、この穴を導電性ペーストやめっき等で充填し形成できる。穴の加工方法としては、パンチやドリルなどの機械加工、レーザ加工、薬液による化学エッチング加工、プラズマを用いたドライエッチング加工などがある。
【００５８】
また、ビルドアップ層のバイアホール形成方法としては、予めビルドアップ層に導電性ペーストやめっきなどで導電層を形成し、これをコア基板にプレス等で積層する方法などもある。
【００５９】
（絶縁被覆の形成）
半導体チップ搭載基板の外部接続端子側には絶縁被覆を形成することができる。パターン形成は、ワニス状の材料であれば印刷で行うことも可能であるが、より精度を確保するためには、感光性のソルダーレジスト、カバーレイフィルム又はフィルム状レジストを用いるのが好ましい。材質としては、例えば、エポキシ系、ポリイミド系、エポキシアクリレート系、フルオレン系の材料を用いることができる。
【００６０】
このような絶縁被覆は硬化時の収縮があるため、片面だけに形成すると基板に大きな反りを生じやすい。そこで、必要に応じて半導体チップ搭載基板の両面に絶縁被覆を形成することもできる。さらに、反りは絶縁被覆の厚みによって変化するため、両面の絶縁被覆の厚みは、反りが発生しないように調整することがより好ましい。その場合、予備検討を行い、両面の絶縁被覆の厚みを決定することが好ましい。また、薄型の半導体パッケージとするには、絶縁被覆の厚みが５０μｍ以下であることが好ましく、３０μｍ以下がより好ましい。
【００６１】
（配線のめっき）
配線の必要な部分にニッケル及び金めっきを順次施すことができる。さらに必要に応じてニッケル、パラジウム及び金めっきを施しても良い。これらのめっきは、配線の半導体チップ接続端子と、マザーボードまたは他の半導体パッケージと電気的に接続するための外部接続端子に施される。このめっきは、無電解めっき、または電解めっきのどちらを用いてもよい。
【００６２】
（半導体チップ搭載基板の製造方法）
このような半導体チップ搭載基板は、以下のような工程で製造することができる。図２の（ａ）〜（ｇ）に、本発明の銅配線形成処理方法および銅配線を用いた半導体チップ搭載基板製造方法の実施形態一例を断面模式図で示した。ただし、製造工程の順番は、本発明の目的を逸脱しない範囲では、特に限定しない。
【００６３】
（工程ａ）
（工程ａ）は、図２（ａ）に示したようにコア基板１００上に第１の配線１０６ａを作製する工程である。まず、コア基板の片面に銅層を形成する。コア基板上に銅層を作製するには、スパッタリング、蒸着又はめっき等により薄膜を形成した後、電気銅めっきで膜厚を所望の厚みまでめっきすることにより、銅層を得ることができる。
【００６４】
次に、コア基板の片面に形成された銅層に、前記脱脂処理を行い、その後、塩酸あるいは硫酸洗浄を行う。次に、銅よりも貴な金属である金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、レニウム、ルテニウム、オスミウム及びイリジウムから選択される金属、またはこれらの金属を含む合金を離散的に形成し、酸化剤を含むアルカリ性水溶液に浸漬することにより酸化処理を行う。その後、還元処理、カップリング処理及び腐食抑制処理の少なくとも１つ以上の処理を行ってもよい。いずれにしても配線表面のＲｚを１ｎｍ以上かつ１，０００ｎｍ以下になるように処理を行う。
【００６５】
その後、処理された銅層上に第１の配線形状にエッチングレジストを形成し、塩化銅、塩化鉄、硫酸−過酸化水素及び硝酸−過酸化水素などのエッチング液を用いて配線を作製することができる。
【００６６】
なお、第１の配線１０６ａは、第１の層間接続端子１０１及び半導体チップ接続端子（半導体チップと電気的に接続される部分）を含んでおり、微細配線の形成方法としてはセミアディティブ法を用いても良い。
【００６７】
（工程ｂ）
（工程ｂ）は、図２（ｂ）に示したように、前記第１の層間接続端子１０１と後述する第２の配線とを接続するための、第１の層間接続用ＩＶＨ１０２（バイアホール）を形成する工程である。
【００６８】
バイアホールの形成は、コア基板が非感光性基材の場合、レーザ光を用いることができる。非感光性基材としては、前述した非感光性ガラスなどが挙げられるが、これに限定したものではない。この場合、使用するレーザ光は限定されるものではなく、ＣＯ２レーザ、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザ等を用いることができる。また、コア基板が感光性基材の場合、バイアホール以外の領域をマスクし、バイアホール部に紫外光を照射する。なお感光性基材としては、前述した感光性ガラスなどが挙げられるが、これに限定したものではない。この場合、紫外光を照射後、熱処理とエッチングによりバイアホールを形成する。また、コア基板が、有機溶剤等の薬液による化学エッチング加工が可能な基材の場合は、化学エッチングによってバイアホールを形成することもできる。形成されたバイアホールは層間を電気的に接続するために、導電性のペーストやめっきなどで充填して層間接続のための導電層を形成することができる。
【００６９】
（工程ｃ）
（工程ｃ）は、図２（ｃ）に示したように、コア基板の第１の配線１０６ａと反対側の面に第２の配線１０６ｂを形成する工程である。コア基板の第１の配線と反対の面に（工程ａ）と同様に銅層を形成し、次に、銅層に前記脱脂処理を行い、その後、塩酸あるいは硫酸洗浄を行う。次に、銅よりも貴な金属である金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、レニウム、ルテニウム、オスミウム及びイリジウムから選択される金属、またはこれらの金属を含む合金を離散的に形成し、酸化剤を含むアルカリ性水溶液に浸漬することにより酸化処理を行う。その後、還元処理、カップリング処理及び腐食抑制処理の少なくとも１つ以上の処理を行ってもよい。いずれにしても、配線表面のＲｚを１ｎｍ以上かつ１，０００ｎｍ以下になるように処理を行う。その後、処理された銅層上に、必要な配線形状にエッチングレジストを形成し、塩化銅、塩化鉄、硫酸−過酸化水素及び硝酸−過酸化水素等のエッチング液を用いて第２の配線を形成する。銅層の形成方法としては、（工程ａ）と同様にスパッタリング、蒸着又は無電解めっきなどで銅薄膜を形成した後、電気銅めっきを用いて所望の厚みまで銅めっきすることにより銅層が得られる。
【００７０】
なお、第２の配線は第２の層間接続端子１０３を含んでおり、微細配線の形成方法としてはセミアディティブ法を用いても良い。
【００７１】
（工程ｄ）
（工程ｄ）は、図２（ｄ）に示すように前記第２の配線を形成した面にビルドアップ層（層間絶縁層）１０４を形成する工程である。まず、第２の配線表面を、脱脂処理を行い、その後、塩酸あるいは硫酸洗浄を行う。次に、銅よりも貴な金属である金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、レニウム、ルテニウム、オスミウム及びイリジウムから選択される金属、またはこれらの金属を含む合金を離散的に形成し、酸化剤を含むアルカリ性水溶液に浸漬することにより酸化処理を行う。その後、還元処理、カップリング処理、腐食抑制処理の少なくとも１つ以上の処理を行ってもよい。いずれにしても、配線表面のＲｚを１ｎｍ以上かつ１，０００ｎｍ以下になるように処理を行う。
【００７２】
次に、コア基板１００表面及び第２の配線１０６ｂ表面に、ビルドアップ層１０４を形成する。ビルドアップ層１０４の絶縁材料としては、前記したように熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、またはそれらの混合樹脂が使用できるが、熱硬化性樹脂を主成分とするのが好ましい。ワニス状の材料の場合、印刷やスピンコートで、またはフィルム状の絶縁材料の場合、ラミネートやプレスなどの手法を用いてビルドアップ層を得ることができる。絶縁材料が熱硬化性樹脂を含む場合は、さらに加熱硬化させることが望ましい。
【００７３】
（工程ｅ）
（工程ｅ）は、図２（ｅ）に示したように、前記ビルドアップ層に第２の層間接続用のＩＶＨ（バイアホール）１０８を形成する工程であり、バイアホールの形成手段としては、レーザ穴あけ装置を使用することができる。レーザ穴あけ機で用いられるレーザの種類はＣＯ２レーザ、ＹＡＧレーザ又はエキシマレーザ等を用いることができるが、ＣＯ２レーザが生産性及び穴品質の点で好ましい。また、ＩＶＨ径が３０μｍ未満の場合は、レーザ光を絞ることが可能なＹＡＧレーザが適している。また、ビルドアップ層が有機溶剤等の薬液による化学エッチング加工が可能な材料の場合は、化学エッチングによってバイアホールを形成することもできる。
【００７４】
（工程ｆ）
（工程ｆ）は、図２（ｆ）に示したように、前記第２のバイアホールが形成されたビルドアップ層上に、第３の配線１０６ｃを形成する工程である。またＬ／Ｓ＝３０μｍ／３０μｍ以下の微細な配線を形成するプロセスとしては、前記したセミアディティブ法が好ましい。ビルドアップ層上に、蒸着またはめっきによる方法や金属箔を貼り合わせる方法などにより、シード層を形成する。次に、シード層を、脱脂処理を行い、その後、塩酸あるいは硫酸洗浄する。次に、銅よりも貴な金属である金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、レニウム、ルテニウム、オスミウム及びイリジウムから選択される金属、またはこれらの金属を含む合金を離散的に形成し、酸化剤を含むアルカリ性水溶液に浸漬することにより酸化処理を行う。その後、還元処理、カップリング処理及び腐食抑制処理の少なくとも１つ以上の処理を行ってもよい。いずれにしても、配線表面のＲｚを１ｎｍ以上かつ１，０００ｎｍ以下になるように処理を行う。その後、処理されたシード層上に、めっきレジストを必要なパターンに形成し、シード層を介して電解銅めっきにより配線を形成する。その後、めっきレジストを剥離し、最後にシード層をエッチング等により除去し、微細な配線が形成できる。
【００７５】
（工程ｄ）から（工程ｆ）までを繰り返して、図２（ｇ）に示すようにビルドアップ層１０４を２層以上作製してもよい。この場合、最外のビルドアップ層に形成された層間接続端子が、外部接続端子１０７となる。
【００７６】
（工程ｇ）
（工程ｇ）は、図２（ｇ）に示したように、外部接続端子以外の配線等を保護するための絶縁被覆１０９を形成する工程である。絶縁被覆材としては、ソルダーレジストが用いられ、熱硬化型や紫外線硬化型のものが使用できるが、レジスト形状を精度良く仕上げることができる紫外線硬化型のものが好ましい。まず、外部接続端子およびそれ以外の配線等を、脱脂処理を行い、その後、塩酸あるいは硫酸洗浄を行う。次に、銅よりも貴な金属である金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、レニウム、ルテニウム、オスミウム及びイリジウムから選択される金属、またはこれらの金属を含む合金を離散的に形成し、酸化剤を含むアルカリ性水溶液に浸漬することにより酸化処理を行う。その後、還元処理、カップリング処理及び腐食抑制処理の少なくとも１つ以上の処理を行ってもよいが、いずれにしても、配線表面のＲｚを１ｎｍ以上かつ１，０００ｎｍ以下になるように処理を行う。その後、外部接続端子以外の部分にソルダーレジストを形成し、外部接続端子１０７を露出させる。第３の層間接続用ＩＶＨ１０５を介して第３の配線と電気的に接続する。
【００７７】
（半導体チップ搭載基板の形状）
半導体チップ搭載基板２２の形状は、特に問わないが、図７に示したようなフレーム形状にすることが好ましい。半導体チップ搭載基板の形状をこのようにすることで、半導体パッケージの組立てを効率よく行うことができる。以下、好ましいフレーム形状について詳細に説明する。
【００７８】
図７に示したように、半導体パッケージ領域１３（１個の半導体パッケージとなる部分）を行及び列に各々複数個等間隔で格子状に配置したブロック２３を形成する。さらに、このようなブロックを複数個行及び列に形成する。図７では、２個のブロックしか記載していないが、必要に応じて、ブロックも格子状に配置してもよい。ここで、半導体パッケージ領域間のスペース部の幅は、５０〜５００μｍが好ましく、１００〜３００μｍがより好ましい。さらに、後に半導体パッケージを切断するときに使用するダイサーのブレード幅と同じにするのが最も好ましい。
【００７９】
このように半導体パッケージ領域を配置することで、半導体チップ搭載基板の有効利用が可能になる。また、半導体チップ搭載基板の端部には、位置決めのマーク等１１を形成することが好ましく、貫通穴によるピン穴であることがより好ましい。ピン穴の形状や配置は、形成方法や半導体パッケージの組立て装置に合うように選択すればよい。
【００８０】
さらに、前記半導体パッケージ領域間のスペース部や前記ブロックの外側には補強パターン２４を形成することが好ましい。補強パターンは、別途作製し半導体チップ搭載基板と貼り合わせてもよいが、半導体パッケージ領域に形成される配線と同時に形成された金属パターンであることが好ましく、さらに、その表面には、配線と同様のニッケル、金などのめっきを施すか、絶縁被覆をすることがより好ましい。補強パターンが、このような金属の場合は、電解めっきの際のめっきリードとして利用することも可能である。また、ブロックの外側には、ダイサーで切断する際の切断位置合わせマーク２５を形成することが好ましい。このようにして、フレーム形状の半導体チップ搭載基板を作製することができる。
【００８１】
（半導体パッケージ）
図３に、本発明のフリップチップタイプ半導体パッケージの実施形態一例を断面模式図で示す。図３に示したように本発明の半導体パッケージは、上記本発明の半導体チップ搭載基板（層間絶縁層１０４、絶縁被覆１０９を含む）に、さらに半導体チップ１１１が搭載されているもので、半導体チップと半導体チップ接続端子とを接続バンプ１１２を用いてフリップチップ接続することによって電気的に接続して得ることができる。
【００８２】
さらに、これらの半導体パッケージには、図示するように、半導体チップと半導体チップ搭載基板の間をアンダーフィル材１１３で封止することが好ましい。アンダーフィル材の熱膨張係数は、半導体チップ及びコア基板１００の熱膨張係数と近似していることが好ましいがこれに限定したものではない。さらに好ましくは（半導体チップの熱膨張係数）≦（アンダーフィル材の熱膨張係数）≦（コア基板の熱膨張係数）である。さらに、半導体チップの搭載には異方導電性フィルム（ＡＣＦ）や導電性粒子を含まない接着フィルム（ＮＣＦ）を用いて行うこともできる。この場合は、アンダーフィル材で封止する必要がないため、より好ましい。さらに、半導体チップを搭載する際に超音波を併用すれば、電気的な接続が低温でしかも短時間で行えるため特に好ましい。
また、マザーボードとの電気的な接続を行うために、外部接続端子には、例えば、はんだボール１１４を搭載することができる。はんだボールには、共晶はんだやＰｂフリーはんだが用いられる。はんだボールを外部接続端子に固着する方法としては、Ｎ２リフロー装置を用いることができるが、これに限定したものではない。
【００８３】
また、図４には、ワイヤボンドタイプ半導体パッケージ（コア基板１００、層間絶縁層１０４、絶縁被覆１０９を含む）の実施形態の断面図を示す。半導体チップ１１１の搭載には、一般のダイボンドペーストも使用できるが、ダイボンドフィルム１１７を用いるのがより好ましい。半導体チップと半導体チップ接続端子との電気的な接続は金ワイヤ１１５を用いたワイヤボンドで行う。半導体チップの封止は、半導体用封止樹脂１１６をトランスファモールドで行うことができる。その場合、半導体チップの少なくともフェース面を半導体用封止樹脂で封止するが、封止領域は、必要な部分だけを封止しても良いが、図４のように半導体パッケージ領域全体を封止するのが、より好ましい。これは、半導体パッケージ領域を行及び列に複数個配列した半導体チップ搭載基板において、基板と封止樹脂を同時にダイサー等で切断する場合、特に有効な方法である。
【００８４】
また、マザーボードとの電気的な接続を行うために、外部接続端子には、例えば、はんだボール１１４を搭載することができる。はんだボールには、共晶はんだやＰｂフリーはんだが用いられる。はんだボールを外部接続端子に固着する方法としては、Ｎ２リフロー装置を用いることができるが、これに限定したものではない。
【００８５】
半導体パッケージ領域を行及び列に複数個配列した半導体チップ搭載基板においては、最後に、ダイサー等を用いて個々の半導体パッケージに切断する。
【実施例】
【００８６】
以下に、本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００８７】
実施例１
（工程ａ）
（工程ａ−１）
コア基板１００（図２参照、以下同様とする。）として０．４ｍｍ厚のソーダガラス基板（熱膨張係数１１ｐｐｍ／℃）を用意し、片面にスパッタリングにより２００ｎｍの銅薄膜を形成した後、電気銅めっきで１０μｍの厚さまでめっきを行った。なおスパッタリングは、日本真空技術株式会社製装置型番ＭＬＨ−６３１５を用いて、以下に示した条件１で行った。
（条件１）
電流：３．５Ａ
電圧：５００Ｖ
アルゴン流量：３５ＳＣＣＭ（０．０５９Ｐａ・ｍ３／ｓ）
圧力：５×１０−３Ｔｏｒｒ（６．６×１０−１Ｐａ）
成膜速度：５ｎｍ／秒
【００８８】
（工程ａ−２）
（工程ａ−１）で形成した銅表面を、水を用いて２００ｍｌ／Ｌに調整した酸性脱脂液Ｚ−２００（ワールドメタル社製、商品名）に、液温５０℃で２分間浸漬した後、液温５０℃の水に２分間浸漬することにより湯洗し、さらに１分間水洗した。次いで、３．６Ｎの硫酸水溶液に１分間浸漬し、１分間水洗した。
【００８９】
（工程ａ−３）
以上の前処理工程を経た後に、置換パラジウムめっき液ＳＡ−１００（日立化成工業株式会社、製品名）に３０℃で３分間浸漬して１．０μｍｏｌ／ｄｍ２の置換パラジウムめっきを施し、１分間水洗し、りん酸三ナトリウム１０ｇ／Ｌおよび水酸化カリウム２５ｇ／Ｌを含むアルカリ性水溶液に亜塩素酸ナトリウム１５ｇ／Ｌを添加した酸化処理液に、５０℃で３分間浸漬した。この後、５分間水洗し、８５℃で３０分間乾燥させた。
【００９０】
（工程ａ−４）
その後、エッチングレジストを形成し、露光、現像を行い、第１の配線１０６ａとなる部分にレジストを形成し、塩化第二鉄エッチング液を用いて不要な銅をエッチングし、レジスト剥離をして第１の配線１０６ａ（第１の層間接続端子１０１及び半導体チップ接続端子を含む）を形成した。
【００９１】
（工程ｂ）
ガラス基板の第１の配線が形成された面と反対の面から第１の層間接続端子１０１に到達するまで、レーザで穴径５０μｍのＩＶＨ穴を形成した。レーザとしてＹＡＧレーザＬＡＶＩＡ−ＵＶ２０００（住友重機械工業株式会社製、商品名）を使用し、周波数４ｋＨｚ、ショット数５０、マスク径０．４ｍｍの条件でＩＶＨ穴の形成を行った。
【００９２】
得られたＩＶＨの穴に導電性ペーストＭＰ−２００Ｖ（日立化成工業株式会社製、商品名）を充填して、１６０℃３０分で硬化し、ガラス基板の第１の層間接続端子と電気的に接続し、第１の層間接続用ＩＶＨ（バイアホール）１０２を形成した。
【００９３】
（工程ｃ）
（工程ｃ−１）
（工程ｂ）で形成された第１の層間接続用ＩＶＨ（第１のバイアホール）と電気的に接続するために、ガラス基板の、第１の配線と反対側の面にスパッタリングにより２００ｎｍの銅薄膜を形成した後、電気銅めっきで１０μｍの厚さまでめっきを行った。スパッタリングは、（工程ａ−１）と同様に行った。
【００９４】
（工程ｃ−２）
（工程ｃ−１）で形成した銅表面を、水で２００ｍｌ／Ｌに調整した酸性脱脂液Ｚ−２００（ワールドメタル社製、商品名）に、液温５０℃で２分間浸漬した後、液温５０℃の水に２分間浸漬することにより湯洗し、さらに１分間水洗した。次いで、３．６Ｎの硫酸水溶液に１分間浸漬し、１分間水洗した。
【００９５】
（工程ｃ−３）
以上の前処理工程を経た後に、置換パラジウムめっき液ＳＡ−１００（日立化成工業株式会社、製品名）に３０℃で３分間浸漬して１．０μｍｏｌ／ｄｍ２の置換パラジウムめっきを施し、１分間水洗し、りん酸三ナトリウム１０ｇ／Ｌおよび水酸化カリウム２５ｇ／Ｌを含むアルカリ性水溶液に亜塩素酸ナトリウム１５ｇ／Ｌ添加した酸化処理液に、５０℃で３分間浸漬した。この後、５分間水洗し、８５℃で３０分間乾燥させた。
【００９６】
（工程ｃ−４）
その後、（工程ａ）と同様に第２の配線１０６ｂとなる部分にレジストを形成し、塩化第二鉄エッチング液を用い、不要な銅をエッチングして第２の配線１０６ｂ（第２の層間接続端子１０３を含む）を形成した。
【００９７】
（工程ｄ）
（工程ｃ）で形成した第２の配線側の面を、水で２００ｍｌ／Ｌに調整した酸性脱脂液Ｚ−２００（ワールドメタル社製、商品名）に、液温５０℃で２分間浸漬した後、液温５０℃の水に２分間浸漬することにより湯洗し、さらに１分間水洗した。次いで、３．６Ｎの硫酸水溶液に１分間浸漬し、１分間水洗した。
【００９８】
以上の前処理工程を経た後に、置換パラジウムめっき液ＳＡ−１００（日立化成工業株式会社、製品名）に３０℃で３分間浸漬して１．０μｍｏｌ／ｄｍ２の置換パラジウムめっきを施し、１分間水洗し、りん酸三ナトリウム１０ｇ／Ｌおよび水酸化カリウム２５ｇ／Ｌを含むアルカリ性水溶液に亜塩素酸ナトリウム１５ｇ／Ｌ添加した酸化処理液に、５０℃で１分間浸漬した。この後、３分間水洗し、還元処理液ＨＩＳＴ−１００Ｄ（日立化成工業株式会社製、商品名）に３５℃で１分間浸漬し、さらに５分間水洗を行った。この処理工程を経た後に、８５℃で３０分間乾燥させた。
【００９９】
次に、層間絶縁層（ビルドアップ層）１０４を次のように形成した。すなわち、シアネ―トエステル系樹脂組成物の絶縁ワニスをスピンコート法により、条件１５００ｒｐｍで、ガラス基板上に塗布し、厚み２０μｍの樹脂層を形成した後、常温（２５℃）から６℃／ｍｉｎの昇温速度で２３０℃まで加熱し、２３０℃で８０分間保持することにより熱硬化し、１５μｍのビルドアップ層を形成した。
【０１００】
（工程ｅ）
ビルドアップ層１０４の表面から第２の層間接続用端子１０３に到達するまで、レーザで穴径５０μｍのＩＶＨ穴を形成した。レーザにはＹＡＧレーザＬＡＶＩＡ−ＵＶ２０００（住友重機械工業株式会社製、商品名）を使用し、周波数４ｋＨｚ、ショット数２０、マスク径０．４ｍｍの条件でＩＶＨ穴の形成を行った。
【０１０１】
（工程ｆ）
（工程ｆ−１）
第３の配線１０６ｃの形成及び第２のバイアホール１０８の形成のために、スパッタリングにより、シード層となる下地金属Ｎｉ層２０ｎｍを形成し、さらに薄膜銅層２００ｎｍを形成した。スパッタリングは、日本真空技術株式会社製ＭＬＨ−６３１５を用いて以下に示した条件２で行った。
（条件２）
（ニッケル）
電流：５．０Ａ
電流：３５０Ｖ
電圧アルゴン流量：３５ＳＣＣＭ（０．０５９Ｐａ・ｍ３／ｓ）
圧力：５×１０−３Ｔｏｒｒ（６．６×１０−１Ｐａ）
成膜速度：０．３ｎｍ／秒
（銅）
電流：３．５Ａ
電圧：５００Ｖ
アルゴン流量：３５ＳＣＣＭ（０．０５９Ｐａ・ｍ３／ｓ）
圧力：５×１０−３Ｔｏｒｒ（６．６×１０−１Ｐａ）
成膜速度：５ｎｍ／秒
【０１０２】
（工程ｆ−２）
（工程ｆ−１）で形成した銅表面を、水で２００ｍｌ／Ｌに調整した酸性脱脂液Ｚ−２００（ワールドメタル社製、商品名）に、液温５０℃で２分間浸漬した後、液温５０℃の水に２分間浸漬することにより湯洗し、さらに１分間水洗した。次いで、３．６Ｎの硫酸水溶液に１分間浸漬し、１分間水洗した。
【０１０３】
（工程ｆ−３）
以上の前処理工程を経た後に、置換パラジウムめっき液ＳＡ−１００（日立化成工業株式会社、製品名）に３０℃で３分間浸漬して１．０μｍｏｌ／ｄｍ２の置換パラジウムめっきを施し、１分間水洗し、りん酸三ナトリウム１０ｇ／Ｌおよび水酸化カリウム２５ｇ／Ｌを含むアルカリ性水溶液に亜塩素酸ナトリウム１５ｇ／Ｌを添加した酸化処理液に、５０℃で３分間浸漬した。この後、５分間水洗し、８５℃で３０分間乾燥させた。
【０１０４】
（工程ｆ−４）
次に、めっきレジストＰＭＥＲ Ｐ−ＬＡ９００ＰＭ（東京応化工業株式会社製、商品名）を用いスピンコート法で、（工程ｆ−２）及び（工程ｆ−３）で処理したシード層上に、膜厚２０μｍのめっきレジスト層を形成した。１０００ｍＪ／ｃｍ２の条件で露光し、ＰＭＥＲ現像液Ｐ−７Ｇを用いて２３℃で６分間浸漬揺動し、Ｌ／Ｓ＝１０μｍ／１０μｍのレジストパターンを形成した。その後、硫酸銅めっき液を用いてパターン銅めっきを約５μｍ行った。めっきレジストの剥離は、メチルエチルケトンを用いて室温（２５℃）で１分間浸漬し除去した。シード層のクイックエッチングには、ＣＰＥ−７００（三菱瓦斯化学株式会社製、商品名）の５倍希釈液を用いて、３０℃で３０秒間浸漬揺動することにより、これらをエッチング除去し、配線を形成した。
【０１０５】
（工程ｇ）
（工程ｇ−１）
この後、（工程ｄ）〜（工程ｆ）までを再度繰り返し、ビルドアップ層及び外部接続端子１０７を含む最外層の配線をさらに一層形成した。
【０１０６】
（工程ｇ−２）
次に、（工程ｇ−１）で形成した配線を、２００ｍｌ／Ｌに調整した酸性脱脂液Ｚ−２００（ワールドメタル社製、商品名）に、液温５０℃で２分間浸漬した後、液温５０℃の水に２分間浸漬することにより湯洗し、さらに１分間水洗した。次いで、３．６Ｎの硫酸水溶液に１分間浸漬し、１分間水洗した。
【０１０７】
（工程ｇ−３）
以上の前処理工程を経た後に、置換パラジウムめっき液ＳＡ−１００（日立化成工業株式会社、製品名）に３０℃で３分間浸漬して１．０μｍｏｌ／ｄｍ２の置換パラジウムめっきを施し、１分間水洗し、りん酸三ナトリウム１０ｇ／Ｌおよび水酸化カリウム２５ｇ／Ｌを含むアルカリ性水溶液に亜塩素酸ナトリウム１５ｇ／Ｌ添加した酸化処理液に、５０℃で３分間浸漬した。この後、５分間水洗し、８５℃で３０分間乾燥させた。
【０１０８】
（工程ｇ−４）
最後にソルダーレジスト１０９を形成して、図１（１パッケージ分の断面図）、図５（１パッケージ分の平面図）、及び図７（半導体チップ搭載基板全体図）に示すようなファン−インタイプＢＧＡ用半導体チップ搭載基板を作製した。
【０１０９】
（工程ｈ）
前記（工程ａ）〜（工程ｇ）により作製された半導体チップ搭載基板の半導体チップ搭載領域に、接続バンプ１１２（図３参照、以下同様とする。）の形成された半導体チップ１１１を、フリップチップボンダを用いて超音波を印加しながら必要な数だけ搭載した。さらに、半導体チップ搭載基板と半導体チップの隙間に、半導体チップ端部からアンダーフィル材を注入し、オーブンを用いて８０℃で１時間の１次硬化及び１５０℃で４時間の２次硬化を行った。次に、外部接続端子に直径０．４５ｍｍの鉛・錫共晶はんだボール１１４をＮ２リフロー装置で融着した。最後に、幅２００μｍのブレードを装着したダイサーで半導体チップ搭載基板を切断し、図３に示す半導体パッケージを作製した。
【０１１０】
実施例２
（工程ａ−３）、（工程ｃ−３）、（工程ｆ−３）、（工程ｇ−３）において、置換パラジウムめっき液ＳＡ−１００（日立化成工業株式会社、製品名）に３０℃で３分間浸漬して１．０μｍｏｌ／ｄｍ２の置換パラジウムめっきを施し、１分間水洗し、りん酸三ナトリウム１０ｇ／Ｌおよび水酸化カリウム２５ｇ／Ｌを含むアルカリ性水溶液に亜塩素酸ナトリウム１５ｇ／Ｌ添加した酸化処理液に、５０℃で３分間浸漬した。この後、５分間水洗し、還元処理液ＨＩＳＴ−１００（日立化成工業株式会社製、商品名）に４０℃で３分間浸漬し、さらに１０分間水洗を行った。この処理工程を経た後に、８５℃で３０分間乾燥させた。その他工程は、実施例１と同様に行った。
【０１１１】
実施例３
（工程ａ−３）、（工程ｃ−３）、（工程ｆ−３）、（工程ｇ−３）において、置換パラジウムめっき液ＳＡ−１００（日立化成工業株式会社、製品名）に３０℃で３分間浸漬して１．０μｍｏｌ／ｄｍ２の置換パラジウムめっきを施し、１分間水洗し、りん酸三ナトリウム１０ｇ／Ｌおよび水酸化カリウム２５ｇ／Ｌを含むアルカリ性水溶液に亜塩素酸ナトリウム１５ｇ／Ｌ添加した酸化処理液に、５０℃で３分間浸漬し、この後５分間水洗した。これらの工程を経た後に、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン０．５％水溶液に３０℃で３分間浸漬してカップリング処理を施し、１分間水洗した。この処理工程を経た後に、８５℃で３０分間乾燥させた。その他工程は、実施例１と同様に行った。
【０１１２】
実施例４
（工程ａ−３）、（工程ｃ−３）、（工程ｆ−３）、（工程ｇ−３）において、置換パラジウムめっき液ＳＡ−１００（日立化成工業株式会社、製品名）に３０℃で３分間浸漬して１．０μｍｏｌ／ｄｍ２の置換パラジウムめっきを施し、１分間水洗し、りん酸三ナトリウム１０ｇ／Ｌおよび水酸化カリウム２５ｇ／Ｌを含むアルカリ性水溶液に亜塩素酸ナトリウム１５ｇ／Ｌ添加した酸化処理液に、５０℃で３分間浸漬し、この後５分間水洗した。これらの工程を経た後に、２−アミノ−６−ヒドロキシ−８−メルカプトプリン（和光純薬工業株式会社製、商品名）の濃度が、１０ｐｐｍであるエタノール溶液に２５℃で、１０分間浸漬し、１分間水洗した。この処理工程を経た後に、８５℃で３０分間乾燥させた。その他工程は、実施例１と同様に行った。
【０１１３】
実施例５
（工程ａ−３）、（工程ｃ−３）、（工程ｆ−３）、（工程ｇ−３）において、置換パラジウムめっき液ＳＡ−１００（日立化成工業株式会社、製品名）に３０℃で３分間浸漬して１．０μｍｏｌ／ｄｍ２の置換パラジウムめっきを施し、１分間水洗し、りん酸三ナトリウム１０ｇ／Ｌおよび水酸化カリウム２５ｇ／Ｌを含むアルカリ性水溶液に亜塩素酸ナトリウム１５ｇ／Ｌ添加した酸化処理液に、５０℃で３分間浸漬し、この後、５分間水洗した。これらの工程を経た後に、３−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール（和光純薬工業株式会社製、商品名）の濃度が、１０ｐｐｍであるエタノール溶液に２５℃で、１０分間浸漬し、１分間水洗した。この処理工程を経た後に、８５℃で３０分間乾燥させた。その他工程は、実施例１と同様に行った。
【０１１４】
実施例６
（工程ａ−３）、（工程ｃ−３）、（工程ｆ−３）、（工程ｇ−３）において、置換パラジウムめっき液ＳＡ−１００（日立化成工業株式会社、製品名）に３０℃で３分間浸漬して１．０μｍｏｌ／ｄｍ２の置換パラジウムめっきを施し、１分間水洗し、りん酸三ナトリウム１０ｇ／Ｌおよび水酸化カリウム２５ｇ／Ｌを含むアルカリ性水溶液に亜塩素酸ナトリウム１５ｇ／Ｌ添加した酸化処理液に、５０℃で３分間浸漬し、この後、５分間水洗した。これらの工程を経た後に、２−アミノ−６−ヒドロキシ−８−メルカプトプリン（和光純薬工業株式会社製、商品名）の濃度が、１０ｐｐｍであるエタノール溶液に２５℃で、１０分間浸漬し、１分間水洗した。さらに、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン０．５％水溶液に３０℃で３分間浸漬してカップリング処理を施し、１分間水洗した。この処理工程を経た後に、８５℃で３０分間乾燥させた。その他工程は、実施例１と同様に行った。
【０１１５】
実施例７
（工程ａ−３）、（工程ｃ−３）、（工程ｆ−３）、（工程ｇ−３）において、置換パラジウムめっき液ＳＡ−１００（日立化成工業株式会社、製品名）に３０℃で３分間浸漬して１．０μｍｏｌ／ｄｍ２の置換パラジウムめっきを施し、１分間水洗し、りん酸三ナトリウム１０ｇ／Ｌおよび水酸化カリウム２５ｇ／Ｌを含むアルカリ性水溶液に亜塩素酸ナトリウム１５ｇ／Ｌ添加した酸化処理液に、５０℃で３分間浸漬し、この後、５分間水洗した。さらに、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン０．５％水溶液に３０℃で３分間浸漬してカップリング処理を施し、１分間水洗した。これらの工程を経た後に、３−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール（和光純薬工業株式会社製、商品名）の濃度が、１０ｐｐｍであるエタノール溶液に２５℃で、１０分間浸漬し、１分間水洗した。この処理工程を経た後に、８５℃で３０分間乾燥させた。その他工程は、実施例１と同様に行った。
【０１１６】
実施例８
（工程ａ−３）、（工程ｃ−３）、（工程ｆ−３）、（工程ｇ−３）において、置換パラジウムめっき液ＳＡ−１００（日立化成工業株式会社、製品名）に３０℃で３分間浸漬して１．０μｍｏｌ／ｄｍ２の置換パラジウムめっきを施し、１分間水洗し、りん酸三ナトリウム１０ｇ／Ｌおよび水酸化カリウム２５ｇ／Ｌを含むアルカリ性水溶液に亜塩素酸ナトリウム１５ｇ／Ｌ添加した酸化処理液に、５０℃で３分間浸漬した。この後、５分間水洗し、還元処理液ＨＩＳＴ−１００（日立化成工業株式会社製、商品名）に４０℃で３分間浸漬し、さらに１０分間水洗を行った。これらの工程を経た後に、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン０．５％水溶液に３０℃で３分間浸漬してカップリング処理を施し、１分間水洗した。この処理工程を経た後に、８５℃で３０分間乾燥させた。その他工程は、実施例１と同様に行った。
【０１１７】
実施例９
（工程ａ−３）、（工程ｃ−３）、（工程ｆ−３）、（工程ｇ−３）において、置換パラジウムめっき液ＳＡ−１００（日立化成工業株式会社、製品名）に３０℃で３分間浸漬して１．０μｍｏｌ／ｄｍ２の置換パラジウムめっきを施し、１分間水洗し、りん酸三ナトリウム１０ｇ／Ｌおよび水酸化カリウム２５ｇ／Ｌを含むアルカリ性水溶液に亜塩素酸ナトリウム１５ｇ／Ｌ添加した酸化処理液に、５０℃で３分間浸漬した。この後、５分間水洗し、還元処理液ＨＩＳＴ−１００（日立化成工業株式会社製、商品名）に４０℃で３分間浸漬し、さらに１０分間水洗を行った。これらの工程を経た後に、２−アミノ−６−ヒドロキシ−８−メルカプトプリン（和光純薬工業株式会社製、商品名）の濃度が、１０ｐｐｍであるエタノール溶液に２５℃で、１０分間浸漬し、１分間水洗した。この処理工程を経た後に、８５℃で３０分間乾燥させた。その他工程は、実施例１と同様に行った。
【０１１８】
実施例１０
（工程ａ−３）、（工程ｃ−３）、（工程ｆ−３）、（工程ｇ−３）において、置換パラジウムめっき液ＳＡ−１００（日立化成工業株式会社、製品名）に３０℃で３分間浸漬して１．０μｍｏｌ／ｄｍ２の置換パラジウムめっきを施し、１分間水洗し、りん酸三ナトリウム１０ｇ／Ｌおよび水酸化カリウム２５ｇ／Ｌを含むアルカリ性水溶液に亜塩素酸ナトリウム１５ｇ／Ｌ添加した酸化処理液に、５０℃で３分間浸漬した。この後、５分間水洗し、還元処理液ＨＩＳＴ−１００（日立化成工業株式会社製、商品名）に４０℃で３分間浸漬し、さらに１０分間水洗を行った。これらの工程を経た後に、３−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール（和光純薬工業株式会社製、商品名）の濃度が、１０ｐｐｍであるエタノール溶液に２５℃で、１０分間浸漬し、１分間水洗した。この処理工程を経た後に、８５℃で３０分間乾燥させた。その他工程は、実施例１と同様に行った。
【０１１９】
実施例１１
（工程ａ−３）、（工程ｃ−３）、（工程ｆ−３）、（工程ｇ−３）において、置換パラジウムめっき液ＳＡ−１００（日立化成工業株式会社、製品名）に３０℃で３分間浸漬して１．０μｍｏｌ／ｄｍ２の置換パラジウムめっきを施し、１分間水洗し、りん酸三ナトリウム１０ｇ／Ｌおよび水酸化カリウム２５ｇ／Ｌを含むアルカリ性水溶液に亜塩素酸ナトリウム１５ｇ／Ｌ添加した酸化処理液に、５０℃で３分間浸漬した。この後、５分間水洗し、還元処理液ＨＩＳＴ−１００（日立化成工業株式会社製、商品名）に４０℃で３分間浸漬し、さらに１０分間水洗を行った。これらの工程を経た後に、２−アミノ−６−ヒドロキシ−８−メルカプトプリン（和光純薬工業株式会社製、商品名）の濃度が、１０ｐｐｍであるエタノール溶液に２５℃で、１０分間浸漬し、１分間水洗した。さらに、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン０．５％水溶液に３０℃で３分間浸漬してカップリング処理を施し、１分間水洗した。この処理工程を経た後に、８５℃で３０分間乾燥させた。その他工程は、実施例１と同様に行った。
【０１２０】
実施例１２
（工程ａ−３）、（工程ｃ−３）、（工程ｆ−３）、（工程ｇ−３）において、置換パラジウムめっき液ＳＡ−１００（日立化成工業株式会社、製品名）に３０℃で３分間浸漬して１．０μｍｏｌ／ｄｍ２の置換パラジウムめっきを施し、１分間水洗し、りん酸三ナトリウム１０ｇ／Ｌおよび水酸化カリウム２５ｇ／Ｌを含むアルカリ性水溶液に亜塩素酸ナトリウム１５ｇ／Ｌ添加した酸化処理液に、５０℃で３分間浸漬した。この後、５分間水洗し、還元処理液ＨＩＳＴ−１００（日立化成工業株式会社製、商品名）に４０℃で３分秒間浸漬し、さらに１０分間水洗を行った。さらに、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン０．５％水溶液に３０℃で３分間浸漬してカップリング処理を施し、１分間水洗した。これらの工程を経た後に、３−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール（和光純薬工業株式会社製、商品名）の濃度が、１０ｐｐｍであるエタノール溶液に２５℃で、１０分間浸漬し、１分間水洗した。この処理工程を経た後に、８５℃で３０分間乾燥させた。その他工程は、実施例１と同様に行った。
【０１２１】
実施例１３
（工程ａ−３）、（工程ｃ−３）、（工程ｆ−３）、（工程ｇ−３）において、置換金めっき液ＨＧＳ−５００（日立化成工業株式会社、製品名）に３０℃で１分間浸漬して１．０μｍｏｌ／ｄｍ２の置換金めっきを施し、１分間水洗し、りん酸三ナトリウム１０ｇ／Ｌおよび水酸化カリウム２５ｇ／Ｌを含むアルカリ性水溶液に亜塩素酸ナトリウム１５ｇ／Ｌ添加した酸化処理液に、５０℃で３分間浸漬した。この後、５分間水洗し、８５℃で３０分間乾燥させた。その他工程は、実施例１と同様に行った。
【０１２２】
実施例１４
（工程ａ−３）、（工程ｃ−３）、（工程ｆ−３）、（工程ｇ−３）において、硝酸銀７．５ｇ／Ｌ、水酸化アンモニア７５ｇ／Ｌ、チオ硫酸ナトリウム５水和物をそれぞれ含む置換銀めっき液に３０℃で２０秒間浸漬して１．０μｍｏｌ／ｄｍ２の置換銀めっきを施し、１分間水洗し、りん酸三ナトリウム１０ｇ／Ｌおよび水酸化カリウム２５ｇ／Ｌを含むアルカリ性水溶液に亜塩素酸ナトリウム１５ｇ／Ｌ添加した酸化処理液に、５０℃で３分間浸漬した。この後、５分間水洗し、８５℃で３０分間乾燥させた。その他工程は、実施例１と同様に行った。
【０１２３】
実施例１５
（工程ａ’）
（工程ａ’−１）
コア基板１００（図９参照、以下同様とする。）として０．４ｍｍ厚のソーダガラス基板（熱膨張係数１１ｐｐｍ／℃）を用意し、片面に絶縁層１０４を次のように形成した。すなわち、シアネ―トエステル系樹脂組成物の絶縁ワニスをスピンコート法により、条件１５００ｒｐｍで、ガラス基板上に塗布し、厚み２０μｍの樹脂層を形成した後、常温（２５℃）から６℃／ｍｉｎの昇温速度で２３０℃まで加熱し、２３０℃で８０分間保持することにより熱硬化し、絶縁層１０４を形成した。
【０１２４】
（工程ａ’−２）
実施例１の（工程ａ−１）によりめっき面１１８を形成した。次に、実施例１の（工程ａ−２）を行った。
【０１２５】
（工程ａ’−３）
実施例１の（工程ａ−３）を行い、ドライフィルム・エッチングレジスト（旭化成エレクトロニクス社製 サンフォートＳＰＧ−１５２ フィルム厚１５μｍ）の形成あるいは液状・エッチングレジスト互応化学工業社製 ＥＫＩＲＥＳＩＮ ＰＥＲ−８００ ネガタイプ）を形成し、その後、露光、現像を行い、配線１０６となる部分にレジスト１１９を形成した。
【０１２６】
（工程ｄ’）
塩化第二鉄エッチング液を用いて不要なめっきをエッチングし、次に、レジスト剥離を行い、配線１０６を形成した。その後、絶縁層（ビルドアップ層）１０４を（工程ａ’−１）と同様に形成し、図１１に示すＬ／Ｓ＝５μｍ／５μｍ（配線対：２５対、配線数：５０本）、図１２に示すＬ／Ｓ＝７μｍ／７μｍ（配線対：２５対、配線数：５０本）、図１３に示すＬ／Ｓ＝１０μｍ／１０μｍ（配線対：２５対、配線数：５０本）、図１４に示すＬ／Ｓ＝１５μｍ／１５μｍ（配線対：２５対、配線数：５０本）のくし型配線基板を作製した。
【０１２７】
実施例１６
実施例１５の（工程ａ’−３）において、実施例１の（工程ａ−３）を行うかわりに、実施例２の（工程ａ−３）を行った以外は、実施例１５と同様に行った。
【０１２８】
実施例１７
実施例１５の（工程ａ’−３）において、実施例１の（工程ａ−３）を行うかわりに、実施例３の（工程ａ−３）を行った以外は、実施例１５と同様に行った。
【０１２９】
実施例１８
実施例１５の（工程ａ’−３）において、実施例１の（工程ａ−３）を行うかわりに、実施例４の（工程ａ−３）を行った以外は、実施例１５と同様に行った。
【０１３０】
実施例１９
実施例１５の（工程ａ’−３）において、実施例１の（工程ａ−３）を行うかわりに、実施例５の（工程ａ−３）を行った以外は実施例１５と同様に行った。
【０１３１】
実施例２０
実施例１５の（工程ａ’−３）において、実施例１の（工程ａ−３）を行うかわりに実施例６の（工程ａ−３）を行った以外は実施例１５と同様に行った。
【０１３２】
実施例２１
実施例１５の（工程ａ’−３）において、実施例１の（工程ａ−３）を行うかわりに、実施例７の（工程ａ−３）を行った以外は実施例１５と同様に行った。
【０１３３】
実施例２２
実施例１５の（工程ａ’−３）において、実施例１の（工程ａ−３）を行うかわりに、実施例８の（工程ａ−３）を行った以外は実施例１５と同様に行った。
【０１３４】
実施例２３
実施例１５の（工程ａ’−３）において、実施例１の（工程ａ−３）を行うかわりに、実施例９の（工程ａ−３）を行った以外は実施例１５と同様に行った。
【０１３５】
実施例２４
実施例１５の（工程ａ’−３）において、実施例１の（工程ａ−３）を行うかわりに、実施例１０の（工程ａ−３）を行った以外は実施例１５と同様に行った。
【０１３６】
実施例２５
実施例１５の（工程ａ’−３）において、実施例１の（工程ａ−３）を行うかわりに、実施例１１の（工程ａ−３）を行った以外は実施例１５と同様に行った。
【０１３７】
実施例２６
実施例１５の（工程ａ’−３）において、実施例１の（工程ａ−３）を行うかわりに、実施例１２の（工程ａ−３）を行った以外は実施例１５と同様に行った。
【０１３８】
実施例２７
実施例１５の（工程ａ’−３）において、実施例１の（工程ａ−３）を行うかわりに、実施例１３の（工程ａ−３）を行った以外は、実施例１５と同様に行った。
【０１３９】
実施例２８
実施例１５の（工程ａ’−３）において、実施例１の（工程ａ−３）を行うかわりに、実施例１４の（工程ａ−３）を行った以外は実施例１５と同様に行った。
【０１４０】
実施例２９
（工程ａ’’）
（工程ａ’’−１）
絶縁層１０４’（図１０参照、以下同様とする。）として２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製 カプトン１００Ｖ）を用意した。
【０１４１】
（工程ａ’’−２）
実施例１の（工程ａ−１）によりめっき面１１８を形成した。次に、実施例１の（工程ａ−２）を行った。
【０１４２】
（工程ａ’’−３）
実施例１の（工程ａ−３）を行い、ドライフィルム・エッチングレジスト（旭化成エレクトロニクス社製 サンフォートＳＰＧ−１５２ フィルム厚１５μｍ）の形成あるいは液状・エッチングレジスト互応化学工業社製 ＥＫＩＲＥＳＩＮ ＰＥＲ−８００ ネガタイプ）を形成し、その後、露光、現像を行い、配線１０６となる部分にレジスト１１９を形成した。
【０１４３】
（工程ｄ’’）
（工程ｄ’’−１）
塩化第二鉄エッチング液を用いてエッチングし、次に、レジスト剥離を行い、配線１０６を形成した。次に、実施例１の（工程ａ−２）を行った。
【０１４４】
（工程ｄ’’−２）
実施例１の（工程ａ−３）を行い、絶縁被覆（ソルダーレジスト）を形成し、その後、露光、現像を行い、配線１０６を被覆したソルダーレジスト１０９を形成し、図１１に示すＬ／Ｓ＝５μｍ／５μｍ（配線対：２５対、配線数：５０本）、図１２に示すＬ／Ｓ＝７μｍ／７μｍ（配線対：２５対、配線数：５０本）、図１３に示すＬ／Ｓ＝１０μｍ／１０μｍ（配線対：２５対、配線数：５０本）、図１４に示すＬ／Ｓ＝１５μｍ／１５μｍ（配線対：２５対、配線数：５０本）のくし型配線基板を作製した。
【０１４５】
実施例３０
実施例２９の（工程ｄ’’−２）において、実施例１の（工程ａ−３）を行ったかわりに、実施例２の（工程ａ−３）を行った以外は実施例２９と同様に行った。
【０１４６】
実施例３１
実施例２９の（工程ｄ’’−２）において、実施例１の（工程ａ−３）を行ったかわりに、実施例３の（工程ａ−３）を行った以外は実施例２９と同様に行った。
【０１４７】
実施例３２
実施例２９の（工程ｄ’’−２）において、実施例１の（工程ａ−３）を行ったかわりに、実施例４の（工程ａ−３）を行った以外は実施例２９と同様に行った。
【０１４８】
実施例３３
実施例２９の（工程ｄ’’−２）において、実施例１の（工程ａ−３）を行ったかわりに、実施例５の（工程ａ−３）を行った以外は実施例２９と同様に行った。
【０１４９】
実施例３４
実施例２９の（工程ｄ’’−２）において、実施例１の（工程ａ−３）を行ったかわりに、実施例６の（工程ａ−３）を行った以外は実施例２９と同様に行った。
【０１５０】
実施例３５
実施例２９の（工程ｄ’’−２）において、実施例１の（工程ａ−３）を行ったかわりに、実施例７の（工程ａ−３）を行った以外は実施例２９と同様に行った。
【０１５１】
実施例３６
実施例２９の（工程ｄ’’−２）において、実施例１の（工程ａ−３）を行ったかわりに、実施例８の（工程ａ−３）を行った以外は実施例２９と同様に行った。
【０１５２】
実施例３７
実施例２９の（工程ｄ’’−２）において、実施例１の（工程ａ−３）を行ったかわりに、実施例９の（工程ａ−３）を行った以外は実施例２９と同様に行った。
【０１５３】
実施例３８
実施例２９の（工程ｄ’’−２）において、実施例１の（工程ａ−３）を行ったかわりに、実施例１０の（工程ａ−３）を行った以外は実施例２９と同様に行った。
【０１５４】
実施例３９
実施例２９の（工程ｄ’’−２）において、実施例１の（工程ａ−３）を行ったかわりに、実施例１１の（工程ａ−３）を行った以外は実施例２９と同様に行った。
【０１５５】
実施例４０
実施例２９の（工程ｄ’’−２）において、実施例１の（工程ａ−３）を行ったかわりに、実施例１２の（工程ａ−３）を行った以外は実施例２９と同様に行った。
【０１５６】
実施例４１
実施例２９の（工程ｄ’’−２）において、実施例１の（工程ａ−３）を行ったかわりに、実施例１３の（工程ａ−３）を行った以外は実施例２９と同様に行った。
【０１５７】
実施例４２
実施例２９の（工程ｄ’’−２）において、実施例１の（工程ａ−３）を行ったかわりに、実施例１４の（工程ａ−３）を行った以外は実施例２９と同様に行った。
【０１５８】
実施例４３
絶縁層１０４’として２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製 カプトン１００Ｖ）に、実施例１に示す（工程ａ−３）の処理を行った。
【０１５９】
実施例４４
絶縁層１０４’として２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製 カプトン１００Ｖ）に、実施例２に示す（工程ａ−３）の処理を行った。
【０１６０】
実施例４５
絶縁層１０４’として２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製 カプトン１００Ｖ）に、実施例３に示す（工程ａ−３）の処理を行った。
【０１６１】
実施例４６
絶縁層１０４’として２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製 カプトン１００Ｖ）に、実施例４に示す（工程ａ−３）の処理を行った。
【０１６２】
実施例４７
絶縁層１０４’として２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製 カプトン１００Ｖ）に、実施例５に示す（工程ａ−３）の処理を行った。
【０１６３】
実施例４８
絶縁層１０４’として２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製 カプトン１００Ｖ）に、実施例６に示す（工程ａ−３）の処理を行った。
【０１６４】
実施例４９
絶縁層１０４’として２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製 カプトン１００Ｖ）に、実施例７に示す（工程ａ−３）の処理を行った。
【０１６５】
実施例５０
絶縁層１０４’として２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製 カプトン１００Ｖ）に、実施例８に示す（工程ａ−３）の処理を行った。
【０１６６】
実施例５１
絶縁層１０４’として２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製 カプトン１００Ｖ）に、実施例９に示す（工程ａ−３）の処理を行った。
【０１６７】
実施例５２
絶縁層１０４’として２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製 カプトン１００Ｖ）に、実施例１０に示す（工程ａ−３）の処理を行った。
【０１６８】
実施例５３
絶縁層１０４’として２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製 カプトン１００Ｖ）に、実施例１１に示す（工程ａ−３）の処理を行った。
【０１６９】
実施例５４
絶縁層１０４’として２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製 カプトン１００Ｖ）に、実施例１２に示す（工程ａ−３）の処理を行った。
【０１７０】
実施例５５
絶縁層１０４’として２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製 カプトン１００Ｖ）に、実施例１３に示す（工程ａ−３）の処理を行った。
【０１７１】
実施例５６
絶縁層１０４’として２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製 カプトン１００Ｖ）に、実施例１４に示す（工程ａ−３）の処理を行った。
【０１７２】
比較例１
実施例１の（工程ａ−３）、（工程ｃ−３）、（工程ｆ−３）、（工程ｇ−３）のかわりに、各工程おいて、りん酸三ナトリウム１０ｇ／Ｌおよび水酸化カリウム２５ｇ／Ｌを含むアルカリ性水溶液に亜塩素酸ナトリウム１５ｇ／Ｌ添加した酸化処理液に８５℃で３分間浸漬した。この後、５分間水洗し、８５℃で３０分間乾燥させた。それ以外は、実施例１と同様に行った。
【０１７３】
比較例２
実施例１の（工程ａ−３）、（工程ｃ−３）、（工程ｆ−３）、（工程ｇ−３）のかわりに、各工程において、りん酸三ナトリウム１０ｇ／Ｌおよび水酸化カリウム２５ｇ／Ｌを含むアルカリ性水溶液に亜塩素酸ナトリウム１５ｇ／Ｌ添加した酸化処理液に８５℃で３分間浸漬した。この後、５分間水洗し、還元処理液ＨＩＳＴ−１００（日立化成工業株式会社製、商品名）に４０℃で３分間浸漬し、さらに１０分間水洗を行った。この処理工程を経た後に、８５℃で３０分間乾燥させた。それ以外は、実施例１と同様に行った。
【０１７４】
比較例３
実施例１の（工程ａ−３）、（工程ｃ−３）、（工程ｆ−３）、（工程ｇ−３）のかわりに、各工程において、マイクロエッチング剤であるメックエッチボンドＣＺ８１００（メック株式会社製、商品名）に４０℃で１分３０秒間浸漬し、水洗した後、常温にて３．６Ｎの硫酸水溶液に６０秒間浸漬し、更に水洗を１分間行った。この処理工程を経た後に、８５℃で３０分間乾燥させた。それ以外は、実施例１と同様に行った。
【０１７５】
比較例４
実施例１の（工程ａ−３）、（工程ｃ−３）、（工程ｆ−３）、（工程ｇ−３）の各工程を行わなかった。すなわち、凹凸形成処理を行わなかった。それ以外は、実施例１と同様に行った。
【０１７６】
比較例５
実施例１５の（工程ａ’−３）のかわりに、、比較例１の（工程ａ−３）を行い、それ以外は実施例１５と同様に行った。
【０１７７】
比較例６
実施例１５の（工程ａ’−３）のかわりに、比較例２の（工程ａ−３）を行い、それ以外は実施例１５と同様に行った。
【０１７８】
比較例７
実施例１５の（工程ａ’−３）のかわりに、比較例３の（工程ａ−３）を行い、それ以外は実施例１５と同様に行った。
【０１７９】
比較例８
実施例１５の（工程ａ’−３）において、実施例１の（工程ａ−３）を行わなかった。これ以外は実施例１５と同様に行った。
【０１８０】
比較例９
実施例２９の（工程ｄ’’−２）において、実施例１の（工程ａ−３）のかわりに、比較例１の（工程ａ−３）を行い、それ以外は実施例２９と同様に行った。
【０１８１】
比較例１０
実施例２９の（工程ｄ’’−２）において、実施例１の（工程ａ−３）のかわりに、比較例２の（工程ａ−３）を行い、それ以外は実施例２９と同様に行った。
【０１８２】
比較例１１
実施例２９の（（工程ｄ’’−２）において、実施例１の（工程ａ−３）のかわりに、比較例３の（工程ａ−３）を行い、それ以外は実施例２９と同様に行った。
【０１８３】
比較例１２
実施例２９の（工程ｄ’’−２）において、実施例１の（工程ａ−３）を行わなかった。これ以外は実施例２９と同様に行った。
【０１８４】
比較例１３
絶縁層１０４’として２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製 カプトン１００Ｖ）に、比較例１に示す（工程ａ−３）の処理を行った。
【０１８５】
比較例１４
絶縁層１０４’として２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製 カプトン１００Ｖ）に、比較例２に示す（工程ａ−３）の処理を行った。
【０１８６】
比較例１５
絶縁層１０４’として２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製 カプトン１００Ｖ）に、比較例３に示す（工程ａ−３）の処理を行った。
【０１８７】
比較例１６
絶縁層１０４’として２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製 カプトン１００Ｖ）に対し、何も処理は行わなかった。
【０１８８】
以上のように作製した試験サンプルに対し、以下の試験を行った。
【０１８９】
（銅表面平滑度、形状、無光沢評価試験）
実施例１〜１４及び比較例１〜４に記載された（工程ａ−３）まで処理した後、銅表面平滑度評価試験を行った。Ｒｚが１ｎｍ以上かつ１００ｎｍ以下のものを◎、Ｒｚが１００ｎｍを超えかつ１０００ｎｍ以下のものを○、Ｒｚが１ｎｍ未満または１０００ｎｍを超えるものを△とした。結果を表１に示した。次に、銅表面形状を調べた。電子顕微鏡による観察で、銅表面形状が緻密且つ均一の凹凸のものを○、そうでないものを×とした。結果を表１に併記した。但し、比較例４については、（工程ａ−３）を行なっていないため、銅表面に凹凸を形成することができなかった。更に、目視により光沢の有無を調べた。無光沢のものを○、光沢のあるものを×とした。結果を表１に併記した。
【０１９０】
（レジストパターン形成率評価試験）
実施例１５〜２８及び比較例５〜８に記載された（工程ａ’−３）まで処理した後、ドライフィルム・エッチングレジスト及び液状・エッチングレジストによる各Ｌ／Ｓのレジストパターン形成率の評価をした。評価方法は、各Ｌ／Ｓのレジストが形成されたレジスト幅を測定し、各Ｌ／Ｓレジスト幅の設計値に対する誤差が±１０％以内のものを良品とし、その割合を調べた。ドライフィルム・エッチングレジストについては表２に、液状・エッチングレジストについては表３に結果を示した。
【０１９１】
（配線間の短絡評価試験）
実施例１５〜２８及び比較例５〜８に記載された（工程ａ’）及び（工程ｄ’）の処理後、ドライフィルム・エッチングレジスト及び液状・エッチングレジストによる各Ｌ／Ｓくし型配線基板の配線間の短絡数を調べた。ドライフィルム・エッチングレジストについては表４に、液状・エッチングレジストについては表５に結果を示した。
【０１９２】
（電食試験）
実施例１５〜２８及び比較例５〜８に記載された（工程ａ’）及び（工程ｄ’）の処理後、ドライフィルム・エッチングレジスト及び液状・エッチングレジストによる各Ｌ／Ｓくし型配線基板の配線間絶縁抵抗値を測定し、１．０×１０９Ω未満の値をＮＧとした。
ドライフィルム・エッチングレジストについては表６に、液状・エッチングレジストについては表７に結果を示した。各Ｌ／Ｓくし型配線基板の配線間絶縁抵抗はアドバンテスト株式会社社製Ｒ−８３４０Ａ型デジタル超高抵抗微小電流計を用いて、室温でＤＣ５Ｖの電圧を３０秒間印加し、櫛型間の絶縁抵抗値を測定した。また、１ＧΩ以下の絶縁抵抗測定には、株式会社ヒューレット・パッカード（ＨＰ）社製デジタルマルチメータ３４５７Ａを用いた。次に、８５℃・相対湿度８５％に保った恒湿恒温層中で連続的に電圧ＤＣ５Ｖを印加し、一定時間毎に上記と同様に各Ｌ／Ｓ配線間の絶縁抵抗値を測定した。恒湿恒温槽は株式会社日立製作所製ＥＣ−１０ＨＨＰＳ型恒湿恒温を用い、投入後１０００時間まで測定した。但し、比較例８については、配線形成をすることができず、試験基板を作成することができなかった。
【０１９３】
（金めっき試験）
実施例１〜１４及び比較例１〜４に記載された（工程ｇ）まで処理した後、外部接続端子部分への金めっき処理を行った。金めっき処理方法としては、水で２００ｍｌ／Ｌに調整した酸性脱脂液Ｚ−２００（ワールドメタル社製、商品名）に、液温５０℃で２分間浸漬した後、液温５０℃の水に２分間浸漬することにより湯洗し、さらに１分間水洗した。次いで、３．６Ｎの硫酸水溶液に１分間浸漬し、１分間水洗した。次に、置換パラジウムめっき液ＳＡ−１００（日立化成工業株式会社、製品名）に３０℃で３分間浸漬して、外部接続端子部分に選択的にパラジウムを施し、１分間水洗した。次に、無電解ニッケルめっき液ＮＩＰＳ−１００（日立化成工業株式会社、製品名）に８５℃で１５分間浸漬して、外部接続端子部分に選択的にニッケルを５μｍ施し、１分間水洗した。次に、置換金めっき液ＨＧＳ−５００（日立化成工業株式会社、製品名）に８５℃で１０分間浸漬して、外部接続端子部分に選択的に金を０．０５μｍ施し、１分間水洗した。次に、無電解金めっき液ＨＧＳ−２０００（日立化成工業株式会社、製品名）に６０℃で４０分間浸漬して、外部接続端子部分に選択的に金を０．５μｍ施し、５分間水洗し、８５℃で３０分間乾燥させた。金めっき評価方法は、目視あるいは顕微鏡観察により、金めっきのムラなしを○、金めっきムラありを△、金めっき未析出を×とした。結果を表８に示す。
【０１９４】
（耐ＰＣＴ性評価試験）
実施例２９〜４２及び比較例９〜１２に記載された（工程ｄ’’）まで処理した後、耐ＰＣＴ試験（１２１℃、２００ｈ、２ａｔｍ）を行った。評価方法は、試験後の配線（Ｃｕ）／ソルダーレジスト（ＳＲ）間及びポリイミドフィルム（ＰＩ）／ソルダーレジスト間の膨れ有無を調べ、膨れ無しを○、膨れ有りを×とした。結果を表９に示す。但し、比較例１１については、配線形成をすることができず、試験基板を作成することができなかった。
【０１９５】
（耐溶解性評価試験）
実施例４３〜５６及び比較例１３〜１６に記載されたＰＩの処理前後の重量減少量を測定し、ｍ２当たりの溶解量を算出した。評価方法は、ＰＩの溶解量１００ｍｇ／ｍ２未満を○、ＰＩの溶解量１００ｍｇ／ｍ２以上を×とした。結果を表１０に示す。
【０１９６】
（半導体パッケージの信頼性試験）
実施例１〜１４及び比較例１〜４に記載された各々の半導体パッケージを、吸湿処理を行った後、到達温度２４０℃、長さ２ｍのリフロー炉に０．５ｍ／分の条件で流し、２２個のサンプルをリフローし、クラックの発生を調べ、発生した場合をＮＧとした。結果を表１１に示した。ただし、比較例３については、配線精度を維持することができず、試験基板を作製することができなかった。
【０１９７】
【表１】
【０１９８】
【表２】
【０１９９】
【表３】
【０２００】
【表４】
【０２０１】
【表５】
【０２０２】
【表６】
【０２０３】
【表７】
【０２０４】
【表８】
【０２０５】
【表９】
【０２０６】
【表１０】
【０２０７】
【表１１】
【０２０８】
実施例１から５６に示したように、本発明の場合、数十ナノレベルの緻密且つ均一な凹凸を銅表面に形成することにより銅表面を無光沢化できた。また、その銅表面にレジストを形成することにより、レジストパターンの形成率は良好であり、配線間の短絡も無いことが分かった。また、作製した半導体パッケージの信頼性も極めて良好であった。その他、電食試験による各Ｌ／Ｓの配線間絶縁信頼性、耐ＰＣＴ性、耐溶解性においても極めて良好であった。これに対し、従来技術では、比較例１から１６に示したように銅表面の無光沢化および凹凸形状、レジストパターン形成率、配線間の短絡数、半導体パッケージの信頼性、配線間絶縁信頼性、耐ＰＣＴ性、耐溶解性の全てを満足することはできなかった。したがって本発明により、銅表面に数十ナノレベルの緻密且つ均一の微細凹凸を銅表面に形成することにより、良好な配線が形成できる。また本発明により、ソルダレジストまたはカバーレイを接着性良く形成でき、各種信頼性に優れた配線基板、半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージが製造できる。
【図面の簡単な説明】
【０２０９】
【図１】本発明の一実施形態が適用される半導体チップ搭載基板の断面図。
【図２】（ａ）〜（ｇ）は本発明の半導体チップ搭載基板の製造方法の一実施形態を示す工程図。
【図３】本発明の一実施形態が適用されるフリップチップタイプ半導体パッケージの断面図。
【図４】本発明の一実施形態が適用されるワイヤボンドタイプ半導体パッケージの断面図。
【図５】本発明のファン−インタイプ半導体チップ搭載基板の平面図。
【図６】本発明のファン−アウトタイプ半導体チップ搭載基板の平面図。
【図７】本発明の半導体チップ搭載基板のフレーム形状を表す平面図。
【図８】本発明の一実施形態が適用される半導体チップ搭載基板の断面図。
【図９】（ａ’）〜（ｄ’）は本発明の電食試験用評価基板製造方法の一実施形態を示す工程図。
【図１０】（ａ’’）〜（ｄ’’）は本発明の耐ＰＣＴ性評価基板製造方法の一実施形態を示す工程図。
【図１１】本発明の一実施形態が適用される電食試験用評価基板の平面図。
【図１２】本発明の一実施形態が適用される電食試験用評価基板の平面図。
【図１３】本発明の一実施形態が適用される電食試験用評価基板の平面図。
【図１４】本発明の一実施形態が適用される電食試験用評価基板の平面図。
【符号の説明】
【０２１０】
１１．位置決めマーク（位置合わせ用ガイド穴）
１３．半導体パッケージ領域
１４．ダイボンドフィルム接着領域（フリップチップタイプ）
１５．半導体チップ搭載領域（フリップチップタイプ）
１６．半導体チップ接続端子
１７．ダイボンドフィルム接着領域（ワイヤボンドタイプ）
１８．半導体チップ搭載領域（ワイヤボンドタイプ）
１９．外部接続端子
２０．展開配線
２１．ダミーパターン
２２．半導体チップ搭載基板
２３．ブロック
２４．補強パターン
２５．切断位置合わせマーク
１００ コア基板
１０１ 第１の層間接続端子
１０２ 第１の層間接続用ＩＶＨ（バイアホール）
１０３ 第２の層間接続端子
１０４ 層間絶縁層（ビルドアップ層）
１０４’ 絶縁層（ポリイミドフィルム）
１０５ 第３の層間接続用ＩＶＨ（バイアホール）
１０６ 配線
１０６ａ 第１の配線
１０６ｂ 第２の配線
１０６ｃ 第３の配線
１０７ 外部接続端子
１０８ 第２の層間接続用ＩＶＨ（バイアホール）
１０９ 絶縁被覆（ソルダーレジスト）
１１１ 半導体チップ
１１２ 接続バンプ
１１３ アンダーフィル材
１１４ はんだボール
１１５ 金ワイヤ
１１６ 半導体用封止樹脂
１１７ ダイボンドフィルム
１１８ めっき面
１１９ レジスト
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅表面にレジストまたはカバーレイを形成する際の前処理方法であって、銅表面に銅よりも貴な金属を離散的に形成する工程、その後、前記銅表面に酸化剤を含むアルカリ性水溶液で酸化処理する工程を有することを特徴とする銅表面の前処理方法。
【請求項２】
前記酸化処理する工程後に、還元処理、カップリング処理及び腐食抑制処理から選択される工程を有することを特徴とする請求項１に記載の銅表面の前処理方法。
【請求項３】
前記酸化剤を含むアルカリ性水溶液で酸化処理する工程は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含むアルカリ性水溶液に、酸化剤として、塩素酸塩、亜塩素酸塩、次亜塩素酸塩、過塩素酸塩およびペルオキソ二硫酸塩から選択される塩を少なくとも１つ以上含むアルカリ性水溶液で処理することを特徴とする請求項１または２に記載の銅表面の前処理方法。
【請求項４】
前記銅よりも貴な金属は、金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、レニウム、ルテニウム、オスミウム及びイリジウムから選択される金属、または前記金属を含む合金であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の銅表面の前処理方法。
【請求項５】
前記銅よりも貴な金属を離散的に形成する工程は、前記銅よりも貴な金属が前記銅の表面に０．００１μｍｏｌ／ｄｍ２以上かつ４０μｍｏｌ／ｄｍ２以下となるように離散的に形成することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の銅表面の前処理方法。
【請求項６】
前記銅表面の前処理方法によって生じる表面粗さは、Ｒｚで１ｎｍ以上かつ１０００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜５に記載の銅表面の前処理方法。
【請求項７】
銅表面に銅よりも貴な金属を離散的に形成し、その後、前記銅表面に酸化剤を含むアルカリ性水溶液で酸化処理を行い、さらにその後、レジスト形成することにより得られる配線基板。
【請求項８】
前記酸化処理の後、さらに、還元処理、カップリング処理及び腐食抑制処理から選択される処理を行うことにより得られる請求項７に記載の配線基板。
【請求項９】
前記酸化剤を含むアルカリ性水溶液による酸化処理は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含むアルカリ性水溶液に、酸化剤として、塩素酸塩、亜塩素酸塩、次亜塩素酸塩、過塩素酸塩およびペルオキソ二硫酸塩から選択される塩を少なくとも１つ以上含むアルカリ性水溶液で処理することを特徴とする請求項７または８に記載の配線基板。
【請求項１０】
前記銅よりも貴な金属は、金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、レニウム、ルテニウム、オスミウム及びイリジウムから選択される金属、または前記金属を含む合金であることを特徴とする請求項７〜９のいずれかに記載の配線基板。
【請求項１１】
前記銅よりも貴な金属が、前記銅の表面に０．００１μｍｏｌ／ｄｍ２以上かつ４０μｍｏｌ／ｄｍ２以下となるように離散的に形成された請求項７〜１０のいずれかに記載の配線基板。
【請求項１２】
前記銅の表面処理後の表面粗さは、Ｒｚで１ｎｍ以上かつ１０００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項７〜１１に記載の配線基板。
【請求項１】
銅表面にレジストまたはカバーレイを形成する際の前処理方法であって、銅表面に銅よりも貴な金属を離散的に形成する工程、その後、前記銅表面に酸化剤を含むアルカリ性水溶液で酸化処理する工程を有することを特徴とする銅表面の前処理方法。
【請求項２】
前記酸化処理する工程後に、還元処理、カップリング処理及び腐食抑制処理から選択される工程を有することを特徴とする請求項１に記載の銅表面の前処理方法。
【請求項３】
前記酸化剤を含むアルカリ性水溶液で酸化処理する工程は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含むアルカリ性水溶液に、酸化剤として、塩素酸塩、亜塩素酸塩、次亜塩素酸塩、過塩素酸塩およびペルオキソ二硫酸塩から選択される塩を少なくとも１つ以上含むアルカリ性水溶液で処理することを特徴とする請求項１または２に記載の銅表面の前処理方法。
【請求項４】
前記銅よりも貴な金属は、金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、レニウム、ルテニウム、オスミウム及びイリジウムから選択される金属、または前記金属を含む合金であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の銅表面の前処理方法。
【請求項５】
前記銅よりも貴な金属を離散的に形成する工程は、前記銅よりも貴な金属が前記銅の表面に０．００１μｍｏｌ／ｄｍ２以上かつ４０μｍｏｌ／ｄｍ２以下となるように離散的に形成することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の銅表面の前処理方法。
【請求項６】
前記銅表面の前処理方法によって生じる表面粗さは、Ｒｚで１ｎｍ以上かつ１０００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜５に記載の銅表面の前処理方法。
【請求項７】
銅表面に銅よりも貴な金属を離散的に形成し、その後、前記銅表面に酸化剤を含むアルカリ性水溶液で酸化処理を行い、さらにその後、レジスト形成することにより得られる配線基板。
【請求項８】
前記酸化処理の後、さらに、還元処理、カップリング処理及び腐食抑制処理から選択される処理を行うことにより得られる請求項７に記載の配線基板。
【請求項９】
前記酸化剤を含むアルカリ性水溶液による酸化処理は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含むアルカリ性水溶液に、酸化剤として、塩素酸塩、亜塩素酸塩、次亜塩素酸塩、過塩素酸塩およびペルオキソ二硫酸塩から選択される塩を少なくとも１つ以上含むアルカリ性水溶液で処理することを特徴とする請求項７または８に記載の配線基板。
【請求項１０】
前記銅よりも貴な金属は、金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、レニウム、ルテニウム、オスミウム及びイリジウムから選択される金属、または前記金属を含む合金であることを特徴とする請求項７〜９のいずれかに記載の配線基板。
【請求項１１】
前記銅よりも貴な金属が、前記銅の表面に０．００１μｍｏｌ／ｄｍ２以上かつ４０μｍｏｌ／ｄｍ２以下となるように離散的に形成された請求項７〜１０のいずれかに記載の配線基板。
【請求項１２】
前記銅の表面処理後の表面粗さは、Ｒｚで１ｎｍ以上かつ１０００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項７〜１１に記載の配線基板。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２００７−１１６０７７（Ｐ２００７−１１６０７７Ａ）
【公開日】平成１９年５月１０日（２００７．５．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−３２６００（Ｐ２００６−３２６００）
【出願日】平成１８年２月９日（２００６．２．９）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）国等の委託研究の成果に係る特許出願（平成１７年度新エネルギー・産業技術総合開発機構基盤技術研究促進事業（民間基盤技術研究支援制度）委託研究、産業活力再生特別措置法第３０条の適用を受けるもの）
【出願人】（０００００４４５５）日立化成工業株式会社 (4,649)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年５月１０日（２００７．５．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年２月９日（２００６．２．９）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）国等の委託研究の成果に係る特許出願（平成１７年度新エネルギー・産業技術総合開発機構基盤技術研究促進事業（民間基盤技術研究支援制度）委託研究、産業活力再生特別措置法第３０条の適用を受けるもの）
【出願人】（０００００４４５５）日立化成工業株式会社 (4,649)
【Ｆターム（参考）】
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