【課題】 各種のメッキ浴において、水への溶解性と消泡性を両立できるとともに、メッキ液の管理を容易にする。
【解決手段】 Ｃ₂〜Ｃ₄アルキレンより選ばれたオキシアルキレン鎖を有し、当該オキシアルキレン鎖に３位の窒素原子を介してイミダゾール環が結合するとともに、イミダゾール環が末端に位置する新規のイミダゾール環結合型オキシアルキレン化合物を各種メッキ浴に使用すると、従来のノニオン性界面活性剤に比べて、末端へのイミダゾール環基の導入によって水溶性を良好に保持しながら、発泡性を顕著に低減できる。ノニオン界面活性剤の分子中にイミダゾール環基が存在する当該化合物を例えば銅メッキ浴に用いると、界面活性剤の作用とレベリング作用を兼備でき、メッキ液を簡便に管理できる。 （もっと読む）

【課題】めっき液の反応速度を向上させることにより、基板１枚あたりのめっき処理時間を短縮することが可能なめっき処理方法およびめっき処理装置を提供する。
【解決手段】基板２の表面に前処理液が残っている状態で、基板２を第１回転数で回転させ、基板２にめっき液を供給することにより液置換を行う（液置換工程Ｓ３０５）。次に、基板２にめっき液を供給し続けた状態で、基板２を停止または第２回転数で回転させて、基板２に初期成膜を行う（インキュベーション工程Ｓ３０６）。その後、基板２にめっき液を供給し続けた状態で、基板２を第３回転数で回転させて、めっき膜を成長させる（めっき膜成長工程Ｓ３０７）。第１回転数は、第３回転数より回転数が高く、第３回転数は、第２回転数より回転数が高い。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プリント回路基板の無電解表面処理めっき層と、その製造方法、及びこれを含むプリント回路基板に関する。
【解決手段】本発明は、無電解ニッケル（Ｎｉ）めっき被膜／パラジウム（Ｐｄ）めっき被膜／金（Ａｕ）めっき被膜からなり、前記無電解ニッケル、パラジウム、及び金めっき被膜はその厚さがそれぞれ０．０２〜１μｍ、０．０１〜０．３μｍ、及び０．０１〜０．５μｍであるプリント回路基板の無電解表面処理めっき層とその製造方法、及びこれを含むプリント回路基板に関する。本発明によると、プリント回路基板の無電解表面処理めっき層は、特にニッケルめっき被膜の厚さを０．０２〜１μｍに最小化させることにより最適化された無電解Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ表面処理めっき層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面全域にわたって均一にめっき処理を施すめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置２０は、基板２を保持して回転させる基板回転保持機構１１０と、基板回転保持機構１１０に保持された基板２に向けてめっき液を吐出する吐出機構２１と、基板回転保持機構１１０および吐出機構２１を制御する制御機構１６０と、を備えている。吐出機構２１は、基板２の半径方向に沿って並べられた複数の吐出口４１を含む、または、基板２の半径方向に沿って延びる吐出口４２を含む第１ノズル４０と、第１ノズル４０の吐出口よりも基板２の中心部に近接するよう位置することができる吐出口４６を含む第２ノズル４５と、を有している。 （もっと読む）

【課題】めっき液中のアンモニア成分の濃度を一定に維持してめっき液を循環して使用することができるめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置２０は、基板２を回転保持する基板回転保持機構１１０と、基板２にめっき液３５を供給するめっき液供給機構３０と、を備えている。このうちめっき液供給機構３０は、基板２に供給されるめっき液３５を貯留する供給タンク３１と、めっき液３５を基板２に吐出する吐出ノズル３２と、供給タンク３１のめっき液３５を吐出ノズル３２へ供給するめっき液供給管３３と、を有している。また供給タンク３１には、アンモニアガス貯留部１７０が接続され、供給タンク３１に貯留されためっき液３５中のアンモニア成分の濃度を目的の濃度範囲に保つ。 （もっと読む）

【課題】貴金属の析出速度を低下させることなく、該貴金属が均一に析出した導電性粒子を容易に製造できる方法を提供すること。
【解決手段】本発明の導電性粒子の製造方法は、芯材粒子の表面にニッケルめっき層を形成し；該ニッケルめっき層の表面を酸化処理し；酸化処理された該ニッケルめっき層の表面に、貴金属めっき層を直接形成する工程を有する。加熱された空気との接触によって前記ニッケルめっき層の表面を酸化処理することが好適である。ＸＰＳによって測定されたニッケルのＮｉ２ｐ３スペクトルにおいて、８５５．７±１．０ｅＶの結合エネルギーを有するＮｉ−Ｏ結合の比率が、６０％以上となるように酸化処理することも好適である。 （もっと読む）

【課題】金属めっきと良好な密着性を発揮し得る、簡易で環境負荷の少ない水系シランカップリング剤として好適な有機ケイ素化合物の提供、およびこれを用いた無電解めっきの前処理方法の提供。
【解決手段】下記一般式（１）で表される化合物と、テトラカルボン酸一無水物、テトラカルボン酸二無水物およびトリカルボン酸一無水物からなる群から選ばれる少なくとも１種類のポリカルボン酸無水物との反応生成物である中間体を、更に下記一般式（３）で表される化合物と反応させて得られた最終生成物である有機ケイ素化合物、およびこれを用いた無電解めっきの前処理方法。
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【課題】アノードにおける反応で発生した酸素によって白金触媒が酸化されて触媒能が低下することを抑制し、それにより固体高分子電解質膜・触媒金属複合電極の寿命を延ばすことができる製造方法を提供する。
【解決手段】固体高分子電解質膜１の両面に、白金イオンの還元により析出した白金を含む触媒層２が形成され、且つアノードとなる触媒層の表面上の少なくとも給電体接触部に金層３が形成されている固体高分子電解質膜・触媒金属複合電極とする。アノードとなる触媒層の表面上の少なくとも給電体接触部に、酸化還元電位の高い金層が形成されているので、触媒層に含まれる白金の酸化を効果的に抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】パラジウムを含有しない特定の無電解めっき用触媒組成物を用いた無電解めっき皮膜の製造方法と、これにより得られる均一性と導電性とに優れるめっき被覆基板を提供すること。
【解決手段】ポリエチレンイミン中のアミノ基にポリエチレングリコールが結合してなる化合物と、平均粒子径が２〜１００ｎｍの銀ナノ粒子とを主構成成分とする銀含有構造体を触媒とする無電解めっき金属皮膜を製造する方法であって、（１）被めっき物表面をカチオン性処理剤で処理する工程、（２）前記工程（１）に引き続き、アニオン性処理剤で処理する工程、（３）前記工程（２）後の処理被めっき物を前記銀含有構造体の水性分散体に浸漬し、その被めっき物に銀含有構造体を吸着させる工程、及び（４）前記工程（３）で得られた銀含有構造体吸着被めっき物を無電解めっき用の金属イオン液（ｃ）に浸漬する工程を有することを特徴とする無電解めっき金属皮膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスなどにパラジウム構造を低コストで形成するための方法およびパラジウム堆積に使用できる溶液処理可能な塑性物を提供する。
【解決手段】パラジウム塩およびオルガノアミンを含み、還元剤を含まない非触媒パラジウム前駆体組成物であって、この組成物は、実質的に水を含まない。この組成物を、溶液処理方法を使用して基板上に溶液堆積させ、加熱して伝導性パラジウムを形成させ、パターン状のものを含む種々広範の基板にパラジウム層を形成し、電子デバイスのための電気回路または経路を形成する。 （もっと読む）

【課題】例えば電子デバイスまたは電子デバイスなどの種々の対象物にパラジウム層を形成するための組成物およびプロセスを提供する。
【解決手段】パラジウム層を形成するための組成物は、パラジウム塩およびオルガノアミンを含有する。基板上にパラジウム層を形成するためのプロセスは、パラジウム塩、オルガノアミン、および水不混和性の有機溶媒を含むパラジウム前駆体組成物を受容する工程と、前記基板を前記パラジウム前駆体組成物で溶液コーティングする工程と、前記パラジウム前駆体組成物を加熱し、パラジウム層を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】優れた触媒活性を有する触媒微粒子の製造方法、及びカーボン担持触媒微粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】内部粒子と、白金を含み当該内部粒子を被覆する最外層とを備える触媒微粒子の製造方法であって、酸素欠陥を有しない第１の金属酸化物からなる微粒子を含む逆ミセルの分散液を準備する工程、白金イオンを含む逆ミセルの分散液を準備する工程、並びに、少なくとも、前記第１の金属酸化物からなる微粒子を含む逆ミセルの分散液、前記白金イオンを含む逆ミセルの分散液、及び犠牲剤を混合し、当該混合物にマイクロ波を照射することにより、前記第１の金属酸化物からなる微粒子の少なくとも表面を、酸素欠陥を有する第２の金属酸化物に還元し、且つ、当該第２の金属酸化物上に、前記白金イオンが還元されてなる白金を含む最外層を形成する還元工程を有することを特徴とする、触媒微粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板に対する密着性に優れる金属膜を有する積層体の製造方法、および、該製造方法より得られる積層体を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に被めっき層を形成する被めっき層形成工程と、被めっき層に無電解めっき触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、無電解めっき処理を行い、被めっき層上に金属膜を形成する無電解めっき工程と、を備える金属膜を有する積層体の製造方法であって、無電解めっき液の銅電極を用いて測定した混成電位と、無電解めっき触媒が付与された被めっき層の表面電位との差が０．１Ｖ以下であり、被めっき層の表面粗さが２００ｎｍ未満である、金属膜を有する積層体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】工業化適性が高く、品質の優れたイリジウムめっき皮膜を銅材料に対して直接形成することのできる無電解イリジウムめっき液および無電解めっき方法を提供すること
【解決手段】三価のイリジウムイオンおよび四価のイリジウムイオンの少なくとも一方と、三価のチタンイオンとを含む無電解イリジウムめっき液とする。イリジウムイオン供給源となる化合物としては、例えば、六塩化イリジウム三ナトリウムが挙げられ、チタンイオン供給源となる化合物としては、例えば、三塩化チタンが挙げられる。この無電解イリジウムめっき液を用いることで、従来技術では不可能であった銅素材上へのイリジウムめっきが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 基材粒子表面が導電性金属層で均一に被覆され、基材粒子と導電性金属層との密着性に優れ、かつ導電性金属層被覆後の粒子強度の低下もない導電性微粒子を提供する。
【解決手段】 本発明に係る導電性微粒子は、樹脂から構成される基材粒子と、該基材の表面に形成された少なくとも一層の導電性金属層とを有する導電性微粒子であって、オゾンで処理されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】前面電流トラックを形成したドープ半導体ウェハの銅めっきに関する改善された銅めっき方法を提供する。
【解決手段】前面、裏面およびＰＮ接合を含む半導体を提供し、下層を含む導電トラックのパターンを前記前面が含み、かつ前記裏面が金属接点を含んでおり；前記半導体を一価銅めっき組成物と接触させ；並びに導電トラックの下層上に銅をめっきする。 （もっと読む）

【課題】めっき後に細線乃至小ドットの金属パターンを高解像度で形成できる金属パターン材料及び金属パターン材料の製造方法の提供。
【解決手段】特定のめっき形成用光感応材料を６μｍ未満のピッチで露光する際に、６μｍピッチ露光時の最適パワーに対し、１００％未満であり、かつ〔（ピッチ（μｍ）×７５／６＋２５）−３０〕〜〔（ピッチ（μｍ）×７５／６＋２５）＋１５〕％のレーザーパワーで露光する露光工程と、露光後のめっき形成用光感応材料を現像液で現像する現像工程と、現像後のパターンが形成されためっき形成用光感応材料を、めっき浴比が１０未満でめっきを行うめっき工程とを含む金属パターン材料の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】無電解めっきの析出速度を低下させることなく、効率よく、信頼性の高いめっき処理を行なえ、さらにコストを抑えることが可能なめっき装置およびめっき方法を提供すること。
【解決手段】めっき槽１３と、めっき槽１３内には無電解めっきにてプリント配線基板１５にめっきを施すめっき液３が充填された無電解めっき装置１であって、めっき槽１３上面には蓋材７が設けられ、蓋材７には基板１５が通過するためのスリット９が設けられ、蓋材７の液面側と、めっき液３の液面とで囲まれた空間１１には不活性ガスが充填されていることを特徴とするめっき装置である。 （もっと読む）

【課題】析出しためっき膜（金属膜）上にノジュールの発生が抑制された金属膜を有する積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】所定の官能基を含むポリマーを含む被めっき層形成用組成物を用いて、基板１０上に被めっき層１２を形成する被めっき層形成工程と、所定の成分を含むアルカリ水溶液と被めっき層１２とを接触させるアルカリ水溶液接触工程と、未硬化部分が除去された被めっき層１２にめっき触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、めっき処理を行い、被めっき層上１２に金属膜１４を形成するめっき工程と、を備える金属膜を有する積層体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、被めっき層のプラズマエッチング処理を容易に実施することができ、パターン状金属膜間の絶縁性に優れた積層体を得ることができる、パターン状金属膜を有する積層体の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】所定のユニットを有するポリマーを含む被めっき層形成用組成物を用いて、基板上に被めっき層を形成する被めっき層形成工程と、被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、めっき処理を行い、被めっき層上に金属膜を形成するめっき工程と、エッチング液を使用してパターン状金属膜を形成するパターン形成工程と、パターン状金属膜を有する基板と酸性溶液とを接触させる酸性溶液接触工程と、パターン状金属膜が形成されていない領域の被めっき層をプラズマエッチング処理により除去する被めっき層除去工程とを備える、パターン状金属膜を有する積層体の製造方法。 （もっと読む）