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Fターム[4K022BA18]の内容

化学的被覆 (24,530) | 被膜 (7,733) | Pt族金属 (442)

Fターム[4K022BA18]に分類される特許

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【課題】高温かつ高湿な環境で生じる樹脂素材と無電解めっき被膜との密着強度の低下を改善することが可能な、無電解めっき素材の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の無電解めっき素材の製造方法は、表面に無電解めっきによりめっきされる無電解めっき素材の製造方法であって、樹脂からなる素材本体とオゾンを含む溶液とを接触させて該素材本体の表面に改質層を形成するオゾン処理工程と、前記オゾン処理工程の後、前記素材本体の表面に紫外線を照射して前記改質層の表層を除去する表層除去工程と、を行うことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 低コストで小型の装置により、不純物の混入がない高品質の金属担持物を、高速で、短時間に、十分な量で得ることができる。
【解決手段】 溶液に所定の処理を行って金属担持物を生成する金属担持物製造装置1であって、溶液が収められた容器30と、マイクロ波を出力するマイクロ波発振器10と、マイクロ波を溶液に与えて該溶液内にプラズマを励起させる電極42とを備え、溶液は、担体が分散されているとともに、金属イオンが投与された溶液である。 (もっと読む)


【課題】プリント配線板の端子部分、他の電子部品の端子部分、或いは、その他の金属微細パターン付き樹脂基材などのめっき処理対象面に、無電解ニッケル−パラジウム−金めっきを行う際に、下地である樹脂表面の金属異常析出が抑えられ、めっき処理面の品質に優れる方法を提供する。さらに本発明は、めっき処理面の品質に優れためっき処理物、特に、インターポーザ、マザーボード、及び、それらを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】プリント配線板の端子部分などの被処理部分に金属微細パターン付き基材の無電解ニッケル−パラジウム−金めっきを行う方法であって、パラジウム触媒付与工程の後、無電解パラジウムめっき処理を行う前の任意の段階において、pH10〜14の溶液による処理およびプラズマ処理よりなる群から選ばれる少なくとも一つの表面処理を行う。 (もっと読む)


【課題】
本発明は、表面に均一に金属メッキを施した微小ポリエチレン粒子を製造することを目的とする。
【解決手段】
平均粒子径が1μm〜100μmのポリエチレン粒子を用意する第1の工程と、前記粒子を大気圧近傍の圧力下でプラズマに接触させる第2の工程と、前記第2の工程で処理されたポリエチレン粒子(以下、被処理粒子という)を溶媒中に分散させ無電解メッキ処理を行う第3の工程と、を含んでなる、機能性粒子の製造方法。 (もっと読む)


本発明は、色素増感太陽電池(DSSC)の分野に関するものであり、幅広い種類の基材に適用できる対向電極の低温プラチナイズ方法に関する。 (もっと読む)


非導電性表面を有する部品用の装飾金属仕上げであって、非導電性表面は、その接着能力を向上させるために軽く粗面化されている。非導電性表面上に耐久性のある光沢金属仕上げを提供するために、軽く粗面化された表面の上に薄い金属層が無電解堆積される。金属仕上げ用の保護を提供するために、薄い金属層の上に半透明仕上げが堆積される。 (もっと読む)


【課題】基板とめっき層との密着性に優れた積層体、その製造方法、積層体を備える薄膜トランジスタ、積層体を備えるプリント配線基板を提供する。
【解決手段】
積層体1では、基板2上にシリカ層3および有機層4を介し、めっき層5が形成されている。シリカ層3はポリシラザンを前駆体として形成されているので、基板2との密着性が良好で、上面に無数の微細な凹凸が存在するシリカ層3が形成される。有機層4は、シリカ層3の上面の凹凸によって発現するアンカー効果により、シリカ層3と強固に結合する。また、有機層4の上面には、シリカ層3の上面の無数の微細な凹凸を反映して凹凸が形成されるので、めっき層5と有機層4とは、化学的もしくは電気的な結合に加え、アンカー効果により強固に結合される。よって、シリカ層3および有機層4を介して基板2上に形成されるめっき層5の基板2に対する密着性を向上できる。 (もっと読む)


【課題】半導体基板上に積層構造からなる複数の金属膜を無電解めっき法により形成する半導体装置の製造方法において、遮光環境下に位置させるめっき槽を少なくする方法を提供する。
【解決手段】金属膜を形成する工程は、第1めっき槽を用いた還元反応を含む無電解めっき工程(ステップS52)と、第2めっき槽を用いた置換反応のみによる無電解めっき工程(ステップS54)と、第3めっき槽を用いた置換反応のみによる無電解めっき工程(ステップS56)を含む。第1めっき槽を用いた還元反応を含む無電解めっき工程は遮光環境下で行われ、第2めっき槽および第3めっき槽を用いた置換反応のみによる無電解めっき工程は非遮光環境下で行われる。 (もっと読む)


本発明は、チタン基材上に得られ、チタン及びタンタルの酸化物を含む高緻密二重バリア層と触媒層とを有する電解用途用の電極、所望により酸素発生アノードに関する。二重バリア層の形成法は、基材に適用された前駆体溶液の熱分解、所望によりその後のクエンチングステップ、及び高温での長時間の熱処理を含む。 (もっと読む)


【課題】高分子基材に無電解めっき処理を行う場合に、密着性に優れためっき膜を、低コストで形成する。
【解決手段】高分子基材21と、有機金属錯体を含有する加圧流体とを、有機金属錯体の還元温度未満で接触させて、有機金属錯体を高分子基材21に浸透させる浸透工程と、高圧容器3に、有機金属錯体の還元温度未満で、有機金属錯体を含有しない高圧二酸化炭素を流動させて、高圧容器3内の加圧流体を希釈する希釈工程と、高圧容器3内に高圧二酸化炭素が含まれた状態で、高分子基材21に浸透させた有機金属錯体を還元する還元工程とを有する高分子基材のめっき前処理方法。 (もっと読む)


【課題】無電解めっきに用いる鋳型を容易かつ安定的に形成することができるとともに、無電解めっき後、鋳型を必ずしも除去する必要のないコンポジットナノチューブ、およびその製造方法、さらには、コンポジットナノチューブを利用した金属ナノチューブおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】アニオン性解離基を備えた有機ナノチューブ3を準備する。かかる有機ナノチューブ3は、親水部31と疎水部32を備えたペプチド脂質30からなり、アニオン性解離基として、カルボキシル基を有している。そこで、有機ナノチューブ3におけるアニオン性解離基と金属イオンとの親和性を利用して、有機ナノチューブ3の少なくとも外周面に金属を無電解めっきし、無電解めっき層5と有機ナノチューブ3とのコンポジットナノチューブ1Aを得る。かかるコンポジットナノチューブ1Aから有機ナノチューブ3を除去すれば金属ナノチューブ1Bを得ることができる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、電子部品などへのはんだ実装およびワイヤーボンディング性に優れためっき層を施すことができる無電解パラジウムめっき液を提供する。
【解決手段】パラジウム化合物、アミン化合物、無機硫黄化合物および還元剤を含む無電解パラジウムめっき液において、前記還元剤として、次亜リン酸または次亜リン酸化合物およびギ酸、またはギ酸化合物を併用してなり、前記パラジウム化合物0.001〜0.1モル/l、前記アミン化合物は0.05〜5モル/l、前記無機硫黄化合物0.01〜0.1モル/l、前記次亜リン酸化合物は0.05〜1.0モル/l、前記ギ酸またはギ酸化合物は0.001〜0.1モル/lであり、これにより、はんだ特性およびワイヤーボンデイング特性に優れためっき液を得ることを特徴とする無電解パラジウムめっき液。 (もっと読む)


【課題】めっき触媒等の金属に対して充分な吸着性を有し、吸水性が低く、重合性に優れ、且つアルカリ水溶液による加水分解を抑制しうる新規共重合ポリマーの提供。
【解決手段】下記式(1)で表されるユニット、及び、下記式(2)で表されるユニットを含むポリマー。式(1)及び式(2)中、R〜Rは、夫々独立して、水素原子、又は置換若しくは無置換のアルキル基を表し、Rは、無置換のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基を表し、V及びZは、夫々独立して、単結合、置換若しく無置換の二価の有機基、エステル基、アミド基、又はエーテル基を表し、L及びLは、夫々独立して、置換若しくは無置換の二価の有機基を表す。
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【課題】無電解めっき処理を行うに際し、半導体装置の特性変動を防止する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板1のおもて面に、アルミニウム、ニッケルを蒸着またはスパッタで順次積層し、エミッタ電極6を形成する。エミッタ電極6として、第1のアルミニウム膜61および第1のニッケル膜62が形成される。次いで、半導体基板1の裏面に、アルミニウムシリコン、ニッケルを蒸着またはスパッタで順次積層し、コレクタ電極9を形成する。コレクタ電極9として、第2のアルミニウム膜91および第2のニッケル膜92が形成される。次いで、エミッタ電極6の表面をエッチングする。次いで、エミッタ電極6の表面に形成された表面酸化膜を除去し、エミッタ電極6の表面を活性化する。次いで、半導体基板1のエミッタ電極6およびコレクタ電極9の両面に、同時に、無電解ニッケルめっき処理および置換金めっき処理を連続して行う。 (もっと読む)


【課題】無電解めっき電極膜にワイヤボンディングを行う際に、信頼性の高いワイヤ接合力を得る手段を提供する。
【解決手段】半導体装置100は、一面に無電解めっき電極膜110が形成された基板102と、基板102の一面に搭載された半導体チップ120と、半導体チップ120と無電解めっき電極膜110の一面とを接続するボンディングワイヤ150とを含む。ここで、無電解めっき電極膜110の一面のボンディングワイヤ150との接合部において、当該接合部の最下部の高さと当該接合部以外の一面の最高部の高さとの差である窪み量が1.5μm以下である。 (もっと読む)


本発明は、金属化された基体を調製するためのプロセスであって:この基体上に、少なくとも1つの金属イオンをキレート化し得る基を必要に応じて保有するポリマー型の化合物をグラフト化する工程と;少なくとも1つの金属イオンをキレート化し得るこのポリマー型の化合物を少なくとも1つの金属イオンと接触して配置する工程と、ポリマー型のこの化合物を、このキレート化された金属イオン(単数または複数)を還元するための条件に供する工程と、金属化された基体が得られるまでこのキレート化/還元工程を繰り返す工程とからなる工程を包含するプロセスに関する。本発明はまた、このプロセスにより得られる基体、およびその使用に関する。 (もっと読む)


【課題】金属の融点以下の低温において、導電性を損なうことなく、また、シアン化合物のような有毒な物質を使用せずに、各種金属を所望の形状に加工したり、各種金属の被覆膜を形成する方法を提供すること。
【解決手段】最表面に反応性基を有する化学吸着物質の単分子膜で被覆された金属微粒子を利用して、メッキや粉体塗装を行う。 (もっと読む)


【課題】導電膜と基板との密着性に寄与する樹脂層の柔軟性、耐熱衝撃性に優れた導電膜の形成方法、該導電膜の形成方法を工程中に含むプリント配線板の製造方法及び導電膜材料を提供する。
【解決手段】(a)有機樹脂基材上に、ラジカル重合性基を有する化合物と、熱可塑性樹脂とを含有してなる樹脂層を形成する工程、(b)無電解めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有する樹脂とラジカル重合性基を有する化合物とを含有する無電解めっき触媒またはその前駆体を吸着しうる樹脂層を形成する工程、(c)無電解めっき触媒またはその前駆体を吸着しうる層に、無電解めっき触媒またはその前駆体を付与する工程、及び、(d)無電解めっきを行い、無電解めっき膜を形成する工程、を含む導電膜の形成方法である。 (もっと読む)


【課題】基材ポリマー粒子の有する良好な圧縮特性を保持し、圧縮変形を受けた後も導電性の低下が少なく、メッキ皮膜層により酸化防止効果、及びマイグレーション防止効果を有し、更に、粒子自体が導電性を有するため、前記メッキ皮膜層が剥がれた後でも電気抵抗が増大することや、絶縁性になることがなく、導通信頼性に優れた導電性粒子、及び該導電性粒子を製造するための導電性粒子の製造方法の提供。
【解決手段】基材ポリマー粒子に対し、ヨウ素をドープしてポリマー/ヨウ素複合体を調製する1次ドープ工程、該ポリマー/ヨウ素複合体に対し、金属種を反応させて金属ヨウ化物コンポジットを調製する2次ドープ工程、該金属ヨウ化物コンポジットを金属微粒子へ還元し、金属微粒子ドープ粒子を調製する還元工程、を少なくとも含み、更に、前記金属微粒子ドープ粒子を無電解メッキする無電解メッキ工程、を含むことを特徴とする導電性粒子の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】樹脂粒子表面の一部が無電解メッキ金属薄膜で被覆されていない導電粒子の割合を極力抑制し、しかも凝集せずに一次粒子(単一粒子)で存在している割合が高く、異方性導電接着剤用途に適した導電粒子を提供する。
【解決手段】導電粒子は、加熱により自己縮合しうるメラミン化合物を吸着させるメラミン吸着処理が表面に施された樹脂粒子と、その表面に形成された無電解メッキ金属薄膜とから構成されている。この導電粒子は、樹脂粒子の表面に対し、加熱により自己縮合しうるメラミン化合物を吸着させるメラミン吸着処理工程、メラミン吸着処理が施された樹脂粒子の表面に、無電解メッキ促進用の触媒を析出させる触媒化処理工程、及び触媒化処理工程が施された樹脂粒子の表面に、無電解メッキにより金属薄膜を形成する無電解メッキ処理工程を有する製造方法により製造される。 (もっと読む)


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