【課題】単分散性が良好で、コストが安く、マイグレーションが起こり難く、導電性に優れた導電性微粒子を提供すること。
【解決手段】コア粒子１０２の表面が、ニッケル及びリンを含有する金属めっき被膜層１０４と、最表面をパラジウム層とする多層の導電層１０６で被覆されており、金属めっき被膜層１０４においてコア粒子１０２の表面からの距離が金属めっき被膜層全体の厚さの２０％以下である領域Ａ内でのリンの含有率が、領域Ａ全体に対して７〜１５重量％であり、金属めっき被膜層１０４においてパラジウム層側の金属めっき被膜層表面からの距離が金属めっき被膜層全体の厚さの１０％以下である領域Ｂ内でのリンの含有率が、領域Ｂ全体に対して０．１〜３重量％であり、金属めっき被膜層全体に対するリンの含有率が７重量％以上であることを特徴とする導電性微粒子１００。 （もっと読む）

【課題】基材粒子としての高分子粒子と表面層としての金属被覆層とを有する金属被覆粒子の製造方法であって、均一な厚みの金属被覆層を有する金属被覆粒子を簡便かつ安全に製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の金属被覆粒子の製造方法は、基材粒子としてのビニル系重合体粒子と表面層としての金属被覆層とを有する金属被覆粒子の製造方法であって、水および／または有機溶媒に該基材粒子、金化合物、還元剤、および添加剤としての高分子化合物を添加して該基材粒子の分散液を調製し、該金化合物を還元させて金微粒子を該基材粒子の表面に付着させる工程（Ｉ）と、該工程（Ｉ）で得られる金付着基材粒子の表面に無電解めっき法により金属被覆層を形成させる工程（ＩＩ）とを含む。 （もっと読む）

【課題】被覆性及び付着力が高い金属膜を、半導体基板上に低コストで形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｐｄイオンを含むＰｄ活性化液２８（塩化パラジウム）にＧａＡｓ基板１６（半導体基板）を浸漬してＧａＡｓ基板の表面にＰｄキャタリスト３０を付着させる。このＰｄキャタリストとＧａＡｓ基板が反応してＰｄ−Ｇａ−Ａｓの混合層４０が形成される。次に、表面にＰｄキャタリストが付着されたＧａＡｓ基板をＰｄ無電解めっき液４２に浸漬してＧａＡｓ基板上にＰｄめっき膜４４を形成する。 （もっと読む）

【課題】最外層として金めっき皮膜を有する従来技術の導電性粒子からなる導電性粉体と同等又はそれ以上の導電性と、電気信頼性を有する導電性粉体を提供すること。
【解決手段】芯材粒子の表面にニッケル皮膜が形成されたニッケル被覆粒子表面に、更にパラジウム皮膜が形成された導電性粒子からなる導電性粉体である。パラジウム皮膜表面から突出し、かつ該パラジウム皮膜と連続体になっている、高さが５０ｎｍ以上である突起部を粒子１個当たり５個以上有する。パラジウム皮膜中のリン含有量は３重量％以下である。導電性粒子のうち、一次粒子が占める割合は、導電性粉体の重量に対して８５重量％以上である。 （もっと読む）

【課題】高い導電性を有し、優れた光透過性を維持しつつ、耐熱性に優れた金属ナノワイヤー及びその製造方法、並びに透明導電体及びタッチパネルを提供すること。
【解決手段】本発明の金属ナノワイヤーは、銀と銀以外の金属とからなり１μｍ以上の長軸平均長さを有する金属ナノワイヤーであって、前記銀以外の金属が、銀よりも貴な金属であり、前記金属ナノワイヤーにおける前記銀以外の金属の含有量をＰ（原子％）とし、前記金属ナノワイヤーの短軸平均長さをφ（ｎｍ）としたとき、前記Ｐとφとが、下記式１の関係を満たすことを特徴とする。
０．１＜Ｐ×φ^０．５＜３０ （式１）
ただし、前記Ｐ（原子％）は、０．０１０原子％〜１３原子％であり、前記φ（ｎｍ）は、５ｎｍ〜１００ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属めっき皮膜中に平均粒径１ｎｍ〜１０００ｎｍのダイヤモンド微粒子を均一に分散共析させ、耐摩耗性、自己潤滑性等の機能を付与することが可能な複合めっき液の製造方法を提供する。
【解決手段】親水性ポリマー又はイオン性官能基が導入された平均粒径１ｎｍ〜１０００ｎｍのダイヤモンド微粒子をイオン性又は非イオン性の界面活性剤とともに分散させた分散液を金属めっき液に添加して、ダイヤモンド微粒子を安定して分散させた複合めっき液を製造する。 （もっと読む）

【課題】 シリコーンゴムの表面への無電解めっきの前工程を簡便とし、あるいは、無電解めっきを介さずに直接電解めっきによりシリコーンゴムの表面への導電性付与を可能とするためのシリコーンゴム表面への金属の固定方法を提供する。
【解決手段】 ケイ素を含有させたシリコーンゴムの表面を、チオール基あるいはポリスルフィド基を含有するシランカップリング剤で処理した後、あるいは、シリコーンゴムの表面をシランカップリング剤で処理し、次いで、シラン化合物により処理し、その後、チオール基あるいはポリスルフィド基を含有するシランカップリング剤で処理した後、金属化合物を接触させ、この金属化合物を構成する金属が還元されて生成した金属粒子を固定するようにした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、多孔体の内部に薄膜化した金属充填層を有する複合体の製造方法を提供すること。
【解決手段】多孔質基材の片側から金属源（イオン、微粒子、化合物）あるいは金属源及びゲル化剤を含む前駆体溶液を浸透させたのち、反対側から前駆体溶液が滲出する前に該前駆体溶液を固化させて細孔複合体（Ａ）を得る工程、前記細孔複合体（Ａ）に、前記前駆体溶液を浸透させた反対側から、還元剤を含む溶液を浸透させることにより、前記細孔複合体（Ａ）の細孔内に金属種核を担持させる工程、前記工程で得られた金属種核を担持した細孔複合体（Ｂ）を無電解メッキ処理する工程を含むことを特徴とする複合体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 銅を主成分とする導電膜の形成において、樹脂を基材として利用可能な温度で導電膜の形成が可能であり、且つ配線等のパターン形成の際、加熱処理前後のパターン形状の変化が少ない導電膜形成用組成物、及び導電膜の形成方法を提供するとともに、銅を主成分とする導電膜形成用材料において、樹脂を基材として利用可能な温度で導電膜の形成が可能であり、且つ印刷法により配線等のパターン形成できる導電膜形成用組成物へ適応可能な複合体微粒子、及び複合体微粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】 還元力を有するカルボン酸と銅イオンからなる銅塩と触媒金属との複合体微粒子を含有する導電膜形成用組成物を、基材に塗布し、非酸化性雰囲気下で加熱して、基板上に導電膜を形成する。 （もっと読む）

本発明は、次の連続工程を含むを金属材料による、（コ）ポリマー製基材の表面をコーティングするための方法に関する：ａ）少なくとも１つのこの金属材料の前駆体の存在下で、フェントンタイプの化学反応によって、この表面を酸化処理に供する工程；およびｂ）この前駆体をこの金属材料に変換する工程。 （もっと読む）

【課題】末端水酸基を備えるポーラスシリコン領域を少なくとも金属化する新しい方法を提供する。
【解決手段】ポーラスシリコン領域は、１つのステップで、水溶液に溶解した金属イオンのインサイチュ還元の実施と、前記領域に得られた金属粒子の固定と、が行われて、金属化される。このステップは、特に金属化される領域を、金属イオンを含む溶液に接触することを有し、前記領域の表面は、金属イオンがインサイチュ還元され、且つ金属粒子が固定することができるように予め官能基付与される。ポーラスシリコン領域の官能基付与は、２つの特有のタイプの化学基によるグラフトにより達成される。用いられる第１の化学基は、金属イオン及び／又はその金属イオンに対応する金属をキレートする化学基であり、一方、第２の化学基は金属イオンを還元する化学基である。 （もっと読む）

【課題】基材との強固な密着性を有し、しかも、金属光沢等の仕上がり外観にも優れた金属含有膜を製造することができる金属インキを提供する。
【解決手段】金属インキは、金属粒子と溶媒と、前記の金属粒子１００重量部に対して０．５〜２０重量部のポリエーテルと、前記の金属粒子１００重量部に対して０．１〜２０重量部の密着性付与剤とを少なくとも含み、ポリエーテルと密着性付与剤との合量が金属粒子１００重量部に対し０．６〜２０．５重量部とする。ポリエーテルとしてはポリエチレンオキシドが好ましく、密着性付与剤としてはポリエステルが好ましい。前記の金属インキを基材に印刷又は塗装した後、２００℃以下の温度で加熱処理して、装飾膜、電極、配線パターン等の金属含有膜を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】エネルギー付与により高感度で硬化し、水溶液による現像により高解像度のめっき触媒又はその前駆体に対する吸着性に優れた被めっき層パターンを形成し得る被めっき層形成用組成物、基板との密着性に優れた高解像度の金属パターンを簡易に形成しうる金属パターン材料の作製方法、及びこれにより得られた金属パターン材料を提供する。
【解決手段】めっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する官能基、及び、ラジカル重合性基を有するポリマー１質量％〜２０質量％と、水不溶性の光重合開始剤とを、２０質量％〜９９質量％の水溶性可燃性液体と水とを含有する混合溶剤に溶解してなる被めっき層形成用組成物、これを用いた金属パターン材料の作製方法、並びに、該作製方法により得られた金属パターン材料である。 （もっと読む）

堆積および処理時に導電性金属膜および金属線を形成するように適合させた金属錯体を提供する。該金属錯体は共有結合錯体であってよく、第1および第2の配位子を含みうる。低温処理を使用して該錯体を金属に変換することができる。該金属膜および金属線は純金属と同様の低い抵抗率および仕事関数を有しうる。貨幣金属を使用することができる(例えばAg、Au、Cu)。該配位子は、アミン、非対称アミンを含む供与結合配位子およびカルボキシレート配位子でありうる。硫黄錯体を使用することができる。カルボキシレート配位子を使用することができる。該錯体は高濃度の金属を有し得、芳香族炭化水素溶媒に可溶性でありうる。十分に揮発するように配位子を適合させることができる。インクジェット印刷を行うことができる。高導電率と共に高収率の金属を実現することができる。

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【課題】ゲル状態のめっき用組成物２Ａを用いたパターニングされた金属膜３の容易な作製方法を提供する。
【解決手段】 ゲル化剤と、電気化学反応を行うための導電性イオンと、溶媒と、を有し、ゾル状態で基板２０の上に吐出されゲル状態の所定のパターン形状となっためっき用組成物２Ａを用いてゲル化剤と、電気めっき反応を行うための金属イオンと、溶媒としての水と、を有するめっき組成物２をゾル状態とするゾル化工程と、ゾル状態のめっき組成物２を基板２０上で所定のパターン形状とするパターン形成工程と、所定のパターン形状のめっき組成物２Ａをゲル状態とするゲル化工程と、ゲル状態のめっき組成物２Ａを用いて電気めっき反応を行う電気めっき工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】はんだ等によって接続された場合に、十分に優れた落下強度を実現することが可能なめっき膜及びモジュール基板を提供すること。
【解決手段】本発明は、リンを含むニッケルめっき層と、該ニッケルめっき層上に金めっき層と、を有し、ニッケルめっき層におけるリン濃度が１１〜１６質量％であり、ニッケルめっき層の金めっき層側の面におけるリン濃度の平均値及び標準偏差をそれぞれＸ及びσとしたときに、（３×σ×１００）／Ｘの値が１０以下であるめっき膜５０、並びに当該めっき膜５０を備えるモジュール基板１００を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の酸化された表面を活性化するための溶液及び方法の提供。
【解決手段】本発明は、その後の工程で無電解法により金属層を堆積させて被覆できるように、基板、特に半導体基板の酸化された表面を活性化するための溶液及び方法に関する。本発明によれば、この組成物は、Ａ）１以上のパラジウム錯体からなる活性化剤と；Ｂ）１以上の有機シラン錯体からなる二官能性有機結合剤と；Ｃ）上記活性化剤及び上記結合剤を溶解させるための１以上の溶媒からなる溶媒系とを含有する。用途：電子デバイス、特に集積回路、とりわけ３次元集積回路などの製造。 （もっと読む）

【課題】基材となる樹脂粒子との密着性の高い金属層を形成することができる導電性微粒子の製造方法を提供する。また、該導電性微粒子の製造方法を用いて製造される導電性微粒子を提供する。
【解決手段】樹脂粒子と酸化物微粒子との混合物を０．５〜１００ＭＰａの範囲内で加圧することにより、前記樹脂粒子の表面に前記酸化物微粒子を圧着する工程１と、
前記樹脂粒子の表面から酸化物微粒子を除去し、表面に複数の凹部を有する樹脂粒子を得る工程２と、前記表面に複数の凹部を有する樹脂粒子の表面に金属層を形成する工程３とを有し、前記凹部は、開口の平均直径が０．０１〜１．０μｍであり、かつ、前記樹脂粒子表面における前記凹部の面積占有率が２０〜８０％である導電性微粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高温かつ高湿な環境で生じる樹脂素材と無電解めっき被膜との密着強度の低下を改善することが可能な、無電解めっき素材の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の無電解めっき素材の製造方法は、表面に無電解めっきによりめっきされる無電解めっき素材の製造方法であって、樹脂からなる素材本体とオゾンを含む溶液とを接触させて該素材本体の表面に改質層を形成するオゾン処理工程と、前記オゾン処理工程の後、前記素材本体の表面に紫外線を照射して前記改質層の表層を除去する表層除去工程と、を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高温かつ高湿な環境で生じる樹脂素材と無電解めっき被膜との密着強度の低下を改善することが可能な、無電解めっき素材の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の無電解めっき素材の製造方法は、表面に無電解めっきによりめっきされる無電解めっき素材の製造方法であって、樹脂からなる素材本体とオゾンを含む溶液とを接触させて該素材本体の表面に改質層を形成するオゾン処理工程と、前記オゾン処理工程の後、前記改質層の表面にエネルギーを付与して該改質層の表層を除去する表層除去工程と、を行うことを特徴とする。 （もっと読む）