【課題】任意の基板に対して、安価に金属膜および金属パターンを形成することができ、スパッタリング法の問題点を解決しうる金属膜の製造方法、金属膜およびその利用を提供する。
【解決手段】本発明に係る金属膜の製造方法は、３つ以上の反応基を有する付加重合性化合物と、酸性基を有する付加重合性化合物と、親水性官能基を有する付加重合化合物と、を含有する下地組成物を用いて有機膜を形成する有機膜形成工程と、上記酸性基を金属（M1）塩にする金属塩生成工程と、上記金属（M1）イオンよりもイオン化傾向の低い金属（M2）イオンを含有する金属（M2）イオン水溶液で処理することによって、上記酸性基の金属（M1）塩を、金属（M2）塩とする金属固定工程と、上記金属（M2）イオンを還元して上記有機膜表面に金属膜を形成する還元工程と、上記金属膜を酸化する酸化工程と、を含む （もっと読む）

【課題】 下地層の上にスズ皮膜を形成する２層メッキ方式において、上層のスズ皮膜でのピンホールやスズホイスカーの発生を防止する。
【解決手段】 被メッキ物に無電解スズ−銀合金メッキ皮膜よりなる下地皮膜を形成した後、当該下地皮膜の上に無電解スズメッキ皮膜（上層皮膜）を形成するスズホイスカーの防止方法であって、下地皮膜の膜厚が０.０２５〜０.５μｍで、且つ、下地と上層皮膜の合計膜厚が０.１〜６μｍであり、下地皮膜中の銀の組成比率が５〜９０重量％であり、銅張り積層基板などを被メッキ物とする無電解メッキによるスズホイスカーの防止方法である。下地皮膜をごく薄く形成し、下地と上層の合計皮膜の膜厚、及び下地皮膜での銀の比率を特定化することで、上層のスズ皮膜のスズホイスカーとピンホールを防止できる。 （もっと読む）

【課題】電極基材それ自身の耐食性をより向上させるとともに、導電性の保持を完全にして電極の長寿命化をはかるとともに、それを低コストで実現した電極基材並びに該基材を使用した安定で長寿命の電極を提供することを課題とした。
【解決手段】本発明は第一にチタン又はチタン基合金表面に見かけ厚さ１ミクロン以上で、実質的にハロゲンを含まない０．１から２０モルパーセントのチタンと残部がタンタルからなる導電性酸化物層を有する耐食性の不溶性金属電極用基体であり、第二に第一の発明の不溶性金属電極用基体上にイリジウムとタンタルからなる複合酸化物からなる電極物質を被覆してなる耐食性不溶性金属電極である。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング処理室内壁の耐食性皮膜や蛍光ランプのガラスバルブ内面の皮膜などに用いられる希土類酸化物皮膜を、簡便に、緻密平滑な皮膜として得る方法を提供する。
【解決手段】配位子として、８−キノリノール、β−ジケトン類、芳香族カルボン酸などの、非分解の融点を持つ希土類元素の有機錯体を、実質的に水蒸気を含まないかあるいは実質的に酸素を含まない雰囲気下で加熱溶融し、その融液によって皮膜を形成し、これを加熱して酸化分解することによって希土類酸化物皮膜を得る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、結晶性の低い金属酸化物膜を得ることができる金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、金属源として金属塩または有機金属化合物が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を、金属酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した基材に接触させることにより、上記基材上に金属酸化物膜を得る金属酸化物膜の製造方法であって、上記金属酸化物膜形成用溶液が、金属酸化物膜の結晶性を低下させるホウ素化合物を含有することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】金属化合物またはその金属化合物膜を製造するための金属化合物含有ゲルまたは金属化合物含有液体を効率的に製造する方法を提供する。
【解決手段】本金属化合物含有ゲルの製造方法は、金属酸化物および金属水酸化物の少なくともいずれかを含む金属化合物含有ゲル１３の製造方法であって、金属アルコキシド１１にアルコキシ基含有液体と第１の過酸化水素含有水性液体を加えて金属水酸化物１２を生成させる工程と、金属水酸化物１２を含水状態で母液から分離する工程と、分離された含水状態の金属水酸化物１２に第２の過酸化水素含有水性液体を自己熱反応させて金属化合物含有ゲル１３を生成させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程で容易に傾斜面を形成することが可能な金属薄膜の形成方法および金属薄膜ならびに薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上の第１領域Ｄ１および第２領域Ｄ２に、無電解めっき処理の触媒材料を含む第１下地層１３Ａを形成したのち、この第１下地層１３Ａ上の第１領域Ｄ１に対応する領域に第２下地層１３Ｂを形成する。第１領域Ｄ１において第２領域Ｄ２よりも、無電解めっき処理の触媒材料の濃度分布が高くなる。よって、これら第１下地層１３Ａおよび第２下地層１３Ｂを形成した基板１１に対して、無電解めっき処理を施すことにより、第１領域Ｄ１において第２領域Ｄ２よりも成膜レートが高くなる。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程で容易に傾斜面を形成することが可能な金属薄膜の形成方法および金属薄膜ならびに薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に、触媒材料を含む第１下地層１３Ａを形成したのち、無電解めっき処理を施し、第１下地層１３Ａを覆うように第１めっき層１４Ａを形成する。こののち、基板１１上の第１めっき層１４Ａの近傍領域に、触媒材料を含む第２下地層１３Ｂを形成し、この第２下地層１３Ｂと第１めっき層１４Ａを触媒として、さらに２回目の無電解めっき処理を施す。第１下地層１３Ａ上に堆積した第１めっき層１４Ａと、第２下地層１３Ｂとを覆うように第２めっき層１４Ｂが成膜される。第１下地層１３Ａに対向する領域と第２下地層１３Ｂに対向する領域との間に生じる膜厚差により、金属薄膜１０の端部にテーパ１４Ａ−１が形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、粒径分布が単分散で、層の界面の平滑性が高い多層構造粒子を、生産性高く、かつ簡便に合成する製造方法を提供することである。
【解決手段】中心層（Ｌ０）をコアとし、コアの中心に対して同心状に１層以上の層（Ｌｎ）を積層した構造を有する多層構造粒子を製造する製造方法であって、少なくとも1層（Ｌｎ）をマイクロ波照射により形成させる工程を含むことで、生産性が高く簡便に多層構造樹脂粒子を製造することができる。該工程は、例えばマイクロ波照射下に、粒子である中心層（Ｌ０）を水を０．５％以上の濃度で溶解させることが可能な有機溶剤中に分散させた分散液（Ｄ０）に金属アルコキシドと水を添加して、中心層（Ｌ０）粒子の表面に金属酸化物層を形成させ多層粒子分散液を得ることにより多層構造粒子を得る製造工程である。 （もっと読む）

燃料電池用の電極の製造方法であって、少なくとも以下のステップを含む方法：（ａ）電極基板を提供すること；（ｂ）前記電極基板の少なくとも一部を、還元剤、金属前駆物質、および浮遊する分散粒子を含む無電解めっき液と接触させること；および（ｃ）前記電極基板の前記接触部上に前記金属前駆物質から金属を無電解でめっきすること、これにより、前記電極を提供するために前記電極基板の前記接触部上に前記分散粒子を同時堆積させること。 （もっと読む）

【課題】過酷な使用条件においても信頼性の高い電気接続が可能な導電性微粒子、該導電性微粒子を用いてなる異方性導電材料、及び、接続構造体を提供する。
【解決手段】基材微粒子と、めっき層とから構成されており、前記基材微粒子の表面に形成されためっき層の最表層が銅層である導電性微粒子であって、前記導電性微粒子に含有する塩素イオンの含有量が５０μｇ／ｇ以下であり、かつ、前記銅層の最表面が変色防止剤で表面処理されている導電性微粒子である。 （もっと読む）

【課題】耐食性、剛性に優れ、薄肉化による軽量化が可能な電子機器用マグネシウム製筐体部品を提供すること。
【解決手段】マグネシウム純金属またはマグネシウム合金からなる成形体と、前記成形体をプラズマ電解酸化処理することによって前記成形体の表面に形成され、厚さが２μｍ以上、かつナノインデンテーション法による弾性率が２００ＧＰａ以上である高剛性緻密質のプラズマ電解酸化膜とを具備する電子機器用マグネシウム製筐体部品。 （もっと読む）

【課題】高耐久性水素分離膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】多孔質基材に金属緻密層を析出、充填させた構造を有する水素分離膜を製造する方法であって、多孔質基材に金属を充填させる際に、基材表層への保護多孔体層１の被覆、活性化処理、保護多孔体層１の除去、基材表層への保護多孔体層２の再被覆、金属の無電解めっき、の手順をとることにより表面から一定の深さに緻密層を有する細孔充填型分離膜を製造することを特徴とする水素分離膜の製造方法、及びその水素分離膜。
【効果】多孔質材料内部に金属緻密層を充填させた構造を有する水素分離膜を提供することができる。 （もっと読む）

基板上に金属クラスター種の均一な被覆を提供する方法が記載され、この方法は、基板上に非晶質下塗り被覆を堆積する段階と、前記非晶質被覆に結合するための金属イオンの源を提供する段階と、そこに還元性条件を適用することによって前記下塗り被覆に金属クラスターを生成する段階と、を備える。 （もっと読む）

金属材料をレセプター上に形成する方法は、レセプター近傍にドナー要素を置く工程であって、ドナー要素は、ドナー基材及び熱転写層を備え、熱転写層は、触媒物質を備え、かつドナー要素の熱転写層は、レセプターの表面近傍に置かれる工程、ドナー要素からレセプターへと熱転写層の少なくとも一部を熱転写する工程、及び触媒物質上で金属材料を成長させることによって、金属材料をレセプター上に無電解的に堆積させる工程、からなる。
（もっと読む）

【課題】従来技術の欠点を有さない、バイポーラ無電解プロセス方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の表面に金属化合物を無電解析出（光Ｂｉ−ＯＣＤとよばれる）させるバイポーラ光電気化学プロセスであって、基板の表側と基板の裏側の異なった照度が、カソード反応とアノード反応とを分離する駆動力を形成し、高歩留まりの金属化合物の析出が得られるプロセスが開示されている。更に、基板の表面が少なくとも部分的に絶縁性パターンで覆われ、金属化合物の析出がパターンの開口部中で選択的に起きる選択光Ｂｉ−ＯＣＤプロセスが開示されている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の薄膜形成方法が開示される。
【解決手段】前記方法は、基板に液状金属イオンソースを吸着するステップと、前記基板に吸着されない液状金属イオンソースをリンス液で除去するステップと、前記吸着された液状金属イオンソースを液状還元剤で金属膜に吸着するステップと、前記基板に残存する液状還元剤と反応副産物を前記リンス液で除去して半導体素子の薄膜を形成するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】溶液プロセスによる電解質をベースにした電解デバイス。
【解決手段】本開示は、アモルファス・カルコゲニド固体活性電解層と、第一および第二金属層とを含む固体電解質デバイスに関する。アモルファス・カルコゲニド固体活性電解層は、第一金属層と第二金属層との間に配置される。アモルファス・カルコゲニド固体活性電解層は、金属カルコゲニドのヒドラジン・ベースの前駆物質の溶液を得、該溶液を基材上に塗布し、しかる後、前駆物質をアニールして該前駆物質をアモルファス金属カルコゲニドに変換することによって調製される。また、本開示は、固体電解質デバイスを作製するプロセスにも関する。 （もっと読む）

本発明は、金属といった導電基板上及び／又はその中に析出するための金属イオンを調整し、金属間の接触から摩擦を実質的に無くすための組成及び方法を提供する。それは、水溶液の実施例で全ての金属基板に新たな金属面を形成するよう使用される。本工程は、導電基板上及び／又はその中に吸収又は吸収し得る金属及び非金属イオンの安定な水溶液を形成する。水溶液は、元素の周期律表の１族乃至８族による水溶性の金属又は非金属塩と混合した、アンモニウムアルカリ金属リン酸塩、及び／又はアンモニウムアルカリ金属硫酸塩から成る。水溶液により、導電基板上及び／又はその中への金属イオンのナノ析出が可能となる。析出した金属イオンによって形成された表面は、金属の不動態化を与え、炭化水素ベースの潤滑剤を使用せずに金属間の接触での摩擦を実質的に無くす。 （もっと読む）

【課題】新規な導電性物品及び高容量、高出力で、サイクル特性に優れたリチウム二次電池およびその負極材料を提供し、更には、本負極材料を形成するためのめっき液を提供すること。
【解決手段】基体上に形成された金属めっき膜中に有機高分子繊維が分散していることを特徴とする導電性物品及び集電体と活物質層からなり、前記活物質層がリチウムと合金化する金属めっき膜および有機高分子繊維で構成される負極材料並びにめっき液を開示する。 （もっと読む）