【課題】低挿抜性、低ウィスカ性及び高耐久性を有する電子部品用金属材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材１１と、基材１１の最表層を構成し、Ｓｎ，Ｉｎ，またはそれらの合金で形成されたＡ層１４と、基材１１とＡ層１４との間に設けられて中層を構成し、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒ，またはそれらの合金で形成されたＢ層１３と、を備え、最表層（Ａ層）１４の厚みが０．２μｍよりも厚く、中層（Ｂ層）１３の厚みが０．００１μｍ以上である電子部品用金属材料１０。 （もっと読む）

【課題】曲げ加工性が良好であり且つ高温環境下で使用しても接触抵抗の上昇を抑制することができる、銀めっき材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】銅または銅合金からなる素材の表面、または素材上に形成された銅または銅合金からなる下地層の表面に、銀からなる表層が形成された銀めっき材において、表層の｛１１１｝面と｛２００｝面と｛２２０｝面と｛３１１｝面の各々のＸ線回折強度の和に対する｛２００｝面のＸ線回折強度の占める割合が４０％以上である。 （もっと読む）

【課題】 各種のメッキ浴において、水への溶解性と消泡性を両立できるとともに、メッキ液の管理を容易にする。
【解決手段】 Ｃ₂〜Ｃ₄アルキレンより選ばれたオキシアルキレン鎖を有し、当該オキシアルキレン鎖に３位の窒素原子を介してイミダゾール環が結合するとともに、イミダゾール環が末端に位置する新規のイミダゾール環結合型オキシアルキレン化合物を各種メッキ浴に使用すると、従来のノニオン性界面活性剤に比べて、末端へのイミダゾール環基の導入によって水溶性を良好に保持しながら、発泡性を顕著に低減できる。ノニオン界面活性剤の分子中にイミダゾール環基が存在する当該化合物を例えば銅メッキ浴に用いると、界面活性剤の作用とレベリング作用を兼備でき、メッキ液を簡便に管理できる。 （もっと読む）

【課題】銀めっき皮膜の厚さが薄く且つ銀めっき皮膜の表面を有機皮膜で覆わなくても、耐食性に優れた銀めっき材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】８０〜２５０ｇ／Ｌのシアン化銀カリウムと４０〜２００ｇ／Ｌのシアン化カリウムと３〜３５ｍｇ／Ｌのセレノシアン酸カリウムとからなる銀めっき液を使用して、液温１５〜３０℃、電流密度３〜１０Ａ／ｄｍ^２で電気めっきを行うことにより、反射濃度が１．０以上であり且つ（１１１）面、（２００）面、（２２０）面および（３１１）面のＸ線回折ピークの積分強度の合計に対する（１１１）面のＸ線回折ピークの積分強度の割合が４０％以上である銀めっき皮膜を素材上に形成する。 （もっと読む）

【課題】電気メッキ法を採用することにより、従来の無電解メッキ法のみにより得られる高分子電解質の表面や内部に形成した金属層(メッキ層)と比較して、表面抵抗の抑制や、高分子電解質に対する密着性の向上、短時間で金属層の膜厚（メッキ厚）の確保、工程数の簡略化、メッキ厚や電極形状を容易に調整でき、更に、異種金属を容易に積層できる高分子電解質複合体の製造方法、及び、前記製造方法により得られる高分子電解質複合体を提供する。
【解決手段】高分子電解質の少なくとも表面より内部に、電気メッキ法により、金属層を形成する工程を含むことを特徴とする高分子電解質複合体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】光沢銀の高速堆積のための、シアン化物を含まない銀電気めっき液を提供する。
【解決手段】酸化銀及び１種以上の銀ヒダントイン錯体からなる銀イオン源などの銀イオン源、ヒダントイン、ヒダントイン誘導体、スクシンイミドおよびスクシンイミド誘導体から選択される１種以上の錯化剤、ジアルキルスルフィドおよびジアルキルジスルフィドから選択される１種以上の有機スルフィド、並びに１種以上のピリジルアクリル酸を含み、シアン化物を含まない溶液からなる銀の電気めっき液。 （もっと読む）

【課題】ミラー光沢銀層をニッケルもしくはニッケル合金基体上に電気めっきするための、環境に優しい銀電気めっき方法を提供する。
【解決手段】ａ）１種以上の銀イオン源、１種以上のイミドもしくはイミド誘導体、および１種以上のアルカリ金属硝酸塩を含み、シアン化物を含まない溶液を提供し；ｂ）ニッケルを含む基体を前記溶液と接触させ；並びにｃ）ニッケルもしくはニッケル合金上に銀ストライク層を電気めっきする。 （もっと読む）

【課題】生理活性化作用のある光を発生する発光装置を提案すること。
【解決手段】天然に存する薬石の抽出液が触媒として添加されたメッキ液を用いて加工したメッキ製品を懐中電灯などの発光装置の給電回路部品として用いる。発光装置の光源ランプからは薬石特有の波動振動を有する光が発生し、この光を生体に当てると、その波動が生体の細胞の活性化等の効果をもたらす。メッキ液用添加剤は、ミネラル鉱石、多元素共存特殊天然鉱石、トルマリン等の薬石に含まれているミネラル成分を含み、ミネラル成分には、少なくともカルシウム、ナトリウム、カリウム、マグネシウム、ケイ素、塩素イオン、および、硫酸イオンが含まれている。ミネラル成分は、薬石を粉砕し、粉末状になるまで細かくすりつぶした後、この粉末を水と混合して攪拌し、濾過することにより得られたものである。 （もっと読む）

【課題】金属部材に拡散防止や耐久性向上のためにＮｉもしくはＮｉ合金下地めっきを行い、その上にＡｇめっきを行った電気接点部に関し、耐摩耗性などの耐久性、耐熱密着性、製造コストなどの優れた接点部を製造する方法を提供する。
【解決手段】金属部材１上にＮｉストライクめっきを行った後、電解めっきによってＮｉ下地めっき層３を形成し、さらに、その上にシアン銀、シアン銅を含むめっき液を用いて電解めっきを行いＡｇ−Ｃｕ含有合金めっき層５を形成しためっき部材１０。 （もっと読む）

【課題】基板上への金属の析出のための電解質組成物を提供する。
【解決手段】この電解質組成物は太陽電池上への金属、特に銀の析出に特に適している。電解質組成物は下式のイミノジスクシネート誘導体を含み、好ましくはシアン化物を含まない。
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【課題】ゲル状態のめっき用組成物２Ａを用いたパターニングされた金属膜３の容易な作製方法を提供する。
【解決手段】 ゲル化剤と、電気化学反応を行うための導電性イオンと、溶媒と、を有し、ゾル状態で基板２０の上に吐出されゲル状態の所定のパターン形状となっためっき用組成物２Ａを用いてゲル化剤と、電気めっき反応を行うための金属イオンと、溶媒としての水と、を有するめっき組成物２をゾル状態とするゾル化工程と、ゾル状態のめっき組成物２を基板２０上で所定のパターン形状とするパターン形成工程と、所定のパターン形状のめっき組成物２Ａをゲル状態とするゲル化工程と、ゲル状態のめっき組成物２Ａを用いて電気めっき反応を行う電気めっき工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】シアン系の銀めっき液を使用しないで製造しても密着性が良好であり、高硬度で且つ高温環境下において変色し難い銀めっき材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】硝酸銀を含む硝酸系銀めっき液を使用して電気めっきを行うことによって、銅、鉄、アルミニウムなどやこれらの合金からなる素材上に銀めっき皮膜を形成する際に、電流密度を０．１Ａ／ｄｍ^２・ｓ以下、好ましくは０．００５〜０．１Ａ／ｄｍ^２・ｓの電流密度上昇速度で上昇させた後に、２Ａ／ｄｍ^２以上、好ましくは２〜１０Ａ／ｄｍ^２の一定の電流密度に維持する。 （もっと読む）

【課題】導電体基板の表面に直接めっき法によって凸状金属構造体を形成できるめっき液およびめっきされた導電体基板を提供する。
【解決手段】導電体基板の表面に二次元的に成長した凸状金属構造体１０６を形成するためのめっき液であって、Ｃｕ，Ｎｉなどの金属イオンを含む金属塩，炭化水素からなる疎水基と該疎水基の末端に親水基を有する界面活性剤，前記金属塩と界面活性剤を溶解した水溶液とを含むめっき液、および、該めっき液を用いて凸状金属構造体１０６を形成した導電体基板。 （もっと読む）

【課題】半導体上のバックグラウンドめっきを抑制する方法を提供する。
【解決手段】方法は、高い光透過性を有する相変換レジストを誘電体上に選択的に堆積させてパターンを形成すること、そのレジストで覆われていない誘電体の部分をエッチング除去すること、並びにその誘電体のエッチングされた部分上に金属シード層を堆積させることを含む。次いで、光誘導めっきによって、その金属シード層上に金属層が堆積させられる。 （もっと読む）

【解決手段】基板表面に金属あるいは合金のつや消し層の堆積のための電解質組成物であって次ぎを含む：
次ぎの金属あるいは合金を堆積するためのＶ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｒｅ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｌ、Ｂｉ、およびこれらの組み合わせからなる群から選ばれる堆積金属イオン；
ナトリウム、カリウム、アルミニウム、マグネシウム、あるいはホウ素からなる群の元素の少なくとも１つのハロゲン化物、硫酸塩、あるいはスルホン酸塩；および
非置換ポリアルキレンオキシド、置換ポリアルキレンオキシド、置換あるいは非置換ポリアルキレンオキシドの誘導体、フッ素化湿潤剤、パーフッ素化湿潤剤、第４級アミン、あるいはポリアルキレンオキシドで置換された第４級アミンからなる群から選ばれる１つあるいはそれ以上の分散形成剤。 （もっと読む）

【課題】半導体の誘電性欠陥においてバックグラウンドめっきを抑制する方法を提供する。
【解決手段】導電母線および集電ラインのための導電パターンと、半導体の前面上の導電パターンの間のスペースを覆う誘電層とを有し、当該誘電層が１以上の欠陥を含有する半導体において、少なくとも誘電層を１種以上の酸化剤と接触させ、並びに、導電パターン上に金属層を選択的に堆積させる。 （もっと読む）

【課題】経時安定性が良好で、光沢範囲が広く、めっき外観が均一で、効率的に意図する皮膜組成を得ることができるシアン化物非含有の電気又は無電解めっき液及びそれを用いて形成された金属皮膜を有する電子部品を提供する。
【解決手段】


で表される化合物と、第４周期から第６周期の第ＶＩＩＩ、ＩＢ、ＩＩＢ、ＩＩＩＡ、ＩＶＡ、ＶＡ族から選ばれた金属の水可溶性塩の１種以上とを含有するするめっき液。特にこの金属の水可溶性塩がスズ、銀、金、白金、パラジウム又は銅の水可溶性塩であるめっき液。 （もっと読む）

【課題】基体上に良好な物理−機械的特性を有する均一で光沢性の高い金属層を提供する。
【解決手段】以下の式を有する添加剤消費抑制有機化合物をめっき液に添加する：


式中、Ｒ、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は独立して、水素；ハロゲン；（Ｃ１−Ｃ２０）直鎖、分枝、または環状アルキル；（Ｃ２−Ｃ２０）直鎖、分枝、または環状アルケニル；（Ｃ２−Ｃ２０）直鎖、または分枝アルキニル；−ＣＮ；ＳＣＮ；−Ｃ＝ＮＳ；−ＳＨ；−ＮＯ２；ＳＯ２Ｈ；−ＳＯ３Ｍ；−ＰＯ３Ｍ；（Ｃ１−Ｃ２０）アルキル−Ｏ（Ｃ２−Ｃ３Ｏ）ｘＲ６，（Ｃ１−Ｃ１２）アルキルフェニル−Ｏ（Ｃ２−Ｃ３Ｏ）ｘＲ６，−フェニル−Ｏ（Ｃ２−Ｃ３Ｏ）ｘＲ６，式中ｘは１から５００の整数であり、Ｒ６は水素、（Ｃ１−Ｃ４）アルキルまたはフェニルである。 （もっと読む）

【課題】基体上に良好な物理−機械的特性を有する、均一で光沢性の高い金属層を堆積させるためのメッキ浴および方法を提供する。
【解決手段】以下の式を有する、メッキ浴添加剤の分解を防止する複素原子含有有機化合物をメッキ浴中に組み入れる：Ｒ１−Ｘ−Ｒ２（Ｘは、−Ｓ（Ｏ）ｎ−Ｓ（Ｏ）ｐ−Ｓ（Ｏ）ｑ−Ｓ（Ｏ）ｕ−Ｓ（Ｏ）ｖ−Ｓ（Ｏ）ｗ−、−（Ｓ（Ｏ）ｚ）ｍ−（ＣＨ２）ｙ−（Ｓ（Ｏ）ｚ’）ｍ’−、または−ＳＯ２−Ｓ−（ＣＨ２）ｙ−Ｓ−ＳＯ２−、ｎ，ｐ，ｑ，ｕ，ｖ，ｗ，ｚおよびｚ’はそれぞれ独立して０から２の整数、ｍおよびｍ’は独立して１から６の整数、ｙは２から４の整数である、またはＳ，Ｏ，Ｎから選択されたヘテロ原子、または（Ｃ１−Ｃ６）アルキルもしくはトシル基で置換されたＮであり、Ｒ１およびＲ２はそれらが結合している原子と一緒になって５から１８員の複素環を形成することができる）。 （もっと読む）

【課題】難めっき素材と銀めっき皮膜の間にニッケル層という余計な層を介すことなく、ハロゲン化物を含有しないめっき浴を用いて難めっき素材上に直接、密着が十分である銀めっき皮膜を良好な作業環境のもとで得ることのできる銀めっき方法を提供する。
【解決手段】酸化皮膜を形成し易く、その酸化物皮膜がめっき皮膜の密着性を阻害するような素地に対して銀めっき皮膜を施す方法であって、少なくとも（Ａ）脱脂処理を行う工程、（Ｂ）強酸性の溶液で酸化皮膜を除去する工程に引き続き、ニッケル又はニッケル合金のストライクめっきを施す工程を経ることなく、（Ｂ）に引き続いて、（Ｃ）実質的にハロゲン化物イオンもシアンイオンも含まず、ホスフィン類を含む酸性の銀めっき浴を用いて銀めっきを行う工程、を含むことを特徴とする銀めっき方法。 （もっと読む）