【課題】銅堆積物において内部応力を軽減する銅電気めっき方法を提供する。
【解決手段】１種以上の銅イオン源、１種以上の抑制剤、および艶消し外観の銅堆積物を提供するのに充分な量の１種以上の促進剤を含む組成物と基体とを接触させめっきを行う。促進剤には３−メルカプトプロパン−１−スルホン酸、エチレンジチオジプロピルスルホン酸、ビス−（ω−スルホブチル）−ジスルフィド、メチル−（ω−スルホプロピル）−ジスルフィド、Ｎ，Ｎ−ジメチルジチオカルバミン酸（３−スルホプロピル）エステル、（Ｏ−エチルジチオカルボナト）−Ｓ−（３−スルホプロピル）−エステル、３−［（アミノ−イミノメチル）−チオール］−１−プロパンスルホン酸、３−（２−ベンジルチアゾリルチオ）−１−プロパンスルホン酸、ビス−（スルホプロピル）−ジスルフィドおよびこれらのアルカリ金属塩が挙げられる。 （もっと読む）

【課題】めっき工程を用いつつ、母型を用いないで微細構造体を製造する方法およびその方法により製造された微細構造体を提供する。
【解決手段】水溶性第一スズ含有物質、水溶性銅含有物質、硫酸イオンおよびスルホン酸イオンの少なくとも一方、有機錯化剤、ならびに非イオン性界面活性剤を備える酸性のスズ系めっき液を用いて、めっき温度を６０℃以下、電流密度を１０Ａ／ｄｍ^２以下、かつ積算電流量を５００Ａｓｅｃ／ｄｍ^２以上としてめっきを行い、ほぼ薄板状の皮膜部と当該皮膜部の表面から突出し錐形状を有する複数の突起部とを備え、当該突起部について、その底面の円換算直径に対する高さの比率であるアスペクト比が０．５以上、かつ皮膜部上の密度が前記皮膜部の投影面積１ｍｍ^２あたり１００個以上であるスズ系めっき構造体を、前記突起部についての母型を用いることなく得る。 （もっと読む）

【課題】 プリント基板などの微細凹部に空隙や窪みを発生させないで良好に銅フィリングする。
【解決手段】 カルボン酸類、環状エステル類より選ばれた電着促進剤を含有せず、スルフィド類、メルカプタン類より選ばれた光沢剤を含有した予備処理液に被メッキ物を浸漬した後（予備吸着の後）、或いは、当該予備吸着に代えて予備メッキした後、電着促進剤及び光沢剤を含有する銅メッキ液で被メッキ物に電気銅メッキを施すことにより、プリント基板などの微細凹部に良好な銅フィリングを達成できる。 （もっと読む）

【課題】 プリント基板などの微細凹部に空隙（ボイド）や窪みを発生させないで良好に銅フィリングする。
【解決手段】 アミド類、アミノ酸類より選ばれた電着促進剤を含有せず、スルフィド類、メルカプタン類より選ばれた光沢剤を含有した予備処理液に被メッキ物を浸漬した後（予備吸着の後）、或いは、当該予備吸着に代えて予備メッキした後、電着促進剤及び光沢剤を含有する銅メッキ液で被メッキ物に電気銅メッキを施すことにより、プリント基板などの微細凹部に良好な銅フィリングを達成できる。 （もっと読む）

【課題】微細な構造であっても溝や穴に電解銅メッキによって銅を良好に埋め込むことができる銅メッキ光沢剤と銅メッキ抑制剤を必須の有効成分として含有する半導体用電解銅メッキ浴、及び該電解銅メッキ浴を用いた半導体用電解銅メッキ方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（２）で表わされる銅メッキ光沢剤を０．１〜１００質量ＰＰＭと、ポリエチレングリコールなどの抑制剤を含有してなることを特徴とする半導体用電解銅メッキ浴および該めっき浴を用いる半導体の電解銅めっき方法。


（式中、Ｒ^１及びＲ^２は、水素原子又はメチル基を示し、Ｒ^１及びＲ^２がともに水素原子となるものは除く。Ｍは、リチウム、ナトリウム及びカリウムから選ばれる原子又はアンモニウムもしくは１価の有機アンモニウム基を示す。） （もっと読む）

【課題】 各種のメッキ浴において、水への溶解性と消泡性を両立できるとともに、メッキ液の管理を容易にする。
【解決手段】 Ｃ₂〜Ｃ₄アルキレンより選ばれたオキシアルキレン鎖を有し、当該オキシアルキレン鎖に３位の窒素原子を介してイミダゾール環が結合するとともに、イミダゾール環が末端に位置する新規のイミダゾール環結合型オキシアルキレン化合物を各種メッキ浴に使用すると、従来のノニオン性界面活性剤に比べて、末端へのイミダゾール環基の導入によって水溶性を良好に保持しながら、発泡性を顕著に低減できる。ノニオン界面活性剤の分子中にイミダゾール環基が存在する当該化合物を例えば銅メッキ浴に用いると、界面活性剤の作用とレベリング作用を兼備でき、メッキ液を簡便に管理できる。 （もっと読む）

【課題】主成分として亜鉛もカドミウムも含まない、厚い、３Ｎの黄色に着色した１８カラットの金合金層を析出させるための析出方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、金金属、有機金属化合物、湿潤剤、金属イオン封鎖剤および遊離シアン化物を含む浴に浸漬された電極上での金合金のガルバノプラスチック析出方法であって、合金金属は銅金属および銀金属であり、鏡のように輝く黄色の金合金は電極上に析出され、この浴は、２１．５３％の金、７８．３１％の銅および０．１６％の銀の比率とすることを特徴とする方法に関する。本発明は、電気析出の分野に関する。 （もっと読む）

【課題】車載用リチウムイオン電池用電極に要求される特性を満たす、すなわち、表面が平滑で、高抗張力および優れた伸び特性を有し、かつ常温アニールされ難く、抗張力の経時的変化が小さい電解銅箔を製造するための銅電解液を提供することを目的とする。
【解決手段】下記（Ａ）、（Ｂ）を添加剤として含有することを特徴とする銅電解液。
（Ａ）ジシアンジアミドとポリアルキレンポリアミンの縮合物と、下記式で表されるエポキシ化合物との反応により得られた化合物


（但し、Ａはヒドロキシ基、アルコキシ基、フェノキシ基、（メタ）アクリロキシ基、−ＯＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨ₂、又はハロゲンを表す。）
（Ｂ）有機硫黄化合物 （もっと読む）

【課題】めっき処理後、かつ、化成処理後に高い白色度を有した化成処理鋼板の製造方法を提供する。
【解決手段】2-ベンゾチアゾリルチオ基を持つ有機化合物の1種又は2種以上を合計で0.01〜3mass ppm含有する電気亜鉛めっき浴中で、前段と後段の二段処理からなる電気亜鉛めっき処理を行い、次いで、クロメートフリー化成処理を施す。前記前段では、電流密度を10A/dm²以上で陰極電解処理する。前記後段では、電流密度を10A/dm²未満で陰極電解処理し、鋼板表面に片面当たり0.1g/m²以上のめっき層を形成する。 （もっと読む）

【課題】高縦横比のビアホールを埋め込むのに好適な銅めっき溶液および銅めっき方法を提供する。
【解決手段】シード層を有する基板を浸漬し、水、銅供給源、電解物質、塩素イオン、第１添加剤、第２添加剤、および第３添加剤を含み、前記第１添加剤は、化学式１に示す化合物である銅めっき溶液を用いて銅めっきを行う。


（式中、Ｒは、水素原子または炭素原子数１〜６のアルキル基であり、ｍは、平均重合度であり６〜１４の実数である。） （もっと読む）

【課題】車載用リチウムイオン電池用電極に要求される特性を満たす、すなわち、表面が平滑で、高抗張力および優れた伸び特性を有し、かつ常温アニールされ難く、抗張力の経時的変化が小さい電解銅箔を製造するための銅電解液を提供することを目的とする。
【解決手段】下記（Ａ）、（Ｂ）を添加剤として含有することを特徴とする銅電解液。
（Ａ）ポリエチレンイミン又は（ポリ）アルキレンポリアミン化合物と、下記式で表されるエポキシ化合物との反応により得られた化合物


（但し、Ａはヒドロキシ基、アルコキシ基、フェノキシ基、（メタ）アクリロキシ基、−ＯＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨ₂、又はハロゲンを表す。）
（Ｂ）有機硫黄化合物 （もっと読む）

【課題】長時間保管後も高強度を維持し、加熱後も高強度で、かつ電気伝導性に優れた電解銅箔を提供する。
【解決手段】（Ａ）ジチオカルバミン酸誘導体又はその塩、（Ｂ）チオ尿素、（Ｃ）メルカプト基を有する水溶性イオウ化合物又はその誘導体又はそれらの塩、（Ｄ）ポリアルキレングリコール及び（Ｅ）塩素イオンを添加剤として含有する硫酸酸性銅めっき液を電気分解することにより電解銅箔を製造する。 （もっと読む）

【課題】 蓄電デバイスの正極集電体などとして用いることができる、粗面を有するアルミニウム箔を提供すること。
【解決手段】 アルミニウム箔を基材として用い、その表面の少なくとも一部に、含水量が１０〜２０００ｐｐｍの電解アルミニウムめっき液を用いた電解法によってアルミニウム被膜が形成されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プリント回路基板のスルーホールの角及び壁面に充分に均一な銅の析出ができる電気めっき方法及び、該電気めっき方法は高スローイングパワーを有する銅析出を提供する。
【解決手段】ａ）１以上の銅イオン供給源、５−１００ｐｐｂの３−メルカプトプロパンスルホン酸、その塩又はそれらの混合物、１以上の追加の光沢剤、及び１以上のレベリング剤を含有する電気めっき組成物を提供し、ｂ）基板を該電気めっき組成物中に浸漬し、基板は複数のスルーホールを有し、該複数のスルーホールのひざ及び壁面は第一の銅層で被覆され、そしてｃ）複数のスルーホールのひざと壁面の第一の銅層の上に充分に均一な第二の銅層を電気めっきする。 （もっと読む）

【課題】基板電極との電極接合に適するバンプ硬度とバンプ形状とを備えた金バンプ形成用の非シアン系電解金めっき浴、及び該金めっき浴を用いた金バンプ形成方法を提供する。
【解決手段】亜硫酸金アルカリ塩又は亜硫酸金アンモニウムと、伝導塩と、結晶安定化剤と、結晶調整剤と、緩衝剤と、光沢化剤とを含有し、亜硫酸金アルカリ塩又は亜硫酸金アンモニウムの含有量は、金濃度として１〜２０ｇ／Ｌであり、伝導塩は亜硫酸ナトリウムであって、その含有量が５〜１５０ｇ／Ｌであり、光沢化剤の含有量は、０．５〜１００ｍｍｏｌ／Ｌである、ことを特徴とする金バンプ形成用非シアン系電解金めっき浴。前記光沢化剤は、スルホキシド及び／又はスルホンから選択される１種又は２種以上の化合物が好ましい。 （もっと読む）

【課題】特に半導体集積回路（ＩＣ）デバイス製造の分野において、約１００ｎｍより小さい、好適には約７０ｎｍより小さい、更に好適には約５０ｎｍより小さい、より好適には約３５ｎｍより小さい幅を有するトレンチ、バイアなどの開口部を充填する電着方法を提供する。
【解決手段】０．５ｍｍｏｌ・ｌ^−１と５０ｍｍｏｌ・ｌ^−１との間に含まれる銅イオン濃度と、電着浴の体積あたり０．０５％と１０％との間に含まれる酸濃度とを有する電着浴中に基板を浸責し、銅の堆積物を電着する。 （もっと読む）

【課題】導電層の表面上に銅を堆積させる銅めっき浴を提供する。
【解決手段】めっき浴は、特定のベンゾイミダゾールと特定のエポキシド含有化合物との反応生成物である平滑化剤を含み、ある範囲の電解質濃度にわたって、基体表面上に実質的に平坦な銅層を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】 ＩＴＯ膜、太陽電池パネルの銅電極テンプレートのような比抵抗が大きい被メッキ物にも高い密着性で銅皮膜を良好に成膜する。
【解決手段】 比抵抗の大きい被メッキ物上にメッキ皮膜を形成する方法において、上記メッキ皮膜が電気銅メッキ浴を用いて形成した銅の電着皮膜であり、上記電気銅メッキ浴が、(ａ)可溶性銅塩と、(ｂ)ポリアミン類、アミノカルボン酸類などより選ばれた錯化剤と、(ｃ)アルカリ金属、アルカリ土類金属、アンモニウムのハロゲン化物、硫酸塩より選ばれた導電性塩とを含有し、且つ、浴のｐＨが３〜１１である電気銅メッキ方法である。銅メッキ浴に特定の錯化剤と特定の導電性塩を複合添加するため、ＩＴＯ膜などの比抵抗の大きな被メッキ物にも充分な密着性で銅皮膜を良好に成膜できる。 （もっと読む）