【課題】不溶性陽極を用いても安定した効果が得られる、銅めっき用添加剤を提供する。
【解決手段】上記課題を解決するために、ポリアルケンオキシド化合物を含む銅めっき用添加剤であって、前記ポリアルケンオキシド化合物が、その末端のいずれか一方又は両方に官能基又はハロゲン元素を導入した以下に示す構造式を有し、数平均分子量が１００〜２００００００であることを特徴とする銅めっき用添加剤を採用する。


そして、前記構造式におけるｍを１〜８とし、Ｒ_１又はＲ_２を官能基とする場合は、スルホン基、ＮやＳを含む官能基及び不飽和結合をもつ官能基から選択されるいずれかの官能基とする。更に、分子量が１００００〜２００００００の前記ポリアルケンオキシド化合物を含む銅めっき用添加剤を採用すれば、ビス（３−スルフォポロピル）ジスルフィドやヤヌスグリーン等の添加剤を併用する必要も無く、より好ましい銅めっきが出来る。 （もっと読む）

【課題】結晶粒径を小さくしてストレスマイグレーションを抑制した銅めっき膜を、より簡便に基板上に成膜できるようにする。
【解決手段】シード層で覆われた配線用凹部を表面に形成した基板を用意し、シード層を、硫酸銅及び硫酸由来の硫黄を２．０Ｍ以上含む硫酸銅めっき液に接触させ、シード層をカソードとして、該カソードと硫酸銅めっき液中に浸漬させたアノードとの間に電圧を印加して、シード層の表面に銅めっき膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】めっき皮膜上のクラックの発生が少ないイリジウム・コバルト合金めっき液を提供すること。
【解決手段】可溶性イリジウム塩及び可溶性コバルト塩を含有することを特徴とするイリジウム・コバルト合金めっき液。 （もっと読む）

【課題】 酸性銅めっき処理において、ブラインドビアホールやスルーホールの内部やコーナー部のめっき付き回り性およびめっき面のレベリング性などのめっき外観のいずれにおいても優れた特性を与え、かつ下地不良にも対応できる新規なめっき用レベリング剤を提供する。
【解決手段】 ジアリルジアルキルアンモニウムアルキルサルフェイト単位と、（メタ）アクリルアミド類単位と、二酸化イオウ単位とを含むジアリルジアルキルアンモニウムアルキルサルフェイトと（メタ）アクリルアミド類と二酸化イオウとの共重合体からなるめっき用レベリング剤である。 （もっと読む）

【課題】非シアンの酸性のめっき浴を用いて、パターンめっきにおけるレジストの溶解がなくかつ密着性の良好な銀めっきを施す方法を提供する。
【解決手段】非シアンの酸性の銀めっき浴（Ａ）を用いて銀めっきを行う銀めっき方法において、当該の銀めっき工程に先立って、非シアンの酸性のストライク浴（Ｂ）を用いてストライクめっきする工程を含む銀めっき方法。 （もっと読む）

【解決手段】水溶性錫塩と、無機酸及び有機酸並びにその水溶性塩から選ばれる１種又は２種以上と、水溶性タングステン塩、水溶性モリブデン塩及び水溶性マンガン塩から選ばれる１種又は２種以上とを含有する錫電気めっき浴。
【効果】チップ部品、水晶発振子、バンプ、コネクタ、リードフレーム、フープ材、半導体パッケージ、プリント基板等の電子機器を構成する部品などに、錫−鉛合金めっき材料の代替としてウィスカ抑制効果の高い錫めっき皮膜を形成できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、印刷シリンダー上に銅層を形成するための改良された銅めっき浴、及びその使用方法に関する。
【解決手段】銅めっき浴は、ａ）銅イオン源、ｂ）メタンスルホネートイオン源、ｃ）塩化物イオン源、ｄ）式：Ｒ‐Ｓ‐Ｒ’‐ＳＯ_３‐Ｘ^＋、又はＸ^＋‐Ｏ_３Ｓ‐Ｒ’‐Ｓ‐Ｒ‐Ｓ‐Ｒ’‐ＳＯ_３‐Ｘ^＋を有する有機硫黄化合物（式中、Ｒはアルキル、ヒドロキシアルキル、又はアルキルエーテル、Ｒ’はＣ_２‐Ｃ_４アルキル基、及びＸ^＋はカチオンである）、及びｅ）ポリエーテル化合物を含む。銅めっき浴は、安定した硬度を有し、及び高速めっき中に自己アニーリングしないめっき被覆物を作製する。 （もっと読む）

【課題】水素脆化感受性を評価する鋼材表面に施す亜鉛めっきに用いる亜鉛めっき液およびその亜鉛めっき方法と、その方法で高濃度の拡散性水素を封入した試験片を用いて行う水素脆化感受性評価方法を提案する。
【解決手段】拡散性水素を導入した鋼材表面に施す亜鉛めっきを、塩化亜鉛：２０〜７０ｇ/ｌ、塩化アンモニウム：１４０〜２３０ｇ／ｌ、ホウ酸：１〜１００ｇ/ｌ、減極剤：０．１〜２０ｇ／ｌ、光沢剤：０．００１〜２０ｇ／ｌ、平滑化剤：０．０１〜５０ｇ／ｌを含有する亜鉛めっき液を用いて行うことにより上記拡散性水素を封入し、その後、水素脆化感受性を評価する。 （もっと読む）

【課題】外部応力に伴うウィスカの成長を効果的に抑制することができるめっき膜及びその形成方法を提供する。
【解決手段】リードフレーム１０を構成する基材１１の表面及び裏面には、錫又は錫合金からなる錫めっき膜１３が形成されている。錫合金としては、例えば錫−銅合金（銅の含有量：２質量％）、錫−ビスマス合金（ビスマスの含有量：２質量％）等が挙げられる。基材１１は、例えばＣｕ合金等から構成されている。錫めっき膜１３内には、複数の結晶粒１２が不規則に配列している。更に、錫めっき膜１３中に、複数の空隙部１４が存在する。その後に曲げ加工等が行われても、錫めっき膜１３中に空隙部１４が存在しているため、外部応力が緩和される。このため、外部応力に伴うウィスカの成長が抑制される。 （もっと読む）

【課題】めっき方法に関し、電解めっきを実施するに際し、めっきシード膜の溶解を抑止し、且つ、めっきレートの向上を簡単な手段で実現できるようにする。
【解決手段】少なくともアノード及び電源を備えた電解めっき装置内にめっき対象物を設置する工程と、次いで、前記めっき対象物にゲル化されためっき液を載置する工程と、次いで、ゲル化されているめっき液を溶液化し且つ電源をオンにしてめっきを行う工程とが含まれてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】安価で高い生産性を維持し、線幅の増大を低減し、経時後の色味変化が少なく、めっき密着性の良好な、高速めっき処理を可能にするめっき処理方法を提示すること。さらにその方法を用いて優れた導電特性を有する導電性膜および優れた電磁波遮蔽効果を有する透光性電磁波シールド膜をを提供すること。
【解決手段】表面抵抗が１〜１０００Ω/□のフィルム表面に連続して電解めっき処理を施すめっき処理方法であって、該めっき処理がめっき反応抑制性有機化合物、めっき促進性有機化合物及びめっき平坦化性有機化合物の少なくとも一つを含有する銅めっき液を用いる第１段階と、該第１段階の銅めっき液中の前記少なくとも一つの化合物を第１段階のめっき液中の濃度の０〜７０％の濃度で含む液による第２段階のめっき処理から構成されることを特徴とするめっき処理方法。 （もっと読む）

本発明は基板上に乳濁液および／あるいは分散液形成物あるいは湿潤剤で構成される電解液から基板上に艶消し金属層を堆積する電解液及び工程に関する。本発明に従えば、異なった艶消しの程度を持つ多くの金属がポリアルキレン酸化物あるいはその誘導体、フッ化あるいはペルフッ化の疎水性鎖を持つ湿潤剤、あるいはポリアルキレン酸化物により置換された第４級アンモニウム化合物の添加の方法により電解液内の乳濁液および／あるいは分散液の形成によって製造される。さらに、テトラフルオロエチレン粒子は堆積された艶消し金属の表面の性質を変えるため電解質に添加される。 （もっと読む）

【課題】たとえば半導体装置およびプリント回路基板のような基体の、種々のサイズの開口を、実質的に空隙なく充填することができ、さらに密集した非常に小さい開口の領域と開口のない領域とを、段高さの差が１μｍ未満であるように平坦にメッキできる平滑化剤を提供する。
【解決手段】電解液に加える平滑化剤は、重合単位としてエチレン性不飽和窒素含有ヘテロ環式モノマーを含むポリマー平滑化剤で、さらに重合単位として（メタ）アクリレートモノマーおよびエチレン性不飽和架橋剤を含むことができる。 （もっと読む）

【解決手段】基板上に形成された未貫通穴を銅で充填するために用いる電気銅めっき浴であって、水溶性銅塩、硫酸、塩化物イオン及び添加剤としてブライトナー、キャリアー及びレベラーを含有し、上記レベラーが、溶液中でカチオン化する４級窒素、３級窒素又はそれら両方を含有する水溶性ポリマーを１種以上含む電気銅めっき浴。
【効果】基板上に形成された未貫通穴を銅めっきにより充填するための電気銅めっき浴の銅めっき充填性を、レベラーである水溶性ポリマーの４級窒素と３級窒素との比率を変更するだけで、未貫通穴のサイズに合わせて簡便に調整でき、様々なサイズの未貫通穴に合わせて電気銅めっきすることができる。 （もっと読む）

【課題】良好な埋め込み性（ビアフィリング性）と優れた均一電着性を同時に併せ持ち、スルホールとブラインドビアホールの両方を含む被めっき物に対しても、電気的に信頼性の高い銅めっき皮膜を形成することが可能な新規な銅めっき液を提供する。
【解決手段】銅イオン、並びに有機酸及び無機酸から選ばれた少なくとも一種の酸成分を必須成分として含有する水溶液を基本めっき浴とする酸性電気銅めっき液であって、
（１）アルキレンジアミン類及びポリアルキレンポリアミン類からなる群から選ばれる少なくとも一種のポリアミン、（２）二塩基性カルボン酸系化合物、並びに（３）アルデヒド類、エピハロヒドリン類、α，γ−ジハロ−β−ヒドリン類、グリシジル化合物及びイソシアネート類からなる群から選ばれる少なくとも一種の架橋性化合物、からなる三成分を反応させて得られる水溶性樹脂を含有することを特徴とする酸性電気銅めっき液。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、微細な構造であっても溝や穴に電解銅メッキによって銅を良好に埋め込むことができる電解銅メッキ用添加剤、該添加剤を必須の有効成分として含有する電解銅メッキ浴、及び該電解銅メッキ浴を用いた電解銅メッキ方法を提供することにある。
【解決手段】本発明の電解銅メッキ用添加剤は、下記一般式（１）で表わされる化合物からなることを特徴とする：


（式中、Ｒ^１及びＲ^２は、炭素数１〜１８のアルキル基を表し、ｎは、２０〜３００を表す） （もっと読む）

【課題】 マスク材開口部のめっき時の拡がりを抑制し、設計寸法と大差ない寸法のバンプや配線を形成できる非シアン系電解金めっき浴を提供する。
【解決手段】 金源としての亜硫酸金アルカリ塩または亜硫酸金アンモニウムと、スタビライザとしての水溶性アミンと、結晶調整剤と、伝導塩としての亜硫酸塩および硫酸塩と、緩衝剤と、ポリアルキレングリコール及び／または両性界面活性剤とを含有するバンプ形成用非シアン系電解金めっき浴。ポリアルキレングリコールの配合量は0.1mg〜10g/Lが好ましく、両性界面活性剤の配合量は0.1mg〜1g/Lとすることが好ましい。両性界面活性剤としては、カルボキシベタイン系を好ましく使用できる。 （もっと読む）

【課題】 膜強度を悪化させず、膜がウエット状態のときでも耐傷性に優れ、高速めっき処理を可能にして高い生産性を実現するめっき処理方法を提供すること。該方法により得られる導電性膜、透光性電磁波シールド膜および光学フィルターを提供すること。
【解決手段】 フィルム表面を電解銅めっきするめっき処理方法であって、めっき液のｐＨが１以上４以下であることを特徴とするめっき処理方法、該方法により得られる導電性膜、透光性電磁波シールド膜および光学フィルター。 （もっと読む）

【課題】 有害な鉛を含まず、優れたはんだぬれ性を有する錫電気めっき液、およびそのような錫電気めっき液を用いて電子部品等に錫被膜を堆積する方法を提供する。
【解決手段】 第一錫イオンと、有機酸と、２−ナフトール−７−スルホン酸またはその塩を含有し、実質的に鉛イオンを含有しない錫電気めっき液であって、任意に酸化防止剤および界面活性剤を含有する。有機酸がアルカンスルホン酸およびアルカノールスルホン酸からなる群から選ばれる１以上の酸であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 めっき液の劣化を抑制し安定して長期操業が可能な亜鉛−ニッケル合金めっき方法を提供する。
【解決手段】 亜鉛イオン、ニッケルイオン、好ましくはアミン類等のニッケル錯化剤及びアルカリ成分を含有する、ｐＨ１３以上の亜鉛−ニッケル系合金めっき液を使用する亜鉛−ニッケル合金の電気めっき方法であり、陰極槽と、アルカリ成分含有溶液である陽極液を収める陽極槽とをイオン交換膜等の隔膜によって分離し、陽極液にアルカリ成分を添加して陰極液のアルカリ成分濃度を制御するめっき方法を提供する。本発明では、電流量を指標として陽極液へ補給するアルカリ成分量を調節して上記めっき液をｐＨ１３以上に保持でき、陽極板はＣ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ及びこれらの合金でもよく、上記めっき液は更に、光沢剤、平滑剤、還元剤及び界面活性剤の群から選ばれる少なくとも１種を含有できる。 （もっと読む）