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Fターム[4K023DA07]の内容

電気メッキ、そのためのメッキ浴 (5,589) | メッキ条件 (1,250) | 電流密度、電圧 (315)

Fターム[4K023DA07]に分類される特許

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【課題】硬度が高く、しかも皮膜応力も緩和されためっき皮膜を形成し得るニッケルめっき液を提供する。
【解決手段】硫酸ニッケル水溶液からなるニッケルめっき液において、硫酸ニッケルに加えて、リンゴ酸もしくはその塩と、サッカリンもしくはその塩と、チオ尿素とを含有していることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、耐食性、意匠性、低電気抵抗等のNiめっき鋼材の特徴を損なうことなく、めっきピンホールに起因した鉄錆の発生を効果的に抑制した高耐食性めっき鋼材を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の要旨とするところは、表層にNiめっき層を有し、その下層にMnめっき層を有することを特徴とする高耐食性めっき鋼材である。Niめっき層の付着量は5〜40g/m、Mnめっき層の付着量は0.1〜20g/mであることが望ましい。また、Niめっき層の付着量は、Mnめっき層の付着量以上であることが望ましい。 (もっと読む)


【課題】 スズ又はスズ合金メッキ浴に添加する皮膜結晶の微細化剤において、良好な皮膜外観を経時安定的に付与する。
【解決手段】 (A)第一スズ塩と、第一スズ塩及び第4周期から第6周期の第VIII、IB、IIB、IIIA、IVA、VA属から選ばれた金属(例えば、銀、銅、ビスマスなど)の塩の混合物とのいずれかよりなる可溶性塩と、(B)酸又はその塩と、(C)ベンゾアゾール環の2位のメルカプト基にC3〜C6アルキレンが結合した特定の2−メルカプトベンゾアゾール誘導体を含有するスズ及びスズ合金メッキ浴である。上記C3〜C6アルキレンの結合により、酸化や開裂を起こし難くなるため、メッキ作業が進行しても微細化作用が減退することなく持続し、良好な皮膜外観を経時安定的に付与できる。 (もっと読む)


【課題】基体上に良好な物理−機械的特性を有する均一で光沢性の高い金属層を提供する。
【解決手段】以下の式を有する添加剤消費抑制有機化合物をめっき液に添加する:


式中、R、R1、R2およびR3は独立して、水素;ハロゲン;(C1−C20)直鎖、分枝、または環状アルキル;(C2−C20)直鎖、分枝、または環状アルケニル;(C2−C20)直鎖、または分枝アルキニル;−CN;SCN;−C=NS;−SH;−NO2;SO2H;−SO3M;−PO3M;(C1−C20)アルキル−O(C2−C3O)xR6,(C1−C12)アルキルフェニル−O(C2−C3O)xR6,−フェニル−O(C2−C3O)xR6,式中xは1から500の整数であり、R6は水素、(C1−C4)アルキルまたはフェニルである。 (もっと読む)


【課題】 ニッケルめっき皮膜と同程度の白色外観および皮膜特性を有する銅−錫合金めっき皮膜、ならびにそれを形成するための非シアン系銅−錫合金めっき浴を提供する。
【解決手段】 銅−錫合金めっき皮膜をCuSnの結晶で構成し、錫の含有率を40体積%以上50体積%以下とし、銅の含有率を50体積%以上60体積%以下とする。この銅−錫合金めっき皮膜は、2価錫イオン換算で2g/L以上20g/L以下の2価錫塩と、2価銅イオン換算で5g/L以上30g/L以下の2価銅塩と、50g/L以上400g/L以下の無機酸と、2g/L以上50g/L以下の光沢剤と、0.5g/L以上20g/L以下の湿潤剤と、4価錫イオン換算で5g/L以上30g/L以下の4価錫塩とを含有し、pHが3以下であり、光沢剤がアルデヒド系化合物であり、湿潤剤がたとえば非イオン系アリールフェノール類である非シアン系銅−錫合金めっき浴を用いて形成される。 (もっと読む)


【課題】基体上に良好な物理−機械的特性を有する、均一で光沢性の高い金属層を堆積させるためのメッキ浴および方法を提供する。
【解決手段】以下の式を有する、メッキ浴添加剤の分解を防止する複素原子含有有機化合物をメッキ浴中に組み入れる:R1−X−R2(Xは、−S(O)n−S(O)p−S(O)q−S(O)u−S(O)v−S(O)w−、−(S(O)z)m−(CH2)y−(S(O)z’)m’−、または−SO2−S−(CH2)y−S−SO2−、n,p,q,u,v,w,zおよびz’はそれぞれ独立して0から2の整数、mおよびm’は独立して1から6の整数、yは2から4の整数である、またはS,O,Nから選択されたヘテロ原子、または(C1−C6)アルキルもしくはトシル基で置換されたNであり、R1およびR2はそれらが結合している原子と一緒になって5から18員の複素環を形成することができる)。 (もっと読む)


【課題】シアン化合物を使用することなく、目的組成を有する均一で光沢のある合金層を、従来よりも高い電流密度であっても形成することができ、生産性に優れた銅−亜鉛合金電気めっき浴を提供する。
【解決手段】銅塩と、亜鉛塩と、ピロりん酸アルカリ金属塩と、アミノ酸またはその塩から選ばれた少なくとも一種とを含有し、pHが8.5〜14である銅−亜鉛合金電気めっき浴である。好適にはpHは10.5〜11.8であり、ピロりん酸アルカリ金属塩としてはピロりん酸カリウムおよびピロりん酸ナトリウムを好適に用いることができる。また、アミノ酸またはその塩としてはヒスチジンまたはその塩を好適に用いることができる。 (もっと読む)


【課題】孔又は溝を備えた基板を被めっき体として銅を電気めっきすることによって得られる新たな銅めっき体及びその製造方法の提供。
【解決手段】1価の銅イオンと錯体を形成し、1価の銅イオンとの錯化定数が1×103より高い値を示し、且つ使用環境下において1価の銅イオンと形成する錯体の溶解度が0.5g/L以上の銅錯化剤、若しくは、1価の銅イオンと錯体を形成し、1価の銅イオンとの錯化定数が1×103より高い値を示し、且つ2価の銅イオンとの錯化定数が1×1020以下の値を示す銅錯化剤と、水と、銅成分とを含む電解液を用いて、孔又は溝を備えた基板を被めっき体として銅を電気めっきすることによって、孔又は溝の底部に空洞部を残しつつその空洞部の上側に銅を電着させることを特徴とする銅めっき体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】極めて微細な孔又は溝内に銅を埋め込むことができる、新たな銅配線の製造方法を提供する。
【解決手段】1価の銅イオンと錯体を形成し、1価の銅イオンとの錯化定数が1×103より高い値を示し、且つ使用環境下において1価の銅イオンと形成する錯体の溶解度が0.5g/L以上の銅錯化剤、若しくは、1価の銅イオンと錯体を形成し、1価の銅イオンとの錯化定数が1×103より高い値を示し、且つ2価の銅イオンとの錯化定数が1×1020以下の値を示す銅錯化剤を1wt%以上と、水を1wt%以上と、銅成分とを含む電解液を強制攪拌しながら、被めっき体における配線接続孔又は配線溝内に銅を電気めっきする工程を備えた銅配線の製造方法によれば、攪拌の程度を調整することにより、微細孔への銅の埋め込み率を調整することができ、微細孔への銅の埋め込み率をより一層高めることができる。 (もっと読む)


【課題】シアン化合物を使用することなく、目的組成を有する均一で光沢のある合金層を、ヒスチジンを用いずに形成することができる銅−亜鉛合金電気めっき浴およびこれを用いためっき方法を提供する。
【解決手段】銅塩と、亜鉛塩と、ピロりん酸アルカリ金属塩と、ジアミンとを含有する銅−亜鉛合金電気めっき浴である。ジアミンの濃度は好適には0.6g/L〜24g/Lである。ジアミンとして、エチレンジアミンを好適に用いることができる。 (もっと読む)


【課題】シアン化合物を使用することなく、目的組成を有する均一で光沢のある合金層を、従来よりも高い電流密度であっても形成することができ、生産性に優れた銅−亜鉛合金電気めっき浴を提供する。
【解決手段】銅塩と、亜鉛塩と、ピロりん酸アルカリ金属塩と、アミノ酸またはその塩から選ばれた少なくとも一種とを含有し、アミノ酸またはその塩の濃度が0.08mol/L〜0.22mol/Lである銅−亜鉛合金電気めっき浴である。アミノ酸またはその塩としてはヒスチジンまたはその塩を好適に用いることができる。本発明の銅−亜鉛合金電気めっき浴のpHは、好適には10.5〜12の範囲である。 (もっと読む)


【課題】シアン化合物を使用することなく、銅−亜鉛合金めっき層の表面のやけを抑制し、目的組成を有する均一で光沢のある合金層を、従来よりも高い電流密度であっても形成することができ、生産性に優れた銅−亜鉛合金電気めっき浴を提供する。
【解決手段】銅塩と、亜鉛塩と、ピロりん酸アルカリ金属塩と、アミノ酸またはその塩から選ばれた少なくとも一種と、ポリエーテルとを含有する銅−亜鉛合金電気めっき浴である。好適にはポリエーテルの分子量は100〜5000、質量濃度が100ppm〜5%の範囲である。さらに、アミノ酸またはその塩として、ヒスチジンまたはその塩を好適に用いることができる。 (もっと読む)


【課題】基体上のスズ及びスズ合金の高速電気スズめっきに有用な、析出用電解質組成物を提供する。
【解決手段】基体上のスズ及びスズ合金の析出用電解質組成物が、スズハライド、硫酸スズ等から選択される1以上のスズ化合物、アルカリスルホン酸、硫酸等から選択される1以上の酸性電解質及び、カルボキシメチル化ポリアチレンイミン等から選択される1以上のカルボキシアルキル化ポリアルキレンイミン化合物を含む電解質組成物である。 (もっと読む)


【課題】 良好な密着性を有する金めっきを形成することができる、金めっき構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】 金めっき構造体の製造方法は、チタン基材(10)の表面から酸化膜を除去する除去工程と、除去工程後に、不動態膜の形成を抑制する添加剤が添加された金めっき浴(30)にチタン基材(10)を浸漬する浸漬工程と、を含む。チタン基材(10)の表面における不動態膜の形成が抑制される。それにより、良好な密着性を有する金めっき(40)を形成することができる。 (もっと読む)


【課題】亜鉛メッキ後の経時変化により亜鉛メッキ製品の表面にウィスカが発生するのを防止することができるフリーアクセスフロア構成部材の表面処理方法を提供する。
【解決手段】電気分解した亜鉛Mを、フリーアクセスフロア構成部材W1の表面に電気的に付着させる亜鉛メッキ処理の工程を含む、表面処理方法において、金属亜鉛、シアン化ナトリウム、水酸化ナトリウム、硫酸ナトリウムを混入し、光沢剤を全く添加していないシアン化亜鉛メッキ浴に、陰極のフリーアクセスフロア構成部材の鉄板と、陽極の亜鉛板を浸漬して行なう電気メッキ作業において、陰極と陽極間に流れる電流の方向は、メッキ付着時に流れる正方向の正電流と、この正方向と逆の方向の逆電流が交互に繰り返し流れるようにし、このとき正電流を第1の時間流した後、逆電流を第1の時間より短い第2の時間流すようにして、鉄板の表面に所定の厚さの亜鉛メッキを付着させる。 (もっと読む)


析出されたときにナノ粒状である電析された結晶質機能的クロム堆積物であり、そして堆積物がTEMおよびXRD結晶質の両方であり得るか、またはTEM結晶質でありそしてXRD非晶質であり得る。種々の実施態様において、堆積物は、クロム、炭素、窒素、酸素および硫黄の合金;{111}の優先方位;約500nm未満の平均結晶粒断面積;および2.8895±0.0025Åの格子定数の1または2以上の任意の組み合わせを含む。基材にナノ粒状の結晶質機能的クロム堆積物を電析させるための方法および電析浴であって、3価クロム、2価硫黄源、カルボン酸、窒素源を含み、そして実質的に6価クロムを含まない電析浴を提供する工程;浴に基材を浸漬する工程;および電流を付与して基材上に堆積物を電析させる工程を含む。
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本発明は、1ミクロンから800ミクロンの厚さを有し銅を含む金合金の形態の電解析出物に関する。本発明によれば、析出物は、第3の主化合物としてインジウムを含む。
本発明は、電気メッキ法の分野に関する。 (もっと読む)


【課題】均一電着性に優れ、ホウ素を用いることが無く、めっきコストも低廉なニッケルめっき浴を提供する
【解決手段】本発明のニッケルめっき浴は、ニッケルイオン源としての塩化ニッケル及び/又は硫酸ニッケルをニッケルイオン濃度換算で1g/L〜20g/L含み、クエン酸をクエン酸・一水和物換算で50g/L〜300g/L含み、pHがアンモニアによって6.5〜10に調節されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】錫めっき又は金めっきが施された基板電極との接合に適したバンプ硬度と形状を有する金バンプが得られるバンプ形成用非シアン系電解金めっき浴を提供する。
【解決手段】金源としての亜硫酸金アルカリ塩または亜硫酸金アンモニウムと、めっき浴の安定化剤としての水溶性アミンと、結晶調整剤と、亜硫酸ナトリウムからなる伝導塩5〜150g/Lと、緩衝剤と、分子量2000〜6000のポリアルキレングリコール0.01〜10mg/Lと、を含有するバンプ形成用非シアン系電解金めっき浴。結晶調整剤としてはTl化合物、Pb化合物、またはAs化合物が、水溶性アミンとしては炭素数2〜6のジアミン化合物が好ましい。 (もっと読む)


【課題】電気めっきによって、基板上に配線又は層間接続ビアを形成するとき、不要な金属層を除去する作業を軽減化する。
【解決手段】電気めっきで使用するめっき液に、添加剤を添加する。添加剤は、めっき反応を抑制する機能を有するが、めっき反応の進行と共に、めっき反応を抑制する機能が減少する特性を有する。添加剤は、金属の析出過電圧を大きくする機能を有するが、反応の進行と共に、金属の析出過電圧を小さくする特性を有する。それによって、基板に形成した溝及び凹部に選択的に金属を析出させることができる。基板上に配線又は層間接続ビアを形成するとき、所定の表面粗さを有する溝及び凹部を基板に形成する。 (もっと読む)


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