【課題】 含Ｇｅ合金がめっきされているめっき部材とその製造方法を提供する。
【解決手段】 表面に、Ｇｅを必須成分として含有する合金のめっき皮膜が成膜されているめっき部材。このめっき皮膜は電気めっき法で成膜される。 （もっと読む）

【課題】 小型又は低比重部品をバレルメッキするに際して、ニッケル皮膜を均一に形成できるメッキ浴を開発する。
【解決手段】 脂肪族アルコール類又はエーテル類であって、エチレンオキシド又はプロピレンオキシド単位を１〜４個繰り返し、両端に水素又はＣ₁〜Ｃ₄アルキル基かＣ₁〜Ｃ₂アルキル基を有する、２−メトキシエタノール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコール、１,２−ジメトキシエタンなどのようなオリゴ分子的な特定の化合物をニッケルメッキ浴に添加してバレルメッキを行うと、メッキ浴に浮遊するような小型又は低比重部品が多い電子部品に対しても濡れ性が改善されて、均一にニッケルメッキ皮膜を形成できる。 （もっと読む）

【課題】酸性銅水溶液のパルス逆電解法を、印刷用シリンダ、特にグラビア印刷用シリンダに銅を堆積させるために使用する。
【解決手段】メッキ組成物は、概して、銅イオン、対イオン、塩化物イオン、ポリアルキレングリコール、及び浴可溶性二価の硫黄化合物を含む。この利点は被メッキ物上へ電着された銅膜厚分布の向上、金属廃棄物の低減、メッキ処理時間の短縮、生産能力の向上等である。 （もっと読む）

電解液槽は、２００から２５０ｇ／ｌの硫酸クロムカリウムと、３０から３５ｇ／ｌのシュウ酸ナトリウムまたはシュウ酸カリウムと、１００から１１０ｇ／ｌの硫酸アルミニウムと、１５から２０ｇ／ｌの弗化ナトリウムと、を含み、４６℃から４８℃の温度と１．１から１．３のｐＨとを有する。電解鍍金方法は、少なくとも１つの陽極、基板の表面の少なくとも一部を支持するように構成された陰極、及び、５０から５００ｇ／ｌの三価クロムと、１０から１００ｇ／ｌのシュウ酸塩と、２０から１５０ｇ／ｌの硫酸アルミニウムと、５から３０ｇ／ｌの弗化ナトリウムと、を含む電解液を含む電解液槽を準備する段階と、前記電解液槽内に配置された前記陽極から前記陰極に向かって前記電解液槽に電流を流す段階と、前記電解液の温度及びｐＨを保持する段階と、前記基板の前記表面上に前記三価クロムを堆積する段階と、を含む。
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本発明は、電気的接続のための部材上にＳｎリッチ堆積層を有する電子部品であって、Ｓｎリッチ堆積層が、堆積表面に対して平行な方向におけるサイズよりも堆積表面に対して垂直な方向におけるサイズの方が小さい粒子からなる微細粒Ｓｎリッチ堆積層である電子部品に関する。本発明はまた、電気的接続のための部材上にＳｎリッチ堆積層を形成するために電子部品をメッキするプロセスであって、開始添加物及び光輝性添加物が含まれているスズメッキ溶液の組成を調整するステップと、前記スズメッキ溶液中を通して前記電子部品を動かして、電気的接続のための前記部材上に前記Ｓｎリッチ堆積層を形成するステップと、を含むプロセスに関する。従来の技術と比較すると、本発明は、低コストで且つ信頼できる特性をもってウィスカ成長を有効に抑制することができる。
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【課題】 微細化、狭ピッチ化が進んでいるコンタクトプローブとして使用可能なニッケルバンプを、湿式めっきプロセスを用いて形成する方法を提供すること。
【解決手段】 微小開口部を有するフォトレジストで被めっき基板を被覆し、次いで当該被めっき基板を、添加剤として次の式（Ｉ）、
【化１】


（式中、Ｒ_１は水素原子または水酸基を示し、Ｒ_２は水素原子またはビニル基を示す）
で表されるピリジニウムプロピルスルホネートまたはその誘導体を含有するニッケルめっき浴により電気めっきし、前記微小開口部部分にニッケルめっき皮膜を析出させることを特徴とするマイクロバンプの形成方法。 （もっと読む）

本発明は構造化硬質クロム層の生成方法に関し、該方法において、クロムは電解質から被加工物上に析出され、該電解質は、ａ）５０ｇ／Ｌ〜３００ｇ／Ｌの無水クロム酸に相当する量のＣｒ（ＶＩ）化合物と、ｂ）０．５ｇ／Ｌ〜１０ｇ／Ｌの硫酸と、ｃ）５ｇ／Ｌ〜１５ｇ／Ｌの、１〜６個の炭素原子を有する脂肪族スルホン酸とを含む。電解質は、モリブデン酸アンモニウム、モリブデン酸のアルカリ金属塩、モリブデン酸のアルカリ土類金属塩、バナジウム酸アンモニウム、バナジウム酸のアルカリ金属塩、バナジウム酸のアルカリ土類金属塩、ジルコン酸アンモニウム、ジルコン酸のアルカリ金属塩およびジルコン酸のアルカリ土類金属塩より選択される化合物のいずれも実質的に含まず、１２％以下のカソード電流効率で処理される。本発明は、コーティングの生成方法、構造化硬質クロム層、コーティングおよび電解質にも関する。
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【課題】クラックキングがほとんどまたは全く発生せず、アニーリング状態で付着性の消失をほとんどまたは全く示さない合金析出物を生成し得る鉄−リン電気めっき浴を開発すること。
【解決手段】１つの実施形態においては、本発明は、（Ａ）鉄が電解で析出し得る少なくとも１つの化合物と、（Ｂ）ホスフィン酸イオンと、（Ｃ）スルホアルキル化ポリエチレンイミン、スルホン化サフラニン染料、およびメルカプト脂肪族スルホン酸もしくはそのアルカリ金属塩から選択される硫黄含有化合物とを含む、水性で酸性の鉄リン浴に関する。任意で、本発明の水性で酸性の鉄リン浴は、アルミニウムイオンをさらに含む。本発明の方法によって基板上に析出される合金は、鉄、リンおよび硫黄の存在を特徴とする。 （もっと読む）

網目状の微小亀裂内に硬質粒子を含有する複合クロムめっき皮膜において、上記微小亀裂の表面占有率は１０〜２０面積％であり、上記微小亀裂の分布密度は１，２００〜２，５００本／ｃｍであり、かつ上記硬質粒子の含有量は上記皮膜全体を１００質量％として１〜１５質量％である複合クロムめっき皮膜。この複合クロムめっき皮膜は、耐摩耗性及び耐焼き付き性に優れ、かつ相手材攻撃性が小さい。 （もっと読む）

微小電子機器製造で基板上にＣｕを電気めっきするための方法と組成物であって、Ｃｕイオン源とレベリングのための置換ピリジル高分子化合物を含む。 （もっと読む）

金属又はプラスチック部品の大きな領域上に、高研磨で、装飾的な光沢があり、滑らかで且つ平坦な銅被膜を電解で析出するための酸性水溶液は、ａ）少なくとも一種の酸素含有高分子添加剤と、ｂ）少なくとも一種の水溶性硫黄化合物を含み、その中で、水溶液は、付加的に、ｃ）一般式（Ｉ）を有する少なくとも一つの芳香族ハロゲン誘導体を含み、式中で、ハロゲンとなるＲ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５及びＲ_６基の個数は１〜５の範囲であるという条件付きで、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５及びＲ_６は、それぞれ独立して、水素、アルデヒド、アセチル、ヒドロキシ、炭素数１〜４のヒドロキシアルキル、炭素数１〜４のアルキル及びハロゲンからなるグループから選ばれる基である。
【化１】

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本発明の実施形態は、基板表面に、通常はバリヤ層に銅シード層を堆積させる方法を教示している。その方法は、基板表面を銅溶液に入れるステップであって、該銅溶液が錯体形成銅イオンを含んでいる、前記ステップを含んでいる。電流又はバイアスを基板表面に印加し、錯体形成銅イオンを還元してバリヤ層に銅シード層を堆積させる。 （もっと読む）

本発明は印刷回路基板に積層され，各種回路網を形成する銅箔の製造方法に関する。本発明の方法は，銅箔の被接着面の凸部１１または平滑面に銅電着物１２からなる粗面層を形成するため，酸性の電気分解槽おいて，限界電流密度で，陰極とした銅箔を電気分解することを含む。かかる場合において，電気分解槽のメッキ溶液の中に，分子量２０００以上の無機ポリアニオンがさらに添加されることによって，銅箔の被接着面の接触面積が相対的に増加され，銅箔と樹脂基板の接着強度が常に維持されて，電気的特性及び耐酸性が向上し，銅粉の落下を最小にする。 （もっと読む）

（ａ）低濃度の低原子価硫黄化合物または還元されやすい高原子価硫黄化合物を有する高純度スルホン酸と、（ｂ）０価の酸化状態に還元可能な酸化された状態にある金属または金属類と、（ｃ）金属状態に還元不可能な酸化された状態にある金属と、（ｄ）随意に、緩衝剤および／または導電性塩とを含む、高エネルギーで高性能の電気的エネルギー貯蔵装置において使用する水溶液が開示された。 （もっと読む）

【解決手段】 被めっき物を電気めっき槽内に収容した鉛フリーの電気錫合金めっき浴中に浸漬して、該被めっき物を陰極として電気めっきを行うに際し、上記めっき槽内で陽極をカチオン交換膜で形成されたアノードバック又はボックスで隔離して電気めっきを行うことを特徴とする電気錫合金めっき方法、及び、電気錫合金めっき液を収容し、該めっき液に被めっき物を浸漬する電気錫合金めっき槽と、該電気めっき槽内の一部を隔離するカチオン交換膜で形成されたアノードバック又はボックスと、上記アノードバック又はボックス内に設置された陽極とを具備してなることを特徴とする電気錫合金めっき装置を提供する。
【効果】 本発明の電気錫合金めっき方法及び装置は、めっき浴が長期に亘って安定し、効率よくめっきを行うことができる上、陽極として可溶性陽極を使用した場合であっても、金属の置換析出を防ぐことができるものである。 （もっと読む）