【課題】リチウムイオン電池等の電池やキャパシタ、燃料電池の集電体に適した耐熱性、耐電解性等の耐食性に優れた金属多孔体の製造方法を提供すること。
【解決手段】ニッケル多孔体に、少なくともニッケルとタングステンを含む合金を被覆する工程と、その後に熱処理を行ってタングステンを前記ニッケル多孔体中にまで拡散させる工程と、を有することを特徴とする、少なくともニッケルとタングステンからなる金属多孔体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】
高い熱伝導率と半導体素子に近い熱膨張率を兼ね備え、さらには、半導体素子のヒートシンク等として使用するのに好適なように、表面の面粗さ、平面度を改善したアルミニウム−ダイヤモンド系複合体を提供する。
【解決手段】
ダイヤモンド粒子を４０体積％〜７０体積％含有し、残部がアルミニウムを含有する金属で構成され、厚みが０．４〜６ｍｍの板状又は凹凸部を有する板状のアルミニウム−ダイヤモンド系複合材料であって、両主面が厚み０．０５〜０．５ｍｍのアルミニウム−セラミックス系複合体で被覆され、且つ側面部及び穴部がアルミニウム−ダイヤモンド系複合体が露出してなる構造であることを特徴とするアルミニウム−ダイヤモンド系複合体を提供する。 （もっと読む）

【課題】 特定の部分に応力の集中を起こさず、仮に金属層が薄い場合であっても、強度のある金属多孔体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明は、セル膜が除去されセル骨格のみを備える三次元網状構造のウレタンフォームに、チクソトロピー性を有するスラリーを含浸し、そのスラリーを含浸したウレタンフォームを乾燥させることにより、セル骨格表面上に骨格層を形成し、その骨格層を含む三次元網状構造の多孔体にめっきを行うことにより、骨格層表面上に金属層を形成し、ウレタンフォームを熱分解する、三次元網状構造の金属多孔体及びその製造方法に係る。 （もっと読む）

【課題】密着性及び耐湿性を改善したプリント配線板用銅箔、及びプリント配線板を提供する。
【解決手段】プリント配線板用銅箔１は、銅箔材１０の少なくとも基材と接着する面にＣｕ−Ｓｎ−Ｎｉ層２０を形成し、Ｃｕ−Ｓｎ−Ｎｉ層２０上にＣｒ層３０を形成する。Ｃｕ−Ｓｎ−Ｎｉ層及びＣｒ層は、Ｓｎが０〜２５ｗｔ％、Ｎｉが０〜２０ｗｔ％、Ｃｒが０〜１５ｗｔ％である。銅箔面に所望の配線パターンを形成することでプリント配線板が製造される。 （もっと読む）

【課題】経時や昇温により硫化され表面がダメージを受けることのないメッキ構造を提供する。さらには、硫化により変色しにくく、接触抵抗が小さい電気部品用被覆材を得る電気部品用被覆方法を提供する。
【解決手段】メッキ用基体１０２の表面に銀メッキ層１０４を形成し、さらに該銀メッキ層の表面にＳｎ−Ｃｏ合金のメッキ層１０６を形成してなる銀メッキ構造体を熱処理して得られるメッキ構造である。また、基材の面上に形成された銀層の表面に、粒子堆積工程により点析されてなるＳｎ−Ｃｏ合金の点析粒子が前記表面と垂直方向に重なることなく上面視で隙間があるように配置され、前記点析粒子の平均径が２０〜８０ｎｍであり、該銀層の表面の錫合金の点析粒子の単位面積当たり重量が２×１０^−６〜８×１０^−６ｇ／ｃｍ^２である粒子堆積物を、非酸化雰囲気で加熱して前記点析粒子を溶融させて被膜化することを特徴とする被覆方法である。 （もっと読む）

【課題】生産性および工業的な製造適性に優れ、その表面に形成されるパターン状の金属配線間の優れた絶縁信頼性およびその経時安定性に優れた金属パターン材料の製造方法を提供する。
【解決手段】所定の官能基を有するユニットを含む共重合体を含有する樹脂層１２ａを基板１０上に形成する樹脂層形成工程と、該樹脂層１２ａにめっき触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、前記めっき触媒またはその前駆体に対してめっきを行うめっき工程と、前記めっき工程後に、ｐＨが６．５以下であるエッチング液を使用してパターン状の金属膜を形成するパターン形成工程を含む、表面にパターン状の金属膜を備える金属パターン材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電気メッキ法を採用することにより、従来の無電解メッキ法のみにより得られる高分子電解質の表面や内部に形成した金属層(メッキ層)と比較して、表面抵抗の抑制や、高分子電解質に対する密着性の向上、短時間で金属層の膜厚（メッキ厚）の確保、工程数の簡略化、メッキ厚や電極形状を容易に調整でき、更に、異種金属を容易に積層できる高分子電解質複合体の製造方法、及び、前記製造方法により得られる高分子電解質複合体を提供する。
【解決手段】高分子電解質の少なくとも表面より内部に、電気メッキ法により、金属層を形成する工程を含むことを特徴とする高分子電解質複合体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 スポットめっきの課題として、めっき滲みがある。めっき滲みを抑制するには、マスク部の厚みを厚くする、めっき液の流速を低下させるなどの方法があるが、いずれも、めっきヤケの発生、耐食性の低下などの問題があった。これらは、Ａｕめっきの電流密度を下げることで回避可能であるが、生産性が低下するという問題があった。
【解決手段】 部分めっき装置の開口部を、曲線部を含み、曲線部の長さが開口部の全外周部の長さの４割以上となる形状とする。開口部を正方形または長方形から円または楕円に近づけることで、マスク材の厚みを厚くすることなく、生産性を維持し、めっきヤケの不具合がなく、かつめっき滲みが少ない部分めっき方法および部分めっき装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、グラビア印刷機用ドクターブレード、その製造方法及びグラビア印刷機に関する。
【解決手段】本発明によると、金属材質からなるボディと、上記ボディ上に積層され、セラミック粒子を含む摩耗抑制層と、上記摩耗抑制層のチッピングを抑制するように上記摩耗抑制層上に積層され、上記摩耗抑制層より硬度が低い材質からなるチッピング防止層と、を含むグラビア印刷機用ドクターブレードが提供される。 （もっと読む）

【課題】切断時のバリの発生、あるいは、切断面からのダスト発生を招くことなく、形状の制約なしに、基板上に、めっき加工によって高精度の回路パターンを有する回路基板を形成する。
【解決手段】本発明の回路基板の製造方法は、少なくとも表面が絶縁性を呈する、個片状の絶縁性基体を用意する工程と、絶縁性基体表面に下地層を形成する工程と、下地層のうち、回路部と、給電用のパッド領域を残して、回路部の絶縁部となる非回路部の境界領域を選択的に除去し、輪郭を形成する輪郭形成工程と、パッド領域の下地層を給電部としてめっきを行い、めっき層を形成するめっき工程と、表面に露呈する前記下地層を選択的に除去する工程とを含み、前記回路部および前記給電用のパッド領域の端面が、前記絶縁性基体の端面から所定の距離を隔てて形成され、前記回路部及び前記給電用のパッド領域において、前記下地層表面全体が前記めっき層で被覆されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】超硬合金をハイクロム鋳鉄と強固に接合するにはカーケンドール効果によりハイクロム鋳鉄と超硬合金の接合面に分子拡散層を形成するフラックスが必要である。また、回収超硬合金チップをハイクロム鋳鉄に鋳込む場合は銅メッキを施すために真空薄膜などのコーティングを除去しなければならない問題がある。このため超硬合金とハイクロム鋳鉄との複合ライナの製造は困難であり普及していなかった。
【解決手段】フッ化銅浴中のメッキにより真空薄膜の有無に関わらず超硬合金に強固な銅メッキを施こすとともに、銅メッキの上に液体フラックスを塗布するか、銅メッキの上にマンガンメッキもしくはカニゼンメッキもしくはマンガンメッキとカニゼンメッキを施して液体フラックスを塗布してハイクロム鋳鉄と鋳込むことによりハイクロム鋳鉄と超硬合金が完全に接合した耐摩耗ライナの製造を具現化した。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ合金の代わりに使用でき、軽量化が図れると共に、原材料費の低減も図れる電子部品材を提供する。
【解決手段】引張強度を９０〜７００ＭＰａかつビッカース硬度Ｈｖを３０〜２３０にしたＡｌ合金の基材１０の表面に、Ｎｉ、Ｎｉ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｇ、Ａｇ合金、Ｓｎ、Ｓｎ合金、Ｐｄ、Ｐｄ合金、Ａｕ、又はＡｕ合金のいずれか１種又は２種以上で構成される第１のめっき層１３を形成した。Ａｌ合金の基材１０は、例えば、Ｓｉ：１３．０質量％以下、Ｆｅ：１．５質量％以下、Ｃｕ：６．８質量％以下、Ｍｎ：１．５質量％以下、Ｍｇ：５．６質量％以下、Ｃｒ：０．５質量％以下、Ｚｎ：８．４質量％以下、及びＴｉ：０．２質量％以下を含有し、その他不可避的不純物を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの堆積及び平坦化に関し、特に、局所堆積を利用して薄膜をより効果的に堆積させ、更に局所平坦化を可能にする装置及び方法を提供する。
【解決手段】メッキヘッド１１０は、陽極として正に荷電され、メッキメニスカス１１１を介してウェーハＷに電気的に接続される。メッキヘッド１１０は、メッキ化学物質１１８を収容するリザーバの両側に陽極１１２を有する。多孔性アプリケータ１１４は、実質的に垂直な入射角度で、陽極１１２からウェーハＷ表面への電流Ｉの流れを提供する。局所金属メッキは、一定の時点でメッキヘッド１１０の下でのみ発生する。ウェーハＷの表面上での更なる金属メッキを達成するために、メッキヘッド１１０は、ウェーハＷの別の表面領域を移動する。 （もっと読む）

【課題】３価クロムめっき浴を用いてバレルめっき法によってクロムめっき皮膜を形成する際に、良好な外観を有し、且つ耐食性にも優れたクロムめっき皮膜を形成できる新規なめっき方法を提供する。
【解決手段】バレルめっき法によって半光沢ニッケルめっき及び光沢ニッケルめっきを順次行った後、３価クロム化合物を含む３価クロムめっき浴を用いてバレルめっき法によってクロムめっきを行うことを特徴とするクロムめっき方法。 （もっと読む）

【課題】処理対象基板を良好に迅速に基板処理溶液で処理することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、溶液保持容器１３０に収容されている基板処理溶液ＴＬに処理対象基板ＰＢが浸漬される。このような溶液保持容器１３０に溶液供給機構１４１が基板処理溶液ＴＬを上方から下方に落下させて順次供給する。このように上方から下方に落下する基板処理溶液ＴＬを溶液乱流機構１４２が処理対象基板ＰＢの一面の基板処理領域ＴＳに圧送する。このため、処理対象基板ＰＢの一面の基板処理領域ＴＳは基板処理溶液ＴＬが単純に上方から下方へ落下するだけではなく、乱流となって圧送されることになる。 （もっと読む）

【課題】熱放射性を一層向上することが可能な放熱部品及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本放熱部品は、第１の金属からなる基材と、前記基材上に形成された、第２の金属中に炭素材料が分散された複合めっき層である第１めっき層と、前記第１めっき層上に形成された第２めっき層と、を有し、前記第１めっき層は、前記炭素材料の一部が前記第２の金属の表面から突出した複数の突出部を含み、前記第２めっき層は、隣接する前記突出部間を充填せずに、前記突出部の表面及び前記第２の金属の表面を覆うように形成されている。 （もっと読む）

【課題】処理対象基板の一面の基板処理領域のみを簡単かつ迅速に基板処理溶液で処理することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、溶液保持容器１３０に収容されている基板処理溶液ＴＬに処理対象基板ＰＢが浸漬される。このような状態の処理対象基板ＰＢの基板処理領域ＴＳに溶液供給機構が基板処理溶液ＴＬを圧送するとともに吸引する。このため、処理対象基板ＰＢの一面の基板処理領域ＴＳは圧送されるとともに吸引される基板処理溶液ＴＬにより処理されることになる。 （もっと読む）

【課題】 めっき中のセラミック素体の腐食を低減することができるＮｉめっき液を提供すること。
【解決手段】 好適な実施形態のＮｉめっき液は、セラミック電子部品の端子電極を形成するためのＮｉめっき液であって、ｐＨが５．５以上であり、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃａ及びＭｇからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素を含む。 （もっと読む）

【課題】高フィルム密着性に優れた容器用鋼板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】鋼板上に、金属Ｚｒ量１〜１００ｍｇ／ｍ^２、Ｐ量０．１〜５０ｍｇ／ｍ^２、Ｆ量０．１ｍｇ／ｍ^２以下である化成皮膜を有し、当該化成皮膜上に、Ｃ量０．１〜５０ｍｇ／ｍ^２であるフェノール樹脂層を有する容器用鋼板。 （もっと読む）

【課題】高フィルム密着性に優れた容器用鋼板を得ることができる容器用鋼板の製造方法を提供する。
【解決手段】鋼板上に、金属Ｚｒ量１〜１００ｍｇ／ｍ^２、Ｆ量０．１ｍｇ／ｍ^２以下である化成皮膜を有する容器用鋼板の製造方法であって、Ｚｒイオン、Ｆイオンを含む処理液中での浸漬処理または当該処理液を用いた電解処理により前記鋼板上に前記化成皮膜を形成し、次いで、前記化成皮膜が形成された前記鋼板を、温度８０℃以上の水で洗浄して乾燥を行う、容器用鋼板の製造方法。 （もっと読む）