【課題】表面により高いシート抵抗をもつ基板に対しても、基板の全表面により均一な膜厚のめっき膜を形成できるようにする。
【解決手段】基板Ｗの表面の周縁部に当接して該周縁部をシールするシール材９０と、基板Ｗの表面に形成した導電層に接触して通電させるカソード接点８８と、ハウジング９４の内部にアノード９８を収納し開口端部に多孔質体１１０を配置してめっき液室１００を区画形成した電極ヘッド２８と、基板Ｗと多孔質体１１０との間にめっき液を満たしたまま、電極ヘッド２８を第１めっき位置から該第１めっき位置よりも基板Ｗと多孔質体１１０との距離が離れた第２めっき位置に移動させて停止させる駆動機構１３６と、基板Ｗの外周部に対向する位置に該基板Ｗと離間して配置され、基板Ｗと多孔質体１１０との間に満たしためっき液に浸漬される補助カソード部１２４を有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁体によるシリコンウエハの挟持力が大きくても、シリコンウエハが破損する虞のない電気めっき用陰極カートリッジを提供する。
【解決手段】一対の絶縁体２,３でシリコンウエハＷを挟持してめっき液に浸し、シリコンウエハＷの絶縁体開口４から露出する部分にめっきを形成する電気めっき用陰極カートリッジ１において、絶縁体３の合わせ面に絶縁体開口４を取り囲むようにしてリング状の凹部５を形成するとともに、凹部５内にリング部材６をその内外周にシール部材７を隣接させて収容配置し、リング部材６にピン部材１０を周方向に等間隔で複数個植設してある。ピン部材１０は、リング部材６の孔３４,３５に挿入されるハウジングと、ハウジングから先端を突出させてハウジング内に移動自在に収容されたピン本体と、ハウジング内に収容されてピン本体を付勢するスプリングとを備えている。 （もっと読む）

本発明は、インライン設備における、セグメントの形態の平面状の製品１の電気的な接触に関する。この電気的接触は、上側の接触面９を乾燥状態に保持しかつ処理側の面１０を処理液１１に浸漬しながら、外部電流を印加することによって、製品の処理側の面１０に対して電解的処理および／または湿式化学処理を行うためのものである。上側および下側の輸送および／または接触手段を有する既知の輸送装置を用いることによって、処理液１１が、下側の手段から上側の手段に転移され、その結果、製品の上面が、多くの場合許容し得ない程に濡らされ、上側の接触子が電気めっきされる。従って、連続的な脱金属化が必要になり、多大の労力が要求される。本発明によれば、上側の接触子６の領域において液位が下げられる。従って、製品が接触子６の領域内に存在しない時にも、上側の接触子が濡らされることはあり得ない。これは、各接触子６に割り当てられる下降管５によって実現される。緊張解除された状態においても、接触子が処理液に触れることは全くないので、製品の上面は乾燥状態のままであり、接触子を脱金属化する必要はない。
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【課題】フィルムの搬送速度を上げても、フィルムの汚れを低減させることができるフィルム支持装置及びめっき被膜付きフィルムの製造装置を提供する。
【解決手段】めっき槽６０Ａと洗浄槽７０Ａとの間に感光ウエブ１８を空中搬送させる支持装置２００Ａが配置されている。支持装置２００Ａには、感光ウエブ１８の導電面１８Ａに接触する導電面支持ローラ２０２、２０４と、これらの間に感光ウエブ１８の裏面１８Ｂに接触する裏面支持ローラ２０６とが設けられている。導電面支持ローラ２０２、２０４と裏面支持ローラ２０６には、それぞれ洗浄装置２１０、２１２、２１４が配設されており、導電面支持ローラ２０２、２０４と裏面支持ローラ２０６の下部が洗浄液２１７に浸漬される洗浄液受け槽２１８、２２０、２２２と、洗浄液２１７の水面を一定に保つオーバーフロー堰２２６、２２８、２３０とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】膜欠陥の発生を抑制することができるめっき装置、めっき方法、および電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】軸方向の一端に開口１０を有するめっき槽２と、めっき槽２の開口１０側に設けられ、被処理物Ｗを保持する保持手段４と、保持手段４と対向してめっき槽２内に設けられたアノード電極３と、めっき槽２内を、めっき液が貯められるとともに保持手段４により被処理物Ｗが保持される第１の領域１２ａと、第１の領域１２ａの周囲に同軸状に設けられ液体が貯められる第２の領域１２ｂと、に分離する分離体１２と、第２の領域１２ｂに貯められた液体と、前記分離体１２と、を介して第１の領域１２ａ内のめっき液に超音波振動を加える超音波振動手段９と、を備えたことを特徴とするめっき装置，該めっき装置を用いるめっき方法及び電子デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、裏廻りの発生を効果的に抑えることのできる電解処理装置の提供。
【解決手段】電解液が貯留され、内部をアルミニウムウェブＷが搬送される電解槽１と、アルミニウムウェブＷの電解槽１中における搬送経路Ｐに沿って搬送経路Ｐの上方に配設され、直流または交流が印加される電極２と、搬送経路Ｐの下方に位置するように、電解槽１の内部における電極２の下方に配設された絶縁シート３と、絶縁シート３の下方に設けられ、絶縁シート３に向かって電解液を噴上げる噴上げノズル７と、を備える電解処理装置。 （もっと読む）

【課題】電気絶縁板と帯状体との間隔を狭めても帯状体の傷付きや搬送不良が生じることのない電解処理装置および電解処理方法を提供する。
【解決手段】電解液が貯留され、内部をアルミニウムウェブＷが搬送される電解槽１と、アルミニウムウェブＷの電解槽１中における搬送経路ａに沿って搬送経路ａの上方に配設され、直流または交流が印加される電極２と、電解液よりも比重が小さく、搬送経路ａに沿って搬送経路ａの下方に浮遊した状態で配設された絶縁板３と、を備える電解処理装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、裏周り量を減少させるために電気絶縁板と帯状体との間隔を狭めても帯状体の傷付きや搬送不良が生じることのない電解処理装置および電解処理方法を提供する。
【解決手段】電解液が貯留され、内部をアルミニウムウェブＷが搬送される電解槽１と、アルミニウムウェブＷの搬送経路Ｐに沿って配設され、直流または交流が印加される電極２と、搬送経路ＰにおけるアルミニウムウェブＷの両側縁部近傍に対応する部分において、搬送経路Ｐを挟んで電極２と相対するように配設されているとともに、搬送経路Ｐに相対する側の表面がアルミニウムウェブＷの表面よりも高い硬度を有し、前記表面における内側の側縁部に搬送経路Ｐの中央部に向かって薄くなる方向の勾配が形成された絶縁板３と、を備えることを特徴とする電解処理装置である。 （もっと読む）

【課題】貫通孔を有するシリコンウエハの貫通孔にオーバーハング形状や内部ボイドがなくめっきを充填する方法を提供すること。
【解決手段】シリコンウエハ内の貫通孔開口部と同位置に開口部を有するプレートを一定の距離をおいてシリコンウエハの貫通孔開口部にプレート開口部を合わせて、めっき電極側に向けて配置してめっきを行う。プレート開口径は貫通孔開口径より少し小さくする。プレート開口径と貫通孔開口径Ｒの差を２ｘとしたとき、ｘ／Ｒを0.1〜0.3、シリコンウエハとプレートの距離を0.05ｍｍ〜1.0ｍｍとしたときに、前記課題を実現できる。プレートは、多孔質セラミックのような絶縁体でかつ多孔質材料が望ましく、シリコンウエハ表面のめっき成長も抑制できる。 （もっと読む）

【課題】めっき処理した半導体基板のめっき膜の形成ばらつきを抑えることができる半導体装置の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】めっき処理槽１内に設置されたアノード電極設置槽２に設けられたフィルタ（Ｃ）８の表面に滞在する気泡を、フィルタ（Ｃ）８を振動させることによって離脱させ、電界めっき膜の形成に大きく影響を及ぼす電界の変化を抑制する。 （もっと読む）

【課題】外部応力が加わった場合でもウイスカが発生しにくいめっき層を安定して形成することが可能であり、半田付け性に優れる、Ｐｂを含まないＳｎめっき銅基板を提供する。
【解決手段】本発明のＳｎめっき銅基板１は、純銅板、銅合金板、又は銅めっきされた金属板のいずれかの金属基板２上に、中間Ｓｎめっき層３ＩＬとＣｕめっき層４とを、この順に積層してなるめっき膜層５を１．５μｍ以上の層厚で少なくとも１膜層以上備えるとともに、このめっき膜層５上に、０．２〜１．５μｍの層厚の最外Ｓｎめっき層３ＯＬをめっき膜層５との総厚が３μｍ以上で備え、少なくとも中間Ｓｎめっき層３ＩＬ及び最外Ｓｎめっき層３ＯＬの粒界３ｇ及び粒内３ｃのいずれかに、Ｃｕめっき層４及び金属基板２の少なくとも一方に由来するＣｕを拡散させてなるＳｎ−Ｃｕ合金相６を有する。 （もっと読む）

【課題】多重巻鋼管を製造する過程で、ロウ付けに必要な銅を過不足なく供給することができ、鋼管の表面に銅の再凝固が生じず、また、鋼管シーム部に良好なフィレットが形成されるようにする。
【解決手段】鋼板は、銅めっきの膜厚をｔ1とする一方の面と、銅めっきの膜厚をｔ2とする他方の面とを有し、前記一方の面の銅めっきの膜厚（ｔ2）よりも前記他方の面の銅めっきの膜厚（ｔ1）の方を薄くし、かつ、前記一方の面が多重巻鋼管の外側面になるように管状に成形する。 （もっと読む）

【課題】マスキング層の粘着剤が劣化して剥離したり、マスキング層の剥離に支障を来たしたり、粘着剤が残存するおそれを排除できる半導体ウェーハ用治具及び半導体ウェーハのメッキ方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハを平滑処理してその平滑なマスキング面に半導体ウェーハ用治具１０のマスキング層１２を密着し、マスキング層１２が密着された半導体ウェーハ１に前処理を加えた後にメッキ処理を施し、その後、メッキした半導体ウェーハをマスキング層１２が密着したままの状態で搬送、貯蔵、あるいはピックアップする。マスキング層１２をオレフィン系のエラストマーとし、エラストマーの半導体ウェーハのマスキング面に対する貼り付け面１３を鏡面処理する。エラストマー製のマスキング層１２を使用するので、体積変化が生じない限り、半導体ウェーハのマスキング面をマスキング層１２の密着により保護できる。 （もっと読む）

【課題】ビア導通めっき作業時にバイポーラ現象の発生を防ぐことができ、信頼性の高い健全なビア導通めっきを施すことができるＴＡＢテープの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁フィルムの両面に配線層を形成し、一方の配線層から他方の配線層に向けてビア穴を形成したフィルムテープ２の他方の配線層の表面にマスキングテープ６を施し、この状態でめっき槽３を通し、一方の配線層とビア穴内部とにビア導通めっきを施すＴＡＢテープの製造方法において、一方の配線層にめっき側給電ロール９を接触させて通電するとともに、マスキングテープ６を施す前の他方の配線層に非めっき側給電ロール１０を接触させて通電しつつ、フィルムテープ２をめっき槽３に通してビア導通めっきを施す方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体等の被処理基板にメッキを施すメッキ装置において、被処理基板の円形被処理領域全域を簡単な機構で隈なく攪拌する装置を提供する。
【解決手段】上部に開口を有するメッキ槽１とメッキ槽内に配置されたアノード５とアノード５と被処理基板２３の間に液流を形成するポンプ２を備え、さらに直線ガイド１３、１３１とこれに沿って往復運動する直動板１２と直動板１２に固定された弾性を有する攪拌板１５と攪拌板１５の両端を、転がり軸受１６を介してガイドする円弧状ガイドによって構成された攪拌ユニットを備え、円形開口を有する被処理基板マスク部材１８の開口に配置された被処理基板２３の被処理領域を、攪拌板１５を左右に弓形に撓ませながら往復運動させることにより攪拌するようにした。 （もっと読む）

【課題】フレキシブルプリント配線板等における回路配線の微細化に対応可能な、キャリア箔の安定した剥離性と回路配線の優れた画像認識性を併せ持ったキャリア箔付き銅箔を提供する。
【解決手段】フレキシブルプリント配線板等における回路配線の微細化に対応可能な本発明のキャリア箔付き銅箔は、キャリア箔の片面または両面に直接接触する回路形成用銅箔として所定の銅合金めっき層を備え、かつ前記回路形成用銅箔が基材と接着する面の色調を、Ｌ^＊ａ^＊ｂ^＊表色系において、Ｌ^＊≦40、−10≦ａ^＊≦10、−10≦ｂ^＊≦10とする。 （もっと読む）

合金製の建設材料を機能性金属でコーティングする方法。機能性金属を、導電性建設材料の表面に選択的に電解析出して、析出が建設材料の粒界および他の不連続点で発生する。また、本発明は、機能性金属で選択的にコーティングされた建設材料製品にも関するものである。
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【課題】 半導体ウェハ外周部近傍にめっき膜を形成せず、かつ、パーティクルやシール不良などの不具合の発生を防止することができる半導体装置の製造方法を実現する。
【解決手段】 ＳＯＩ基板１０の素子形成基板１０ａの表面に、フォトレジストにより、素子形成領域１０ｆを囲む遮断部材１３を突出形成する。これにより、めっき液Ｌの素子形成基板１０ａの面方向への移動を遮断し、遮断部材１３に囲まれた領域にのみめっき液Ｌを接触させて電気めっきを行うことができるため、素子形成領域１０ｆにのみＣｕめっき膜Ｍを形成することができる。遮断部材１３は、素子形成基板１０ａ上に形成されているため、めっき装置２０からＳＯＩ基板１０を取り外すときに、遮断部材１３に付着したＣｕめっき膜Ｍがめっき槽２１に落下するおそれがない。 （もっと読む）

【課題】端子嵌合部５とはんだ付け部６を有する嵌合型コネクタ用端子において、端子嵌合部５において低摩擦係数を実現し、はんだ付け部６のはんだ付け性を改善する。
【解決手段】表面粗さの大きい銅合金板条に打抜き加工を施して端子素材を形成した後、銅合金板条全体に後めっきとしてＮｉめっき、Ｃｕめっき及びＳｎめっきを行う。Ｓｎめっき層ははんだ付け部６で厚く、端子嵌合部５で薄く形成する。続いてリフロー処理して、Ｃｕめっき層とＳｎめっき層からＣｕ−Ｓｎ合金層１２を形成し、かつ平滑化したＳｎ層１３を得る。これにより端子嵌合部５では硬いＣｕ−Ｓｎ合金層１２が一部露出して摩擦係数が低下する。はんだ付け部ではＣｕ−Ｓｎ合金層１２が露出することなく、Ｓｎ層１３が全面を被覆してはんだ付け性が改善される。 （もっと読む）

【解決手段】図（ｃ）に示すように、パレット１２に載ったままの円筒部材１１に、めっき液噴射管１７を上から挿入し、このめっき液噴射管１７から噴射しためっき液で円筒部材１１の内部をめっき処理する。用済みのめっき液は、下部排液路１５を介して下へ排出すると共に、上部排液路１８を介して上へ排出する。
【効果】めっき処理中に噴射後のめっき液は上と下とに排出される。この結果、円筒部材１１の上部と下部のめっき膜厚は、同一になる。また、めっき処理後は、下部開口閉塞部材１４の上面からめっき液を抜くため、排出中のめっき液がパレット１２やシリンダブロックのスカート２２に付着する心配が無く、めっき液の無駄使いを防止することができる。 （もっと読む）