【課題】ミクロンオーダー面積のバンプを電気めっき法により安定して形成する金属構造体の形成方法を提供する。
【解決手段】基板１の表面に、それぞれの面積がミクロンオーダーの複数の開口部３Ａを有し、全ての開口部３Ａの合計面積が基板１の面積の０．０１％以下の、めっきマクス膜３を形成するマスク膜形成ステップと、基板１の外周部に、開口部３Ａの合計面積の３０００倍以上の面積を有する外部電極６を形成する外部電極形成ステップと、基板１の開口部３Ａおよび外部電極６を陰極として電気めっき法によりバンプを成膜する電気めっきステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電子部品に用いられる錫または錫合金めっき皮膜に対し、簡便な方法で錫または錫合金めっき皮膜表面のウィスカを低減することができ、かつ良好な錫または錫合金めっき皮膜をもたらし得る、錫または錫合金めっき皮膜表面処理水溶液を提供することを目的とする。
【解決手段】分子内にカルボン酸基を少なくとも１個有する有機化合物を含有し、ｐＨが２．５以下である、錫または錫合金めっき皮膜の表面を処理するための錫または錫合金めっき皮膜表面処理水溶液を提供する。前記分子内にカルボン酸基を少なくとも１個有する有機化合物は、分子内にカルボン酸基を２個以上有し、かつ分子内に窒素原子を有しない有機化合物であることが好ましく、該有機化合物は、リンゴ酸、マレイン酸、クエン酸であることが好ましい。また、かかる表面処理水溶液は、さらに窒素系化合物を含有することが好ましい。 （もっと読む）

先の出願に記載された２以上の電極を備える電気化学析出装置にて用いられる方法が開示される。この方法によれば、０．０２〜０．８Ｓ／ｃｍの範囲の伝導度の硫酸銅ベースの電解液にて、５０〜９００Åの厚さの抵抗銅シード層を有する半導体ウエハに、ＷＦＮＵが２．５％より小さい値で均一な銅フィルムが形成される。
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【課題】本発明は、加工精度の高い凸状部を低コストで形成することができる電解加工装置、電解加工方法、および構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】電源と、電解加工液を収納する電解槽と、前記電解槽の内部に設けられ、被加工物を載置する載置台と、軸方向の一方の端面を前記載置台に対向させて設けられた電解部と、前記電解部と前記載置台との少なくともいずれかを移動させる移動手段と、を備え、前記電解部の前記軸方向と略直交する方向の面上には、絶縁性を有する絶縁部が設けられていること、を特徴とする電解加工装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】銅箔の光沢面とレジストとの密着性が優れ、また同光沢面で樹脂基板と密着させた場合の接着力を向上させることにより、ロープロファイル化されたプリント配線基板用銅箔を低コストで提供する。
【解決手段】電解銅箔１の光沢面４に、電解研磨によって形成された不規則かつ不定長の脈状起伏を備えていることを特徴とする電解銅箔。電解液として硫酸・硫酸銅浴を用い、電解銅箔の光沢面に電解研磨処理を行うことを特徴とする電解銅箔光沢面の電解研磨方法。電解銅箔の粗面側２にアノード３を配置し光沢面側にカソード５を配置して、電解処理を行うことにより、銅箔粗面に平滑めっき処理を行うとともに、銅箔光沢面に逆電解研磨処理を行うことを特徴とする電解銅箔光沢面の電解研磨方法。 （もっと読む）

【課題】銅箔の光沢面とレジストとの密着性が優れ、また同光沢面で樹脂基板と密着させた場合の接着力を向上させることにより、ロープロファイル化されたプリント配線基板用銅箔を低コストで提供する。
【解決手段】電解銅箔１の光沢面４に、電解研磨によって形成された不規則かつ不定長の脈状起伏を備えていることを特徴とする電解銅箔１。電解液として硫酸・硫酸銅浴を用い、電解銅箔１の光沢面４に電解研磨処理を行うことを特徴とする電解銅箔１光沢面４の電解研磨方法。電解銅箔１の粗面側２にアノード３を配置し光沢面４側にカソード５を配置して、電解処理を行うことにより、銅箔粗面２に平滑めっき処理を行うとともに、銅箔光沢面４に逆電解研磨処理を行うことを特徴とする電解銅箔１光沢面４の電解研磨方法。 （もっと読む）

【課題】微細且つ複雑な形状に加工されたフープ部材の所望の位置に高精度にメッキ膜を形成する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】連続して送り出されるフープ状の導電性基材の表面に自己組織化膜を形成する自己組織化膜形成工程と、連続して送り出されるフープ状の導電性基材表面の前記自己組織化膜の所望の部分を除去する膜除去工程と、連続して送り出されるフープ状の導電性基材表面の前記自己組織化膜が除去された部分に電気メッキにより導電膜を形成するする電気メッキ工程とを備えるフープ部材への部分メッキ膜の形成方法を用いる。 （もっと読む）

【課題】 鋳型のパターン形状が精密に転写されており、かつ、導体層と樹脂層との密着性に優れた回路配線基板を効率良く製造する。
【解決手段】 凹凸パターンを有する鋳型に、金属イオン含有ポリアミド酸溶液を塗布し、乾燥させてポリアミド酸層を形成した後、これを鋳型から剥離して凹凸面を有するポリアミド酸フィルムとする。このポリアミド酸フィルム中の金属イオンを還元して凹凸面の表面に金属析出層を形成させる。この金属析出層の上に、無電解めっきおよび／又は電気めっきを施して導体層を形成した後、ポリアミド酸フィルムが部分的に露出するまで導体層および金属析出層を削り、パターン化導体層を形成する。ポリアミド酸フィルムのポリアミド酸は熱処理によってイミド化してポリイミド樹脂層とする。 （もっと読む）

【課題】被めっき面が略鉛直面となる懸垂めっき法に代表されるめっき方法を使用して金属被覆樹脂基板を製造するに際して、樹脂基板エッジ部に発生する黒ずみを生じないめっき装置、めっき方法及び金属被覆樹脂基板を提供する。
【解決手段】被めっき面としての下地金属層を表面に備える樹脂基板を、前記被めっき面が略鉛直面となる電気めっき法を用いて前記被めっき面に金属層を設ける金属被覆樹脂基板の製造方法において、前記被めっき面と、前記被めっき面と対向する側に設置される電極との間に遮蔽板を配置しためっき装置により前記被めっき面に金属層を設けることを特徴とする金属被覆樹脂基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 直接金属化プロセスにおいて、基板の表面に炭素分散物の被覆を設ける改良された方法であって、前記基板が導電部と非導電部とを含む。前記方法が、炭素分散物を基板に接触させて前記基板を炭素を含有する前記分散物で被覆する工程と、前記基板のほぼ平らな面の少なくとも一部に亘って非吸収性ローラーを移動させて、前記基板のほぼ平らな面から過剰な炭素分散物を除去する工程、及び前記基板を真空吸引チャンバに通して前記基板の表面に残る過剰な炭素分散物を除去する工程の少なくとも１つの工程とを含む。前記方法は、マイクロエッチングに対する要求を最小限にするためにより清浄な銅の表面を提供し、また、炭素分散物が基板の表面に不要に再付着するのを防ぐ。
【解決手段】 （もっと読む）

【課題】フレキシブルプリント配線板用、特にファインピッチ化されたフレキシブルプリント配線板用として好適な、寸法安定性に優れた金属化ポリイミドフィルムとその製造方法を提供する。
【解決手段】ポリイミドフィルムの表面に、蒸着法又はスパッタ法で下地金属層を形成する工程（１）、及び得られたポリイミドフィルムの下地金属層上に、電気めっき法又は無電解めっき法、若しくはその両者を組み合わせた方法で銅層を形成する工程（２）を含む金属化ポリイミドフィルムの製造方法において、
前記ポリイミドフィルムは、酸素透過度が３００〜６００ｃｍ^３／（ｍ^２・２４ｈ・ａｔｍ）であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】配線板の製造工程における熱履歴、特にポリイミドフィルムと接着する際にかかる熱履歴と同程度の熱履歴が施された後に、圧延銅箔と同等またはそれ以上の柔軟性と屈曲性を発現する電解銅皮膜を提供すること。
【解決手段】電解析出で製造した電解銅皮膜において、式１に示すＬＭＰ値が９０００以上となる加熱処理を施すと、加熱処理後の結晶粒の最大長さが１０μｍ以上となる結晶粒子が７０％以上存在する結晶分布となる電解銅皮膜とその製造方法。
式１：ＬＭＰ＝（Ｔ＋２７３）＊（２０＋Ｌｏｇｔ）
ここで、２０は銅の材料定数、Ｔは温度（℃）、ｔは時間（hr）である。 （もっと読む）

【課題】 吸湿性が低く、優れた耐熱性を有する液晶ポリマーフィルムとラミネートして
、ピール強度が大きく、ファインパターン化が可能な基板用複合材とすることのできる表
面処理銅箔を提供すること。
【解決手段】 本発明は、銅箔に粗化粒子を付着して粗化面とした銅箔であって、その表
面粗さＲｚが１．５〜４．０μｍであり、明度値が３０以下である粗化処理面である表面
処理銅箔である。粗化粒子から形成される突起物は、その高さが１μｍ〜５μｍであり、
観察断面２５μｍの範囲に６〜３５個の個数で略均等に分布しているものが好ましい。ま
た、各突起物の最大幅が０．０１μｍ以上であり、２５μｍ範囲に存在する突起物の個数
で２５μｍを割った長さの２倍以下であるものが好ましい。 （もっと読む）

【課題】表面により高いシート抵抗をもつ基板に対しても、基板の全表面により均一な膜厚のめっき膜を形成できるようにする。
【解決手段】基板Ｗの表面の周縁部に当接して該周縁部をシールするシール材９０と、基板Ｗの表面に形成した導電層に接触して通電させるカソード接点８８と、ハウジング９４の内部にアノード９８を収納し開口端部に多孔質体１１０を配置してめっき液室１００を区画形成した電極ヘッド２８と、基板Ｗと多孔質体１１０との間にめっき液を満たしたまま、電極ヘッド２８を第１めっき位置から該第１めっき位置よりも基板Ｗと多孔質体１１０との距離が離れた第２めっき位置に移動させて停止させる駆動機構１３６と、基板Ｗの外周部に対向する位置に該基板Ｗと離間して配置され、基板Ｗと多孔質体１１０との間に満たしためっき液に浸漬される補助カソード部１２４を有する。 （もっと読む）

【課題】触媒に含まれる貴重な貴金属の省資源化ができると共に、基体を粗面化しないでも密着性に優れる精密な３次元的な導電性回路を形成する。
【解決手段】第１の基体１の表面にＯＨ基１ａを生成した後にチオール反応性アルコキシシラン化合物からなる機能性分子接着剤２を塗布して加熱乾燥する。アルコール洗浄によって未反応の機能性分子接着剤２を除去後に、ポリグリコール酸からなる被覆材３を部分的に被覆して第２の基体４を形成する。第２の基体４の表面に触媒５を付与後に、被覆材３の表面に残存する触媒を水洗除去する。被覆材３で被覆されていない部分に、浴組成が酸性または中性のいずれかの無電解めっきＡを行なった後で被覆材をアルカリ水溶液で除去する。機能性分子接着剤２が第１の基体１の表面のＯＨ基と化学結合してチオール基を生成し、このチオール基が触媒５を介して無電解めっきＡと強固に化学結合する。 （もっと読む）

【課題】小径でアスペクト比の大きいビアホールであっても、ボイドの発生しない緻密な導電体を形成可能な電気めっき装置を提供する。
【解決手段】めっき液７を蓄えためっき槽８と、このめっき槽８中に浸漬され、主表面に被めっき体１を固定するとともに前記被めっき体１に形成した配線２と電気的に接続する給電リング１８を備えたカソード電極９と、このカソード電極９と対向して設けられ、めっき液７に通電するためのアノード電極１２と、貫通孔１７を有し前記アノード電極１２およびカソード電極９間に設けられた電流遮蔽板１１と、めっき槽８からの余剰なめっき液７を蓄えるためのリザーブ槽１５と、このリザーブ槽１５のめっき液７を底部から供給することで、めっき槽８中のめっき液７を対流させる対流ノズル１３を備えた電気めっき装置６であって、電流遮蔽板１１とカソード電極９間に、対流させためっき液７をさらに撹拌させる撹拌手段１０を設けた。 （もっと読む）

【課題】セラミック基板上に金属パターンをメッキする際にセラミック基板に生じ得る化学的な被害を最小化する方法を提供する。
【解決手段】基板１０１上にシード層１０２を形成する段階と、上記シード層１０２上に熱可塑性樹脂からなりオープン領域を備えるパターン層１０３を形成する段階と、上記オープン領域を通して上記シード層１０２上にメッキ層１０４を形成する段階と、上記パターン層１０３に熱を加えて上記パターン層１０３を除去する段階とを含むメッキ層の形成方法。十分なメッキ厚さを確保しながらメッキ過程で基板、特に、セラミック基板に生じ得る化学的な被害を最少化することが出来る。 （もっと読む）

【課題】微細配線の形成に適した支持体付銅箔を提供する。
【解決手段】支持体となる金属箔と剥離層と極薄銅箔層とからなり、極薄銅箔層の露出面に高さ０．５μｍ以上の突起が１０個/ｃｍ^２以下であることを特徴とする支持体付銅箔である。
また、支持体となる金属箔と剥離層と極薄銅箔層とからなり、極薄銅箔層の露出面の表面粗さがＲｚで０．１〜１．０μｍ、光沢度が４００〜７００であることを特徴とする前期の支持体付銅箔であり、極薄銅箔層の厚さは０．１〜５μｍ、剥離層はモリブデンまたはタングステンを含有する。
この支持体付銅箔は、支持体となる金属箔上に、モリブデンまたはタングステンを含有する金属酸化物からなる剥離層を形成し、剥離層上に極薄銅層を光沢銅めっきにより形成することにより製造することができる。 （もっと読む）

【課題】遮蔽板による電流遮蔽構造を簡易に調整・変更でき、めっき厚の均一化が図れる電解めっき装置及び電解めっき方法を提供する。
【解決手段】めっき液（１３）が充填されるめっき処理槽（１２）内に少なくとも一個以上のアノード（１４）が垂直に設けられ、電解めっき処理される導体部（１５）を有するテープ状製品（３）が、その面を垂直にして前記アノード（１４）に対向しつつ前記アノード（１４）に沿って搬送され、前記アノード（１４）と前記テープ状製品（３）との間に、開口を有する絶縁性の遮蔽板（２０）を設けた電解めっき装置において、前記遮蔽板（２０）は、主遮蔽板（１８）と、当該主遮蔽板（１８）の開口（１８ａ）を調整する従遮蔽板（１９）とを重ね合わせて構成されている。 （もっと読む）

【課題】高密度化されたプリント基板等のシート状製品に対しても、その搬送時に適切な案内が可能であって、かつ、不均一なメッキの発生を抑制できる製品ガイド装置を備えたメッキ処理装置を提供する。
【解決手段】メッキが施される被処理物Ｗを垂直状態に保持しながらメッキ処理用タンク内を搬送するメッキ処理装置において、被処理物Ｗの搬送時に、被処理物Ｗを所定方向に案内する製品ガイド機構を設け、この製品ガイド機構は、メッキ処理用タンク内のメッキ液２０の液面上のフロート１２に接続され、液面の変化に追随して揺動する。製品ガイド機構をランダムに揺動させることで、被処理物Ｗの特定部位への電流を遮断しないようにして不均一なメッキ層が形成されるのを解消する。 （もっと読む）