【課題】基板の所定位置に高い位置精度で処理液を供給し、当該基板を適切に処理する。
【解決手段】ウェハＷのアライメント領域１３上に純水Ｐを供給する（図９（ａ））。テンプレート２０をウェハＷの上方に配置する（図９（ｂ））。純水ＰによってウェハＷの処理領域１２の上方にテンプレート２０のめっき液流通路３０が位置するように、テンプレート２０とウェハＷを位置調整する（図９（ｃ））。テンプレート２０を下方に移動させる（図９（ｄ））。めっき液流通路３０にめっき液Ｍを供給する（図９（ｅ））。テンプレート２０の第１の親水領域４１と処理領域１２との間にめっき液Ｍを充填する（図９（ｆ））。めっき処理を行い、ウェハＷの貫通電極１０上にバンプ１１０を形成する（図９（ｇ））。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの堆積及び平坦化に関し、特に、局所堆積を利用して薄膜をより効果的に堆積させ、更に局所平坦化を可能にする装置及び方法を提供する。
【解決手段】メッキヘッド１１０は、陽極として正に荷電され、メッキメニスカス１１１を介してウェーハＷに電気的に接続される。メッキヘッド１１０は、メッキ化学物質１１８を収容するリザーバの両側に陽極１１２を有する。多孔性アプリケータ１１４は、実質的に垂直な入射角度で、陽極１１２からウェーハＷ表面への電流Ｉの流れを提供する。局所金属メッキは、一定の時点でメッキヘッド１１０の下でのみ発生する。ウェーハＷの表面上での更なる金属メッキを達成するために、メッキヘッド１１０は、ウェーハＷの別の表面領域を移動する。 （もっと読む）

【課題】めっき液中の浮遊物が鋼板と通電ロールの間に挟み込まれ、浮遊物を起点として電流の放電が起こり、アークスポットが発生するのを防止できる電気めっきラインにおける通電ロールの交換要否の判定方法を提供する。
【解決手段】電気めっきラインにおいて、めっき液中に存在する浮遊物の粒径を測定して、浮遊物の平均粒径Ｄ（μｍ）及び浮遊物の粒径分布における標準偏差σ（μｍ）を求めておき、通電ロールの表面粗度を調査して最大高さＲｙ（μｍ）及び十点平均粗さＲｚ（μｍ）を求め、求めた最大高さＲｙ（μｍ）及び十点平均粗さＲｚ（μｍ）が、下記式（１）及び式（２）を満足するときは通電ロールの交換が不要であると判定し、下記式（１）及び式（２）の少なくとも一方を満足しないときは通電ロールの交換が必要であると判定する。Ｒｙ≧３×（Ｄ＋３σ）…（１）、Ｒｚ／Ｒｙ＞０．６…（２） （もっと読む）

【課題】経験則、試行錯誤による判断に伴う不具合箇所（不良発生めっきセル）の特定に替えて、電気めっきの際の実際の電流波形から、外観不良を判別することにより、かかる外観不良が発生しているめっきセルを迅速に特定することができる外観不良判別方法を提供する。
【解決手段】各めっきセル毎の通電電流の変化を、めっき整流器により測定し、該通電電流の波形変化により、めっき外観不良の発生箇所を特定する。 （もっと読む）

【課題】急冷処理過程に発生するクエンチステインを防止し、クエンチステインの発生をより減少させる電気めっき鋼板設備のクエンチタンクの温度制御方法を提供することを目的とする。
【解決手段】連続的に搬送される錫めっき鋼板１１を電力によって錫の融点以上に所定時間加熱する工程と、加熱された錫めっき鋼板１１を、調整バルブ３３を介して流量制御される冷却水と熱交換器３２で熱交換されて温度制御されているクエンチタンク１２を通過させて急冷する工程とを有する電気めっき鋼板設備のクエンチタンクの温度制御方法において、錫めっき鋼板１１によって搬入される熱量に対する、クエンチタンク１２の温度が定常的に適正温度になる調整バルブ３３の予測弁開度を予め求めておき、錫めっき鋼板１１の通板条件が変わった場合には、直ちに錫めっき鋼板１１が搬入される熱量に応じて、調整バルブ３３の弁開度を、予測弁開度とする。 （もっと読む）

【課題】基板の所定の位置に高い位置精度で膜を形成する。
【解決手段】電極形成用テンプレート１１２の表面１１２ａには、ウェハＷの貫通孔に対応する位置に開口部１１５が複数形成されている。電極形成用テンプレート１１２は、開口部１１５に連通する膜形成用液の流通路１１６を備えている。この電極形成用テンプレート１１２とウェハＷを密着させた後、この状態のまま、めっき液供給口１１７から流通路１１６を介して開口部１１５からウェハＷの貫通孔に対してめっき液を供給することで、ウェハＷの貫通孔に電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】工数を抑え且つ色調の良い再鍍金処理を可能とする。
【解決手段】酸洗処理部４、基準電流密度Ａ０で通電を行う複数段の電気鍍金処理槽６を備えた電気鍍金部５、及びロールコーター７を備えるコーティング処理部の順に配置された連続処理ラインに通板することで、鋼板１２に対し電気鍍金及びコーティングを連続して施す電気鍍金処理設備を使用する。そして、上記連続処理ラインで再鍍金処理を行う際に、一部の電気鍍金処理槽６ａ、６ｂだけを使用し、その電気鍍金処理槽６ａ、６ｂでの電流密度を、上記基準電流密度Ａ０の上限値よりも高い高電流密度ＡＭに設定する。 （もっと読む）

【課題】タリウム濃度低下による金メッキの不良発生を抑止できる信頼性の高い半導体集積回路装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体集積回路装置の製造方法において、非シアン系メッキ液を用いた電解金メッキ技術によって金バンプ電極を形成する工程中、メッキ液２１への印加電圧をモニターすることにより、メッキ液２１へのタリウムの添加量を検出して、タリウム添加濃度の減少による異常析出等のメッキ不良の発生を抑止する。 （もっと読む）

【課題】銅箔に均一なめっき厚さ・表面の良好なめっきを形成できる連続電解めっき装置を提供する。
【解決手段】電解槽内に設置されたアノード板２に対して平行にカソードとなる銅箔１を連続的に搬送し、アノード板２から銅箔１への電流を遮断する電流遮蔽板３を銅箔１の幅方向の両端部側に設けて、銅箔１に電解めっきを施す銅箔の連続電解めっき装置において、アノード板２の幅Ｗ２は、銅箔１の幅Ｗ１より広く、かつ電流遮蔽板３は、銅箔１の端部に近接した外側からアノード板２表面に垂直な方向にアノード板２の表面に近接する位置まで延出する第１の電流遮蔽面３ａと、第１の電流遮蔽面３ａに接続され、第１の電流遮蔽面３ａのアノード板２の表面近傍から屈曲してアノード板２の表面近傍に沿ってアノード板２の端部側に張り出された第２の電流遮蔽面３ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】連続操業においても表面欠陥の少ない金属化長尺樹脂フィルム基板の製造方法及びこの基板を製造するためのめっき装置を提供する。
【解決手段】金属膜付長尺樹脂フィルムＦの端面同士を突き合わせて、導電性テープ１を貼付して接続部分Ａが形成されている。裏面テープ２は粘着テープであり、適宜用いることができる。接続部分Ａでは導電性テープ１と裏面テープ２により段差ｄが形成される。接続部分Ａが、電気めっき装置の給電ロールと接触している間は、めっき液槽内部のアノード（陽極）と給電ロールの間の電位差の最大値が、操業時の電位差の０．８倍以上１．７倍以下の範囲内になるように給電ロールに流す電流を制御する。 （もっと読む）

【課題】複数のシリンダのシリンダ内周面に均一なめっき前処理を施すことができること。
【解決手段】複数のシリンダを備える多気筒シリンダブロックの各シリンダにおけるシリンダ内周面の一端側をシールして、このシリンダ内周面に処理液を導き、このシリンダ内周面に対向配置された電極の作用で、このシリンダ内周面をめっき前処理する多気筒シリンダブロックのめっき前処理装置（電解エッチング処理装置７２、陽極酸化処理装置７３）であって、シリンダブロック及び電極へ電気を供給する電源装置９２、９３と、シリンダ内周面と電極間へ処理液を送液する送液ポンプを８４、８７との少なくとも一方が、シリンダ毎に設置されたものである。 （もっと読む）

【課題】たとえ高抵抗の多孔質体を使用することで、電解めっき等の電解処理に伴って、多孔質体が発熱して電解液が上昇したとしても、電解液の液温を所定の値に維持することで、基板面内に均一な電解処理方法を提供する。
【解決手段】アノード５８を内部に収容するとともに、下端開口部を多孔質体５０で閉塞したハウジング４８を有するアノードヘッド４６と、基板保持部３０で保持した基板の被処理面周縁部に接触して該周縁部をシールするシールリング３４及び該周縁部に接触して被処理面に通電するカソード接点３６を有するカソード部３２と、ハウジング４８内に温度が制御された電解液を該電解液が多孔質体５０と接触するように供給して循環させるアノード側液循環ライン７０と、多孔質体５０が基板Ｗと近接した電解処理位置にあるときに該多孔質体５０と基板Ｗとの間に温度が制御された電解液を供給して循環させる基板側液循環ライン７２を有する。 （もっと読む）

【課題】めっき液に含まれる構成成分の濃度を演算し、めっき液の調整を適正に行い、めっき処理の品質を維持する。
【解決手段】めっき液に一または複数の添加剤を加えて半導体ウエハにめっき処理を行う工程（ステップＳ１）と、めっき処理の処理状態を示す一または複数のパラメータを測定する工程（ステップＳ３）と、パラメータからめっき液に含まれる構成成分の濃度を演算する工程（ステップＳ４）と、演算された構成成分の濃度が予め定めた閾値以内に収まるように、めっき液の調整処理を行う工程（ステップＳ６）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基材上に一定の厚さの均質な電析層を形成する。
【解決手段】電析装置１は、参照電極３２と樹脂フィルム９の導電層との間に電圧を付与して主面９１上に電析層を形成しつつ導電層に流れる電流を検出する電源部３と、主面９１における電析対象部を分割した複数の分割領域に向けて電析液を吐出する複数の吐出部４とを備える。電析層の形成の際に、検出電流の値が異常となる場合に、吐出流量を正常流量から変更する吐出部を複数の吐出部４において順に切り替えつつ検出電流の変化を監視することにより、対応する分割領域における電析層の成長が正常処理時と相違する吐出部４が特定吐出部として特定される。特定吐出部４からの電析液の吐出流量を正常流量から変更することにより、特定吐出部４に対応する分割領域における電析層の成長を正常処理時におけるものに近似させることができ、樹脂フィルム９上に一定の厚さの均質な電析層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】被めっき体に形成されためっきの厚さをその場で瞬時に判定することができる。
【解決手段】この被めっき構造体は、めっきが形成される被めっき体１１と、被めっき体１１にスリット部１２を介して対向し、被めっき体１１から電気的に分離された島状の導電性を有するめっき膜厚判定用部材１６を備えている。めっき２１が、被めっき体１１の表面からスリット部１２を介してめっき膜厚判定用部材１６まで成長したか否かを判定することによって、被めっき体１１に形成されためっき２１が、スリット部１２の幅Ｗより厚く形成されたか否かをその場で瞬時に判定することができる。 （もっと読む）

【課題】フープ材１に切り起こしがあってもフープ材１の位置案内が可能で、またフープ材１の上下方向の微妙な変化にも対応できる搬送フープ材１の位置案内装置８をもたらす。
【解決手段】フープ材１幅方向Ｍの一端側案内ユニット１８と、他端側案内ユニット１９を備え、一端側案内ユニット１８は、一端側回転軸２１を中心に揺動可能で先端にて一端側を位置案内する一端側案内部１６と、該回転軸２１の搬送方向前後に一端側案内部１６を押圧する一端側コイルバネ２２、２２を備え、他端側案内ユニット１９は、他端側回転軸２８を中心に揺動可能で先端にて他端側を位置案内する他端側案内部１７と、他端側案内部１７を押圧する他端側コイルバネ２９、２９とを備え、一端側回転軸２１と他端側回転軸２８は幅方向に移動可能に支持されている。 （もっと読む）

【課題】めっき膜の膜特性を良好にする。
【解決手段】めっき方法は、カソードとアノードとの間に直流電流を流してカソード上にめっき膜を形成する工程（Ｓ１０）と、直流電流とともに、カソードとアノードとの間に交流成分を重畳させて、カソードとアノードとの間に流れる変位電流を検出する工程（Ｓ１２〜Ｓ１６）と、変位電流に基づき、めっき膜の表面積の変化を算出する工程（Ｓ１８およびＳ２０）と、めっき膜の表面積の変化に基づき、当該表面積に対する局所電流密度が変化しないように、直流電流の値を制御する工程（Ｓ２２およびＳ２４）とを含む。 （もっと読む）

【課題】基材に変形や組織変化を生じさせず、製造時間が短く、製造コストが安い簡単なプロセスで、高温酸化性および耐食性に優れる被膜を形成するコーティング方法を提供する。
【解決手段】コーティング方法は、Ａイオン（Ａは、ＣｏまたはＮｉを示す。）を含む電解液中にＭＣｒＡｌＹ粉末（式中、Ｍは、ＮｉおよびＣｏから選択される少なくとも１種の元素を示し、ＡがＣｏであるときに少なくともＮｉを含み、ＡがＮｉであるときに少なくともＣｏを含む。）を分散させて得られた分散液中に、合金基材８０を浸漬し、回動可能な筒状回転電極と筒状回転電極の表面を被覆する不織布層３１とを有する回転電極装置１０を用い、合金基材の表面が不織布層で被覆された筒状回転電極を転がしながら電解して、合金基材表面上に複合被膜層を形成する。 （もっと読む）

【課題】めっき処理した半導体基板のめっき膜の形成ばらつきを抑えることができる半導体装置の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】めっき処理槽１内に設置されたアノード電極設置槽２に設けられたフィルタ（Ｃ）８の表面に滞在する気泡を、フィルタ（Ｃ）８を振動させることによって離脱させ、電界めっき膜の形成に大きく影響を及ぼす電界の変化を抑制する。 （もっと読む）

【課題】ＰＲパルス電解めっき中の電位データを測定でき、従来の煩雑な操作を必要としない計測装置を提供する。
【解決手段】ＰＲパルス電解めっきにおいて、正電解時及び逆電解時におけるめっき対象物と参照電極３０との電位差の経時変化をそれぞれ測定する測定装置とする。前記めっき対象物と参照電極との電位差の波形データが入力された制御部には、入力済み波形データの波形記憶手段、前記記憶手段中の保管波形データから採取した所定時間内の波形データの波形切出手段、前記切り出された波形データにおける所定の基準点から所定時間内の正電解電位と逆電解電位とを読み取る電位読取手段、前記読み取られた正電解電位と逆電解電位とを記憶する読取電位記憶手段を具備し、めっき経過時間に対して正電解電位の時間―電位曲線及び逆電解電位の時間―電位曲線のモニタ手段を設ける構成とする。 （もっと読む）