【課題】
窒化物半導体層との接触抵抗のみならずパッド電極との接触抵抗も低く、且つ密着性や機械的強度に極めて優れている窒化物半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明の窒化物半導体素子は、第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層が順に積層された積層半導体層と、前記第２導電型半導体層の上面に形成された電極と、を備える窒化物半導体素子であって、前記電極は、少なくとも前記積層半導体層側から第１金属層、第２金属層、第３金属層を順に積層しており、前記第１金属層と第３金属層とは、同一材料を含有する金属層であって、第１金属層は第３金属層よりも密度が高いものであり、前記第２金属層は、前記第１金属層及び第３金属層とは異なる材料を含有している。 （もっと読む）

【課題】 高倍率でも明瞭なＳＥＭ像を得るための、非導電性試料の導電性付与方法、及び非導電性試料の観察方法の提供。
【解決手段】 一次粒子の直径が３ｎｍ以下であり、好ましくは白金、金、タングステンから選ばれる少なくとも１種以上の材料からなる導電性粒子を５ｎｍ以下の厚さでコーティングする、非導電性試料の導電性付与方法。前記方法により処理された非導電性試料を走査型電子顕微鏡で観察する、非導電性試料の観察方法。 （もっと読む）

【課題】炭素担体の外表面に多くの触媒微粒子を担持できる多角バレルスパッタ装置、炭素担持触媒及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る多角バレルスパッタ装置は、重力方向に対して略平行な断面の内部形状が多角形である真空容器１と、真空容器内に入れられ、炭素担体３の一次粒子が凝集してできた二次粒子を一次粒子又は元の二次粒子より小さい二次粒子に分散させる分散部材と、前記断面に対して略垂直方向を回転軸として真空容器を回転させる回転機構と、真空容器内に配置されたスパッタリングターゲット２と、を具備し、回転機構を用いて真空容器１を回転動作又は振り子動作を行うことにより、真空容器内の炭素担体３を攪拌あるいは回転させながら分散部材によって炭素担体３の二次粒子を分散させつつスパッタリングを行うことで、炭素担体３の表面に微粒子又は薄膜を担持することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶配向が制御され優れた圧電特性を有し、しかも適量の気孔を有する圧電体の製造方法を提供することにある。圧電特性に優れ、上下層との密着性が高く、膜剥離が抑制された耐久性に優れた圧電体を得て、これを用いた圧電体素子を提供することにある。高解像度化、高速印字、微細化されても液体吐出量が多い液体吐出ヘッドを提供する。
【解決手段】ＡＯ_x結晶が形成される温度であってＡＢＯ₃ペロブスカイト型酸化物結晶が形成される温度未満の温度に前記基体を加熱し、Ａ元素及びＢ元素を含む酸化物を用いてＡＯ_x結晶を含む膜を前記基体上に形成する形成工程と、ＡＯ_x結晶が存在可能な温度を超える温度であってＡＢＯ₃ペロブスカイト型酸化物結晶が形成される温度に前記基体を加熱することにより、前記ＡＯ_x結晶を含む膜を前記ＡＢＯ₃ペロブスカイト型酸化物結晶の膜に変える変換工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】内部の任意の位置に温度センサを組み込むことができる軸受装置を提供する。
【解決手段】本実施の形態によれば、基板ＴＳａの裏面に金属薄膜により配線ＴＳｃ、ＴＳｄを形成したので、大きなスペースを必要としないため、軸受装置の内部に任意に配置することができ、精度良く軸受内部の温度測定を行うことができる。又、配線の半田付けなどが不要であるため、本実施の形態の温度センサＴＳは量産性に優れている。配線ＴＳｃ、ＴＳｄへの結線は、相手部品の各端子への圧着などにより行うことができる。 （もっと読む）

【課題】内部の任意の位置に温度センサを組み込むことができる軸受装置を提供する。
【解決手段】有機膜ＴＳａ上に、薄い抵抗パターンＴＳｂを形成しているので、極めて薄くできることから、軸受装置１０の内部において、精度良く温度を測定したい部位もしくはその近傍に配置できる。従って、レスポンスの良い温度測定を通じて、異常な温度上昇が予兆として現れる軸受装置に生じる不具合を精度良く予測することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】結晶化温度よりも低い熱処理温度においても緻密な複合酸化物の結晶微粒子膜が得られる製造方法を提供する。
【解決手段】本複合酸化物の結晶微粒子膜の製造方法は、基板１上に少なくとも１種類のアルカリ土類金属元素とチタンとを含む複合酸化物の結晶微粒子膜２を形成する工程と、結晶微粒子膜２上に貴金属膜３を形成する工程と、貴金属膜３が形成された結晶微粒子膜２を４００℃以上６００℃未満で熱処理する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】金網をマグネトロン電極に一体に固定するため、マグネトロン電極と金網との距離は常に一定であるので、マグネトロン電極と試料との間の高さの調整だけで、金網に電子の突入により生じる温度上昇による試料表面への輻射熱の影響や金網の編みの隙間を通りぬける電子の量などの条件を一定にできる。
【解決手段】減圧可能な試料室と、試料室内に設けられ、磁界発生手段とその下部側に設けられたターゲット金属とを付加した上部陰電極と、試料室内に設けられ、上部陰電極に対向して配置された下部陽電極と、上部陰電極と下部陽電極との間に放電電圧を印加する電源とを備え、試料表面にターゲット金属をスパッタリングにより形成するイオンスパッタリング装置において、上部陰電極の近傍で下部陽電極との間に下部陽電極と同電位の金網が上部陰電極に絶縁して設置し、金網を上部陰電極に連動して上下移動させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】自立性薄膜の微細孔を覆うような多層薄膜を提供する。
【解決手段】自立性薄膜の微細孔内に乾燥泡膜を形成し、該自立性薄膜の片面に所定の材料を蒸着し、さらに別材質のものを蒸着することにより多層薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】充填欠陥を無くすと同時に、硬質な材料を緻密で高密度な状態でモールド凸部を形成することを可能にしたモールドの製造方法を提供する。
【解決手段】凹凸パターンを有し、凹部の底領域と、凸部の基板と反対側の面とが異なる材料から成る基板を用意する工程、凸部の面への付着率が、凹部の底領域への付着率よりも低い材料を、前記凹凸パターンが形成された基板に成膜して、凹部に選択的に充填部６０を形成する充填工程、充填工程後、凸部の面を被覆する被覆膜６１を形成する成膜工程、及び被覆膜と充填部とを剥離する工程を有する。 （もっと読む）

本発明は、多数のナノシリンダーがその上に施与されており、その際、それぞれのナノシリンダーは少なくとも４の上下に重なって存在している、１〜１０原子層からなる層を有する基板からなる部材の製造方法に関する。該層は、交互に磁性の元素の原子Ｍと非磁性の元素の原子Ｘとからなり、その際、有利にはＭ＝Ｆｅ、ＣｏまたはＮｉ、およびＸ＝Ｐｄ、Ｐｔ、ＲｈまたはＡｕが選択される。層の数および厚さは、ナノシリンダーの磁気特性に影響を与える。このために、まず準備した基板を、Ａｌ₂Ｏ₃からなるナノポーラス膜により被覆する。引き続き、該ナノポーラス膜により覆われた基板に交互に磁性の元素の原子Ｍと非磁性の元素の原子Ｘとを蒸着させる。最後に、膜の細孔の箇所にナノシリンダーが残るよう膜を除去する。本発明により製造された部材は、磁気メモリー媒体として、回路素子として、またはセンサーとして使用される。 （もっと読む）

【課題】基板に向かって噴射されるエアロゾルの濃度を容易に制御できる成膜装置を提供することにある。
【解決手段】混合部１０において材料粒子Ｍをこの材料粒子Ｍよりも粒径の大きいコア粒子Ｃに付着させ、これをエアロゾル発生槽４０まで移送した後、衝突網４１に衝突させてその衝撃力により材料粒子Ｍをコア粒子Ｃから離脱させる。そして、離脱した材料粒子Ｍをエアロゾル発生槽４０においてキャリアガスに分散してエアロゾルを発生させる。ある程度大きな粒径をもつコア粒子Ｃは、成膜に用いられる微細な材料粒子Ｍと比較して系内での移送量の制御が容易であり、また詰まりも引き起こしにくいから、コア粒子Ｃの移送量を適切に制御することにより、エアロゾル発生槽４０への材料粒子Ｍの供給量を制御し、ひいては、エアロゾル濃度を安定化することができる。 （もっと読む）

【課題】表面粗さが非常に小さく、しかも結晶の配向性がきわめて良好な単結晶質であり、光学特性に優れた緻密な金属膜および金属膜被覆部材、さらに光学被膜を提供する。
【解決手段】表面の算術平均粗さが２ｎｍ以下であり、かつＸ線回折による（１１１）ピーク強度がその他のピーク強度の合計の２０倍以上である金属膜、およびこの金属膜が基材に形成された金属膜被覆部材である。光学被膜は金属膜からなり、可視光領域での反射率の純金属における理論値との差が０．２％以内であり、光の入射角が１０〜５０°の範囲において反射率の変化量が０．５％以下であるか、光波長が２５０〜４００ｎｍでの反射率の純金属における理論値との差が０．２％以内である。 （もっと読む）

【課題】より低温でＳＢＴの結晶化が行えるようにする。
【解決手段】ＥＣＲスパッタ法により、基板加熱をしない状態で、ストロンチウム（Ｓｒ）とビスマス（Ｂｉ）とタンタル（Ｔａ）と酸素（Ｏ）とからなる非晶質状態のＳＢＴ薄膜１０４が、プラチナ層１０３の上に堆積された状態とする。次に、酸素ガス１０５の雰囲気中において、非晶質状態のＳＢＴ薄膜１０４（基板１０１）を６５０℃程度に加熱する。この加熱処理により、基板１０１の上に、＜１１５＞方向に配向したアウリビリウス構造のＳＢＴ薄膜１０６が形成された状態を得る。 （もっと読む）

【課題】良好な強誘電体膜を容易に効率よく製造する強誘電体膜の製造方法及び強誘電体膜の製造装置を提供する。
【解決手段】ＲＦマグネトロンスパッタリング法により、カソードに設けた強誘電体を原料とするターゲットを用いて、アノードに設けた基板の上に強誘電体膜を形成する強誘電体膜の製造方法において、前記基板を加熱するための基板加熱工程と、前記強誘電体膜となる、前記基板に飛来し堆積する前記強誘電体の帯電した粒子を中和するための帯電粒子中和工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】離型性と耐久性が高いコーティング膜を提供する
【解決手段】成膜対象物４ａ、４ｂの表面にクロムを注入し、クロム膜を形成した後、クロム膜の表面に白金イオンを注入し、その表面に白金薄膜を形成し、その表面に白金イオンを注入する。本発明ではクロムイオンと白金イオンの注入は、トリガ電圧によって注入装置３２₁、３２₂内でトリガ放電を発生させ、アーク放電を誘起させ、カソード電極からクロムや白金のイオンを放出させると共に、成膜対象物４ａ、４ｂにはアーク放電と同期して負のバイアス電圧をパルス的に印加する。注入層と薄膜との間の密着性が向上する。 （もっと読む）

【課題】被処理体の表面を高精度かつ確実に処理することができ、処理能力を高めることができる表面処理装置及びそれによって表面処理される光学素子成形用型を提供すること。
【解決手段】表面処理装置１は、真空チャンバ（真空容器）２と、筒状の絶縁物を介してトリガー電極と接続されたターゲットと、ターゲットの周囲にアーク放電を誘起させるアーク電極とを有し、アーク放電によって生じるターゲットイオンを含むプラズマ８をターゲットの先端方向に放出する蒸着源１０と、光学素子成形用型母材（被処理体）１１を載置する支持台１２と、蒸着源１０から放出されるプラズマ８の進行方向が、支持台１２の近傍にて中心軸線Ｃ方向となるように偏向させる偏向部１３と、蒸着源１０と支持台１２との間に配され、偏向部１３によって偏向されたプラズマ８の輸送経路上のみに開口部２０Ａが形成された遮蔽板２０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】巨大粒子を含まないナノ粒子を提供する。
【解決手段】同軸型アーク蒸着源１３に蒸発材料１３５を配置し、アーク放電によってアノード電極１３１内に蒸発材料の蒸気を放出させる。電子はアーク電流によって形成された磁界からローレンツ力を受け、真空槽１０内に放出される。正電荷を有する微小な蒸気は電子に引き付けられ、真空槽１０内に放出され、捕集板２０表面に付着し、蒸発材料のナノ粒子が形成される。巨大な液滴はアノード電極１３１の壁面に衝突し、真空槽１０内に放出されない。 （もっと読む）

【課題】
水素ガスを含んだ雰囲気に曝された時に光学特性が変化する水素検知材料とその作製方法を提供する。
【解決手段】
水素を含んだ雰囲気に曝された時に光学特性が変化する水素検知材料とその作製方法は、（１）上記水素検知材料の主成分が酸化パラジウム(PdO)であり、その形状が薄膜である、（２）上記水素検知材料の表面上に触媒金属層が形成されている、（３）上記触媒金属層は、パラジウム(Pd)、白金(Pt)、金(Au)のいずれかを用いる、（４）上記酸化パラジウム膜は、石英ガラスなどの透明基板上に蒸着したパラジウムを空気又は酸素雰囲気下で500℃〜700℃の温度範囲で熱処理を行い、酸化パラジウム（PdO）を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】種々の多成分もしくは多相の材料、従って本合金もしくは混晶を形成しない材料を基礎とするスパッタターゲットであって、その構造がスパッタリングの間のエロージョンに際して生成収率を悪化するパーティクルをできる限り形成しないように構成されたスパッタターゲットを開発する。
【解決手段】少なくとも２つの相又は成分を含有する材料からなるスパッタターゲットであり、その際、少なくとも１つの少数相がマトリクス中に難固溶性であり、かつマトリクスより高い融点を有するスパッタターゲットであって、少なくとも１つの少数相が、その結晶粒又はその結晶粒から形成された凝集物の平均寸法最大１０μｍを有し、かつ該材料は理論密度の少なくとも９８％の密度を有することを特徴とするスパッタターゲットを提供する。 （もっと読む）