【課題】圧電特性のばらつきが少ないチタン酸ジルコン酸鉛薄膜を効率よく製造する圧電体薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】チタン酸ジルコン酸鉛のターゲット３を使用し、スパッタ法により基板５の上にチタン酸ジルコン酸鉛薄膜を製造する圧電体薄膜の製造方法において、基板を加熱する基板加熱工程と、基板加熱工程で加熱した基板の温度を維持し、スパッタ法により基板の上に成膜する成膜工程と、を有し、基板加熱工程では、基板が所定の温度分布となるように加熱され、成膜工程では、基板と前記ターゲットとで挟まれる空間の、ターゲット面に平行な面の面内で、所定の酸素濃度分布となるように酸素が導入され、基板及び平行な面それぞれへターゲットの面を垂直投影した場合、基板と平行な面との相互に対応する位置における所定の温度分布の増減方向と所定の酸素濃度分布の増減方向とは同じ方向である。 （もっと読む）

【課題】工程数の少ない手法でギャップ間距離が小さく、さらに様々な電極形状が調製可能であるナノギャップ電極の製造方法を得る。
【解決手段】先端が９０度又は鋭角である角を備えた電極材料を基板上に形成し、この電極材料にレーザー光を照射して、鋭角の角の一部を切り離して微小電極を形成すると共に該微小電極と残余の電極本体との間にナノスケールのギャップを形成するナノギャップ電極の製造方法。基板上に１０〜１００μｍのサイズのポリマー又はセラミックスビーズを均一に展開し、この上に電極材料をＰＶＤ法又はＣＶＤ法により被覆し、このビーズを除去することにより基板上に三角錐の電極材料を残存させ、この三角錐の電極材料にレーザー光を照射し、鋭角の角の一部を切り離して微小電極を形成し、該微小電極と残余の電極本体との間にナノスケールのギャップを形成するナノギャップ電極の製造方法。 （もっと読む）

【課題】真空容器のガスを入れ替え等の製造時間の増加によるコストの増加を防止した、ＡｌＮ薄膜と金属薄膜とからなるバッファー薄膜によりＣ軸配向性を高めたＡｌＮ薄膜を短時間で製造する方法を提供する。
【解決手段】ＡｌＮ薄膜２２、ならびに、金属薄膜２３を、Ａｒと窒素との混合ガスを用いることにより、同一スパッタリング装置内で形成し、ガス切り替えに要する時間を省き、ＡｌＮ薄膜と金属薄膜とからなるバッファー薄膜によるＣ軸配向性を高めたＡｌＮ薄膜１０を短時間で製造する。 （もっと読む）

本発明は、基板（１）と、少なくとも１つの極薄金属膜（３）と接触する導電膜（２）からなる層状構造部と、を備え、２つの膜（２，３）が異なる材料からなり、前記導電膜（２）がＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌから選択され、前記極薄金属膜（３）がＮｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌおよびこれらの混合物から選択される電極に関する。電極は、光電子デバイスに特に有益であり、良好な導電率、透過率および安定性を示す。
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【課題】鉛を含有しない強誘電体からなる圧電素子を有する液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子並びに圧電材料を提供する。
【解決手段】ノズル開口２１に連通する圧力発生室１２と、第１電極６０と、前記第１電極上に形成された圧電体層７０と、前記圧電体層上に形成された第２電極８０とを備えた圧電素子３００と、を具備し、前記圧電体層は、Ｂｉ、Ｌａ、Ｆｅ及びＭｎを含むペロブスカイト型複合酸化物からなり、強誘電体である液体噴射ヘッドＩとする。 （もっと読む）

【課題】効率的にぺロブスカイト構造酸化物薄膜の結晶方位制御ができ、容易に高品位の正方晶系ぺロブスカイト構造酸化物薄膜を提供し得る方法を提供する。
【解決手段】蛍石型の結晶構造を有する金属フッ化物を主成分とする基板の（１１１）面上または（１００）面上に、正方晶系の結晶構造を有し、かつ（００１）、（１０１）または（１１１）の単一結晶配向を有するぺロブスカイト構造酸化物薄膜を作製する（ただし、（１００）面上に、（００１）の単一結晶配向を有する場合を除く）。蛍石型の結晶構造を有する金属フッ化物を主成分とする基板は、金属サイトまたはＦサイトの一部を他の元素で置換して格子定数を制御されていてもよい。 （もっと読む）

本発明は、物理蒸着技術によって金属基材上に貴金属の層を連続蒸着することによる電解用途用の金属電極の製造法に関する。 （もっと読む）

【課題】高い触媒活性を与えるとともに、触媒成分の使用量を低減させることができる、燃料電池用電極触媒のための薄膜触媒を提供する。
【解決手段】柱状結晶から構成された下地層の上にＰｔ薄膜が形成された、Ｐｔ薄膜電極触媒である。 （もっと読む）

【課題】水の電気分解によって、高効率にてオゾン水を生成することを可能とする電解用電極材料、及び、電解用電極、更には、当該電解用電極の製造方法を提供する。
【解決手段】白金及び銀から成る合金であり、銀の濃度が１ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下とする電解用電極材料を、基体の表面に形成された表面層として用いることにより、当該電解用電極による電気分解において、低電流密度にて効率的にオゾンやＯＨラジカル等の活性酸素種を生成する。 （もっと読む）

【課題】鉛の添加量を低減させることによって、環境負荷を低減させた圧電アクチュエーターの製造方法、圧電アクチュエーター、および液体噴射ヘッドを提供する。
【解決手段】製造方法は、基板１０を準備する工程と、基板１０の上方に下部電極１２を形成する工程と、下部電極１２の上方に鉛、ジルコニウム、およびチタンを含む材料を供給して膜を形成し、熱処理することによって第１膜を形成する第１熱処理工程と、第１膜を熱処理することによって第２膜１８を形成する第２熱処理工程と、第２膜１８の上方に上部電極２０を形成する工程と、を含み、第１膜は、チタン酸ジルコン酸鉛膜と、チタン酸ジルコン酸鉛膜上に位置する酸化ジルコニウム膜と、からなり、第２膜１８はチタン酸ジルコン酸鉛からなり、材料において含まれる鉛のモル数は、材料において含まれるジルコニウムおよびチタンのモル数の合計に対して、１．０４倍以上１．０６倍以下である。 （もっと読む）

【課題】非鉛系の圧電性薄膜を用いて、高性能かつ高信頼の圧電性薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】基板１と、接着層２と、下部電極３と、配向制御層である下地層６と、スパッタリング法によって成膜された（Ｎａ_xＫ_yＬｉ_z）ＮｂＯ₃（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦０．２、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表されるペロブスカイト型酸化物を主相とする圧電性薄膜４と上部電極５を有し、圧電性薄膜４の内部応力の絶対値が１．６ＧＰａ以下である。 （もっと読む）

【課題】生体分子の微量検出に表面プラズモン共鳴が利用されている。この測定には、プリズムに金属膜を成膜した、いわゆるクレッチマン配置を用いている。このプリズムとして、基材上に密着性の良い金属膜を直接設ける製造方法及びその製造方法によって作製される素子を提供する。
【解決手段】基材２０上に遷移金属又はその合金からなる薄膜が形成された素子の製造方法において、成膜前に基材２０の成膜面を、成膜する金属のイオン雰囲気に晒す工程を有するものとする。 （もっと読む）

【課題】大気圧プラズマ放電処理の際の、電極表面の誘電体層の劣化や不均一放電、及び回路全体のインピーダンスが高くなることを防ぐことのできる放電用電極を提供すること。
【解決手段】本発明の放電用電極は、対向する二つの電極を備え、これら電極には、対向側表面に誘電体層が形成され、前記各誘電体層の一方が体積抵抗率１０¹¹Ωｃｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明のシンチレータパネルを用いることにより、シンチレータパネルとセンサパネルを均一に密着させることが可能となり、画像ムラのない良好な画像を得ることができる。
【解決手段】一方の面に複数の光電変換素子が二次元状に配列されて形成された光電変換基板と、Ｘ線により可視領域で発光するシンチレータパネルの発光面を対向させた構成の放射線検出パネルに用いるシンチレータパネルであって、該シンチレータパネルにおける中央部膜厚が周辺部膜厚より厚い層であることを特徴とするシンチレータパネル。 （もっと読む）

【課題】ｍ面基板上で結晶成長させたＧａＮ系半導体素子のコンタクト抵抗を低減する。
【解決手段】本発明の窒化物系半導体素子は、表面１２がｍ面であるｐ型半導体領域を有する窒化物系半導体積層構造２０と、ｐ型半導体領域上に設けられた電極３０とを備える。ｐ型半導体領域は、Ａｌ_xＩｎ_yＧａ_zＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，ｘ≧０， ｙ≧０， ｚ≧０）半導体層２６から形成されている。電極３０は、ｐ型半導体領域の表面１２に接触したＭｇ層３２と、Ｍｇ層３２の上に形成された金属層３４とを含み、金属層３４は、Ａｕと比較してＭｇと合金を形成し難い金属から形成されている。 （もっと読む）

【課題】
安価で安定的に、良好な電気伝導性を示す薄膜積層体のＡｇ等の金属薄膜の膜厚を薄くする方法を提供することを課題とする。
【解決手段】
スパッタリング法を用いて基材上にＦｅ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔからなる群から選ばれる少なくとも１種を主成分とする金属薄膜を形成する方法において、スパッタリング装置内に設置された真空チャンバー内を減圧する工程、減圧後に該真空チャンバー内に雰囲気ガスとしてＡｒを含むガスを導入する工程、該ガス導入後に、スパッタリングターゲットにイオン電流を流す工程を有し、前記イオン電流の電流値が、雰囲気ガスにＮ_２ガスを含むことで低く調整されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金属との蒸着密着性に優れるアクリル系樹脂フィルムを提供する。
【解決手段】酸価が０．２〜１．５ｍｍｏｌ／ｇの（メタ）アクリル系樹脂組成物を成形してなる金属蒸着用アクリル系樹脂フィルム；該（メタ）アクリル系樹脂組成物が（メタ）アクリル酸アルキルエステル系架橋弾性体粒子の存在下、（メタ）アクリル酸アルキルエステル及び不飽和カルボン酸から選ばれた単量体混合物を重合することにより得られ、かつ加熱処理されてなる（メタ）アクリル系樹脂を含む金属蒸着用アクリル系樹脂フィルム；さらに熱可塑樹脂を含む（メタ）アクリル系樹脂からなる金属蒸着用アクリル系樹脂フィルム及び該金属蒸着用アクリル系樹脂フィルムの片面に、金属被膜が形成されてなる、金属積層アクリル系樹脂フィルム。 （もっと読む）

【課題】金属基材の上に貴金属の薄膜を設けてなる耐食性導電部材において、ピンホールがきわめて少なく、薄膜が緻密であって基材金属によく密着しており、したがって過酷な使用環境に耐える耐食性導電部材、とりわけ燃料電池の金属セパレータを提供する。
【解決手段】たとえばステンレス鋼の表面に厚さ１００nm以下の貴金属の薄膜を形成した材料において、貴金属層および基材と貴金属層との中間層の内部に存在する不純物の量を、それぞれ、Ｃ：１．５％以下、Ｐ：１．５％以下、Ｏ：１．５％以下、Ｓ：１．５％以下であって、Ｃ＋Ｐ＋Ｏ＋Ｓ：４．０％以下に規制する。基材の表面に存在する汚染被膜を物理的および（または）化学的な方法により除去して清浄な表面を露出させ、その直後に、表面が再度汚染されるに先だって電気メッキなどにより貴金属被膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】低温で結晶半導体を形成可能な結晶半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】８０〜２４０ｎｍの膜厚を有するａ−Ｇｅ膜２が基板１上に形成される（工程（ｂ）参照）。そして、約１０ｎｍの膜厚を有するＳｉＯ_２膜３がａ−Ｇｅ膜２上に形成される（工程（ｃ）参照）。その後、約９０ｎｍの膜厚を有するＰｔ薄膜４がスパッタリングまたは蒸着によってＳｉＯ_２膜３上に形成される（工程（ｄ）参照）。そして、Ｐｔ薄膜４は、水素リモートプラズマによって処理される（工程（ｅ）参照）。 （もっと読む）

【課題】常温常圧にて水素を吸収・貯蔵し、１５０℃以下の比較的低温で水素を放出する水素貯蔵複合材料を提供する。
【解決手段】水素貯蔵複合材料１は、水素を貯蔵する金属酸化物によって構成された水素貯蔵層２と、水素貯蔵層２上に積層された、水素を吸収する貴金属を含んで構成された水素吸収層と、を含む。水素貯蔵層２の水素吸収層が積層された一方の面と反対側の他方の面にも、水素を吸収する貴金属を含んで構成された水素吸収層を設けることが好ましい。具体的には、Ｌｉ_２ＺｒＯ_３層がＰｔ層で挟まれたＰｔ／Ｌｉ_２ＺｒＯ_３／Ｐｔの構成とする。 （もっと読む）