【課題】所望の領域に寸法精度良く薄膜を形成することが可能な薄膜形成方法を得る。
【解決手段】基板上に半導体粒子または導電性粒子からなる薄膜を形成する薄膜形成方法であって、粒子径が１００ｎｍ以下の前記半導体粒子または導電性粒子が分散された分散液を、前記基板の所定の領域に配置する配置工程と、前記分散液を配置した基板を２０ＫＨｚ以上、５０ＭＨｚ以下の周波数で振動させて前記所定の領域以外の領域に存在する前記分散液を除去する振動工程と、前記基板上の分散液の溶媒を除去して前記基板上に前記半導体粒子または導電性粒子からなる薄膜を形成する溶媒除去工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】接触抵抗が長期間にわたって低く維持される燃料電池用セパレータ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】セパレータ１０Ａは、ステンレス鋼からなる基材１１の表面に、チタン層（Ｔｉ層）１２、チタン酸化物含有層（ＴｉＯ_Ｘ層）１３、貴金属層１４がこの順序で積層された構造を有している。ＴｉＯ_Ｘ層１３は、貴金属層１４側に、貴金属層１４を構成する貴金属の一部をＴｉＯ_Ｘ層１３に拡散させることにより形成された貴金属拡散部１３ａを有する。貴金属としては、Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄから選ばれる少なくとも１種類の貴金属が用いられる。 （もっと読む）

【課題】多数の圧電素子を備えた圧電素子構造体において、圧電体膜の分極方向が下部電極層側から上部電極層側に向かう向きである、実用化可能な圧電素子構造体を提供する。
【解決手段】基板１１上に、下部電極層２２、圧電体膜２３および上部電極層２４がこの順に積層されてなる多数の圧電素子２を備えた圧電素子構造体１を製造する圧電素子構造体の製造方法において、圧電体膜２３をスパッタ法により成膜し、成膜により自発分極が下部電極層２２から上部電極層２４に向かう向きとなっている圧電体膜２３に対し、圧電体膜２３の抗電界以上の大きさの、上部電極層２４から下部電極層２２に向かう電界をパルス印加する。 （もっと読む）

【課題】均一な蒸着層を容易に形成することができる真空金属蒸着方法およびその真空金属蒸着方法を実施するための真空金属蒸着装置を提供する。
【解決手段】高耐熱性金属支持体および高耐熱性金網が重ね合わされ蒸着金属材料がそれらの間に保持されている蒸着用ボートを用いて、該蒸着用ボートの高耐熱性金網側を下方に向けて該蒸着用ボートを蒸着用真空容器の上部に配設すると共に、該蒸着用ボートの下面側である高耐熱性金網側と被蒸着体の上面側である被蒸着面側とを対面させて該蒸着用真空容器の下部に被蒸着体を配置し、次いで、電気抵抗により該蒸着用ボートにおける高耐熱性金属支持体を発熱させることにより該蒸着用ボートに保持されている蒸着用金属材料をその沸点以上まで加熱して溶融状態となして真空状態で高耐熱性金網の目から被蒸着体に向かって蒸発・拡散させ、前記の被蒸着体の被蒸着面側に蒸着用金属材料を短時間で蒸着させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板上にマイクロパターンを高精度にかつ容易に形成することを可能とするマイクロパターンの製造方法を得る。
【解決手段】 マイクロパターンが上面６ａに形成される基板６と、前記マイクロパターンに対して反転されたパターン形状を有するフィルム状パターニング材１Ａとを用意する工程と、前記フィルム状パターニング材１Ａを前記基板６の上面に積層する工程と、前記フィルム状パターニング材１Ａが積層された基板６の上面に被パターニング材料７を塗布する工程と、前記基板６の上面６ａから前記フィルム状パターニング材１Ａを除去して、前記フィルム状パターニング材１Ａと反転されたマイクロパターンとなるように前記被パターニング材料７をパターニングし、それによって、被パターニング材料７からなるマイクロパターン７Ａを形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】突発的なパーティクルの発生を低減し、膜質及び薄膜製造効率の向上を実現することができるスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のスパッタリングターゲットの製造方法は、マグネトロンスパッタリング装置用のスパッタリングターゲットの製造方法であって、ターゲット本体を準備し、前記ターゲット本体表面の非エロージョン領域をブラスト処理し、前記非エロージョン領域を超音波洗浄し、前記超音波洗浄した前記非エロージョン領域をエッチングし、または洗浄液でジェット洗浄し、前記非エロージョン領域を再度超音波洗浄する。 （もっと読む）

【課題】カソード電極側の蒸着材料が消耗することによってトリガ放電が発生しなくならないように、蒸着材料を自動的に供給可能な同軸型真空アーク蒸着源。
【解決手段】本発明の蒸着源５は、蒸着材料１１と一体的な棒状のカソード電極１２と、カソード電極１２の周囲に配置されたアノード電極と、蒸着材料１１に近接した位置に配置されたトリガ電極１３と、蒸着材料１１を軸方向に移動させる手段と、カソード電極１２とアノード電極１２の間における放電を制御する電源装置６と、電源装置６の出力に基いて直線駆動機構６２の駆動制御を行う放電コントローラ６５とを備えた同軸型真空アーク蒸着源である。蒸着材料１１と一体的な棒状のカソード電極１２は、放電コントローラ６５からの信号を受けた直線駆動機構６２により、アーク放電に同期して自動的に駆動される。 （もっと読む）

【課題】蒸着材料の殆どをアークプラズマ放電に有効に利用することのできる真空アーク蒸着装置を提供する。
【解決手段】蒸着材料からなるカソード電極１と、該カソード電極１の外周を包囲する絶縁ガイシ４と、該絶縁ガイシ４の外周に設けられたトリガ電極２と、が一つのユニット体を形成し、該ユニット体がアノード電極６内に収容され、該アノード電極６が真空管８内に収容されたアーク蒸着源１０を具備する真空アーク蒸着装置１００であり、カソード電極１はその内部に溝孔１ａが形成され、その他端１ｃが閉塞された筒状を呈しており、該他端１ｃとホルダ部材５とが締結手段７を介して一体とされた姿勢で絶縁ガイシ４内に収容されており、カソード電極１を構成する蒸着材料の消耗に応じて該カソード電極１を絶縁ガイシ４に対して相対移動させ、カソード電極１を絶縁ガイシ４の端部４ａから突出させる移動調整手段９Ａを具備している。 （もっと読む）

【課題】カソード電極を構成する蒸着材料が溶融した際に生じる金属物によってカソード電極とトリガ電極間が短絡し、使用不可に至るという課題を解消し、もってメンテナンスのない状態での使用期間をより長期間とすることのできる、真空アーク蒸着装置を提供する。
【解決手段】蒸着材料からなるカソード電極１と、該カソード電極１の外周を包囲する絶縁ガイシ４と、該絶縁ガイシ４の外周に設けられたトリガ電極２と、が一つのユニット体を形成し、該ユニット体が筒状のアノード電極６内に収容され、該アノード電極６が真空管８内に収容されてできるアーク蒸着源１０を具備する真空アーク蒸着装置１００であり、カソード電極１の一端１’は絶縁ガイシ４の端部４’から突出しており、該突出したカソード電極１の側面１”とトリガ電極２の一端２’との間で沿面放電がなされるものであり、トリガ電極２の一端２’に絶縁部材３が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ほとんど保磁力あるいは飽和磁化が無い非磁性部を記録層に形成することができ、優れた磁気特性の記録媒体を容易に得ることができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上にＣｒＰｔ₃からなる記録層１３’を形成する工程と、記録層１３’の表面にマスクパターン層１５’を形成する工程と、マスクパターン層１５’から露出した記録層１３’の各部にイオンを照射する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】
マスター型の表面に導電層、電鋳層、適宜裏打ち材を順次積層し、マスター型の表面と導電層の界面で剥離して、マスター型の形状を転写する電鋳法において、マスター型から強制剥離が可能で、しかも電析プロセス中には隔離しないように付着力を制御して導電層を形成する電鋳法における形状転写導電層の形成方法を提供する。
【解決手段】
マスター型Ｍの表面にアークプラズマ法によってアンカー金属７を離散的に付着させ、その後、アンカー金属とは異なる金属を物理的蒸着法によって蒸着して導電層８を形成する。具体的には、Ｓｉ単結晶からなるマスター型表面にＣｒ密度（×10¹⁰(atoms/cm²)）が６０００〜１５０００となるように付着させ、その上からＰｔ導電層を電子ビーム蒸着法で形成する。 （もっと読む）

【課題】高分子フィルムの上に微粒子を連続して形成する装置を提供する。
【解決手段】本発明の微粒子形成装置１は、金属材料を蒸着する真空アーク蒸着源５と、被蒸着材料であるフィルム４を走行させるフィルム走行手段３と、真空アーク蒸着源５をパルス駆動する制御手段６５とを備え、フィルム４の走行方向に対して交差するように複数配列した。これにより、フィルム４上に均一化された良質の微粒子を連続して形成することができる。従って、量産が可能となった。 （もっと読む）

【課題】 粉末状担体の全体に金属ナノ粒子を均等に担持させることができる金属蒸着装置および粉末状担体の撹拌方法を提供すること。
【解決手段】 真空チャンバ１１内で容器４１を水平な状態とし内部の粉体状アルミナＡへ施す例えば１００回の真空アーク放電による白金の蒸着と間欠的な次の同様な蒸着との間において、容器４１を揺動軸４５の回りに第１の方向（例えば右方向）へ揺動させ、傾斜する容器４１の底面４２上で粉体状アルミナＡを容器４１の端部の方へ滑落させて撹拌し、容器４１の右側の端部が下方の衝突部材を兼ねる衝突検知センサ４７によって所定の傾斜角度に達したことが検知されると、直ちに揺動の方向を逆にして容器４１を水平にすると同時に、端部の方へ滑落している粉体状アルミナＡを容器４１の中央側へ跳ね戻し粉体状アルミナＡを裏返しにするように撹拌する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、炭素などの粒子状母材の表面に安定的に粒径が２ｎｍ以上１０ｎｍ以下の微粒子元素を担持させた合金粒子を得る合金微粒子担持装置を提供することである。
【解決手段】 粒子状母材を収容する容器と、この容器と対峙して配置され、白金を含有する矩形状の第１のスパッタ源と、この第１のスパッタ源に隣接して配置され、前記第１のスパッタ源と異なる元素を含有する第２のスパッタ源と、前記第１のスパッタ源の前記容器と対峙する側とは反対側に配置された第１の磁石と、前記第２のスパッタ源の前記容器と対峙する側とは反対側に配置された第２の磁石と、を具備する合金微粒子担持装置において、前記第１或いは第２のスパッタ源とこれに応じた前記第１或いは第２の磁石間の距離、または、前記第１或いは第２の磁石の磁力を調整することにより、前記第１或いは第２のスパッタ源の表面近傍の磁場の磁束密度を変化させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い耐久性と十分な本物感とが有利に表現され得る加飾樹脂成形品を提供する。
【解決手段】基材１２の意匠面１８に、物理蒸着法又は化学蒸着法により金属薄膜２０を直接に形成して、金属調の加飾を施すと共に、該金属薄膜２０に対して、該基材１２と該金属薄膜２０の両方に付着する特性を備えた透明な塗膜からなるトップコート層２２を１０〜４０μｍの厚さで形成して、構成した。 （もっと読む）

【課題】
優れた耐衝撃性、耐薬品性、ハイサイクル性、寸法安定性、流動性、金属調の高級感のある光沢・深み・色調の意匠性を兼備した直接金属蒸着層とハードコート層を有する成形品用ポリエステル樹脂組成物、及び該樹脂組成物からなる成形品を提供すること。
【解決手段】
表面に金属蒸着層とハードコート層をこの順に設ける樹脂製基体用ポリエステル樹脂組成物であって、該ポリエステル樹脂組成物が、ポリエステル樹脂（Ａ）１００重量部に対してポリカーボネート樹脂（Ｂ）５〜１００重量部と、熱可塑性エラストマー（Ｃ）０．５〜４０重量部を含有してなるポリエステル樹脂組成物、及びこれを成形してなる樹脂製基体。 （もっと読む）

【課題】優れた圧電特性を有するニオブ酸カリウムナトリウム薄膜を用いた圧電薄膜素子を提供する。
【解決手段】圧電薄膜素子は、基板１上に、下部電極２と、ＫＮｂＯ_３薄膜３と、ペロブスカイト構造のニオブ酸カリウムナトリウム（（Ｋ_ｘＮａ_１−ｘ）ＮｂＯ_３（０＜ｘ＜１））で、膜厚が０.２μｍ〜１０μｍ、且つ比誘電率が５０以上２００以下の範囲にある圧電薄膜４と、上部電極５とを有する。 （もっと読む）

【課題】 同軸型真空アーク蒸発源を備えた坦持装置によって触媒用のナノ粒子を粒子状担体に担持させるに際し、粒子状担体が容器内から外へ飛散しないナノ粒子担持装置、およびナノ粒子担持方法を提供すること。
【解決手段】 カソード電極２２の白金をアーク放電によって粒子状担体であるカーボンブラックＣに蒸着させて担持させるに際し、ナノ粒子担持装置１のアーク放電用コンデンサユニット２８の容量を４４００μＦ以下、アーク放電用直流電源２７の放電電圧を１００Ｖ以下、放電周期を２Ｈｚ以上に設定してカーボンブラックＣのチャージアップを抑制する。更には、同担持装置１の真空チャンバ１１内に設置した熱電子放出機器４１から電子を放出させてカーボンブラックＣのチャージアップを抑制する。 （もっと読む）

【課題】圧電体薄膜素子の圧電性能を損なうことなく、電極と圧電薄膜との膜の密着性を上げ、圧電体薄膜素子を用いたデバイスの作成プロセスで安定した品質と歩留まりを有す圧電体薄膜素子を提供すること。
【解決手段】圧電体薄膜１４を備える圧電体薄膜素子１５であって、圧電体薄膜１４は膜厚方向に、複数の結晶配向を有する多結晶体で構成された層（第１の圧電体薄膜１４ａ）と、単一の結晶配向を有する多結晶体で構成された層（第２の圧電体薄膜１４ｂ）を含むようにした。 （もっと読む）

【課題】亜鉛酸化物半導体を形成するための方法、およびこれによって製造される亜鉛酸化物半導体を提供する。
【解決手段】ｎ型半導体の電気的特性を有する亜鉛酸化物薄膜上に金属触媒層を導入し、これを熱処理してｐ型半導体の電気的特性を有する亜鉛酸化物薄膜に改質する。熱処理過程により、亜鉛酸化物薄膜内に存在する水素原子は、金属触媒によって除去される。したがって、金属触媒および熱処理によって薄膜内の水素原子が除去され、キャリアである正孔の濃度は増加する。すなわち、ｎ型の亜鉛酸化物薄膜は、高濃度のｐ型亜鉛酸化物半導体に改質されるのである。 （もっと読む）