【課題】 薄型化が図られた誘電積層体を提供する。
【解決手段】 本発明に係る誘電積層体５２は、基板１２上に形成された第１の電極膜５０Ａ、誘電体膜５０Ｂ及び第２の電極膜５０Ｃで構成されるものである。つまり、グリーンシートを用いた製法では困難であった誘電積層体の薄型化は、例えば、スパッタリング等の成膜技術を利用することによって実現される。ここで、第１の電極膜５０Ａ、誘電体膜５０Ｂ及び第２の電極膜５０Ｃは、一方向にずれた状態で順次積層されているため、この誘電積層体５２は、第１の電極膜５０Ａの表面の一部が十分に露出しており、第１の電極膜５０Ａと外部電極との接続を容易に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】排ガス触媒用ナノ粒子担持方法及び排ガス触媒製造方法の提供。
【解決手段】同軸型真空アーク蒸着源１を用い、真空雰囲気中で、トリガ電極１３とカソード１２との間にパルス電圧を印加してトリガ放電を発生させ、カソード１２とアノード１１との間にコンデンサと直流電源とを接続し、３６０μＦ以上１０８０μＦ以下のコンデンサ容量にて、６０〜１００Ｖの直流放電電圧を印加して間欠的にアーク放電を誘起させ、生成される触媒金属の荷電粒子を、担体としてのアルミナ粉、ジルコニウム、又はランタノイドからなる金属の酸化物が混入されているアルミナ粉の表面に供給、蒸着せしめ、触媒金属ナノ粒子の担持された担体からなる触媒を得る。 （もっと読む）

【課題】ニオブ酸リチウムカリウムナトリウムなどの薄膜圧電体表面の平坦性の向上が図れる薄膜圧電体付き基板、薄膜圧電体素子、薄膜圧電体デバイスおよび薄膜圧電体付き基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１と、基板１の表面に形成される酸化膜と、酸化膜上に形成される下部電極層２と、下部電極層２上に形成されるペロブスカイト型の圧電体層３とを有する薄膜圧電体付き基板であって、圧電体層３は、（Ｎａ_ｘＫ_ｙＬｉ_ｚ）ＮｂＯ_３（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦０.２，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）であり、下部電極層２は、所定方向に配
向して形成され、圧電体層３を下部電極層２に対し所定方向に配向させている。 （もっと読む）

【課題】 ターゲット物質の歩留りを向上させ、無駄なく簡単に薄膜を形成するためのターゲット物質含有液体の製造方法、ターゲット物質を含有する薄膜の形成方法、ターゲット物質含有液体を提供する。
【解決手段】 ターゲットを用いたプラズマスパッタリング法を用い、前記ターゲットが配置された処理室と同一の処理室内に配置された液体材料に向けてターゲット物質をスパッタリングすることにより、前記ターゲット物質を前記液体材料中に分散させることを特徴とするターゲット物質含有液体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】磁気ディスク等の基板を搬送し、基板処理を施して大量に生産する基板処理システムのスループット及び生産性の向上のため、各処理チャンバにおける処理時間（タクトタイム）を短縮する。
【解決手段】基板搬送装置は、ゲートバルブを介して連結されたチャンバと、前記ゲートバルブを開状態にして前記チャンバ間でキャリアを搬送路に沿って搬送する搬送機構と、前記キャリアが前記チャンバの停止位置に到達する前に前記キャリアを検知するセンサと、前記センサからの検知信号に基づき前記ゲートバルブの閉動作を開始するよう制御する制御器とを有する。 （もっと読む）

【課題】耐環境性、特に耐腐食性を高めることを可能とした磁気記録媒体の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】インライン式成膜装置を用いて、少なくとも非磁性基板の面上に形成された記録磁性層に磁気記録パターンを有する磁気記録媒体を製造する際に、少なくとも記録磁性層８３と磁気記録パターン８３ａに対応したマスク層とがこの順で積層された非磁性基板８０をキャリアに取り付ける工程と、記録磁性層８３のマスク層で覆われていない箇所を反応性プラズマ処理又はイオン照射処理することにより、磁気記録パターン８３ａを形成する工程と、記録磁性層８３上からマスク層を除去する工程と、キャリアから非磁性基板８０を取り外す工程とを含み、キャリアが各チャンバの間を通過する間に、各チャンバ内を減圧雰囲気とし、大気と遮断された状態で各工程を連続して行う。 （もっと読む）

パターンが形成された基板上に金属を堆積させる方法および装置を提供する。金属層が，第１のエネルギーを有する物理蒸着工程で形成される。第２のエネルギーを用いて金属層上に第２の物理蒸着工程が行われ、ここで、堆積層は、脆性および塑性表面修正工程の相互作用を受け、基板上にほぼ同形の金属層が形成される。
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【課題】 電界効果型半導体装置に関し、従来の作製方法を大幅に変更することなく、サブスレッショルド電流によるｏｆｆ時のリーク電流を抑制して、ｏｎ−ｏｆｆ比を高くする。
【解決手段】 ソース領域及び第１ドレイン領域の少なくとも一方が金属或いは多結晶半導体からなるとともに、前記金属或いは多結晶半導体と半導体チャネル層との間に形成されたトンネル絶縁膜を有する。 （もっと読む）

【課題】耐食性に優れ、貴金属層の密着性が高く、かつ接触抵抗が低く、さらに生産性に優れたＴｉまたはＴｉ合金製の燃料電池用セパレータおよび燃料電池を提供する。
【解決手段】燃料電池用セパレータは、ＴｉまたはＴｉ合金製の基板の表面に、Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｉｒ，ＰｔおよびＡｕから選択される少なくとも１種以上の貴金属を含んでなる２ｎｍ以上の厚さの貴金属層が形成され、かつ前記貴金属層と前記基板の間、および前記基板が表面に露出した部分、の少なくとも一方に、ルチル型結晶およびブルッカイト型結晶の少なくとも一方を含有する酸化チタン層が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低抵抗性で耐熱性に優れ、表面凹凸が小さい低抵抗金属層を備える積層体、このような積層体上に形成され、膜質のバラツキや表面粗さの小さい高品質な圧電体層を備える圧電素子、およびこの圧電素子を用いた液体吐出装置を提供する。
【解決手段】圧電素子１０は、積層体３０を用いるもので、基板１２、熱酸化膜１４、密着金属層１６、金含有層１８、密着金属層２０、金属層２２、圧電体層２４、上部電極層２６をこの順で積層した積層構造を有する。密着金属層１６、金含有層１８、密着金属層２０および金属層２２は、電極層、特に、下部電極層として用いられる低抵抗金属層２８を構成し、基板１２、熱酸化膜１４および低抵抗金属層２８は、積層体３０を構成する。 （もっと読む）

【課題】最終、ＧａＮＬＥＤなどに形成されるナノコラムをカタリスト材料膜を用いて成長させるにあたって、前記カタリスト材料膜を短時間で形成する。
【解決手段】カタリスト材料膜１２を蒸着・フォトで形成するのではなく、成長基板１１を真空容器２に収容し、ガス供給源４から材料ガスを供給し、その雰囲気７中で、ビーム源５から、イオンビーム６をナノコラムの柱径に収束させて成長基板１１上に照射することで、前記カタリスト材料膜１２をパターニングされた状態で直接薄膜形成する。したがって、該カタリスト材料膜１２の形成後、成長基板１１を大気に暴露することなく、ＭＯＣＶＤ装置やＭＢＥ装置などに搬入して、ナノコラムを成長させることができる。これによって、ナノコラムの位置や柱径を制御可能であるというカタリストを用いる利点を生かしながら、高品質なナノコラムを、高いスループットで安価に成長させることができる。 （もっと読む）

【課題】ゲッターとしての有用性を有する、対応する層状構造も有する、真空筐体を提供する。
【解決手段】内側表面及び外側表面を有する壁により輪郭が示される真空筐体であって、内側表面は真空と接触し、外側表面は外気と接触し、好ましくないガス状混入物のためのゲッターの内部における存在によって特徴づけられ、基板（内部表面と一体になっているか、又はなっていない）を含み、その上に、（ａ）白金族金属及びその酸化物からなる群から選択される材料の少なくとも１層、及び（β）少なくとも１層の多孔質親水性層を含む薄層積層板の真空蒸着によって蒸着されていることを特徴とする、真空筐体。 （もっと読む）

【課題】耐久性に優れながら貴金属使用量を低減した電気接点層を有し、電気接点層の形成後もプレス成形可能な電気接点層付金属材の製造方法を提供する。
【解決手段】金属基材１の表面に電気接点層３を形成する電気接点層付金属材１０の製造方法であって、金属基材１の表面に、チャンバーを用いた気相法により、Ｙ群（チタン、ニオブ、タンタル、ジルコニウムのいずれか）を主成分とし、そのＹ群に対して０．０２ｍａｓｓ％以上５ｍａｓｓ％以下のＰｄを添加した合金からなる平均厚さｄ１が５ｎｍ以上１００ｎｍ以下の接着層２を成膜し、その接着層２の表面に、同一チャンバー内で気相法により、貴金属（Ａｕ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ａｇのいずれか）からなる平均厚さｄ２が１ｎｍ以上２０ｎｍ以下の電気接点層３を成膜するものである。 （もっと読む）

【課題】放電電圧を低下させることなく基板表面のチャージアップを抑制することができる触媒材料の製造方法及び真空アーク蒸着装置を提供する。
【解決手段】本発明の一形態では、円筒状の絶縁部材２３と、上記絶縁部材の外周部に配置された触媒活性を有する金属でなる蒸着材料２１と、上記絶縁部材の外周部に配置されたトリガ電極２２と、上記トリガ電極の周囲に同心的に配置された筒状のアノード電極２４とを有するアーク蒸着源が用いられる。そして、表面にカーボン系材料層Ｃが形成された基板Ｗが準備される。上記蒸着材料の微粒子は、減圧雰囲気下で、上記アーク蒸着源における上記蒸着材料と上記筒状電極との間の放電制御によって生成されて、上記カーボン系材料層の表面に付着させられる。上記アーク蒸着源における上記放電制御に同期して、電子供給源４０から上記減圧雰囲気に電子が供給される。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、このような実情に鑑み、従来より高精度の組成比変化にて、多元化合物を一
度の蒸着にて生成できる装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
発明１の多元化合物作製装置は、一つの蒸着室内に、蒸着材料を蒸発させる材料蒸発機構と、前記材料蒸発機構からの蒸気により蒸着される基材を保持する基材保持部と、この基材保持部と前記材料蒸発機構との間に配置した蒸気通過用開口部を持つマスクと、このマスクを前記基材の蒸着面に沿って移動させるマスク移動機構とを有する多元化合物作製装置であって、前記マスクと基材に蒸着面との間隔を調整する間隔調整手段が設けてあることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】触媒金属が、効果的に触媒活性を発現させることが可能な態様で触媒担持体に担持されている触媒材料の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】蒸着室３ａ及び３ｃ内で導電性担持体の微粒子を基板Ｗに蒸着させ、蒸着室３ｂ及び３ｄ内で触媒金属の微粒子を基板Ｗに蒸着させる。蒸着室３ａ及び３ｃの圧力を、蒸着室３ｂ及び３ｄの圧力より高くすることによって、蒸着室３ａ及び３ｃ内で蒸着される導電性担持体の微粒子相互間の結合を弱くし、蒸着室３ｂ及び３ｄ内で蒸着される触媒金属の微粒子の、導電性担持体への担持を強くする。これにより、導電性担持体に触媒対象物が浸透しやすく、触媒反応における触媒金属の凝集が発生しない触媒材料を得る。 （もっと読む）

【課題】カソード電極とトリガ電極との間の短絡を効果的に抑止でき、メンテナンスフリーの状態における使用期間をより長期間とする（または使用回数をより多くする）ことのできるアーク蒸着装置を提供する。
【解決手段】カソード電極１と、これを包囲する絶縁ガイシ４と、この外周に設けられたＣリング３と、この外周に設けられたトリガ電極２と、が一つのユニット体を形成して筒状のアノード電極６内に収容され、これが減圧容器８内に収容されてできるアーク蒸着源１０を具備するアーク蒸着装置１００であり、カソード電極１を構成する蒸着材料の消耗に応じて該カソード電極１を絶縁ガイシ４に対して相対的に移動させる第１の送り出し手段９Ａと、少なくとも絶縁ガイシ４をＣリング３の端部から突出させる第２の送り出し手段９Ｂとを備え、Ｃリング３の切欠き３１はトリガ電極２側からカソード電極１側に向ってその切欠き幅が広くなっている。 （もっと読む）

【課題】ウェットプロセスとドライプロセスを併用することにより、触媒金属の有効面積を大きくでき、しかも触媒金属の高担持を実現することのできる電極触媒の製造方法を提供する。
【解決手段】溶媒Ｙ中に、カーボン等の担体Ｃと、触媒物質もしくは触媒物質前駆体Ｓ１’と、を分散させ、攪拌して、担体Ｃ表面に触媒物質Ｓ１が付着してなる電極触媒の中間体Ｔ１を生成する第１の工程（ウェットプロセス）と、この中間体Ｔ１の表面に、ドライ条件下にて触媒物質Ｓ２をさらに付着させて触媒担持担体粒子Ｔ２を生成する第２の工程（ドライプロセス）と、からなる電極触媒の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】基板に形成されたホールの内部にスパッタリングにより成膜した貴金属膜の厚みを、ホールの両サイドで対称なものとすることができ、したがって、貴金属膜に断線等の不具合が生じる虞がなく、信頼性をより向上させることができる貴金属膜の成膜装置及び貴金属膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の貴金属膜の成膜装置は、基板２３に形成されたホールの内部に貴金属膜をスパッタリングにより成膜する装置であり、ターゲット２４と、このターゲット２４に対向配置されるステージ２２と、ターゲット２４にスパッタリング電力Ｐ_ｔ（Ｗ）を印加する電源２６とを備え、ターゲットの直径Ｔと、ターゲット２４とステージ２２上の基板２３との距離Ｌとの比Ｌ／Ｔを、０．５以上かつ１．５以下の範囲で変更可能とした。 （もっと読む）

【課題】耐酸性に優れ、かつ接触抵抗が低い燃料電池用金属セパレータおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る燃料電池用金属セパレータ１は、表面が平面の金属基材２、または、表面の少なくとも一部に凹形状のガス流路が形成される金属基材２を用いて製造された燃料電池用金属セパレータであって、金属基材２の表面に、Ｎｂ、Ｔａから選択される１種以上の非貴金属を含んでなる耐酸性金属皮膜３と、この耐酸性金属皮膜３の上にＡｕ、Ｐｔから選択される１種以上の貴金属、および、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａから選択される１種以上の非貴金属を含んでなる導電性合金皮膜４と、を有する構成とした。また、本発明に係る燃料電池用金属セパレータの製造方法は、耐酸性金属皮膜を成膜する工程Ｓ１と、導電性合金皮膜を成膜する工程Ｓ２と、を含んでなる。 （もっと読む）