【課題】支持基板の電極上に成膜される圧電体の膜応力を低減させ、支持基板の変形を抑制可能にする。
【解決手段】この圧電アクチュエータ６０は、１０−２０μｍ厚の振動板６２の電極６４上にエアロゾルデポジション法（ＡＤ法）により１０μｍ厚のＰＺＴ膜６８を成膜して構成されるが、この電極６４とＡＤ膜のＰＺＴ膜６８との間にスパッタ法により成膜される0.5 μｍ以上の厚みのＰＺＴ膜６６を介在させる。スパッタ膜のＰＺＴ膜６６は、ＡＤ膜のＰＺＴ膜６８と同一組成の材料で構成されているため、ＰＺＴ膜６８との界面に圧縮応力が溜め込まれず、ＰＺＴ膜６８の膜応力を低減させることができ、応力緩和層として機能するとともに、膜応力が少なく且つ膜密着性が強いため、ＡＤ膜のＰＺＴ膜６８の密着性向上層としての機能も併せ持つ。 （もっと読む）

【課題】 基板上に薄膜を均一な厚さで良好に形成することができるスパッタリングターゲットとその製造方法及びスパッタリング装置並びに液体噴射ヘッドを提供する。
【解決手段】 白金からなる金属材料を圧延することによって形成された所定厚さの金属板を加熱して再結晶化することによって得られるスパッタリングターゲットを、その結晶組織が面内方向及び厚さ方向の何れにおいても等方性であり且つビッカース硬度の最大値が６０以下であるようにする。 （もっと読む）

【課題】抵抗発熱体は種々の材料ソースあるいは基板加熱などに用いられ、近年あらゆる雰囲気で化学的に安定な発熱体材料が必要とされている。従来、炭化ケイ素、モリブデン、タンタル、タングステンを用いた発熱体が知られているが、薄膜化が困難であり、小さくできない。また形状も、板状、ワイヤー状に限られる場合が多く、熱効率がよい形状が望まれている。
【解決手段】MoSi₂の欠点を、RFマグネトロンスパッタリング装置などを用いて、るつぼ等に直接薄膜として堆積させることで改善し、高効率の加熱が可能な薄膜状のMoSi₂薄膜発熱体、および、基体にMoSi₂薄膜を形成した薄膜発熱器を提供する。薄膜層の劣化を防止するため第１電極と第２電極を設ける。 （もっと読む）

【課題】 対向ターゲット式のスパッタリング装置を用いて有機発光素子の電極膜や金属膜を形成するようにした有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の有機発光素子の製造方法は、基板上に第１の電極を形成し、該第１の電極上に有機膜を形成し、有機膜上に対向ターゲット式のスパッタリング装置で第２の電極を形成し、有機膜に対するプラズマの損傷なく、低温で有機発光素子の電極膜を形成することによって、有機発光素子の発光効率、電気的、光学的の特性を向上できるようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】基板上に薄膜を良好且つ均一な膜厚に形成することができるスパッタリング方法、スパッタリング装置、圧電素子の製造方法及び圧電素子を具備する液体噴射ヘッドを提供する。
【解決手段】 ターゲット４０２に対向して配置された基板１１０の表面に、ターゲット４０２をスパッタリングすることによって薄膜を形成する際、ターゲット４０２の表面と基板１１０の表面との間隔（ＴＳ）が１００ｍｍ以上となるようにする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ターゲットの消耗量を減らすことができ、被蒸着物と蒸着膜との密着力を向上させることができる蒸着装置を提供する。
【解決手段】本発明による蒸着装置は、前記被蒸着物を収容する第１真空チャンバーと；前記第１真空チャンバー内に設けられ前記被蒸着物に蒸着粒子を放出するターゲットと；前記ターゲットを支持し前記ターゲットから前記蒸着粒子を放出させるスパッタソースと；前記第１真空チャンバーと連通するように設けられる第２真空チャンバーと；前記第２真空チャンバーに結合され前記被蒸着物にイオンビームを放出するイオンビームソースと；を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来試みられることのなかった新規な方法で担体に触媒材料を担持してなる水素貯蔵及び発生用触媒構造体、並びに該触媒構造体を用いた水素の貯蔵及び発生方法を提供する。
【解決手段】担体表面にガスフロースパッタリング法により触媒材料をコーティングしてなる水素貯蔵及び発生用触媒構造体、並びに、該触媒構造体と、芳香族炭化水素とを用いることを特徴とする水素の貯蔵方法、及び上記触媒構造体と、芳香族炭化水素の水素化誘導体とを用いることを特徴とする水素の発生方法である。 （もっと読む）

スピン塗布によりレジストの被膜を形成する場合、無駄となってしまうレジスト材料が存在し、さらに、必要に応じて端面洗浄の工程が増えてしまう。また、真空装置を用いて、基板上に薄膜を成膜する際には、チャンバー内を真空にする特別な装置や設備が必要で、製造コストが高くなってしまう。本発明は、絶縁表面を有する基板上に、ＣＶＤ法、蒸着法又はスパッタ法により選択的に導電層を形成するステップと、前記導電層に接するように、組成物を吐出してレジストマスクを形成するステップと、前記レジストマスクを用いて、大気圧又は大気圧近傍下で、プラズマ発生手段により前記導電層をエッチングするステップと、大気圧又は大気圧近傍下で、前記プラズマ発生手段により前記レジストマスクをアッシングするステップを有することを特徴とする。上記特徴により、材料の利用効率を向上させて、製造コストの低減を実現する。
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【課題】 良好な強誘電体特性が得られる電極膜、圧電素子、強誘電体キャパシタ及び半導体装置を提供することにある。
【解決手段】 電極膜は、基体の上方に形成される白金族金属を含み、ＣｕＫ_α線を用いたθ−２θ法によるＸ線回折において求められるピークに対応する回折角２θが、電極膜の熱処理後のピークに対応する回折角以上の大きさである。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、金属粒子表面に貴金属粒子を添着させてなる金属複合粉末の製造方法を提供するものである。
【解決手段】 かゝる本発明は、例えば平均粒径が約５０ｎｍ以上である球状の金属粒子２０をスパッタ装置１０内でローリングさせつつ、スパッタ法により貴金属粒子を添着させる金属複合粉末の製造方法にあり、これにより、平均粒子径が約５〜１０ｎｍである貴金属粒子が添着される金属複合粉末が得られ、優れた触媒作用や抗菌作用などを期待することできる。 （もっと読む）

【課題】
基材の端部を遮蔽することなく、基材端部にまで有効な真空薄膜を製造する方法を提供する。本発明により、基材の端部まで全面が均一な真空薄膜を得ることができる。
【解決手段】
基材上に真空薄膜を形成する方法において、該基材が該基材の幅より大きな幅を持つ支持体に近接または接触しており、かつ該基材の両端部のさらに外側に該支持体がはみ出し、該支持体のはみ出した部分に被覆シートを配設させた状態で成膜することを特徴とする真空薄膜の製造方法。
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【課題】配線パターンとなる金属材料中にＣＮＴを均一に分散させると共に、配線パターンの電気導電率を向上させる。また、スパッタリングによって金属薄膜中にＣＮＴを均一に分散混入するためのターゲット材を提供する。
【解決手段】絶縁性材料からなる基材８の表面にＣＮＴ入り金属層１３を形成し、金属層１３をパターンエッチングして配線パターンを形成する配線材の製造方法において、ＣＮＴ入り金属層１３をスパッタリング法により形成する。ＣＮＴとＣｕを同時にスパッタリングしてＣＮＴ入り金属層１３を形成しているため、ＣＮＴをＣｕ中に均一に混入できると共に、ＣＮＴとＣｕ間の界面抵抗を低減でき配線の電気導電率が向上する。スパッタリング用ターゲット材１０としては、ＣｕにＣＮＴが含まれたターゲット材を用いる。 （もっと読む）

【課題】 先鋭化ファイバーのような線的な構造あるいは立体的な微細加工に対して無電解により再現性よく金属コーティングを行うことができるようにする。
【解決手段】 触媒金属としてパラジウムを酸素含有アルゴン環境下でスパッタにより被めっき物の表面に付与する。 （もっと読む）

【課題】 基板の除去の際に第三薄膜に対する不具合が起こり難くなる電子デバイスの製造方法及びこれにより製造された電子デバイス及び圧電デバイスを提供する。
【解決手段】 第一工程では、被成膜面１０ａの一部１２を覆うように基板１０を保持しこの被成膜面１０ａ上に第一薄膜２０を成膜する。第二工程では、被成膜面の一部１２を覆わないように、第一薄膜２０が成膜された基板１０を保持し、被成膜面の一部１２の上及び第一薄膜２０の上にさらに第二薄膜４０を成膜する。第三工程では、第二薄膜４０の上に第三薄膜５２，５０を成膜し、積層体７０を得る。第四工程では、エッチャント又は液体を含む研磨剤を用いて基板１０を積層体７０から除去する。そして、第二薄膜４０のエッチング速度又は溶解速度は、第三薄膜５２，５０のエッチング速度又は溶解速度よりも低い。 （もっと読む）

燃料電池用の高安定性で廉価なバイポーラ板が開示される。この高安定性バイポーラ板は、バイポーラ板基板およびバイポーラ板基板上に与えられる耐食性の被覆を含む。バイポーラ板の耐食性を向上させる方法も開示される。 （もっと読む）

【課題】 金属吸着法を用いて均一な単原子ステップを有する固体結晶表面を形成する方法を提供する。
【解決手段】 固体結晶の両端に直流電圧を印加して所定の温度に加熱する段階と、直流電圧印加を保持しつつ、所定の温度に加熱された固体結晶の表面に金属原子を所定の蒸着速度で蒸着することで、固体結晶の表面に当該固体結晶を構成する原子の単原子ステップを形成する段階と、を含む固体結晶表面の形態制御方法。 （もっと読む）

本発明は、透明基材の表面をコーティングするための層システム、特にガラス窓のための低輻射率（低Ｅ）の層システムであって、金属ターゲット合金から反応性陰極スパッタリングによって作製された混合酸化物の少なくとも１つの層を含む層システムに関する。この混合酸化物層は、ＺｎＯと、ＴｉＯ₂と、酸化物Ａｌ₂Ｏ₃、Ｇａ₂Ｏ₃及びＳｂ₂Ｏ₃のうちの少なくとも１種とを含み、そして上層及び／又は下層反射防止層、反射防止層のうちの部分的な層及び／又は最終仕上げ層として応用される。該層システムは、高い硬度と海洋気候に対する優れた耐性を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 複数の基板の成膜を簡易におこなうことができる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る成膜装置１０において、成膜されるべきＳｉ基板２０は、筐体１２内に配置された円板状ホルダ１８によって保持される。そして、ホルダ１８に保持されたＳｉ基板２０Ａがヒータ２８によって加熱されると共に、蒸着源３０から成膜材料３２が放出されることによって、Ｓｉ基板２０Ａの成膜がおこなわれる。ここで、ホルダ１８は、その円周方向Ｌに沿って並ぶように６枚のＳｉ基板２０Ａ〜２０Ｆを保持すると共に、その円周方向Ｌに回転する。そのため、このホルダ１８を回転させると、蒸着源３０によって成膜されるＳｉ基板２０がＳｉ基板２０Ｂに換わって、ホルダ１８に保持された６枚のＳｉ基板２０Ａ〜２０Ｆが順次成膜可能な状態となる。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本発明は、加工チャンバ内に配設された遮蔽体２２の面と相互接触する絶縁体１３２を有するコイル支持組立体１３０を備えている。絶縁体１３２は遮蔽体２２を貫通して延びる伸長部を有する。第二の絶縁体１３１が遮蔽体２２とコイル２６との間に配設され且つコイルから延びる突出部４０と接触する。締結具１３４は、第一の絶縁体１３２を通して配設され且つ第二の絶縁体１３１を通って突出部４０内に延びる。締結具１３４は、第一の絶縁体１３２により遮蔽体２２から電気的に隔離されている。本発明は、上述したコイル支持体の形態を保持するコイル組立体を含む。本発明は、その内部に配設された遮蔽体を有する加工チャンバ内にてコイルを支持する方法を更に含む。絶縁体は、遮蔽体の外側部から遮蔽体の厚さを通って延びるように挿入される。コイルは、締結具を挿入することによりチャンバ内に取り付けられる。本発明は、加工チャンバ内に配設された遮蔽体の面と相互接触する絶縁体を有するコイル支持組立体を備えている。絶縁体は遮蔽体を通って延びる遮蔽体を有する。第二の絶縁体は、遮蔽体とコイルとの間に配設され且つコイルから延びる突出部と接触する。締結具は、第一の絶縁体を通して配設され且つ第二の絶縁体を通って突出部内に延びる。締結具は第一の絶縁体により遮蔽体から電気的に隔離される。本発明は、上述したコイル支持体の形態を保持するコイル組立体を含む。本発明は、その内部に配設された遮蔽体を有する加工チャンバ内にコイルを支持する方法を更に含む。絶縁体が遮蔽体の外側部から遮蔽体の厚さを通って延びるよう挿入される。コイル本体から外方に突出するボス内に締結具を絶縁体の各々を通して挿入することによりコイルがチャンバ内に取り付けられる。
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基板と、前記基板上に形成された酸化物系ナノ素材とからなる基材を含む光触媒を開示する。前記光触媒は、同一成分を持つ従来の光触媒より高い体積対表面積比を有し、且つナノサイズの光触媒層を備えることにより、優れた光分解特性を持つ。 （もっと読む）