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Fターム[4K029BA13]の内容

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Fターム[4K029BA13]に分類される特許

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【課題】カーボンナノチューブの形成方法及びそれを利用した半導体素子の配線形成方法を提供する。
【解決手段】(i)複数の突起部を有する基板を準備する段階と、(ii)前記基板上に、前記突起部を覆い、カーボンナノチューブの成長を促進させる触媒層を形成する段階と、(iii)前記触媒層上にカーボンが含まれるガスを注入して、前記触媒層の表面上に前記カーボンナノチューブを成長させる段階と、を含むカーボンナノチューブの形成方法である。本発明によれば、カーボンナノチューブの成長密度を上昇させて電気的抵抗を低下させうる。その結果、電流密度が上昇し、微細ビアホールにも適用可能で、半導体素子の超高集積化を達成しうる配線形成方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】酸化シリコンの上に剥離しにくい状態で、平坦性が優れて<111>方向に配向した白金の薄膜が形成できるようにする。
【解決手段】主表面が(100)面とされた単結晶シリコンからなるシリコン基板101を用意し、シリコン基板101の主表面に酸化シリコン層102が形成された状態とする。例えば、熱酸化法により酸化シリコン層102のが形成可能である。また、CVD(化学的気相成長法)により、酸化シリコン層102のが形成可能である。次に、白金ターゲットを用い、加えて酸素ガスを導入したECRスパッタ法により、酸化シリコン層102の上に、遷移層103を介して膜厚150〜200nm程度の白金薄膜104が形成された状態とする。 (もっと読む)


【課題】プラチナまたはプラチナ合金被膜特有の色調が得られ、へこみや傷等による外観品質の劣化が起きにくく、しかも、高級感のある白色被膜を有する装飾品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の白色被膜を有する装飾品は、金属またはセラミックスからなる装飾品用基材と、該基材表面に形成された下地層と、この表面に乾式メッキ法により形成された炭化チタン層と、この表面に乾式メッキ法で形成されたプラチナまたはプラチナ合金からなる装飾被膜層とで構成される。これにより、上記装飾品は、傷等による外観品質の劣化が起きにくく、しかも、プラチナまたはプラチナ合金被膜特有の色調が得られ、高級感のある白色被膜を有する。 (もっと読む)


【課題】軟質高分子成形体に優れた金属調を実現し、トップコート層を設けた場合であっても光沢が喪失せず元来の金属調を維持することができる金属調軟質高分子成形体の提供。
【解決手段】軟質高分子成形体11に金属薄膜層13を有する金属調軟質高分子成形体10について、金属薄膜層13を、長手方向の最大長が5μm以内の蒸着金属粒でなる多数の島部が不連続に密集する平坦な表面構造を有するものとし、かつその層厚を20nm〜100nmとした。 (もっと読む)


【課題】酸化シリコンの上に剥離しにくい状態で白金の薄膜が形成できるようにする。
【解決手段】主表面が(100)面とされた単結晶シリコンからなるシリコン基板101を用意し、シリコン基板101の主表面に酸化シリコン層102が形成された状態とする。例えば、熱酸化法により酸化シリコン層102のが形成可能である。また、CVD(科学的気相成長法)により、酸化シリコン層102のが形成可能である。次に、白金ターゲットを用いたECRスパッタ法により、酸化シリコン層102の上に、膜厚200nm程度の白金薄膜103が形成された状態とする。 (もっと読む)


【課題】 方向性及び無方向性のプロセス・ステップを統合し、その結果、得られるシリサイドが最小限のシート抵抗を有し、かつパイプ欠陥を回避する、ニッケル堆積プロセス及びツールを提供すること。
【解決手段】 無方向性及び方向性の金属(例えば、Ni)堆積ステップが同一のプロセス・チャンバ内で実行される、方法及び装置が提供される。第1のプラズマは、ターゲットから材料を取り出すために形成され、材料のイオン密度を増大させる第2のプラズマは、RF発生器に接続された環状電極(例えば、Ni環)の内側に形成される。材料は、第2のプラズマ及び基板への電気的バイアスが存在しない場合、基板上に無方向性の堆積をされ、第2のプラズマが存在し、基板に電気的にバイアスがかけられている場合、方向性の堆積をされる。堆積された金属から形成されるニッケルシリサイドは、方向性プロセスのみで堆積された金属から形成されるNiSiよりも、ゲートポリシリコンの低シート抵抗を有し、より低いパイプ欠陥密度を有することができ、かつ無方向性堆積のみで堆積された金属から形成されたNiSiよりも低いソース/ドレイン接触抵抗を有する。 (もっと読む)


【課題】 半導体ウェハにおける配線層間の接続抵抗を低減する。
【解決手段】 表面に凸部4aが形成されたターゲット4を用い、このターゲット4の凸部4aにプラズマイオン7を衝突させて金属原子8をはじき出して半導体ウェハ上のスルーホールの内壁に金属膜を堆積することにより、ターゲット4の凸部4a付近から飛び出してくる金属原子8の飛び出しの方向を狭めることなく金属原子8をはじき出すことが可能になる。これにより、配線層間の前記スルーホール内に形成される金属膜のステップカバレージを向上させることができ、その結果、配線層間の接続抵抗を低減できる。 (もっと読む)


【課題】電極材を溶液化する必要がなく、製造作業が容易かつ短時間で行うことができる電気分解用電極およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の電気分解用電極は、基板10と、該基板10の表面に形成された電極層11とを備え、電気分解により次亜塩素酸を生成する電気分解用電極において、電極層11は、電極材をターゲット2とするレーザーアブレーション法により形成されて成るものである。本発明の電気分解用電極の製造方法は、電気分解により次亜塩素酸を生成する電気分解用電極を製造する方法において、レーザーアブレーション法により基板10の表面に電極材を蒸着させて電極を形成するものである。ここに、電極材は、パラジウム、ルビジウム、ロジウム、イリジウム、白金、ニッケル、スズ、チタン、ジルコニウムのいずれか1種又はこれらを主成分とする合金若しくは酸化物から成ることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】
Ti電極基材の上にPt層を有する、アルカリイオン整水器用の電極において、従来品よりも薄いPt層でありながら、寿命が延長された電極と、その製造方法を提供すること。
【解決手段】
Ti電極基材をスパッタリング装置に入れ、Arガスを用いたエッチングにより表面に存在するTiOを除去したのち、Tiターゲットを用いてTiのスパッタリングを行なってTiスパッタ層を形成し、つぎに雰囲気にアセチレンおよび窒素ガスを導入してTiCNのスパッタ層を形成し、最後にPtのスパッタリングを行なってPt表面層を形成する。下記の表面層構成を有する電極が得られる。
(内部) (表面)
Ti電極基材/Tiスパッタ層/TiCNスパッタ層/Ptスパッタ層 (もっと読む)


【課題】 鉛フリーで、かつ、十分な圧電特性を有する圧電薄膜素子及びそれを用いたアクチュエータ並びにセンサを提供するものである。
【解決手段】 本発明に係る圧電薄膜素子10は、基板11上に、下部電極12、圧電薄膜14、及び上部電極15を有するものであり、
圧電薄膜14を、一般式(NaxKyLiz)NbO3(0<x<1、0<y<1、0≦z<1、x+y+z=1)で表記されるアルカリニオブ酸化物系のペロブスカイト化合物で構成される誘電体薄膜とし、
その圧電薄膜14と下部電極12の間に、バッファ層13として、ペロブスカイト型結晶構造を有し、かつ、(001)、(100)、(010)、及び(111)のいずれかの面方位に高い配向度で配向され易い材料の薄膜を設けたものである。 (もっと読む)


【課題】 より微細な構造の形成を行うことの出来る、熱化学加工法による炭素材料の処理方法を提供すること。
【解決手段】
炭素材料1の処理面に単結晶金属薄膜2を成膜する第1の工程と、該炭素材料1に対して熱処理を行って熱化学加工を行う第2の工程とを有する炭素材料1の処理方法において、当該第1の工程がスパッタリングの工程により行われ、当該スパッタリングの工程は、0.01Pa〜10Paの圧力下で該炭素材料1を600〜1800℃に加熱しながら、200〜1000Wのスパッタ電力を印加して該炭素材料1上に単結晶金属薄膜2を成膜させる工程であることを特徴とする炭素材料1の処理方法である。 (もっと読む)


【課題】初期の可視光透過率に優れ、耐久性にも優れた透明積層フィルム、これを用いた透明積層体、プラズマディスプレイを提供すること。
【解決手段】透明高分子フィルムの少なくとも一方面に、液相法により形成された金属酸化物を含む薄膜と、金属薄膜とが交互に積層されており、金属薄膜の少なくとも一方面には、気相法により形成された金属酸化物を含むバリア膜が設けられた透明積層フィルムとする。金属酸化物を含む薄膜およびバリア膜における金属酸化物としてチタンの酸化物、金属薄膜における金属として銀または銀合金を好適に用いる。また、透明支持基体の表面に、粘着剤層を介して、透明積層フィルムを貼り付けた透明積層体とする。また、上記透明積層フィルムまたは透明積層体をプラズマディスプレイに用いる。 (もっと読む)


金属ナノ粒子コーティングされたミクロポア基材、その調製方法、およびその使用について記載している。
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【課題】ステンレス鋼からなる装身具で、耐食性が優れ、ニッケルの溶出が極めて少なく、耐傷付き性に優れた白色被膜を有する装飾品を提供すること。
【解決手段】 本発明に係る白色被膜を有する装飾品は、ステンレス鋼からなる装飾品用基材と、該基材表面に形成された下地層と、該層表面に乾式メッキ法で形成された耐摩耗層および該耐摩耗層表面に乾式メッキ法で形成された最外層とから構成され、前記最外層がプラチナ−パラジウム合金からなり、発色層がステンレス鋼色調を有する硬質白色被膜であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ステンレス鋼からなる装飾品で、耐食性が高く、ニッケルの溶出が極めて少なく、耐傷付き性に優れた白色被膜を有する装飾品を提供すること。
【解決手段】ステンレス鋼からなる装飾品用基材と、該基材表面に湿式メッキ法で形成されたバリアー層と、該バリアー層の表面に乾式メッキ法により形成された下地層と、該下地層の表面に乾式メッキ法により形成された耐摩耗層、および該耐摩耗層の表面に乾式メッキ法により形成された最外層からなる発色層とから構成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】
本発明の目的は、熱拡散法によって形成した傾斜機能材層よりも高温揮発減耗を抑制し、電極チップの高温強度を向上させることで火花減耗に対する耐久性を向上させること及び更なる細径化を図り貴金属使用量を抑えて安価であることを実現するスパークプラグ用電極チップを提供することである。
【解決手段】
本発明に係るスパークプラグ用電極チップは、イリジウム又はイリジウム合金からなる芯材の表面に、イリジウムとロジウムを主成分とする合金からなる保護被膜を被覆する際に、保護被膜を気相法によって形成し、保護被膜の組成を、芯材の表面上においてはイリジウムのみ又はイリジウムを主成分とし、膜成長方向に沿ってロジウム含有量が連続的及び/又は段階的に増加すると共にイリジウム含有量が連続的及び/又は段階的に減少し、且つ、最表面においてはロジウムを75〜100質量%含有する組成とする。 (もっと読む)


【目的】成膜対象基板の所望する部位に成膜材料を成膜する際に、マスクの位置合わせや、レーザ走査位置の位置合わせを不要とし、容易な成膜処理を実現する。
【構成】成膜対象となる基板にレーザ光を照射して成膜材料をアブレーションさせて成膜対象基板の成膜対象面に溶射する成膜方法にて、成膜材料から成るターゲット基板と、成膜対象となる基板の成膜面との間にあらかじめ形成すべき成膜パターンに対応した間隙寸法差を形成し、その寸法差による成膜条件の違いを利用して、パターニングを行う。 (もっと読む)


【課題】 大面積基板に対応可能なように、広い面積のターゲット金属の表面上に沿って平行な磁場を形成することを可能とする。。
【解決手段】 マグネトロン型イオンスパッタ用ターゲット電極は、磁性体からなり、表面上に同心状の複数のヨーク磁極部4を立ち上げて設けた板状の磁極ヨーク1と、この磁極ヨーク1の前記複数のヨーク磁極部4の間に磁極を何れも同じ方向に向けて同心状に配列された磁石2とを有する。これら磁石2と磁極ヨーク1との間に放射状に磁場を形成し、この磁場に沿ってスパッタ面が位置するように磁石2と磁極ヨーク1との間にターゲット金属3を配置している。 (もっと読む)


耐酸化性物品の製造方法が開示される。該方法は、(a)支持体上へ白金族金属の層を沈着させることによって白金族金属沈着化支持体を形成させ、次いで(b)白金族金属沈着化支持体層上へ、Hf、Y、La、Ce、Zr及びこれらの混合物から選択される反応性元素を沈着させることによって該白金族金属沈着化支持体上へ表面改質領域を形成させる工程を含む。この場合、該表面改質領域は、白金族金属、Ni、Al及び反応性元素を、γ−Ni+γ’−NiAl相組成が形成されるような相対濃度で含有する。
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基板上に、第1の金属成分からなる金属部分と、上記第1の金属成分とは異なる第2の金属成分の化合物からなる金属化合物部分とが互いに混合分散してなる複合薄膜を形成し、次いで上記複合薄膜中の金属成分を除去すること、又は基板上に、第1の金属成分からなる第1の金属部分と、上記第1の金属成分とは異なる第2の金属成分からなる第2の金属部分とが互いに混合分散してなる複合薄膜を形成し、次いで上記複合薄膜中の第1又は第2のいずれかの金属部分のみを除去することを特徴とする多孔質薄膜の形成方法を提供する。
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