【課題】圧電体薄膜を短時間で微細加工することができるとともに、選択的に加工を停止させることができる圧電体薄膜ウェハの製造方法、圧電体薄膜素子、及び圧電体薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】基板２上に圧電体薄膜４を備えた圧電体薄膜ウェハ１は、Ａｒを含むガスを用いてイオンエッチングを行う第１の加工工程と、反応性ガスとＡｒとを混合した混合エッチングガスを用いて反応性イオンエッチングを行う第２の加工工程とにより製造される。圧電体薄膜４だけを短時間でエッチングすることが可能である。 （もっと読む）

【課題】環境に優しく、圧電体の配向性が高い圧電素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る圧電素子の製造方法は、鉄酸マンガン酸ビスマスランタンを主成分とする圧電体を含む圧電素子の製造方法であって、第１電極を形成する第１電極形成工程と、第１電極の上方に、前駆体を塗布する塗布工程と、前駆体を、１５０℃以上２００℃以下の温度で熱処理する第１熱処理工程と、第１熱処理工程の後に、前駆体を、３５０℃以上４５０℃以下の温度で熱処理する第２熱処理工程と、第２熱処理工程の後に、前駆体を焼成することにより結晶化させて、圧電体を形成する焼成工程と、圧電体の上方に、第２電極を形成する第２電極形成工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】薄膜と被成膜基材との密着性を十分に確保できる被成膜基材への薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、プラスチック又はプラスチックにＳｉＯ_２及びＡｌ_２Ｏ_３の少なくとも一方を分散させた材料からなる被成膜基材２の表面に酸素プラズマ処理、オゾン処理及び紫外線照射処理のいずれかの処理を施した後に、前記被成膜基材２の表面上に、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法及び蒸着法のいずれかの方法により薄膜を成膜することを特徴とする被成膜基材への薄膜の成膜方法である。 （もっと読む）

【課題】安定した特性と高い強度を確保して振動子の振動特性を調整する。
【解決手段】本発明に係る振動型ジャイロセンサは、一方の面に圧電膜、駆動電極、一対の検出電極、及び配線接続端子が形成された振動型ジャイロセンサ素子と、この振動型ジャイロセンサ素子が実装されるランドが形成された支持基板とを備える。前記振動型ジャイロセンサ素子は片持ち梁状の振動子部を有し、前記一方の面側を前記支持基板側に向けて実装されているとともに、前記一方の面以外の領域を、前記振動子部の振動特性調整用の凹部が形成された被加工領域としている。 （もっと読む）

【課題】少ない担持量でかつ同等の性能が得られ、付着した白金が殆ど離脱することがない燃料電池用電極を製造することができる燃料電池用電極製造装置およびその方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバ２と、蒸着材料１１の金属からなるカソード電極、トリガ電極１３、アノード電極２３、トリガ電源３１、およびアークプラズマ発生用の並列に設けられたアーク電源３２とコンデンサ３３を備えた同軸型真空アーク蒸発源５と、前記同軸型真空アーク蒸発源５と対向して配置され、被蒸着体７である粉体状担体を収容する容器７３と、前記容器７３内で前記粉体状担体を攪拌する攪拌手段３と、前記攪拌手段３による攪拌過程で生じた前記粉体状担体の塊を粉砕するために、前記容器内の底面を叩く粉砕手段８５とを有し、前記粉体状担体に前記金属を蒸着させて燃料電池用電極を製造する燃料電池用電極製造装置１及びその方法。 （もっと読む）

【課題】超音波接合性、高温信頼性を向上したＡｌパッドと基板側のリード間を多数箇所同時に接続するボンディングリボンを提供する。
【解決手段】パラジウム（Ｐｄ）または白金（Ｐｔ）被覆銅芯材からなるボンディングリボンとして、
銅芯材を７０Ｈｖ以下のビッカース硬さをもつ純度９９．９％以上の銅（Ｃｕ）として導電性とループ形成性を付与し、被覆層を純度９９．９％以上のパラジウム（Ｐｄ）または白金（Ｐｔ）をアルゴンガス（Ａr）等の希ガス雰囲気下で室温の銅芯材テープ上にマグネトロンスパッタすることによって、微細な粒状の結晶組織として、芯材と被覆層とのビッカース硬さを同等にして、アルミパッドの損傷を防止するとともに、接合性を向上する。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い単結晶ダイヤモンドをヘテロエピタキシャル成長させることができ、しかも安価で大面積なダイヤモンドを成長させることができるダイヤモンド成長用基材、及び安価に大面積高結晶性単結晶ダイヤモンドを製造する方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンドを成長させるための基材１０，１０’であって、少なくとも、種基材１１、１１’と、該種基材１１、１１’の前記単結晶ダイヤモンドを成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜、白金膜、ロジウム膜のいずれか１２からなり、前記種基材１１，１１’は、グラファイト１１’か、またはベース基材１１ａ上にグラファイト層１１ｂが形成されたものである単結晶ダイヤモンド成長用の基材。 （もっと読む）

【課題】回路パターンを良好なファインピッチで形成することができるプリント配線板用回路基板の形成方法を提供する。
【解決手段】プリント配線板用回路基板の形成方法は、白金、パラジウム、及び、金のいずれか１種以上を含み、白金の付着量が１０５０μｇ／ｄｍ²以下、パラジウムの付着量が６００μｇ／ｄｍ²以下、金の付着量が１０００μｇ／ｄｍ²以下である被覆層を表面に備えた銅箔又は銅層と、樹脂基板との積層体を準備する工程と、積層体の被覆層表面にレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンを形成した積層体の被覆層表面を、ＣｕＣｌ₂を１．５〜４．１ｍｏｌ／Ｌ、及び、ＨＣｌを１．３〜５．０ｍｏｌ／Ｌ含むエッチング液を用いてエッチングする工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】圧電特性や誘電性の向上を図り、これらの基板面内での均一性に優れた圧電体素子、その製造方法、及び圧電体デバイスを提供する。
【解決手段】圧電体素子は、表面に酸化膜が形成された基板１と、密着層２と、下部電極層３と、（Ｎａ_ｘＫ_ｙＬｉ_ｚ）ＮｂＯ_３で表される圧電薄膜４を有し、圧電薄膜４が、擬立方晶、立方晶、正方晶、斜方晶、六方晶、単斜晶、三斜晶、もしくは斜方面体の結晶構造、または少なくとも一つの結晶構造が共存した状態を有しており、ある特定の軸に優先的に配向しており、圧電薄膜４の基板面内の格子面間隔ａと基板面外の基板法線方向の格子面間隔ｃとの結晶格子歪量ｃ／ａ、及び圧電定数、比誘電率、誘電損失のうち少なくとも一つの物理量の相対標準偏差が、ｃ／ａでは０．２％未満、圧電定数では４．３％以下、比誘電率では３．２％以下、あるいは誘電損失では１０．１％以下である。 （もっと読む）

【課題】回路パターン形成の際のエッチング性が良好でファインピッチ化に適し、磁性が良好に抑制されたプリント配線板用銅箔及び積層体を提供する。
【解決手段】プリント配線板用銅箔は、銅箔基材と、銅箔基材の表面の少なくとも一部を被覆し、白金族金属、金、及び、銀からなる群から選択される１種以上を含む被覆層と、銅箔基材と被覆層との間に形成された酸化層とを備えた銅箔であって、ＸＰＳによる表面からの深さ方向分析から得られた深さ方向（ｘ：単位ｎｍ）の白金族金属、金、及び、銀からなる群から選択される１種以上の原子濃度（％）をf(x)とし、銅の原子濃度（％）をg(x)とし、酸素の原子濃度（％）をｈ(x)とし、炭素の原子濃度（％）をｉ(x)とし、その他の金属の原子濃度の総和をｊ(x)とすると、ｈ(x)≧５％の酸化層と銅箔基材との境界が表層から０．５〜１０ｎｍの範囲に存在し、区間［０、１．０］において、０．０１≦∫ｆ(x)dx/(∫f(x)dx + ∫g(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx) ≦０．９で、区間［１．０、４．０］において、０．０１≦∫ｆ(x)dx/(∫f(x)dx + ∫g(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx) ≦０．６を満たす。 （もっと読む）

【課題】 ０．１以下の誘電損失ｔａｎδを実現でき、しかも、優れた圧電特性を有する圧電薄膜素子及び圧電薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】 基板１と、基板１上に設けられる組成式（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）_ｙＮｂＯ_３で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電薄膜３とを有し、圧電薄膜３の炭素濃度が２×１０^１９／ｃｍ^３以下、あるいは、圧電薄膜３の水素濃度が４×１０^１９／ｃｍ^３以下である圧電薄膜素子である。 （もっと読む）

【課題】密着膜を備え、配向の揃った圧電体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）Ｓｉ基板１１上方に、酸化シリコンの絶縁膜１２、Ｔｉ層１４、その上にＰｔ層１６を堆積し、（ｂ）Ｔｉ層１４、Ｐｔ層１６を堆積した基板１１をプラズマ気相堆積装置に搬入し、（ｃ）プラズマ気相堆積装置内において、基板１１を不活性ガス雰囲気中で、圧電体膜堆積温度まで加熱し、（ｄ）プラズマ気相堆積装置内において、加熱した基板１１上に、プラズマ気相堆積により、酸化物圧電体膜１８を堆積する。さらに圧電体膜１８上にＰｔ等の上部電極２０が形成される。 （もっと読む）

【課題】
密着膜を備え、配向の揃った圧電体膜を製造する。
【解決手段】
（ａ）基板上方に、Ｔｉ層、その上にＰｔ層を堆積し、（ｂ）Ｔｉ層、Ｐｔ層を堆積した基板をプラズマ気相堆積装置に搬入し、（ｃ）プラズマ気相堆積装置内において、酸素を含む雰囲気中で、基板を圧電体膜堆積温度まで加熱し、（ｄ）プラズマ気相堆積装置内において、加熱した前記基板上に、プラズマ気相堆積により、酸化物圧電体膜を堆積する。 （もっと読む）

【課題】絶縁性が高くリーク電流の発生を抑制することができ且つ環境負荷の少ない液体噴射ヘッド及び液体噴射装置を提供する。
【解決手段】ノズル開口に連通する圧力発生室と、圧電体層と前記圧電体層に設けられた電極とを備えた圧電素子と、を具備し、前記圧電体層は、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸ビスマスカリウムを含むペロブスカイト構造を有する複合酸化物である液体噴射ヘッドとする。 （もっと読む）

【課題】 絶縁基板との接着性及びエッチング性の両方に優れ、回路パターン形成の際のエッチング性が良好でファインピッチ化に適したプリント配線板用両面処理銅箔を提供する。
【解決手段】 プリント配線板用銅箔は、銅箔基材と、銅箔基材における一方の表面の少なくとも一部を被覆する第１の被覆層と、他方の表面の少なくとも一部を被覆する第２の被覆層とを備える。第１の被覆層にはＣｒが１８〜１８０μｇ／ｄｍ²の被覆量で存在し、第１の被覆層のＸＰＳによる表面からの深さ方向分析から得られた深さ方向（ｘ：単位ｎｍ）の金属クロムの原子濃度（％）をf₁(x)とし、酸化物クロムの原子濃度（％）をf₂(x)とし、全クロムの原子濃度（％）をf(x)とし（f(x)= f₁(x)+ f₂(x)）、銅の原子濃度（％）をh(x)とし、酸素の原子濃度（％）をｉ(x)とし、炭素の原子濃度（％）をj(x)とし、その他の金属の原子濃度の総和をｋ(x)とすると、区間［０、１．０］において、∫ｈ(x)dx/(∫f(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx + ∫k(x)dx)が１０％以下で、∫f₂(x)dx/(∫f(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx + ∫k(x)dx)が２０％以上で、区間［１．０、２．５］において、０．１≦∫f₁(x)dx/∫f₂(x)dx≦１．０を満たす。第２の被覆層は、白金族金属、金、及び、銀からなる群から選択される１種以上を含む。 （もっと読む）

【課題】リーク電流が少なく、且つ駆動による圧電定数の劣化が少ない圧電薄膜素子及び圧電薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】基板１上に、下部電極２と、組成式（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）ＮｂＯ_３で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電薄膜３と、上部電極４とを有する圧電薄膜素子において、（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）ＮｂＯ_３で表される前記圧電薄膜３の組成比ｘが０.４≦ｘ≦０.７の範囲であり、Ｘ線回折測定での（００１）面のロッキングカーブの半値幅が０.５°以上２.５°以下の範囲である。 （もっと読む）

【課題】 変位量の低下を抑制した強誘電体薄膜を形成することができる強誘電体薄膜形
成用組成物、液体噴射ヘッドの製造方法、及びアクチュエーター装置の製造方法を提供す
る。
【解決手段】 ＡＢＯ_３の化学式を有するペロブスカイト構造の強誘電体薄膜をゾル−ゲ
ル法により形成するための強誘電体薄膜形成用組成物であって、強誘電体薄膜を構成する
有機金属化合物と、水とを少なくとも含むゾルからなり、前記ゾルは、Ｂサイトを構成し
得る金属の総量をＸｍｏｌ／ｋｇとし、未反応水分量をＹｍｏｌ／ｋｇとしたとき、２Ｘ
＜Ｙ＜５Ｘを満たすようにする。 （もっと読む）

【課題】鉛を含有せず、絶縁性が高くリーク電流の発生を抑制することができる圧電素子を有する液体噴射ヘッドを提供する。
【解決手段】ノズル開口２１に連通する圧力発生室１２と、酸化チタン６１，６３と白金６２からなる第１電極６０と、第１電極６０上に形成され、鉄マンガン酸ビスマスランタンを含む圧電体層７０と、圧電体層７０上に形成された第２電極８０と、を備えた圧電素子３００と、を具備し、圧電体層７０は、チタンをさらに含む液体噴射ヘッドとする。 （もっと読む）

【課題】変位量が大きく、且つ信頼性の高い薄膜アクチュエータ、及びインクジェットヘッドを提供する。
【解決手段】基板１０１と、基板１０１の上に形成され、両端または周縁が基板１０１に固定された下電極膜１０３と、下電極膜１０３の上に形成され、駆動信号により膜面に沿った方向に伸縮する圧電体膜１０４と、圧電体膜１０４の上に形成された上電極膜１０５と、を有する薄膜アクチュエータ１であって、上電極膜１０５は、複数の電極膜から構成され、複数の電極膜のうち、圧電体膜１０４に接する電極膜は、初期応力としての引張応力を有し、圧電体膜１０４に接する電極膜の上層の電極膜は、引張応力よりも小さい初期応力を有している。 （もっと読む）

【課題】基板との剥離および電流リークが起こりにくい非鉛の大面積圧電体薄膜を有する圧電体薄膜付き基板を作製する。
【解決手段】基板上に下部電極を形成する工程と、上記下部電極上に組成式（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）ＮｂＯ_３で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電体薄膜を形成する工程を備え、上記圧電体薄膜を形成する工程は、ＡｒおよびＯ_２雰囲気下で行われるスパッタ法により、チャンバー内ガス圧力を０．３以上１．８Ｐａ以下、かつＯ_２／Ａｒガス混合比を０．００２以上、かつ酸素分圧を３．０×１０^−３Ｐａ以上として成膜する。 （もっと読む）