【課題】バラツキの少ない軟磁性膜を形成でき、スパッタリングの際の異常放電やパーティクルを低減したCo-Fe系合金ターゲット材を提供する。
【解決手段】原子比における組成式が((Co_100-X-Fex)_100-Y-Ni_Y)_100-Z-Ｍ_Z、20≦X≦80、0≦Y≦25、5≦Z≦20で表され、組成式のM元素が（Zr、Hf、Ta、Nb、Y、B）から選ばれる１種もしくは２種以上の元素であるCo-Fe系合金スパッタリングターゲット材で、ターゲット材のＸ線回折(110)ピークと(211)ピークとの強度比Ｉ_(110)/(211)の値について、半径方向面２、円周方向面３、スパッタ面４で測定したピーク強度比をそれぞれI(R)、I(C)、I(S)とした時に、I(R)/I(S)およびI(C)/I(S)の値が0.7〜1.3であり、かつ酸素含有量が100ppm以下であるCo-Fe系合金スパッタリングターゲット材。 （もっと読む）

【課題】磁気記録媒体及びその製造方法並びに記憶装置において、記録層をパターニングする際に記録層を形成する磁性粒子の体積の局所的減少を抑えて熱揺らぎの影響を受けにくくすることを目的とする。
【解決手段】非磁性母体の中に磁性粒子を分散させたグラニュラ構造を有する記録層と、記録層に形成されたパターンの凹部に埋め込まれた非磁性体を備え、磁性粒子は記録層の上部領域内の直径が記録層の下部領域内の直径より大きい逆円錐台形状を有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】磁気ディスク等の基板を搬送し、基板処理を施して大量に生産する基板処理システムのスループット及び生産性の向上のため、各処理チャンバにおける処理時間（タクトタイム）を短縮する。
【解決手段】基板搬送装置は、ゲートバルブを介して連結されたチャンバと、前記ゲートバルブを開状態にして前記チャンバ間でキャリアを搬送路に沿って搬送する搬送機構と、前記キャリアが前記チャンバの停止位置に到達する前に前記キャリアを検知するセンサと、前記センサからの検知信号に基づき前記ゲートバルブの閉動作を開始するよう制御する制御器とを有する。 （もっと読む）

【課題】耐環境性、特に耐腐食性を高めることを可能とした磁気記録媒体の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】インライン式成膜装置を用いて、少なくとも非磁性基板の面上に形成された記録磁性層に磁気記録パターンを有する磁気記録媒体を製造する際に、少なくとも記録磁性層８３と磁気記録パターン８３ａに対応したマスク層とがこの順で積層された非磁性基板８０をキャリアに取り付ける工程と、記録磁性層８３のマスク層で覆われていない箇所を反応性プラズマ処理又はイオン照射処理することにより、磁気記録パターン８３ａを形成する工程と、記録磁性層８３上からマスク層を除去する工程と、キャリアから非磁性基板８０を取り外す工程とを含み、キャリアが各チャンバの間を通過する間に、各チャンバ内を減圧雰囲気とし、大気と遮断された状態で各工程を連続して行う。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体等に用いられる軟磁性膜の形成に使用されるＦｅ−Ｃｏ系合金のスパッタリングターゲット材を鋳造インゴットから製造するにあたって、鋳造インゴットに塑性加工を施したスパッタリングターゲット材を安定して製造する方法を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式が（（Ｆｅ_{１００−Ｘ}−Ｃｏ_Ｘ）_{１００−Ｙ}−Ｎｉ_Ｙ）_{１００−ａ}−Ｍ１_ａ、５≦Ｘ≦９５、０≦Ｙ≦２５、５≦ａ≦２０で表され、前記組成式のＭ１元素が（Ｂ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｙ）から選ばれる１種もしくは２種以上の元素であるＦｅ−Ｃｏ系合金であって、直径／高さ比が０．５〜２となる円柱形状の鋳造インゴットを加圧モールド内に挿入し、９００〜１２５０℃の温度範囲において３０％〜７０％以上の据え込み率でホットプレスによる据え込み加工を行いターゲット素材を得るスパッタリングターゲット材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】基板面に対して、均一な温度制御が可能な磁気記録媒体の製造技術を提供する。
【解決手段】スパッタ装置は、基板に成膜するための第１ターゲット４２ａを収納する第１ターゲット収納部と、第１ターゲット４２ａの周囲を包囲するように設けられ、基板を加熱する第１加熱手段と、第１加熱手段の周囲を包囲するように設けられ、基板に成膜するための第２ターゲット４３ａを収納する第２ターゲット収納部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 基板面に対して、均一な温度制御が可能な磁気記録媒体の製造技術を提供すること。
【解決手段】 搬送手段により搬送された基板に対して、接続された複数のチャンバにより、前記基板の両面に薄膜を形成するための処理を施す薄膜形成装置において、第１スパッタチャンバは、基板の第１の面に対して、スパッタ成膜処理を施す第１スパッタ成膜部と、基板の第１の面に対して反対側の第２の面を加熱する第１加熱部と、を有し、第２スパッタチャンバは、第１スパッタチャンバによりスパッタ成膜処理が施された基板の第１の面を加熱する第２加熱部と、第１スパッタチャンバにより加熱された基板の第２の面に対して、スパッタ成膜処理を施す第２スパッタ成膜部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 強い漏洩磁束が得られる透磁率が低く使用効率が高いＣｏ−Ｆｅ−Ｎｉ系合金ターゲット材の製造方法を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式が（（Ｃｏ_ａ−Ｆｅ_{１００−ａ}）_{１００−ｂ}−Ｎｉ_ｂ）_{１００−ｃ}−Ｍ１_ｃ、１０≦ａ≦９０、０＜ｂ≦２０、５≦ｃ≦２０で表され、前記組成式のＭ１元素が（Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｂ）から選ばれる２種以上の元素であるＣｏ−Ｆｅ−Ｎｉ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法であって、
原子比における組成式がＦｅ_{１００−Ｘ}−Ｍ１_Ｘ、５≦Ｘ≦３０で表され、Ｍ１元素が１種以上含まれるＦｅ合金粉末を粉末Ａ、
Ｃｏおよび／または１種以上のＭ１元素を含有するＣｏ合金粉末を粉末Ｂ、
Ｎｉ粉末を粉末Ｃ、
としたとき、粉末Ａ、粉末Ｂおよび粉末Ｃを前記組成式を満たすように混合した混合粉末を加圧焼結するＣｏ−Ｆｅ−Ｎｉ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】成膜方法、基板保持具及び成膜装置において、成膜装置内で発生した塵埃に起因するピンホール欠陥を抑制することを目的とする。
【解決手段】チャンバ内で、基板保持具に保持された基板に対して成膜処理を施す成膜方法において、チャンバ内で前記基板保持具により保持されている前記基板の被保持箇所の近傍で磁石により磁界を発生させてチャンバ内の塵埃を磁石により吸着するように構成する。 （もっと読む）

【課題】 強い漏洩磁束が得られる透磁率が低く使用効率が高いＦｅ−Ｃｏ系合金ターゲット材およびその製造方法を提供する
【解決手段】 原子比における組成式が（Ｆｅ_Ｘ−Ｃｏ_100−Ｘ）_100−ＹＭ_Ｙ、２０≦Ｘ≦８０、４≦Ｙ≦２５で表され、前記組成式のＭ元素がＮｂおよび／あるいはＴａであるスパッタリングターゲット材であって、該スパッタリングターゲット材のミクロ組織がＦｅとＣｏを主体とするＢＣＣ相および／またはＦＣＣ相とＭ元素を含有する金属間化合物相とでなる金属組織を有し、ミクロ組織においてＭ元素を含有する金属間化合物相に描ける最大内接円の直径が１０μｍ以下であるＦｅ−Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】キャリアを高速で搬送することができ、なお且つ成膜室内の排気能力が高く、高真空度を短時間で容易に実現できるインライン式成膜装置を提供する。
【解決手段】キャリア２５を非接触状態で駆動するリニアモータ駆動機構２０１と、キャリア２５の側面部に接触可能に設けられて、リニアモータ駆動機構２０１により駆動されるキャリア２５を水平方向にガイドする水平ガイド機構２０６と、キャリア２５の下端部に接触可能に設けられて、リニアモータ駆動機構２０１により駆動されるキャリア２５を鉛直方向にガイドする鉛直ガイド機構２０７とを備え、水平又は鉛直ガイド機構２０６，２０７は、キャリア２５の搬送方向に並ぶ複数の支軸２０９，２１１に制振部材を介して回転自在に取り付けられた複数のベアリング２１０，２１２を有し、この制振部材を介して支軸２０９，２１１とベアリング２１０，２１２との非接触状態が維持される。 （もっと読む）

【課題】コスト高となる溶湯金属の急冷によるバルク金属ガラスに替えて、例えば粉末冶金法により、作製される超微細加工用コーティング膜が、パーティクル等の欠陥及び組成の不均一性の問題を生じない、結晶組織が極微細で均一な組織を有する高品質かつ実用的な大きさのターゲット材を提供する。
【解決手段】平均結晶子サイズが１ｎｍ〜５ｎｍの組織を備え、Ｃｏを主成分として原子比率で５０ａｔ％以上含有する３元系以上の合金からなり、主成分に対する他成分が１２％以上の原子半径差を有すると共に負の混合熱を満たす金属ガラスの要件を備え、当該３元系以上の合金はＴａ及びＢを含有し、かつ９６．４％以上の相対密度を有し、ガスアトマイズ粉を焼結することによって得られた非晶質体であることを特徴とするスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】良好な界面特性をもつ強磁性薄膜、絶縁性薄膜、及び化合物半導体からなる強磁性積層構造を得る。
【解決手段】この磁性体積層構造１０においては、化合物半導体１上に絶縁性薄膜２及び強磁性薄膜３が順次形成されている。絶縁性薄膜２は、蛍石型構造をもつフッ化化合物からなる。強磁性薄膜３は、Ｆｅ又はＦｅＣｏ合金からなる強磁性体である。この強磁性積層構造１０は、強磁性薄膜３から絶縁性薄膜２を通して化合物半導体１にスピン偏極電子が注入されて使用される。例えば、この強磁性積層構造１０をスピンＬＥＤに用い、化合物半導体１を発光層としても用いることができる。この場合には、この構造における各界面の結晶欠陥が少ないために、スピン偏極電子の発光層への高い注入効率が得られるため、高効率のスピンＬＥＤを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】磁気記録媒体の製造方法において、媒体ノイズを低減可能な磁気記録媒体を製造することを目的とする。
【解決手段】非磁性基板の上方に設けられた中間層上に記録層であるグラニュラ磁性層を形成する磁気記録媒体の製造方法において、Ｃｏ合金からなる複数の磁性粒子及び前記複数の磁性粒子を磁気的に分離する酸化物からなる前記グラニュラ磁性層をターゲットを用いたスパッタリングにより形成し、前記ターゲットは、Ｃｏ合金と、第１の酸化物を形成するＴｉ酸化物及びＳｉ酸化物と、第２の酸化物を形成するＣｏ酸化物を含み、前記ターゲットの前記第１の酸化物の総量はモル分率で約１２mol.%以下であるように構成する。 （もっと読む）

【課題】Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族カルコパイライト化合物の結晶配向性を改善し、光電変換効率の向上を図ることが可能なＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族カルコパイライト型薄膜系太陽電池およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に少なくとも、積層構造の金属裏面電極１０と、ｐ型Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族カルコパイライト型化合物半導体５とが順次積層され、更に透明電極７が積層されてなるＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族カルコパイライト型薄膜系太陽電池であり、積層構造の金属裏面電極１０の少なくとも、ｐ型Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族カルコパイライト型化合物半導体５に接する層が体心立方構造を有し、その結晶配向性が主として（００２）配向を有し、かつ、その体心立方構造のａ軸の格子定数が面内方向で異なった値を持つことを特徴とするＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族カルコパイライト型薄膜系太陽電池。 （もっと読む）

【課題】保磁力に優れ、媒体ノイズの少ないＣｏ系合金磁性膜をスパッタリング法によって形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】クロム、ニッケル、タンタルおよびプラチナの金属元素のうち１種以上と残部がコバルトとの合金からなる合金相と、酸素、窒素および炭素のうち少なくとも１種の元素と、これらの元素に対して親和力のあるシリコン、アルミニウム、ホウ素、チタン、およびジルコニウムのうち少なくとも１種の元素との化合物からなるセラミックス相の微細均質分散混合相からなるスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】スペーシングロスを小さくして良好な磁気記録再生特性を発揮することができる磁気記録媒体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の磁気記録媒体の製造方法は、非磁性基板上に、柱状の磁性粒子間に非磁性の粒界部を有するグラニュラ構造の磁気記録層と、前記磁気記録層上に設けられ、前記磁性粒子同士を交換結合させる作用を付与するための交換結合層とを具備する磁気記録媒体を製造するものであって、前記磁気記録層上に交換結合層を積層した後、前記交換結合層の全面に対してイオン照射を行うイオン照射工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】よりバリア性の高いバリア性フィルム基板を提供する。
【解決手段】支持体上に有機領域と無機領域とを有するバリア性フィルム基板を、支持体を搬送しながら製造する方法であって、有機領域を設ける工程と、無機領域を設ける工程と、支持体上の一部または全部に磁性層を設ける工程とを含み、かつ、支持体を搬送する工程の全部または一部を、前記磁性層と反対の磁極を示す磁性部分３１を有する搬送体を用いて、磁性層の磁力と磁性部分の磁力とが引き合うようにしながら行うことを特徴とする、製造方法。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物が形成する粒子をより微細化することにより、成膜性の向上を実現できるスパッタリングターゲット材およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のスパッタリングターゲット材の製造方法は、コバルト、クロム、および白金からなるマトリックス相と、少なくとも酸化クロムを含む２種以上の金属酸化物からなる酸化物相とを含有し、かつ該酸化物相が粒子を形成してなるスパッタリングターゲット材の製造方法であって、原料粉末全量１００ｍｏｌ％中、該酸化クロムを１．０ｍｏｌ％以上の量で配合することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 軟磁性膜を安定してスパッタリング可能なＦｅ−Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式が（Ｆｅ_Ｘ−Ｃｏ_100−Ｘ）_100−ＹＺｒ_Ｙ、５≦Ｘ≦９５、３≦Ｙ≦１０で表されるＦｅ−Ｃｏ−Ｚｒ系合金ターゲット材であって、該ターゲット材の断面ミクロ組織においてＺｒ化合物相の存在しない領域に描ける最大内接円の直径が５μｍ以下であるＦｅ−Ｃｏ−Ｚｒ系合金ターゲット材である。 （もっと読む）