本発明は、高粘着性抗菌フィルムでポリマ表面をコーティングするように適合されたイオンプラズマ蒸着（ＩＰＤ）法に関する。制御されたイオンプラズマ蒸着（ＩＰＤ）プロセスが、選択された金属／金属酸化物で金属またはポリマをコーティングするために使用される。コーティングされた表面を紫外線に露出させることが、堆積されたコーティングの抗菌特性をかなり改善する。本発明は以下の方法を提供する。該方法は、高粘着性抗菌コーティングを生成する方法であって、第１の実質的にマクロ粒子のない金属コーティングを、選択された基板に堆積させることと、該第１のコーティング上に表面層を形成するために、第２のマクロ粒子が密集した金属コーティングを堆積させることと、該表面層を１２０ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内の紫外光に露出させることとを包含する。
（もっと読む）

【課題】 磁気記録媒体及び磁気記録装置に関し、磁性結晶粒を十分微細化且つ均一化し、再現性良く成長させて、Ｓ／Ｎ比を高める。
【解決手段】 Ａｌ系合金基板或いはガラス基板からなる非磁性基板１上に少なくともアモルファス膜２を介してＣｏ層或いはＣｏ合金層のいずれかからなるとともに、互いに分離し、Ｃｒ系下地層（４）で覆われた島状膜からなるシード層３を設ける。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、Ｃｏ系磁性相および酸化物非磁性相からなる磁性膜を有する磁気記録媒体における磁性膜を生成するための高密度スパッタリングターゲット材を提供する。【解決手段】 Ｃｏ系金属磁性相と酸化物非磁性相よりなり、相対密度９７％以上のスパッタリングターゲット材において、成形温度１０００℃以上、成形圧力５００ＭＰａ以上で成形し、抗折強度が３００ＭＰａ以上であることを特徴とする酸化物を含有したＣｏ基スパッタリングターゲット材。また、上記成形温度を１０００〜１３５０℃とする酸化物を含有したＣｏ基スパッタリングターゲット材。さらに、上記成形圧力を５００〜１０００ＭＰａとする酸化物を含有したＣｏ基スパッタリングターゲット材。 （もっと読む）

【課題】電池の充放電に伴い（リチウムイオンの吸蔵・放出に伴い）集電体上から活物質としてシリコンを含む薄膜が剥離し難いリチウム二次電池用電極の製造方法を提供する。
【解決手段】真空蒸着法にて集電体上にリチウムイオンを吸蔵・放出する活物質としてシリコンを含む薄膜を形成したリチウム二次電池用電極の製造方法である。集電体に薄膜を形成する際に、集電体とシリコンを含有する薄膜原料とを、0.01Pa〜1Paの雰囲気圧力に調節した不活性ガス中に配置するとともに、薄膜原料を溶融して蒸発させて、集電体上にシリコンを含む薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】熱ゆらぎ耐性及び記録分解能が高く、媒体ノイズの少ない垂直磁気記録媒体を得る。
【解決手段】基板上に積層された、PtまたはCr、Co、及び酸素を含む第１の垂直磁気記録層、Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Tm, Ybから選択される希土類元素とCo, Cr, Ptを含む遷移金属とを含有する結晶質の合金を主に含む第２の垂直磁気記録層を有する磁気記録層と、保護層、潤滑層、及び保護層／潤滑層の積層のうち１つとを具備し、垂直二層媒体として使用され得る垂直磁気記録媒体。 （もっと読む）

本発明は、付加的に少なくともＴｉＯ_xを含有する、主成分としてコバルト系合金を有する材料混合物に関する。 （もっと読む）

【課題】基体に凹凸が生じる事態を回避しつつ、薄膜の形成時における基体の熱変形や穴あきを回避し得る薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】長尺帯状のベースフィルム１１（基体）を巻回した繰り出し側ロール１１ａからベースフィルム１１を繰り出して冷却ドラム２２に沿わせて走行させつつ気相成長法によってベースフィルム１１の上に磁性層（薄膜）を形成する際に、反発硬さが６９１Ｌ値以下の繰り出し側ロール１１ａを使用すると共に、ベースフィルム１１における冷却ドラム２２に接している部位の薄膜形成面（磁性層の形成面）に電子線照射装置２３によって電子線を照射する。 （もっと読む）

【課題】 磁気記録ディスク用基板に気相中で成膜する際に膜厚に偏りが発生するのを防止可能な磁気記録ディスクの製造方法、磁気記録ディスク製造装置、および磁気記録ディスク製造用基板ホルダを提案すること。
【解決手段】 基板ホルダ３００は、磁気記録ディスク用基板１０の表面に下地層、磁性層、保護層などの薄膜を物理気相成長法により成膜する際に、複数枚の磁気記録ディスク用基板１０を保持した状態でターゲット２３１、２３２、２３３および２４４に対向配置される。複数枚の磁気記録ディスク用基板１０は成膜中、基板ホルダ３００上で自転するため、磁気記録ディスク用基板１０では、ターゲット２３１、２３２および２３３の半径方向において薄膜の膜厚に偏りが発生しない。 （もっと読む）

【課題】 方向性及び無方向性のプロセス・ステップを統合し、その結果、得られるシリサイドが最小限のシート抵抗を有し、かつパイプ欠陥を回避する、ニッケル堆積プロセス及びツールを提供すること。
【解決手段】 無方向性及び方向性の金属（例えば、Ｎｉ）堆積ステップが同一のプロセス・チャンバ内で実行される、方法及び装置が提供される。第１のプラズマは、ターゲットから材料を取り出すために形成され、材料のイオン密度を増大させる第２のプラズマは、ＲＦ発生器に接続された環状電極（例えば、Ｎｉ環）の内側に形成される。材料は、第２のプラズマ及び基板への電気的バイアスが存在しない場合、基板上に無方向性の堆積をされ、第２のプラズマが存在し、基板に電気的にバイアスがかけられている場合、方向性の堆積をされる。堆積された金属から形成されるニッケルシリサイドは、方向性プロセスのみで堆積された金属から形成されるＮｉＳｉよりも、ゲートポリシリコンの低シート抵抗を有し、より低いパイプ欠陥密度を有することができ、かつ無方向性堆積のみで堆積された金属から形成されたＮｉＳｉよりも低いソース／ドレイン接触抵抗を有する。 （もっと読む）

【課題】 スループットを低下させることなく、所定の温度まで基板温度を低下させた状態で成膜可能な磁気記録ディスクの製造方法およびその製造装置を提供すること。
【解決手段】 垂直磁気記録方式の磁気記録ディスクの記録層１６をスパッタ法により形成するにあたっては、真空チャンバー２３０内の成膜部１００に磁気記録ディスク用基板１０とターゲット１１０とが対向する空間１５０の周りを囲むように筒状の陰極シールド体１６０を配置しておき、陰極シールド体１６０の内側に冷却ガスを供給して磁気記録ディスク用基板１０を冷却する強制冷却工程と、１００℃以下まで冷却された磁気記録ディスク用基板１０にスパッタ成膜を行うスパッタ成膜工程とを行う。強制冷却工程を行う際、磁気記録ディスク用基板１０に向かう冷却ガスの流れを磁気記録ディスク用基板１０に垂直な方向とする整流部材１８０を磁気記録ディスク用基板１０に対向配置させておく。 （もっと読む）

【課題】 記録媒体の基板と垂直磁気記録層の間に設ける軟磁性層を、短時間で厚く皮膜形成が可能でかつ、錯体の錯化状態が変化せず安定して連続めっきが可能な合金めっき法を用いて形成させることにより、スパイクノイズや軟磁性層ノイズが低減された垂直磁気記録媒体を高生産性で安定して得る。
【解決手段】 アルミニウム板またはアルミニウム合金板に非晶質Ｎｉ−Ｐ合金めっき層を設けた基板またはガラス基板に、下から順に、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ合金めっき層からなる軟磁性裏打ち層、Ｎｉ−Ｆｅ合金とＣｏ−Ｆｅの２層からなる軟磁性バッファー層、反強磁性層、下地層、垂直磁気記録層を順次形成せて垂直磁気記録媒体とする。 （もっと読む）

【課題】高記録密度を有する垂直磁気記録媒体の量産を安定して行うためには、軟磁性下地層の特性を劣化させることなく成膜を行う技術が必要である。
【解決手段】基板１上に密着層２を形成し、次に第一軟磁性層３１及び第二軟磁性層３２をそれぞれ２５ｎｍ形成し、非磁性層３３であるＲｕを形成し、第三軟磁性層３４及び第四軟磁性層３５をそれぞれ２５ｎｍ形成して軟磁性下地層３を作製した。第一軟磁性層３1と第二軟磁性層３２及び第三軟磁性層３４と第四軟磁性層３５はそれぞれ強磁性的に結合しており、第二軟磁性層３２と第三軟磁性層３４はＲｕ非磁性層３３を介して反強磁性的に結合している。その後、基板半径方向に磁界を印加しながら冷却を行い、次に、中間層４であるＲｕを形成し、記録層５を形成し、保護膜６を形成した。 （もっと読む）

【課題】パーティクル発生の少ない磁気記録層形成用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 シリカ：２〜１５質量％、酸化クロム：０．０１〜０．５質量％、Ｃｒ：３〜２０質量％、Ｐｔ：１５〜４５質量％を含有し、残部：Ｃｏからなる組成を有し、前記シリカおよび酸化クロムは粒界に均一分散している組織を有するＣｏ基焼結合金からなる磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 非導電性のディスク基体を用いた磁気記録媒体を高い量産性で製造する。
【解決手段】 ハードディスクドライブに搭載される磁気記録媒体の製造方法であって、非導電性のディスク基体１２を準備する準備工程と、回転可能な台部２０２と、台部２０２に設けられた保持部２０４と、バイアス印加用端子２０６とを備える基板アダプタ１０２を用いて、バイアス印加用端子２０６をディスク基体１２に接触させない状態で、保持部２０４にディスク基体１２を保持させる保持工程と、ディスク基体１２上に導電性膜を成膜する第１成膜工程と、台部２０２を回転させることにより、ディスク基体１２にバイアス印加用端子２０６を接触させる接触工程と、バイアス印加用端子２０６を介してバイアス電圧を印加しつつ、次の層を成膜する第２成膜工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】磁気記録媒体における信号対雑音比の改善及びデータ記録容量の増大を図る。
【解決手段】スパッタターゲットは、コバルト(Ｃｏ)、０より多く２４原子％以下のクロム(Ｃｒ)、０より多く２０原子％以下の白金（Ｐｔ）、０より多く２０原子％以下のホウ素(Ｂ)及び０より多く１０原子％以下の金(Ａｕ)を含む。このスパッタターゲットは、更にＸ₁を含み、前記Ｘ₁が、タングステン(Ｗ)，イットリウム(Ｙ)，マンガン(Ｍｎ)及びモリブデン(Ｍｏ)からなるグループから選択される。このスパッタターゲットは、更に０〜７原子％までのＸ₂を含み、前記Ｘ₂が、チタン(Ｔｉ)，バナジウム(Ｖ)，ジルコニウム(Ｚｒ)，ニオブ(Ｎｂ)，ルテニウム(Ｒｕ)，ロジウム(Ｒｈ)，パラジウム(Ｐｄ)，ハフニウム(Ｈｆ)，タンタル(Ｔａ)及びイリジウム(Ｉｒ)からなるグループから選択された１つの元素である。磁気記録媒体３００は、このスパッタターゲットでスパッタリング形成したデータ記録薄膜層３０６を有する。 （もっと読む）

【課題】保磁力に優れ、媒体ノイズの少ないＣｏ系合金磁性膜をスパッタリング法によって形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】クロム、ニッケル、タンタルおよびプラチナの金属元素のうち１種以上と残部がコバルトとの合金からなる合金相と、酸素、窒素および炭素のうち少なくとも１種の元素と、これらの元素に対して親和力のあるシリコン、アルミニウム、ホウ素、チタン、およびジルコニウムのうち少なくとも１種の元素との化合物からなるセラミックス相の微細均質分散混合相からなるスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】書き込み性能と熱揺らぎ耐性とを両立させることが可能な磁気記録媒体及び磁気記録装置を提供すること。
【解決手段】基材１と、基材１の上に形成された下地層１２と、下地層１２の上に形成され、異方性磁界がH_k1で磁化曲線の反転部の傾きがα₁である垂直磁気異方性を有する主記録層７と、主記録層７の上又は下に該主記録層７に接して形成され、異方性磁界がH_k2で磁化曲線の反転部の傾きがα₂である書き込み補助層８とを有し、異方性磁界H_k1、H_k2と傾きα₁、α₂とが、それぞれH_k2＜H_k1及びα₂＞α₁を満たすことを特徴とする磁気記録媒体１１による。 （もっと読む）

【課題】スパッタターゲットに使用することができ、スパッタして薄膜を形成することができる、多重成分の酸化物を含有する合金を提供する。
【解決手段】基板201、及び基板201上に形成されたデータ記録薄膜層206を含む磁気記録媒体である。上記データ記録薄膜層206は、コバルト(Co)、白金(Pt)、及び多重成分の酸化物で構成される。この多重成分の酸化物は、-0.03eV未満の還元電位、及び0.25nm未満の原子半径を有した陽イオンを有している。さらに、上記多重成分の酸化物は、反磁性、常磁性、又は10^-6m³/kg未満の透磁率を有する磁性を帯びている。また、上記多重成分の酸化物は、5.0を越える誘電率を持っている。さらに、スパッタターゲットは、クロム(Cr)及び／又はホウ素(B)を含んで構成される。 （もっと読む）

【課題】 ターゲットからの組成ずれを抑えられるホイスラー合金膜の成膜方法及びこのホイスラー合金膜を有するトンネル磁気抵抗素子を提供すること。
【解決手段】 放電ガスとしてキセノンを用いて、Ｃｏ₂ＭｎＡｌ、Ｃｏ₂ＭｎＳｉ、ＣｏＣｒＡｌ、ＮｉＭｎＳｂ、ＳｒＬａＭｎＯ、ＰｔＭｎＳｂ、Ｍｎ₂ＶＡｌ、Ｆｅ₂ＶＡｌ、Ｃｏ₂ＦｅＳｉ、Ｃｏ₂ＭｎＧｅ、Ｃｏ₂ＦｅｘＣｒ(1-x)Ａｌなどのホイスラー合金のターゲットをスパッタリングして被成膜体に成膜する。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気記録媒体のグラニュラー記録層において磁性粒子と非磁性粒界を適切に分離し、磁性粒子の磁気異方性を損なうことなく粒子間の磁気的相互作用を低減し、媒体ノイズを低減する。
【解決手段】ＣｏとＰｔとＣｒとを含む合金結晶粒子と、ＳｉとＯとを含む非磁性粒界を含み、記録層中のＳｉ原子数に対するＯ原子数の比率が２．５以上５以下、記録層中のＳｉ原子含有率が３〜６原子％、Ｏ原子含有率が１２〜２０原子％である垂直磁気記録媒体を用いる。また、記録層の形成時、基板中心に対し同心円状に並ぶ気体導入口より酸素を含むプロセスガスを導入することにより、記録層の媒体面内の任意の点における垂直保磁力の分布を、平均値の±１０％以下とする。 （もっと読む）