【課題】 ＣＣＰターゲットの利用効率を高めるため、厚くても漏れ磁束が大きいＣＣＰターゲットを提供することを課題とする。
【解決手段】 非磁性酸化物、ＣｒおよびＰｔを含有し、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットであって、Ｃｏ、ＣｒおよびＰｔの各元素を単体として又はこれらのうち２種以上の元素を含む合金として粉末にした原料粉末と非磁性酸化物の原料粉末との各原料粉末が混合された一次混合粉末を焼結させて一次焼結体を得る一次焼結工程と、前記一次焼結体を粉砕して一次焼結体粉末を得る粉砕工程と、前記各原料粉末が混合された二次混合粉末と一次焼結体粉末とを混合後、焼結させる二次焼結工程と、を経て製造され、二次混合粉末の焼結体からなる組織中に、一次焼結体粉末の焼結体からなる組織が分散している。 （もっと読む）

【課題】本発明の主要な目的は、簡易な溶解鋳造法により製造する漏洩磁束の高いコバルト鉄合金スパッタリングターゲット材を提供することである。
【解決手段】本発明のコバルト鉄合金スパッタリングターゲット材は溶解鋳造法によって製造され、コバルト、鉄、及び添加金属からなるものにおいて、このコバルト鉄合金スパッタリングターゲット材においてコバルトは増加された漏洩磁束（ＰＴＦ）の含有量があり、添加金属は８〜２０ａｔ％であり、この添加金属はタンタラム、ジルコニウム、ニオビウム、ハフニウム、アルミニウム、及びクロミウムの金属の少なくとも１つを含む。 （もっと読む）

【課題】蒸着材料の供給時に発生する飛沫を抑え、さらに液面の波紋の影響を低減し、蒸着材料のロスを少なくする蒸着装置を提供する。
【解決手段】真空室１２内に、送りロール１３と巻取りロール１４を設けてベースフイルム１５を走行させ、中途の冷却キャン１６で定速回転させる。冷却キャン１６の幅方向の長さはルツボ１と略同じ円筒状で、内部の冷却水でベースフイルム１５の温度上昇による変形等を抑制する。ルツボ１を蒸着材料蒸発部分と、これに直角に設けた蒸着材料溶融部分で構成し、蒸着材料溶融部分で蒸着材料供給時に生じる波紋の影響を防ぎ安定な蒸着を行う。冷却キャン１６を軟磁性部分１６Ａと非磁性部分１６Ｂで構成し、１つの電子銃２１から照射される蒸発，溶解用電子ビーム２１Ａ，２１Ｂと、これを局部偏向することにより、蒸着材料を溶解，蒸発し、電子ビーム相互干渉による異常放電を抑え、ルツボ１を小さくし蒸着材料のロスを少なくする。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの表面上に発生する磁場の強度を高めながら、ターゲットを適切に冷却することができ、なお且つ、ターゲットの小径化に対応可能なマグネトロンスパッタ装置を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｗが配置される反応容器と、反応容器内を減圧排気する減圧排気手段と、被処理基板Ｗを処理する処理手段１Ａとを備え、処理手段１Ａは、被処理基板Ｗに対向してターゲットＴを保持する保持手段８と、ターゲットＴの表面上に磁場Ｍを発生させる磁気発生手段１１と、ターゲットＴを冷却する冷却手段４０とを有し、ターゲットＴの被処理基板Ｗと対向する面とは反対側に、磁気発生手段１１が配置されると共に、この磁気発生手段１１の外側に冷却手段４０が配置されている。 （もっと読む）

【課題】キャリアを高速で搬送することができるインライン式成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜処理を行う複数のチャンバ２と、複数のチャンバ２内で成膜対象となる基板を保持するキャリア４と、キャリア４を複数のチャンバ２の間で順次搬送させる搬送機構５とを備え、搬送機構５は、キャリア４の下部側に並んで配置された複数の永久磁石２２と、複数の永久磁石２２に対向してキャリア４の搬送方向に並んで配置された複数の電磁石２３とを有して、電磁石２３に電力を供給することによって、この電磁石２３と永久磁石２２とを磁気的に結合させながら、キャリア４を非接触状態で駆動する駆動機構２０を備える。 （もっと読む）

【課題】ハードディスクの高密度磁気記録媒体等に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜の形成に好適な、漏れ磁束密度の高い磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットとその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃｏ粉末、Ｐｔ粉末及び非磁性酸化物粉末からなる予備混合粉末に、Ｃｏ−Ｃｒ合金粉末及びＰｔ粉末を更に添加して混合・粉砕したＣｏＣｒＰｔ−非磁性酸化物混合粉末を加圧焼結することによって得られた、ＣｏＣｒＰｔ−非磁性酸化物スパッタリングターゲットであって、その組織中には、１２〜２５面積％のＰｔリッチ領域が分散形成されている。 （もっと読む）

【課題】蒸着材料供給時に生じる飛沫を抑え、投入時の液面の波紋が蒸着に与える影響を低減し、また蒸着材料のロスを少なくする。
【解決手段】真空状態となった真空室１２内に、送りロール１３と巻取りロール１４を設けてベースフイルム１５を走行させる。各ロール１３，１４は、ベースフイルム１５の幅と略同じ円筒状、冷却キャン１６の幅方向の長さはルツボ３１と略同じ円筒状で、内部に冷却水が流れ、ベースフイルム１５の温度上昇による変形等を抑制する。また真空室１２内には、冷却キャン１６と略同じ幅で設けられたルツボ３１には、蒸着材料（固体状態）２０ａを溶解用電子銃２１Ｂで溶融させて供給する。このルツボ３１は、蒸着材料蒸発部分３１Ａと、これに直角に設けられた蒸着材料溶融部分３１Ｂからなる。この蒸着材料溶融部分３１Ｂにより、蒸着材料（固体状態）２０ａを供給する際に生じる波紋の影響を防止して、安定した蒸着を行う。 （もっと読む）

【課題】ポリイミドフィルム上にスパッタリング及びメッキ処理により銅層を形成した２層銅張積層板（２層ＣＣＬ材料）において、耐折性を向上させる熱処理後に、さらに酸化変色を防止できる２層銅張積層板の製造方法及び２層銅張積層板を得る。
【解決手段】ポリイミドフィルム上にスパッタリングによりＮｉ、Ｃｏ、Ｃｒから選択した１種の金属層又はこれら２種以上の金属からなる合金層を形成し、さらにこの金属層又は合金層の上にスパッタリング又はメッキにより銅層を形成した２層銅張積層板であって、さらにこの銅層の上に、Ｃｒ及び／又はＣｒ酸化物からなる層を備えていることを特徴とする２層銅張積層板。 （もっと読む）

【課題】マグネトロンスパッタリング時の漏洩磁束量を従来よりも増加させる。
【解決手段】解決手段の第１態様は、Ｃｏを有するマグネトロンスパッタリング用ターゲットであって、Ｃｏを含む磁性相１２と、Ｃｏを含む非磁性相１６と、酸化物相１４と、を有し、該磁性相１２と該非磁性相１６と該酸化物相１４とが互いに分散しており、該磁性相１２はＣｏおよびＣｒを主成分として含み、該磁性相１２におけるＣｏの含有割合は、７６ａｔ％以上８０ａｔ％以下である。解決手段の第２態様は、Ｃｏを有するマグネトロンスパッタリング用ターゲットであって、Ｃｏを含む磁性相１２と、Ｃｏを含む非磁性相１６と、を有し、該磁性相１２と該非磁性相１６とが互いに分散しており、該非磁性相１６はＰｔを主成分として含むＰｔ−Ｃｏ合金相であり、該Ｐｔ−Ｃｏ合金相におけるＣｏの含有割合は、０ａｔ％より大きく１３ａｔ％以下である。 （もっと読む）

【課題】ターゲット表面に生じるエロージョンを高度に均一化し、ターゲットの寿命を高める。
【解決手段】ターゲットの表面上に磁場Ｍを発生させる磁気回路１１は、磁化方向が軸線と平行となる筒状の第１のマグネット４０と、第１のマグネット４０の内側に同心円状に配置されて、第１のマグネット４０とは磁化方向が反平行となる筒状又は柱状の第２のマグネット４１とを有し、且つ、これら第１及び第２のマグネット４０，４１の軸線とターゲットの軸線とが互いに平行となる状態で、ターゲットの表面と平行な面内で回転自在とされると共に、第１のマグネット４０と第２のマグネット４１との間で発生する磁場Ｍの、ターゲットの表面における磁束密度の垂直成分Ｂｚが０［Ｔ］となる点を結ぶＢｚ＝０ラインが、ターゲットの表面と平行な面内において、ハート形の曲線Ｌを描くようにする。 （もっと読む）

【課題】ターゲット表面に生じるエロージョンを高度に均一化し、ターゲットの寿命を高める。
【解決手段】ターゲットの表面上に磁場を発生させる磁気回路１１は、磁化方向が軸線と平行となる筒状の第１のマグネット４０と、第１のマグネット４０の内側に同心円状に配置されて、第１のマグネット４０とは磁化方向が反平行となる筒状又は柱状の第２のマグネット４１とを有し、且つ、これら第１及び第２のマグネット４０，４１の軸線とターゲットの軸線とが互いに平行となる状態で、ターゲットの表面と平行な面内で回転自在とされると共に、第１のマグネット４０と第２のマグネット４１との間で発生する磁場Ｍの、ターゲットの表面における磁束密度の垂直成分Ｂｚが０［Ｔ］となる点を結ぶＢｚ＝０ラインが、ターゲットの表面と平行な面内において、複数の変曲点Ｃ１，Ｃ２を有する曲線Ｌ１を描くようにする。 （もっと読む）

【課題】 第１軟磁性層と第２軟磁性層の結晶性を略等しくし、軟磁性層の面内磁気異方性を大きくすることにより、ＯＷ特性およびＳＮＲを向上させた垂直磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明にかかる垂直磁気記録媒体１００の構成は、ディスク基体１１０上に少なくとも、軟磁性層１１４と、磁気記録層１２２を備える垂直磁気記録媒体１００であって、軟磁性層１１４は、第１軟磁性層１１４ｂおよび第２軟磁性層１１４ｄと、第１軟磁性層１１４ｂの下に設けられた結晶調整層１１４ａと、第１軟磁性層１１４ｂと前記第２軟磁性層１１４ｄの間に第１軟磁性層１１４ｂおよび第２軟磁性層１１４ｄが反強磁性交換結合相互作用を及ぼすように設けられたスペーサ層１１４ｃとを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 磁性記録部と非記録部とからなる磁性パターンの形成にイオン注入を用いた場合においても、非記録部に起因するノイズが低減され、高い品質を確保することが可能な磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明にかかる磁気記録媒体の構成は、基体上に少なくとも、面内方向に所定のパターンで形成された磁性記録部と非記録部１３４とを有する磁気記録層１２２を備えた磁気記録媒体１００において、磁気記録層は、４×１０^６ｅｒｇ／ｃｃ以上の垂直磁気異方性定数Ｋｕを有する材料からなり、非記録部は、磁気記録層にイオンを注入することにより形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ターゲットが磁性体で厚かったり、ターゲットとして強磁性体を用いる場合であっても、ターゲットの表面に放電に必要な磁気トンネルを形成させるために十分な大きさの漏洩磁場を発生させることが可能なマグネトロンスパッタカソード、マグネトロンスパッタ装置及び磁性デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のマグネトロンスパッタカソードは、ターゲット１０のスパッタ面１０ａに設けられた第２環状溝１４と、ターゲット１０の非スパッタ面１０ｂに設けられた第３環状凸部２３と、非スパッタ面１０ｂの、第３環状凸部２３の外側に設けられた第４環状溝２４と、非スパッタ面１０ｂの、第４環状溝２４の外側に設けられた第４環状凸部２５とを有するターゲットを備える。また、上記マグネトロンスパッタカソードは、非スパッタ面１０ｂ側に、第１磁石５、及び第１磁石５と極性の異なる第２磁石６を備える。 （もっと読む）

【課題】緩衝効果を更に向上させて、柔らかい基板を用いた場合でも基板の損傷や破損を防止することが可能な基板支持装置を提供する。
【解決手段】基板に設けられたセンター孔に基板保持部を挿入し、前記基板保持部で前記基板を鉛直姿勢で支持する基板支持装置は、前記基板保持部に連結された第１の連結板と、前記第１の連結板に対向して配置され、前記基板を基板ホルダーに搬送する搬送ロボットに連結された第２の連結板と、前記第１の連結板と第２の連結板とを接続する少なくとも３つの線状の支持部材と、前記第１の連結板と第２の連結板との間に配置された弾性を有する緩衝部材と備える。 （もっと読む）

【課題】反応容器内を排気するのに要する時間を短縮することができ、なお且つ高減圧条件下で処理を行うことができる処理装置を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｗが配置される反応容器２と、被処理基板Ｗを処理する処理ユニット１Ａと、反応容器２内を減圧排気する真空ポンプ１５とを備え、反応容器２の被処理基板Ｗと対向する少なくとも一方側又は両側の側壁６ａ，６ｂには、処理ユニット１Ａが被処理基板Ｗと対向して配置されると共に、この処理ユニット１Ａを挟んで真空ポンプ１５が配置されている。これにより、反応容器２内の被処理基板Ｗの周囲に形成される反応空間Ｒの真空度を効率良く高めることが可能である。また、この反応容器２内を減圧排気するのに要する時間を短縮し、高真空度での処理を行うことが可能である。 （もっと読む）

【課題】キャリアに保持された基板に対して反応性プラズマ処理又はイオン照射処理を行う際に処理ムラが生じることを防止したインライン式成膜装置を提供する。
【解決手段】キャリアは、基板を内側に配置する孔部２９が設けられたホルダ２７と、ホルダ２７の孔部２９の周囲に弾性変形可能に取り付けられた複数の支持部材３０とを備え、複数の支持部材３０に基板の外周部を当接させながら、これら支持部材３０の内側に嵌め込まれた基板を着脱自在に保持することが可能であり、キャリアに保持された基板に対して反応性プラズマ処理又はイオン照射処理を行うチャンバ内において、ホルダ２７が接地されると共に、複数の支持部材３０の内側には、外径が１００ｍｍ以下である円盤状の基板が嵌め込まれ、なお且つ、この基板とホルダ２７の孔部２９との間に形成される隙間Ｓが、半径方向に少なくとも１１ｍｍ以上ある。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリングによって成膜される垂直磁気記録媒体の中間層用Ｃｏ−Ｃｒ系合金膜のバラツキを抑制することが可能なＣｏ−Ｃｒ系合金スパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 Ｃｒを３３〜４０原子％含有し、残部Ｃｏおよび不可避的不純物からなるＣｏ−Ｃｒ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法において、Ｃｏ−Ｃｒ系合金の溶解鋳造インゴットを、１１５０℃〜１３００℃の加熱後に総圧下率５０％〜９０％の熱間塑性加工を行い、次いで５００℃〜１２００℃の加熱温度範囲で熱処理を行うＣｏ−Ｃｒ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】容器内の真空度を短時間で高められる真空成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板を配置可能な空間部１０１ｄを備えた反応容器と、空間部１０１ｄ内に設置された成膜手段と、空間部１０１ｄの内部を減圧状態とする排気手段と、反応容器の一面に設けられ、空間部１０１ｄに連通された開口部１０１ｃと、開口部１０１ｃを覆うように取り付けられ、開口部１０１ｃを開閉自在とする扉部１０７と、開口部１０１ｃまたは扉部１０７の外周に取り付けられた枠部８０３と、枠部８０３に開口部１０１ｃを囲むように形成された溝部８０３ｃと、溝部８０３ｃに嵌めこまれたＯリング８０２と、枠部８０３に取り付けられ、枠部８０３を加熱する加熱部８０４と、を有する真空成膜装置を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】一方向からの測定によって対象物の位置情報を精度よく取得することを課題とする。
【解決手段】成膜装置１０００が有する位置測定装置１１００は、基板４００が有する測定対象平面４００ａ上の３つの測定点４００ａ１、４００ａ２、４００ａ３に対し、測定点までの水平方向の距離をそれぞれ測定する測距部を備える。測距部は、３つの変位センサ１１１０、１１２０、１１３０を有する。これらの変位センサ１１１０、１１２０、１１３０は、垂直仮想平面６００に正対するように配置される。位置測定装置１１００は、水平方向から基板４００の測定対象平面４００ａの投影画像を撮像する撮像部を備えている。撮像部は、画像センサ１１５０と、この画像センサ１１５０が接続された画像取得部１１６０を備えている。 （もっと読む）