【課題】制御された蒸気の供給を可能とする。
【解決手段】液体又は固体の物質を保持する保持部４と、保持部を冷却する冷却手段５と、保持部の温度を検知する検知手段６と、検知手段により検出した温度に基づき、冷却手段を制御する制御手段７と、を有し、制御手段により、冷却手段を用いて保持部の温度を制御することで、液体又は固体の物質の気化又は昇華を制御して、物質の蒸気を供給する。蒸気供給装置の置かれた雰囲気での、液体又は固体から気化又は昇華した蒸気の圧力を測定する手段９又は１０を有し、制御手段は、測定された圧力に基づき蒸気の圧力が所定の値になるように保持部の温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、磁気記録媒体の製造方法に関し、媒体ノイズを低減することを目的とする。
【解決手段】非磁性基板の上方に設けられた中間層上に記録層を構成するグラニュラ磁性層を形成する磁気記録媒体の製造方法において、Ｃｏ合金からなる複数の磁性粒子及び前記複数の磁性粒子を磁気的に分離する酸化物からなるグラニュラ磁性層をターゲットを用いたスパッタリングにより形成する工程を含み、前記ターゲットは、Ｃｏ合金と、Ｓｉ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｗ，Ｎｂの酸化物からなるグループから選択された１以上の第１の酸化物と、第２の酸化物を構成するＣｏ酸化物を含むように構成する。 （もっと読む）

【課題】ハードディスクの高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜を形成するための比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】非磁性酸化物：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有するスパッタリングターゲットであって、このスパッタリングターゲットはＣｏ−Ｃｒ二元系合金相１の一部または全表面が薄い非磁性酸化物相２により包囲されている複合相３がＰｔ相素地４中に均一分散している組織を有する。 （もっと読む）

【課題】磁気媒体の作成において、良質の磁気媒体を作製できるようにする。
【解決手段】基板８の外側周囲を回転する磁界発生手段７を備えたマグネトロンスパッタリングのためのチャンバー１内に、基板８と第１及び第２ターゲット２１，２１とを、前記基板８の中心軸と前記第１及び第２ターゲット２１，２１の中心軸とが交差するように配置し、前記チャンバー１内を排気し、前記チャンバー１内にガスを導入し、前記排気及びガス導入された雰囲気下で、前記基板８を回転させ、前記磁界発生手段７を前記基板８の外周の周りにおいて回転させながら、マグネトロンスパッタリング法により前記基板８の上に磁性膜及び異種材料膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】低透磁率を有する磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】高Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末、前記高Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末よりもＣｒ含有量の少ない低Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末、Ｐｔ粉末および非磁性酸化物粉末を、非磁性酸化物：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％を含有し、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる成分組成となるように配合し、混合したのち加圧焼結する比透磁率の低い磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法。 （もっと読む）

【課題】低透磁率を有する磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃｒ：５０〜７０原子％を含有し、残部がＣｏからなる成分組成を有する第一ＣｏＣｒ合金粉末、Ｃｒ：５〜１５原子％を含有し、残部がＣｏからなる成分組成を有する第二ＣｏＣｒ合金粉末、Ｐｔ粉末および非磁性酸化物粉末を、非磁性酸化物：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％を含有し、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる成分組成となるように配合し、混合したのち加圧焼結することを特徴とし、前記第一ＣｏＣｒ合金粉末および前記第二ＣｏＣｒ合金粉末のいずれか一方または両方の粉末は、さらにＢ：０．５〜８原子％を含有しても良い。 （もっと読む）

【課題】 ハードディスク等の磁気記録ディスクの製造に用いられると好適なインライン型基板処理装置を提供する。
【解決手段】 真空中で基板を処理する処理チャンバーを含む複数の真空チャンバーが接続された第一第二の無終端状の搬送路１，２に沿って、基板を保持するための基板保持具５１，５２をそれぞれ周回させる第一第二の周回機構がそれぞれ設けられている。第一の基板保持具５１から基板を取り外し、第三の搬送路３に沿って基板を大気に取り出すことなく真空中で搬送し、第二の基板保持具５２に移載する搬送系が設けられている。 （もっと読む）

【課題】結晶粒の成長を抑制し、低透磁率かつ高密度とすることにより、成膜効率化および膜特性の向上が実現できる磁気記録膜用スパッタリングターゲット、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＣｏおよびＰｔを含むマトリックス相と、金属酸化物相とからなるスパッタリングターゲットであって、透磁率が６〜１５、相対密度が９０％以上であることを特徴とする磁気記録膜用スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】充分な耐衝撃性を有し、加工プロセスや磁気記録層の成膜プロセスを複雑なものとすることがなく、表面平坦性に優れ、しかもコストダウンを可能とする磁気記録媒体用Ｓｉ基板を提供すること。
【解決手段】本発明では、多結晶Ｓｉウェハの平坦化の工程でのエッチングは行なわれず、機械研削のみで平坦化がなされる（Ｓ１０４、Ｓ１０６）。これは、エッチング速度に結晶面依存性があるため、多結晶Ｓｉウェハをエッチングすると、ウェハ表面に露出している各結晶粒の結晶方位面の違いによって段差が生じることが避けられず、精密な表面平坦化の障害となるためである。そして、最終研磨段階に先立って予めＳｉウェハ表面を酸化膜で被覆して酸化膜付きＳｉウェハとし（Ｓ１０７）、この酸化膜表面を平坦化することで表面に段差のない平坦な基板（酸化膜付きＳｉ基板）を得ている（Ｓ１０８）。 （もっと読む）

【課題】 十分な剥離防止効果を得ることにより洗浄回数を減少させ、歩留まりを向上させることのできる真空成膜装置を用いた磁気記録媒体の製造方法および磁気記録媒体を提供することである。
【解決手段】 本発明による磁気記録媒体の製造方法は、真空成膜装置を用いて、基体１上に少なくとも磁気記録層２２および媒体保護層２６を成膜する磁気記録媒体の製造方法であって、真空成膜装置の成膜雰囲気に曝される部品１０８、１１２の表面には、成膜材料の熱膨張率と部品を構成する材料の熱膨張率の中間の熱膨張率を有する金属または合金で構成された１または複数のコーティング層１５０を備えることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 ガス噴出口を工夫することで、面方向の膜厚の均一性を向上させることを目的とする。
【解決手段】 本発明による磁気記録媒体の製造方法は、真空成膜装置１００を用いて、円板状基体１の上に少なくとも磁気記録層２２および媒体保護層２６を成膜する磁気記録媒体の製造方法であって、チャンバ１０２内に円板状基体１を搬入する工程と、チャンバ１０２内の空気を排出して略真空に引く工程と、チャンバ１０２内にガスを導入する工程と、を含み、ガスを導入する工程においては、複数のガス噴出口１１４を円板状基体１の外周に沿って配置し、当該円板状基体１の半径方向に対して所定角度傾斜した方向にガスを噴出することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 飽和磁束密度、非晶質性に優れた垂直磁気記録媒体用軟磁性合金、およびこの合金においてマグネトロンスパッタ時に効率良く使用できる高ＰＴＦ値ターゲット材を提供する。
【解決手段】 Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、ＴａおよびＢの１種または２種以上を含有し、残部ＣｏおよびＦｅ、ならびに不可避的不純物よりなり、下記式１および式２を満足することを特徴とする垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用合金およびターゲット材。
０．２０≦Ｆｅ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）≦０．６５（ａｔ．％比） … （１）
５ａｔ％≦（Ｚｒ＋Ｈｆ＋Ｎｂ＋Ｔａ）＋Ｂ／２≦１０ａｔ％ … （２）
ただし、Ｂ：７％以下とする。 （もっと読む）

【課題】磁性膜の作成において、良質の磁性膜を成膜できるようにする。
【解決手段】スパッタチャンバー１内に基板８を配置し、マグネトロンスパッタリングにより基板８の表面に磁性膜を作成するマグネトロンスパッタリング装置であって、磁性材および該磁性材とは異種材料のターゲット２１，２１をそれぞれ保持するためのカソード２，２を、前記ターゲット２１，２１の中心軸と前記基板８の中心軸とが角度θで交差するように設置し、前記基板８の直径ｄと前記ターゲット２１，２１の直径Ｄとをｄ≧Ｄの関係を持つように設置すると共に、前記基板８を回転するための回転機構、前記カソード２，２の背後に位置するマグネット２２，２２、前記基板８の外周領域に位置する磁界発生装置７及び該磁界発生装置７を前記基板８の周囲に回転させるための回転駆動手段を有するマグネトロンスパッタリング装置とする。 （もっと読む）

スパッタリング・ターゲットは、ａ）表面材料と、ｂ）前記表面材料に結合されたコア材料とを有し、少なくとも１つの表面材料またはコア材料の欠陥ボリュームは、１００ｐｐｍよりも少ない。スパッタリング・ターゲットを製造する方法は、ａ）少なくとも１つのスパッタリング・ターゲット材料を提供し、ｂ）少なくとも１つのスパッタリング・ターゲット材料を溶融して溶融材料を提供し、ｃ）溶融材料をガス抜きし、ｄ）溶融材料をターゲット・モールド内に注ぐことを有する。ある実施形態では、溶融材料をターゲット・モールド内に注ぐことが、るつぼからターゲット・モールド内にアンダー注ぎ又はアンダースキミングすることを含む。これらの方法によって形成され、これらの方法を利用するスパッタリング・ターゲットおよび関連する装置もまたここに記載した。更に、これらのスパッタリング・ターゲットの使用についてもここに記載した。 （もっと読む）

【課題】複合材料膜中の組成均一性を改善するための成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１０は、真空チャンバー１１内に、被蒸着材料としてＳｉ，Ｃｏを個別に格納した第１，第２銅るつぼ１３ａ，１３ｂを備えている。電子銃１６により、Ｓｉ，Ｃｏを個別に加熱し、第１，第２水晶振動子１５ａ，１５ｂおよび制御装置５０により、Ｓｉ，Ｃｏの蒸着量を個別に制御する。真空蒸着前に、真空チャンバー１１の圧力を２×１０^−３Ｐａ以下に減圧してから、Ａｒガスを１×１０^−２〜１×１０^−１Ｐａの圧力範囲で導入する。真空蒸着を行うと、Ａｒガスの存在によって、各粒子の衝突回数が増大するので、Ｓｉ，Ｃｏが十分混合されて、基材シート３１上に、組成均一性の良好なＳｉ−Ｃｏ合金膜３５が形成される。 （もっと読む）

【課題】ターゲット間のクロスコンタミネーションを防止する。
【解決手段】シャッタ機構は、下記（ａ）〜（ｃ）を同時に満たす様に動作するスパッタ装置。
（ａ）第１シャッタ板６１の第１孔６１ａと第２シャッタ板６２の第３孔６２ａとの重ね合わせ部が第１ターゲット３８下に位置する。
（ｂ）第１シャッタ板６１の第２孔６１ｂが第２ターゲット３５下に位置し、第２シャッタ板６２が第２ターゲット３５を覆う。
（ｃ）第１シャッタ板６１と第２シャッタ板６２とが第３ターゲット（３６，３７）を覆う。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の裏面端部や側面に付着した膜（汚染物質）を除去することを可能にする汚染物質除去方法等を提供する。
【解決手段】本発明の汚染物質除去方法は、表面に薄膜が形成された被処理基板７の裏面縁部及び側面に対して、真空中において、指向性を有するビームを照射することを含む。 （もっと読む）

【課題】その鋳込み成形時の鋳込み口あたりの早期凝固、及び、それによりその鋳込み成形されたビレットの鋳込み口あたりに生じる鋳込み巣をなるべく存在させないスパッタリングターゲット材の製造方法を提供することをその目的とする。
【解決手段】基材金属と添加金属とを溶融混練してから鋳込み成形をし、スパッタリング用ターゲット材を製造する方法において、前記溶融混練によりなる合金溶液を前記鋳込みをする鋳型に流し込ませる際、前記鋳型を冷却しながら前記鋳型の鋳込み口あたりを加熱し、鋳込み成形時の前記鋳込み口あたりの早期凝固及び鋳込み巣の発生を抑えることを特徴とするスパッタリング用ターゲット材の製造方法を提供する。 （もっと読む）

本明細書中に開示されているのは、使用済みスパッタリングターゲットを修復するための方法である。この方法は、粉末化金属がスパッタではじき出されなかった金属と融合して、修復されたターゲットを生産するように、充分な熱および軸方向の力を、充填されたスパッタリングターゲットに適用して、スパッタリングターゲットを加熱プレスする各ステップを含む。この方法は、ルテニウムターゲット等の高価な金属ターゲット、修復するために使用できる。
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【課題】軟磁性層で生じる磁気ノイズを低減する。
【解決手段】基材に軟磁性薄膜をスパッタリングにより形成するための複数の第１チャンバ１１と、軟磁性薄膜に非磁性薄膜をスパッタリングにより積層して形成するための少なくとも１つの第２チャンバ１２とを備える。そして、第１チャンバ１１と第２チャンバ１２は、基材の搬送経路に沿って交互に配置されている。 （もっと読む）